JP2020035940A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】他信号の配置配線を考慮しつつ、コア電源の品質を改善することができるパッケージボール配置および半導体チップのインターフェース回路を提供すること。【解決手段】第一の半導体チップと、第二の半導体チップを備え、前記第二の半導体チップは、前記第一の半導体チップ上に積層接続され、前記第一の半導体チップにおいて、前記第二の半導体チップとのインターフェース回路が前記第一の半導体チップの少なくとも一辺にまとめて配置され、前記第一の半導体チップのパッケージにおいて、前記第一の半導体チップのコア電源供給用のボールは前記第二の半導体チップとのインターフェース回路がまとめて配置される辺と同じ方向の辺の最外周に、少なくとも複数ボールまとめて配置される。【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置に関する。
小型化・高集積化が求められるデジタルカメラや多機能携帯電話のLSIは、BGA(Ball Grid Array)パッケージ、かつDRAMをPOP(Package On Package)等の技術により積層させたものが主流となっている。
BGAパッケージやDRAMのPOP積層による小型化・高集積化に伴い、LSIの電源品質を高めることが難しくなってきている。例えばDRAMを積層すると、積層させた分だけDRAMへの電源供給経路が長くなり、電源供給経路のインダクタンス成分が増加し、電流変動によるノイズに弱くなる。さらに将来、LSIの電源がますます低電圧化し、動作周波数が高速化すれば、ますます電源には高い品質が求められることになる。
特許文献1では、前述のようにDRAMをPOP技術により積層したBGAパッケージのLSIについて、積層されたDRAMの電源品質を改善させる技術を記載している。
しかしながら、特許文献1に記載の技術では、上層に積層するDRAMの電源品質改善を目的としているものの、下層のLSIの電源に関しては言及していない。
従来、LSIのコア電源のボールは図14のようにBGAパッケージの中央付近へ固めて配置されることが一般的であり、特許文献1でもそのようにしている。これは、コア電源品質改善のためのバイパスコンデンサを図15のようにメイン基板の裏面に配置することを前提としているためである。
今後ますますLSIの小型化、狭ピッチ化が進むと電源供給経路におけるビア径や配線も細くせざるを得ず、基板裏面までのビアによるインダクタンス成分が無視できなくなるためコア電源品質に影響を及ぼす可能性がある。
仮に電源ボールを最外周へまとめて配置することができた場合、電源の配線幅を太くすることによって電源ラインのインダクタンスを下げ、コア電源品質を改善することが可能となる。しかしながら、従来LSIのボール最外周には図14の高速差動信号のように表層で引き出すことを前提とした信号が割り当てられており、単純に電源ボールだけを最外周へ配置しようとすると他の配線を遠回りさせることになり信号品質低下につながる。例えば図13は従来の半導体チップにおけるIF回路の配置の例を示しているが、4辺にわたって外部とのインターフェースが存在しているため、コア電源ボールを最外周へ配置するだけでは、チップ上で同方向にあった信号の配線が遠回りをすることになる。
そこで本発明は、他信号の配置配線を考慮しつつ、コア電源の品質を改善することができるパッケージボール配置および半導体チップのインターフェース回路配置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、
第一の半導体チップと、第二の半導体チップを備え、第二の半導体チップは、第一の半導体チップ上に積層接続され、第一の半導体チップにおいて、第二の半導体チップとのインターフェース回路が第一の半導体チップの少なくとも一辺にまとめて配置され、第一の半導体チップのパッケージにおいて、第一の半導体チップのコア電源供給用のボールは前記第二の半導体チップとのインターフェース回路がまとめて配置される辺と同じ方向の辺の最外周に、少なくとも複数ボールまとめて配置されることを特徴とする。
第一の半導体チップと、第二の半導体チップを備え、第二の半導体チップは、第一の半導体チップ上に積層接続され、第一の半導体チップにおいて、第二の半導体チップとのインターフェース回路が第一の半導体チップの少なくとも一辺にまとめて配置され、第一の半導体チップのパッケージにおいて、第一の半導体チップのコア電源供給用のボールは前記第二の半導体チップとのインターフェース回路がまとめて配置される辺と同じ方向の辺の最外周に、少なくとも複数ボールまとめて配置されることを特徴とする。
本発明に係る半導体装置によれば、他信号の配置配線を考慮しつつ、コア電源の品質を改善することができるパッケージボール配置および半導体チップのインターフェース回路を提供することができる。
以下に、本発明の好ましい実施の形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態にかかわる半導体装置の全体俯瞰図である。
図1の半導体装置10は、半導体チップ100(第一の半導体チップ)、中継基板220、DRAM210(第二の半導体チップ)、インターポーザ300から構成される。半導体チップ100は、インターポーザ300上に実装される。ここでは半導体チップ100の実装方法は、フリップチップ実装を想定している。インターポーザ300上に、中継基板220を経由してDRAM210が積層接続される。インターポーザ300は、6層の配線層310、320、330、340、350、360から構成され、半導体チップ100に近い方からこの順に積層される。なお、隣接した配線層において同位置・同記号の電源・信号はビアによって互いに接続される。
以下、図2から図9を用いて、半導体チップ100、DRAM210、インターポーザ300の各配線層の詳細を説明する。
図2は半導体チップ100である。半導体チップ100としては、画像処理プロセッサ等のLSIを想定している。図2は、半導体チップ100における外部とのIF(インターフェース)回路の配置を示している。半導体チップ100は、DRAM IF回路101、高速差動IF回路102、IO(入出力)回路103、電源PAD104を備える。
DRAM IF回路101は、DRAM210と直接データの受け渡しを行う物理層のハードマクロを想定している。DRAM IF回路101は、半導体チップ100の1辺にまとめて配置される。図2の例では、右辺にまとめて配置されている。高速差動IF回路102は、LVDS、USB、PCIe、SATA、HDMI(登録商標)等の規格に基づいたIFの物理層のハードマクロを想定している。高速差動IF回路102は、DRAM IF回路101がまとめて配置される辺とは異なる3辺に配置される。図2の例では、上辺、左辺、下辺に配置されている。
IO回路103は、LVCMOS規格に基づいたIO(入出力)回路である。ここではLVCMOS規格としたが、その他の規格のシングルエンド信号であっても良い。電源PAD104は、半導体チップ100の中央部へ形成される。半導体チップ100は、電源PAD104を通じて、インターポーザ300からコア電源の供給を受ける。
図3はインターポーザ300の1層目の配線層310の詳細図である。310は半導体チップ100が直接フリップチップで実装される層であり、半導体チップ100も図示してある。DRAM IF回路101の各DRAM信号は、配線群311を通じてボール群312へ接続し、後述の中継基板220へ接続する。
高速差動IF回路102の各高速差動信号は、配線群313を通じてビア群314へ接続し、後述の配線層320へ接続する。LVCMOS IO回路103の各LVCMOS信号は、配線群315を通じてビア群316へ接続し、後述の配線層320へ接続する。
図4は中継基板220の詳細図である。DRAM210は、中継基板220上に実装される。DRAM210とはこの例ではDRAMのパッケージを想定しているが、ベアチップであっても良い。また、中継基板220を用いずに、インターポーザ300上に直接DRAMパッケージが実装される構成であっても良い。また、中継基板220を用いずに、TSV(Through Silicon Via)により半導体チップ100上に直接DRAMが積層される構成であっても良い。
前述の配線層310から伝搬するDRAM信号は、中継基板220上でビア群221、配線群222を経由してDRAM210へ接続する。また、210はDRAMとしたが、積層可能なデバイスであればDRAMに限らない。例えば210がフラッシュメモリや撮像センサであっても構わない。
図5はインターポーザ300の2層目の配線層320の詳細図である。ビア群314、316は、それぞれ高速差動信号、LVCMOS信号を後述の配線層330へ接続する。ビア群323は、コア電源を後述の配線層330へ接続するためのビアである。ビアが図示された以外の領域にはグラウンドプレーンを形成する。配線層320をほぼグラウンドプレーンとすることで、配線群311の電流リターン経路や配線群313の差動信号のインピーダンスコントロールのためのリファレンス層として作用することができる。
図6はインターポーザ300の3層目の配線層330の詳細図である。ビア群314、316は、それぞれ高速差動信号、LVCMOS信号を後述の配線層340へ接続する。コア電源は、ビア群323、電源配線334、ビア群335を通じて後述の配線層340へ接続する。コア電源用のビア群は、電源配線334により、中央付近から外周(図では右辺)へ移動する。ここで、配線層310においてDRAM信号がすべて上層に積層される中継基板220へ接続するため、配線層330においてDRAM信号の配線がなく、配線群311の直下に広いスペースが確保可能となっている。そのため、電源配線334は配線幅を十分太くすることができ、電源ラインのインダクタンスを低減することが可能となっている。
図7はインターポーザ300の4層目の配線層340の詳細図である。ビア群314は、高速差動信号を後述の配線層350へ接続する。ビア群335は、コア電源を後述の配線層350へ接続する。LVCMOS信号は、ビア群316、配線群343、ビア群344を通じて後述の配線層350へ接続する。LVCMOS信号のビア群は、配線群343によって中央付近へ集まる。
図8はインターポーザ300の5層目の配線層350の詳細図である。ビア群314、344は、それぞれ高速作動信号、LVCMOS信号を、後述の配線層360へ接続する。ビア群335は、コア電源を後述の配線層360へ接続する。なお、図8では配線層350において再配線される信号線がなく、単にビアで信号を下に接続しているだけであるが、実際には不図示の様々な信号の配線が存在する。
図9はインターポーザ300の6層目の配線層360の詳細図である。配線層360はインターポーザ300の最下層であり、メイン基板へ接続するためのボールが形成される。ボール群363は、コア電源用のボールである。ボール群363は、ボール配置上、外周の1辺(図では右辺)にまとめて配置される。ボール群361は、高速差動信号のボール群である。ボール群361は、ボール配置上、コア電源用のボールがまとめて配置される辺とは異なる3辺(図では上辺、下辺、左辺)にまとめて配置される。
ボール群362は、LVCMOS信号のボール群である。ボール群362は、ボール配上、中央付近へまとめて配置される。また、ボール群364は、DRAM電源およびDRAM IF回路の電源用のボール群である。ボール群364は、図3から図8において不図示の配線およびビアによってDRAM IF回路101およびDRAM210へ接続されている。ボール群364は、ボール配置上、コア電源用のボールがまとめて配置される辺と同じ辺のコーナー付近にまとめて配置される。この配置にすることで、パッケージのコーナー付近の表層にバイパスコンデンサを配置し電源品質を高めることが可能である。
また、ボール群365は、各種インターフェース電源用のボール群である。ボール群365は、LVCMOS IO回路の電源や、高速差動IF回路用の電源も含む。ボール群365は、図3から図8において不図示の配線およびビアによってLVCMOS IO回路103および高速差動IF回路102へ接続されている。ボール群365は、ボール群364とは別のコーナー付近にまとめて配置される。この配置にすることで、パッケージのコーナー付近の表層にバイパスコンデンサを配置し電源品質を高めることが可能である。また、ボール群366は、グラウンド用ボール群である。ボール群366は、各種インターフェースのボール群や電源のボール群を取り囲むように配置される。
なお、図9において半導体チップ100との接続が図示されていない信号ボールおよび電源ボールが多数存在しているが、図3から図8において不図示の配線およびビアによって半導体チップ100と接続している。
最後に、図10を用いて本構成によって得られる効果について説明する。図10は、本実施例における半導体装置10を、メイン基板40へ実装した時の断面図である。なお、図10では図1から図9と同一のものについては同一の番号を付してある。
高速差動信号は、配線群313、ビア群314を通じてボール群361へ接続し、メイン基板上で表層配線される。ボール群361の配置をボール配置上最外周にすることで高速差動信号を表層配線にし、インピーダンスコントロールを容易にし、信号品質を高めることができる。
LVCMOS信号は、配線群315、ビア群316、配線群343、ビア群344を通じてボール群362へ接続し、メイン基板上では内層配線される。LVCMOS信号のボール配置を中央部とすることでLVCMOS信号は表層配線ができず内層配線になってしまうが、これは高速差動信号とコア電源配線を優先して表層配線させるためである。
DRAM信号は配線群311、ボール群312、ビア群221、配線群222を通じてDRAM210へ接続する。図のように、DRAM用の信号線はすべて積層されているDRAMへ接続するため信号線はすべて上層へ接続し、配線群311の直下の層では広いスペースが空くことになる。
コア電源は、ビア群323、電源配線334、ビア群335を通じてボール群363へ接続し、メイン基板40上で表層の電源配線411を経由してバイパスコンデンサ420へ接続する。ここで、コア電源のボール群363が最外周に配置されているため、電源ノイズ低減のためのバイパスコンデンサ420は電源ボール群363の表層直近へ配置することが可能である。また、DRAM信号の配線群311の直下の層に広いスペースがあるため、電源配線334、411は、十分太い配線でひくことが可能であり、電源ラインのインダクタンスを下げることが可能である。
このように、本実施例では従来バイパスコンデンサをメイン基板の裏へ配置していた場合と比べて電源品質を改善することが可能となる。
実施例1では、半導体チップにおいてはDRAM IF回路が配置される辺以外の3辺に高速差動IF回路が配置され、パッケージにおいてはコア電源用のボールが外周に配置される辺以外の3辺の外周に高速差動IF用ボールが配置される例を説明した。
実施例2では、別の半導体チップのレイアウト、パッケージボール配置について説明する。なお、実施例1と同様の構成要素については同一の番号を付し、詳細な説明は省略する。
図11は、実施例2における半導体チップ100である。図11では図2と比べて高速差動IF回路102が増えており、DRAM IF回路101が配置される辺と同じ辺にも高速差動IF回路102が配置されている。
図12は、実施例2におけるインターポーザ300の配線層360である。図12では図9と比べて高速差動信号のボール群361の数が増えており、コア電源のボール群363が外周に配置される辺にも高速差動信号用のボールが配置される。また、DRAM電源用のボール364は、図9と比べて同辺のやや中央寄りへ配置される。
それ以外の構成については実施例1と同等であるため、詳細な説明は省略する。
以上の構成でも、メイン基板40へ実装した時の断面図は図10と同等になり、実施例1と同等の効果を得ることができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
10 半導体装置、100 半導体チップ(第一の半導体チップ)、220 中継基板、
210 DRAM(第二の半導体チップ)、300 インターポーザ
210 DRAM(第二の半導体チップ)、300 インターポーザ
Claims (6)
- 第一の半導体チップと、
第二の半導体チップを備え、
前記第二の半導体チップは、前記第一の半導体チップ上に積層接続され、
前記第一の半導体チップにおいて、前記第二の半導体チップとのインターフェース回路が前記第一の半導体チップの少なくとも一辺にまとめて配置され、
前記第一の半導体チップのパッケージにおいて、前記第一の半導体チップのコア電源供給用のボールは前記第二の半導体チップとのインターフェース回路がまとめて配置される辺と同じ方向の辺の最外周に、少なくとも複数ボールまとめて配置されることを特徴とする半導体装置。 - 前記第二の半導体チップとは、記憶装置、撮像センサのいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第一の半導体チップは高速差動インターフェース回路を備え、第一の半導体チップのパッケージ外周に高速差動インターフェース用のボールが配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第一の半導体チップのパッケージにおいて高速差動インターフェース用のボール以外の入出力信号用ボールはパッケージ中央付近へ配置されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記第一の半導体チップのパッケージにおいて前記第二の半導体装置の電源供給用のボールおよび前記第二の半導体装置とのインターフェース回路の電源供給用のボールは、コア電源供給用のボールが最外周にまとめて配置される辺の外周へ配置されることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記第一の半導体チップのパッケージにおいて高速差動インターフェース回路用の電源ボールおよびそれ以外の入出力回路用の電源ボールはパッケージ外周へ配置されることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018162494A JP2020035940A (ja) | 2018-08-31 | 2018-08-31 | 半導体装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7439719B2 (ja) | 2020-10-05 | 2024-02-28 | 株式会社デンソー | マルチチップモジュールおよび電子制御装置 |
-
2018
- 2018-08-31 JP JP2018162494A patent/JP2020035940A/ja active Pending
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