JP2020030357A - 光源装置およびプロジェクター - Google Patents

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Abstract

【課題】波長変換素子の放熱性に優れ、小型かつ光利用効率の高い光源装置及びプロジェクターを提供する。【解決手段】本発明の光源装置は、第1面を有する基板と、第1面側に設けられる枠体と、枠体に設けられる蓋体と、基板と枠体と蓋体とによって形成される収納空間に収納され、基板の第1面側に設けられる発光素子と、基板に設けられ、収納空間に収納され、発光素子から射出された第1の光を第1の光とは異なる波長を有する第2の光に変換して射出する波長変換素子と、発光素子と波長変換素子との光路中に設けられ、第1の光および第2の光の一方を透過させるとともに第1の光および第2の光の他方を反射させる第1光学膜と、を備え、発光素子は、第1の光の主光線が第1面に沿うように、第1の光を射出することを特徴とする。【選択図】図2

Description

本発明は、光源装置およびプロジェクターに関する。
下記特許文献1には、蛍光体に励起光としてレーザー光を照射することで生成した蛍光を照明光として利用する光源装置が開示されている。この光源装置では、ベースとキャップとで規定される空間内に半導体レーザー素子と蛍光体とを収容した構造を有する。
特開2018−56160号公報
しかしながら、上記光源装置では、蛍光体の熱を透光部材に接触させることで放出するため、十分に蛍光体から放熱させることが難しいという問題があった。
上記の課題を解決するために、本発明の一つの態様の光源装置は、第1面を有する基板と、前記第1面側に設けられる枠体と、前記枠体に設けられる蓋体と、前記基板と前記枠体と前記蓋体とによって形成される収納空間に収納され、前記基板の第1面側に設けられる発光素子と、前記基板に設けられ、前記収納空間に収納され、前記発光素子から射出された第1の光を前記第1の光とは異なる波長を有する第2の光に変換して射出する波長変換素子と、前記発光素子と前記波長変換素子との光路中に設けられ、前記第1の光および前記第2の光の一方を透過させるとともに前記第1の光および前記第2の光の他方を反射させる第1光学膜と、を備え、前記発光素子は、前記第1の光の主光線が前記第1面に沿うように、前記第1の光を射出することを特徴とする。
本発明の一つの態様の光源装置において、前記基板は、前記第1面に対して、前記第1の光の進行方向に進むにしたがって前記第1面から前記蓋体に近づくように傾斜する傾斜面を有し、前記波長変換素子は、前記傾斜面に設けられてもよい。
本発明の一つの態様の光源装置において、前記発光素子と前記波長変換素子との光路中に設けられ、第2面を有する光学素子をさらに備え、前記第1光学膜は、前記光学素子の前記第2面に形成され、前記発光素子から射出された前記第1の光を透過し、前記波長変換素子から射出された前記第2の光を反射してもよい。
この場合において、前記第2の光を平行化する平行化素子と前記光学素子とが一体的に形成されるのがより望ましい。
本発明の一つの態様の光源装置において、前記発光素子と前記波長変換素子との光路中に設けられ、第2面を有する光学素子をさらに備え、前記第1光学膜は、前記光学素子の前記第2面に形成され、前記発光素子から射出された前記第1の光を反射し、前記波長変換素子から射出された前記第2の光を透過してもよい。
この場合において、前記波長変換素子と前記光学素子との間に設けられ、前記波長変換素子および前記光学素子よりも屈折率の低い第1低屈折率層をさらに備えるのがより望ましい。
本発明の一つの態様の光源装置において、前記蓋体における前記波長変換素子とは反対側の面に前記蓋体よりも屈折率の低い第2低屈折率層を介して対向して配置され、前記波長変換素子から射出された前記第2の光の放射角を小さくする第2の光学素子をさらに備えてもよい。
本発明の一つの態様の光源装置において、前記光学素子は、前記第1の光および前記第2の光が通過する領域に設けられてもよい。
本発明の一つの態様のプロジェクターは、本発明の一つの態様の光源装置と、前記光源装置から射出された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、前記光変調装置により変調された光を投写する投写光学装置と、を備える。
第1実施形態の光源装置の斜視図である。 図1のA−A線に沿う光源装置の断面図である。 第1実施形態の波長変換素子の要部構成を示す断面図である。 1つの発光素子の周辺構成を拡大した図である。 第1変形例の光源装置の断面図である。 第2変形例の光源装置の断面図である。 第2実施形態の光源装置の要部構成を拡大した図である。 第3変形例の光源装置の要部構成を拡大した図である。 第4変形例の光源装置の要部構成を拡大した図である。 第5変形例の光源装置の要部構成を拡大した図である。 第3実施形態の光源装置の断面図である。 1つの発光素子の周辺構成を拡大した図である。 第6変形例の光源装置の要部構成を拡大した図である。 第7変形例の光源装置の要部構成を拡大した図である。 第4実施形態のプロジェクターの概略構成を示す図である。
(第1実施形態)
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
以下の各実施形態では、後述するプロジェクターに用いるのに好適な光源装置の一例について説明する。
なお、以下の全ての図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
図1は、第1実施形態の光源装置の斜視図である。
図2は、図1のA−A線に沿う光源装置の断面図である。
図1に示すように、第1実施形態の光源装置10は、基板12と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、枠体15と、蓋体16と、複数のリード端子17と、複数の波長変換素子29(図2参照)と、複数の波長選択素子20(図2参照)と、を備えている。基板12、枠体15および蓋体16は、各々が別体の部材であり、後述する形態によって互いに接合されている。
基板12は、表面12a(第1面)と、表面12aとは反対側の裏面12bと、を有する板材で構成されている。基板12は、表面12aの法線方向から見た平面視において、略正方形もしくは略長方形等の四角形の形状を有する。基板12の表面12a側には、後述する複数のサブマウント13を介して複数の発光素子14が設けられている。以下、単に「平面視」と記載した場合、基板12の表面12aの法線方向から見たときを意味する。
基板12の裏面12bにはヒートシンク等の放熱部材(図示略)が適宜設けられる。そのため、基板12は、熱伝導率が高い金属材料で構成されている。この種の金属材料として、銅、アルミニウムなどが好ましく用いられ、銅が特に好ましく用いられる。
図1に示すように、複数のサブマウント13は、基板12の表面12aにおいて、基板12の一辺と平行な方向に所定の間隔を空けて設けられている。複数のサブマウント13の各々は、複数の発光素子14に対応して設けられている。第1実施形態では、サブマウント13は、4個の発光素子14に対して共通に設けられているが、発光素子14の数は特に限定されない。なお、サブマウント13は、複数の発光素子14のそれぞれに対応して設けられてもよい。すなわち、1つの発光素子14に対応して、1つのサブマウント13が設けられていてもよい。
サブマウント13は、例えば窒化アルミニウム、アルミナ等のセラミック材料で構成されている。サブマウント13は、基板12と発光素子14との間に介在し、基板12と発光素子14との線膨張係数の違いにより生じる熱応力を緩和する。サブマウント13は、銀ロウ、金−スズはんだ等の接合材により基板12に接合されている。
複数の発光素子14は、基板12の表面12a側に設けられている。発光素子14は、例えば半導体レーザー、発光ダイオードなどの固体光源から構成されている。発光素子14は、光源装置10の用途に応じて任意の波長の発光素子を用いればよい。第1実施形態では、蛍光体励起用の波長430nm〜490nmの青色光を射出する発光素子14として、例えば窒化物系半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)で構成される端面発光型の半導体レーザーが用いられる。また、上記の一般式に加えて、III族元素の一部がホウ素原子で置換されたもの、V族元素として窒素原子の一部がリン原子、ヒ素原子で置換されたもの等を含んでもよい。
図1に示すように、複数の発光素子14は、平面視において、例えば(m×n)個(m,n:2以上の自然数)の半導体レーザーがm行n列の格子状に配列された構成を有する。第1実施形態では、複数の発光素子14として、例えば16個の半導体レーザーが4行4列の格子状に配列されている。
図2に示すように、発光素子14は、直方体状の発光素子14の6つの面のうち、光射出面14aが基板12の表面12aと直交するように、サブマウント13上に設けられている。第1実施形態において、発光素子14はサブマウント13を介して基板12の表面12aに載置されている。
複数の発光素子14の各々は励起光L(第1の光)を射出する光射出面14aを有する。このように配置された複数の発光素子14の各々は、基板12の表面12aに沿う方向に励起光Lを射出する。すなわち、複数の発光素子14の各々から射出された励起光Lにおける主光線Laは表面12aに沿う。
また、発光素子14は、光射出面14aがサブマウント13の一つの端面13aと略面一に揃うように、サブマウント13上に設けられている。発光素子14は、銀ロウ、金−スズはんだ等の接合材(図示略)によりサブマウント13に接合されている。
第1実施形態において、基板12には、各発光素子14に対応して配置された複数の波長変換素子29が設けられている。複数の発光素子14の各々から射出された励起光Lは対応する波長変換素子29に入射する。すなわち、波長変換素子29は発光素子14と同じ数(第1実施形態では、16個)だけ設けられる。なお、複数の発光素子14に対して、1つの波長変換素子29が設けられていてもよい。
基板12は、複数の支持部30を有する。図1及び図2に示すように、複数の支持部30は、基板12の表面12a側において、基板12の一辺と平行な方向に所定の間隔を空けて設けられている。複数の支持部30の各々は、表面12a上に配列された複数のサブマウント13の間にそれぞれ配置されている。
複数の支持部30の各々は、複数の波長変換素子29に対応して設けられている。第1実施形態において、1つの支持部30が4個の発光素子14に対して共通に設けられている。よって、1つの支持部30に4つの波長変換素子29が設けられている。なお、1つの支持部30に対して、1つの波長変換素子29が設けられていてもよい。
支持部30は基板12と一体に形成されている。図2に示すように、支持部30は、表面12aから蓋体16側に突出して設けられるとともに表面12aに平行な上面30aと、上面30aのうち励起光Lが入射する側の端部と表面12aとを接続する第1側面30bと、上面30aのうち励起光Lが入射する側と反対の端部と表面12aとを接続する第2側面30cとを有する。第1側面30bは、表面12aに対して、励起光Lの進行方向に進むにしたがって蓋体16側に向かって傾斜する傾斜面である。第2側面30cは、例えば、表面12aに対して直交する面としたが、これに限らず、適宜変更が可能である。なお、第1実施形態において、支持部30と基板12とは、一体に形成されていたが、支持部30は、基板12と別体に形成されていてもよい。
各波長変換素子29は支持部30の第1側面30b(傾斜面)に設けられる。波長変換素子29は各発光素子14から入射する励起光Lを蛍光YL(第2の光)に変換して射出する。波長変換素子29は励起光Lの進行方向に配置されるため、励起光は屈折あるいは反射させることなく、波長変換素子29に効率よく導かれる。
図3は第1実施形態の波長変換素子29の要部構成を示す断面図である。図3に示すように、波長変換素子29は、蛍光体層50と反射部材51とを有する。
蛍光体層50は、励起光Lが入射するとともに蛍光YLを射出する上面50Aと、当該上面50Aの反対の面、すなわち、反射部材51が設けられる底面50Bとを有する。底面50Bは、支持部30の第1側面30bと対向する。第1実施形態において、蛍光体層50の上面50Aには反射防止膜59が設けられている。これにより、励起光Lが蛍光体層50に効率よく入射する。
第1実施形態において、蛍光体層50は、蛍光体粒子を焼成することで形成されたセラミックス蛍光体である。蛍光体層50を構成する蛍光体粒子として、Ceイオンを含んだYAG(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体が用いられる。
なお、蛍光体粒子の形成材料は、1種であってもよいし、2種以上の材料を用いて形成された粒子が混合されたものが用いられてもよい。蛍光体層50として、アルミナ等の無機バインダー中に蛍光体粒子を分散させた蛍光体層、無機材料であるガラスバインダーと蛍光体粒子とを焼成することで形成された蛍光体層などが好適に用いられる。また、バインダーを用いることなく蛍光体粒子を焼成することにより、蛍光体層を形成しても良い。
反射部材51は、蛍光体層50の底面50B側に設けられる。波長変換素子29は接合材58を介して支持部30の第1側面30bに接合されている。接合材58としては、例えば、ナノ銀ペーストが用いられる。なお、接合材58としては、例えば、金属ろうによる金属接合を用いても良い。
第1実施形態において、反射部材51は複数の膜を積層した多層膜から構成されている。第1実施形態の反射部材51は、蛍光体層50の底面50B側から順に、封止層52と、全反射層53と、多層膜54と、第1保護層55aと、反射層56と、第2保護層55bと、接合補助層57とを積層して構成される。
封止層52は、例えば、膜厚350nmのSiOで構成される。全反射層53は、例えば、膜厚100nmのSiO層で構成され、蛍光体層50で生成された蛍光YLの臨界角以上の角度の光を全反射する層である。多層膜54は、第1反射層54a、第2反射層54b、第3反射層54cおよび第4反射層54dを順に積層して構成される。
第1反射層54aは、例えば膜厚30〜40nm程度のNb層で構成され、第2反射層54bは膜厚90〜100nmのSiO層で構成され、第3反射層54cは膜厚50〜60nmのNb層で構成され、第4反射層54dは膜厚50〜60nmのAl層で構成される。
第1実施形態において、第1保護層55aおよび第2保護層55bはそれぞれ金属を含有する層からなる。第1保護層55aおよび第2保護層55bは反射層56の劣化を抑制するためのものである。
第1実施形態において、第1保護層55aおよび第2保護層55bは、酸化物導電体材料またはアモルファス導電性酸化物として、例えば、ITO(酸化インジウムスズ)、FTO(フッ素ドープ酸化スズ;SnO:F)、ATO(アンチモンドープ酸化錫;SnO:Sb)、AZO(アルミニウムドープ酸化亜鉛;ZnO:Al)、GZO(ガリウムドープ酸化亜鉛;ZnO:Ga)、IZO(インジウムドープ酸化亜鉛)、IGO(ガリウムドープ酸化インジウム)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化錫(SnO)から選択される少なくとも1種の金属を含有する。
第1実施形態では、第1保護層55aおよび第2保護層55bはの材料としてそれぞれ酸化錫(SnO)を用いた。なお、第1保護層55aおよび第2保護層55bはとしての材料は互いに異なっていてもよい。
第1実施形態において、反射層56は、光入射側および光射出側に酸化錫(SnO)膜が設けられるため、Ag原子のマイグレーションがより起こり難くなるので、マイグレーションによる凝集の発生が低減される。
接合補助層57は、反射部材51及び支持部30を接合する。接合補助層57としては、例えば、Ag層を用いることで、反射部材51と支持部30との間における熱伝導性を向上させることができる。
図2に示したように、複数の波長選択素子20の各々は、複数の波長変換素子29に対応して設けられている。すなわち、図1に示すように、波長選択素子20は波長変換素子29と同じ数(第1実施形態では、16個)だけ設けられる。波長選択素子20は、発光素子14と波長変換素子との間の励起光Lの光路上に設けられる。
図4は1つの発光素子の周辺構成を拡大した図である。
図4に示すように、波長選択素子20は、透光性基板21(光学素子)とダイクロイック膜22(第1光学膜)とを有する。第1実施形態において、ダイクロイック膜22は例えば透光性基板21における波長変換素子29に対向する側の第2面21aに設けられる。なお、ダイクロイック膜22は、透光性基板21の第2面21aの反対側の面(透光性基板21の発光素子14または光射出面14aに対向する面)に設けられてもよい。
透光性基板21は、ダイクロイック膜22を保持するための基板である。ダイクロイック膜22は、励起光Lを透過するとともに蛍光YLを反射する光学特性を有した光学膜で構成される。なお、波長選択素子20は1つの支持部30に支持された4つの波長変換素子29に対して共通に設けられていてもよい。
このような構成に基づき、波長選択素子20は励起光Lを透過させるとともに波長変換素子29から射出された蛍光YLを反射可能である。
波長選択素子20は、波長変換素子29の蛍光体層50から射出された蛍光YLを所定方向に向けて反射するように配置される。例えば、波長選択素子20は不図示の領域(例えば、図2の紙面奥行き方向の領域)で支持されることで所定の姿勢に保持される。波長選択素子20は、第2面21aが基板12の一辺と平行な方向に沿うように設けられている。波長選択素子20の当該方向の端部は、枠体15によって保持されている。また、波長選択素子20は、第2面21aが後述するリード端子17の延出方向に沿うように設けられている。波長選択素子20の当該方向の端部は、枠体15によって保持されている。さらに、波長選択素子20は、第2面21aが、支持部30の延出方向に沿うように設けられている。波長選択素子20の当該方向の端部は、枠体15によって保持されている。
枠体15は、複数の発光素子14及び複数の波長変換素子29を囲んで設けられ、基板12の表面12aに接合されている。そのため、枠体15は基板12の表面12a側に突出して設けられる。枠体15は、平面視において、四角形の環状の形状を有する。枠体15は、四角形の4辺が全て一体の部材であってもよいし、複数の部材が接合された構成であってもよい。枠体15は、基板12と蓋体16との間の距離(間隔)を一定に保持し、複数の発光素子14が収容される収納空間Sの一部を構成する。そのため、枠体15は、所定の剛性を有することが好ましい。
枠体15は、蓋体16に発生する応力を緩和する役目を果たす。そのため、枠体15は、基板12の線膨張係数よりも小さく、蓋体16の線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有する材料で構成されることが好ましい。枠体15の材料として、例えばコバール等の金属材料、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック材料が好ましく用いられ、コバールやアルミナが特に好ましく用いられる。
蓋体16は、複数の波長変換素子29から射出された蛍光YLを透過させる透光性部材から構成されている。蓋体16は、基板12の表面12aに対向して設けられ、枠体15の基板12とは反対側に接合されている。蓋体16は、平面視において、正方形、長方形を含む四角形の形状を有する。
蓋体16と枠体15とは、有機接着剤、金属接合材、無機接合材等の接合材33によって接合されている。有機接着剤として、例えばシリコーン系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤等が好ましく用いられる。金属接合材として、例えば銀ロウ、金−スズはんだ等が好ましく用いられる。無機接合材として、例えば低融点ガラス等が好ましく用いられる。
蓋体16を構成する透光性部材は、光透過性を有する材料を形成材料とした板状の部材である。このような形成材料としては、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、合成石英ガラスなどのガラス、水晶、またはサファイアなどを挙げることができる。
第1実施形態の蓋体16は屈折力を有している。具体的に第1実施形態では、コリメートレンズユニット25が蓋体16の基板12と反対側の面に一体的に形成されている。コリメートレンズユニット25は、各波長変換素子29に対応して配置された複数のレンズ25aを有する。すなわち、コリメートレンズユニット25は、波長変換素子29と同じ数(第1実施形態では、16個)のレンズ25aを有する。各レンズ25aは平凸レンズで構成されている。
コリメートレンズユニット25の各レンズ25a(平行化素子)は、波長変換素子29から射出された蛍光YL及び波長変換素子29から射出されて波長選択素子20で反射された蛍光YLを平行化する。
第1実施形態の光源装置10において、各発光素子14から射出された励起光Lが基板12の表面12aに沿って進み波長選択素子20に入射する。励起光Lは波長選択素子20を透過して波長変換素子29に入射する。波長変換素子29において、蛍光体層50は励起光Lで励起されて蛍光YLを射出する。第1実施形態において、蛍光体層50の上面50Aには反射防止膜(図示略)が設けられている。これにより、励起光Lを蛍光体層50の上面50Aで反射されることなく、効率よく蛍光体層50の内部に入射する。
図4に示すように、蛍光体層50は上面50Aから蛍光YLを射出する。上面50Aから射出された蛍光YLは放射状に拡がる。蛍光YLの一部は波長選択素子20に入射する。蛍光YLは波長選択素子20のダイクロイック膜22で反射されることで蓋体16に一体に設けられたコリメートレンズユニット25のレンズ25aに入射して平行化される。また、蛍光YLの残りの一部は直接レンズ25aに入射して平行化される。このようにして蛍光体層50の上面50Aから射出された蛍光YLは波長選択素子20により励起光Lの光路から分離されるので、レンズ25aを介して効率よく外部に射出される。
励起光Lの発光時、発光素子14の温度が上昇する。第1実施形態の光源装置10では、発光素子14が基板12の表面12aに載置されるので、励起光Lの発光時に発光素子14から発せられた熱が基板12側へと効率よく伝達される。これにより、光源装置10は、発光素子14の熱を効率よく放出することで、発光素子14における熱によるダメージを低減できる。
また、波長変換素子29において、蛍光YLの発光時に蛍光体層50の温度が上昇する。第1実施形態の光源装置10では、波長変換素子29が基板12の表面12a側に一体に設けられた支持部30に支持されるので、蛍光YLの発光時に波長変換素子29の蛍光体層50から発せられた熱が支持部30を介して基板12へと効率よく伝達される。これにより、光源装置10は、蛍光体層50の熱を効率よく放出することで、蛍光体層50における熱によるダメージを低減できる。
図1、2に戻って、基板12と枠体15とは、有機接着剤、金属接合材、無機接合材等の接合材32によって接合されている。有機接着剤として、例えばシリコーン系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、アクリル樹脂系接着剤等が好ましく用いられる。金属接合材として、例えば銀ロウ、金−スズはんだ等が好ましく用いられる。無機接合材として、例えば低融点ガラス等が好ましく用いられる。
このように、基板12と枠体15と蓋体16とが接合されたことにより、基板12と枠体15と蓋体16とによって囲まれた空間は、外気から遮断され、複数の発光素子14が気密に収容されるための密閉空間となる。以下、この密閉空間を収納空間Sと称する。すなわち、第1実施形態において、複数の発光素子14及び複数の波長変換素子29は基板12と枠体15と蓋体16とにより形成された収納空間Sに収容されている。
複数の発光素子14が収納空間Sに収容されることにより、発光素子14への有機物や水分等の異物の付着が低減される。収納空間Sは、減圧状態であることが好ましい。もしくは、収納空間Sは、窒素ガスなどの不活性ガス、もしくは乾燥空気で満たされていてもよい。なお、減圧状態は、大気圧より低い圧力の気体で満たされた空間の状態のことである。減圧状態において、収納空間Sに満たされる気体は、不活性ガスや乾燥空気であることが好ましい。
図1に示したように、枠体15には、複数の貫通孔15cが設けられている。複数の貫通孔15cの各々には、複数の発光素子14の各々に電力を供給するためのリード端子17が設けられている。リード端子17の構成材料としては、例えばコバールが用いられる。
リード端子17の表面には、例えばニッケル−金からなるめっき層が設けられている。
図1では、一つのサブマウント13に実装された複数の発光素子14が直列に接続され、各サブマウント13の側方に一対のリード端子17が設けられた例が示されている。ただし、複数の発光素子14の電気的な接続やリード端子17の配置については、この例に限らず、適宜変更が可能である。
収納空間Sには、リード端子17の一端と発光素子14の端子とを電気的に接続するボンディングワイヤー(図示略)が設けられている。リード端子17の他端は、外部回路(図示略)と接続されている。枠体15の貫通孔15cの内壁とリード端子17との間の隙間は、封止材によって封止されている。封止材としては、例えば低融点ガラスなどが好ましく用いられる。
以上説明した第1実施形態の光源装置10によれば、以下の効果を奏する。
第1実施形態の光源装置10は、表面12aを有する基板12と、表面12a側に突出して設けられる枠体15と、枠体15に設けられる蓋体16と、基板12と枠体15と蓋体16とによって形成される収納空間Sに収納され、表面12aに載置され、射出する励起光Lにおける主光線Laが表面12aに沿う発光素子14と、基板12に設けられることで収納空間Sに収納され、励起光Lを蛍光YLに変換して射出する波長変換素子29と、発光素子14と波長変換素子29との光路中に設けられ、励起光Lを透過するとともに蛍光YLを反射するダイクロイック膜22と、を備える。
これにより、第1実施形態の光源装置10では、複数の発光素子14及び複数の波長変換素子29が収納空間S内に収容されるので、光源装置自体を小型化できる。また、発光素子14及び波長変換素子29が基板12に設けられるので、発光素子14及び波長変換素子29の放熱性を向上させることができる。また、発光素子14と波長変換素子29との光路中にダイクロイック膜22が設けられるため、蛍光体層50から射出された蛍光YLを励起光Lの光路から分離して外部に効率よく射出できる。したがって、第1実施形態の光源装置10によれば、波長変換素子29の放熱性に優れ、小型かつ蛍光YLを効率よく利用可能な光源装置となる。
また、第1実施形態の光源装置10は、発光素子14と波長変換素子29との光路中に設けられ、第2面21aを有する透光性基板21をさらに備え、ダイクロイック膜22は、透光性基板21の第2面21aに形成され、発光素子14から射出された励起光Lを透過し、波長変換素子29から射出された蛍光YLを反射する。
この構成によれば、ダイクロイック膜22を透光性基板21で支持するので、発光素子14と波長変換素子29との光路中にダイクロイック膜22を良好に配置することができる。これにより、ダイクロイック膜22によって蛍光YLを所定方向に反射させることができるので、蛍光YLの取り出し効率が向上し、蛍光YLにおける光利用効率を向上できる。
また、第1実施形態の光源装置10では、基板12が表面12aに対して、励起光Lの進行方向に進むにしたがって蓋体16に近づくように傾斜する第1側面30bを有し、波長変換素子29は第1側面30bに設けられている。
この構成によれば、励起光Lの進行方向に波長変換素子29が配置されるので、励起光Lを屈折あるいは反射させることなく、波長変換素子29に効率よく導くことができる。よって、励起光Lによって波長変換素子29の蛍光体層50を効率よく励起することで蛍光YLを生成できる。
(第1変形例)
続いて、第1変形例に係る光源装置について説明する。第1変形例の光源装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、基板の構成が第1実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図5は第1変形例の光源装置の断面図である。図5において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
図5に示すように、第1変形例の光源装置110は、基板112と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、蓋体16と、複数のリード端子(図示略)と、複数の波長変換素子29と、複数の波長選択素子120と、を備えている。
基板112は、表面112a(第1面)と、裏面112bと、表面112aに設けられた枠体113と、を有する板材で構成されている。基板112の表面112a側には、複数のサブマウント13を介して複数の発光素子14が設けられている。基板112の裏面112bにはヒートシンク等の放熱部材(図示略)が適宜設けられる。
枠体113は、基板112の表面112a上に突出して設けられる。枠体113は、複数の発光素子14を囲むように、基板112と一体に設けられている。枠体113は、第1実施形態の枠体15と同様、基板112と蓋体16との間の距離(間隔)を一定に保持し、複数の発光素子14が収容される収納空間Sの一部を構成する。基板112は、銅、アルミニウム等の熱伝導率が高い金属材料で構成されている。すなわち、第1変形例の枠体113は第1実施形態の枠体15を兼ねている。
蓋体16は、基板112の表面112aに対向して設けられ、表面112aから突出した枠体113の上面に有機接着剤、金属接合材、無機接合材等の接合材34によって接合されている。
第1変形例の光源装置110においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、波長変換素子29の放熱性に優れ、小型かつ蛍光YLを効率よく利用できる、という効果が得られる。特に第1変形例の場合、基板112と枠体113とが一体の部材であるため、光源装置の構成をさらに簡略化することができる。
(第2変形例)
続いて、第2変形例に係る光源装置について説明する。第2変形例の光源装置の基本構成は第1実施形態と同様であり、蓋体の構成が第1実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第1実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図6は第2変形例の光源装置の断面図である。図6において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
図6に示すように、第2変形例の光源装置210は、基板12と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、枠体15と、蓋体116と、複数のリード端子(図示略)と、複数の波長変換素子29と、複数の波長選択素子20と、を備えている。
第2変形例の蓋体116は、複数のレンズ116aと、複数のレンズ116aが接合された支持部材116bとを有している。第2変形例において、複数のレンズ116aは、支持部材116bの2つの面のうち、基板12の表面12aと対向する下面116b1と反対の上面116b2に接合されている。
支持部材116bは、平面視において矩形の板材で構成され、各波長変換素子29から射出される蛍光YLの経路に対応する位置に開口部117を有している。すなわち、支持部材116bは、波長変換素子29の数と同数の開口部117を有している。支持部材116bは、枠体15の基板12とは反対側に接合されている。支持部材116bは、例えば銅、アルミニウム等の金属材料で構成されている。支持部材116bの表面に、例えばニッケル等からなるメッキ層が設けられていてもよい。もしくは、支持部材116bは、樹脂材料で構成されていてもよい。
複数のレンズ116aの各々は、平凸レンズで構成されている。平凸レンズからなるレンズ116aは、波長変換素子29から射出された蛍光YL及び波長変換素子29から射出されて波長選択素子20で反射された蛍光YLを平行化する機能を有する。レンズ116aは、平面視において、支持部材116bの開口部117よりも一回り大きな外形寸法を有している。
なお、蓋体が屈折率を有する必要がない場合、透光性を有する平板を開口部117に接合する構成とすればよい。また、各レンズ116aは、支持部材116bの下面116b1に接合されていてもよい。このようにすれば、波長変換素子29と各レンズ116aとの間の距離が短くなるので、レンズ116aにより平行化された蛍光YLの光束幅がより小さくなる。
第2変形例の光源装置210においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、波長変換素子29の放熱性に優れ、小型かつ蛍光YLを効率よく利用できる、という効果が得られる。特に第2変形例の場合、レンズ116aと支持部材116bとが別の部材であるため、支持部材116bに対する各レンズ116aの取り付け位置が調整できるので、レンズ116aと波長変換素子29とを精度よく位置合わせできる。よって、レンズ116aによる蛍光YLの取り出しを精度良く行うことができる。
(第2実施形態)
続いて、第2実施形態に係る光源装置について説明する。なお、第1実施形態と共通の構成及び部材については同じ符号を付し、詳細な説明については省略する。
図7は第2実施形態の光源装置の要部構成を拡大した図である。具体的に図7は第1実施形態の図4に対応する図である。
図7に示すように、第2実施形態の光源装置310は、基板12と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、枠体15(図示略)と、蓋体216と、複数のリード端子(図示略)と、複数の波長変換素子29と、複数の波長選択素子120と、を備えている。
第2実施形態において、波長選択素子120は、複数のプリズム121(光学素子)121と、複数のダイクロイック膜122(第1光学膜)とを有する。プリズム121は発光素子14に対向する側の前面121a(第2面)と後面121bとを有し、三角形状の断面を有する。第2実施形態において、プリズム121は蓋体216と一体的に形成されている。
第2実施形態の蓋体216は、第1実施形態の蓋体16と同様の基本構成を有し、コリメートレンズユニット25が蓋体216の基板12と反対側の面に一体的に形成されている。また、蓋体216は、基板12側の内面216aにプリズム121が一体的に設けられている。プリズム121は、各波長変換素子29に対応して配置される。そのため、第2実施形態の蓋体216は、波長変換素子29と同じ数(第2実施形態では、16個)のプリズム121を有する。
第2実施形態において、ダイクロイック膜122は各プリズム121における発光素子14に対向する側の前面121a(第2面)に設けられる。プリズム121の後面121bは、波長変換素子29における蛍光体層50の上面50Aに対向する。すなわち、プリズム121の後面121bは蛍光体層50から射出された蛍光YLの入射面として機能する。プリズム121の後面121bには反射防止膜(図示略)が設けられている。これにより、プリズム121の後面121bは、蛍光体層50から射出された蛍光YLを内部に効率よく取り込むことができる。
第2実施形態の光源装置310において、各発光素子14から射出された励起光Lが基板12の表面12aに沿って進み波長選択素子120にそれぞれ入射する。波長選択素子120に入射した励起光Lは、プリズム121の前面121aに設けられたダイクロイック膜122を透過してプリズム121内に入射し、プリズム121の後面121bを透過して波長変換素子29に入射する。
波長変換素子29の蛍光体層50から射出された蛍光YLはプリズム121の後面121bからプリズム121内に入射する。プリズム121内に入射した蛍光YLは波長選択素子20のダイクロイック膜122で反射されることで蓋体16に入射する。なお、ダイクロイック膜122で反射された蛍光YLの一部はプリズム121内を全反射で伝播することで蓋体16に入射する。すなわち、プリズム121は励起光L及び蛍光YLの光路中に設けられる。
蓋体16に入射した蛍光YLは蓋体16に一体形成されたコリメートレンズユニット25のレンズ25aにより平行化されて外部に射出される。このようにして蛍光体層50の上面50Aから射出された蛍光YLは波長選択素子120により励起光Lの光路から分離されてレンズ25aを介して効率よく外部に射出することができる。
以上説明した第2実施形態の光源装置310によれば、以下の効果を奏する。
第2実施形態の光源装置210においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、波長変換素子29の放熱性に優れ、小型かつ蛍光YLを効率よく利用できる、という効果が得られる。
また、第2実施形態の光源装置210では、ダイクロイック膜122を保持するプリズム121が蛍光YLを平行化するレンズ25aと一体に形成されるので、装置の部品点数を減らすことができる。
また、第2実施形態の光源装置210において、プリズム121は励起光L及び蛍光YLが通過する領域に設けられる。すなわち、励起光L及び蛍光YLの光路上へのプリズム121の配置が許容されて装置内において光学部品を配置する際の自由度が高くなる。よって、装置構成を小型化し易い。
(第3変形例)
続いて、第3変形例に係る光源装置について説明する。第3変形例の光源装置の基本構成は第2実施形態と同様であり、プリズムの構成が第2実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第2実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図8は第3変形例の光源装置の要部構成を拡大した図であり、第2実施形態の図7に対応する図である。
図8に示すように、第3変形例の光源装置310Aは、基板12と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、枠体15(図示略)と、蓋体216Aと、複数のリード端子(図示略)と、複数の波長変換素子29と、複数の波長選択素子127と、を備えている。
第3変形例において、波長選択素子127は、プリズム124(光学素子)と、複数のダイクロイック膜122とを有する。プリズム124は発光素子14に対向する側の前面124a(第2面)と後面124bとを有し、三角形状の断面を有する。第3変形例において、プリズム124は蓋体216Aと一体的に形成されている。
第3変形例の蓋体216Aは、第2実施形態の蓋体216と同様の基本構成を有し、基板12側の内面216aにプリズム124が一体的に設けられている。ダイクロイック膜122はプリズム124における発光素子14に対向する側の前面124a(第2面)に設けられる。プリズム124の後面124bは、波長変換素子29における蛍光体層50の上面50Aに対向する。第3変形例において、プリズム124の後面124bには凹凸形状125が設けられる。
第3変形例の光源装置310Aにおいて、各発光素子14から射出された励起光Lが基板12の表面12aに沿って進み波長選択素子127にそれぞれ入射する。波長選択素子127に入射した励起光Lは、プリズム121の前面121aに設けられたダイクロイック膜122を透過してプリズム121内に入射し、プリズム121の後面121bを透過して波長変換素子29に入射する。励起光Lは後面121bに設けられた凹凸形状125を透過することで拡散される。第3変形例によれば、励起光Lを拡散させることで強度分布を平均化させた状態で波長変換素子29の蛍光体層50に入射させることができる。これにより、蛍光体層50の光変換効率を向上させることができる。
(第4変形例)
続いて、第4変形例に係る光源装置について説明する。第4変形例の光源装置の基本構成は第2実施形態と同様であり、プリズムの構成が第2実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第2実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図9は第4変形例の光源装置の要部構成を拡大した図であり、第2実施形態の図7に対応する図である。
図9に示すように、第4変形例の光源装置310Bは、基板12と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、枠体15(図示略)と、蓋体216Bと、複数のリード端子(図示略)と、複数の波長変換素子29と、複数の波長選択素子127と、を備えている。
第4変形例において、波長選択素子127は、プリズム126(光学素子)と、複数のダイクロイック膜122とを有する。プリズム126は発光素子14に対向する側の前面126a(第2面)と後面126bとを有し、略三角形状の断面を有する。第4変形例において、プリズム126は蓋体216Bと一体的に形成されている。
第4変形例の蓋体216Bは、第2実施形態の蓋体216と同様の基本構成を有し、基板12側の内面216aにプリズム124が一体的に設けられている。ダイクロイック膜122はプリズム126における発光素子14に対向する側の前面126a(第2面)に設けられる。プリズム126の後面126bは、波長変換素子29における蛍光体層50の上面50Aに対向する。第4変形例において、プリズム126の後面126bには曲面からなる凹面128が設けられる。凹面128は波長変換素子29の蛍光体層50から射出された蛍光YLを拡げる凹レンズ面として機能する。
第4変形例の光源装置310Bにおいて、波長変換素子29の蛍光体層50から射出された蛍光YLの一部が後面121bに設けられた凹面128を透過することで鉛直上下方向(図9の上下方向)に偏角されるようになる。これにより、蛍光YLが蓋体216に設けられたレンズ25aに効率よく入射させることで光利用効率を向上させることができる。
(第5変形例)
続いて、第5変形例に係る光源装置について説明する。第5変形例の光源装置の基本構成は第2実施形態と同様であり、プリズムの構成が第2実施形態と異なる。そのため、光源装置全体の説明は省略し、第2実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図10は第5変形例の光源装置の要部構成を拡大した図であり、第2実施形態の図7に対応する図である。
図10に示すように、第5変形例の光源装置310Cは、基板12と、複数の発光素子14と、枠体15(図示略)と、蓋体216と、複数のリード端子(図示略)と、複数の波長変換素子29と、複数の波長選択素子120と、を備えている。
第5変形例において、複数の発光素子14は基板12に直接実装されている。第5変形例の基板12には、発光素子14を保持する発光素子保持部31が一体に形成されている。発光素子保持部31は上面31aが表面12aよりも上方に位置する。基板12の表面12aと発光素子保持部31の上面31aとの間には段差が生じている。第5変形例において、発光素子14は、光射出面14aが発光素子保持部31における波長変換素子29側の端面31bと略面一に揃うように、基板12上に載置される。
第5変形例の光源装置310Cによれば、発光素子14がサブマウント13を介さずに基板12上に直接設けられるので、発光素子14の熱を基板12に効率よく放出することができる。
また、第5変形例の光源装置310Cにおいて、発光素子保持部31上に配置された発光素子14から射出された励起光Lが基板12の表面12aに沿って進み波長選択素子120にそれぞれ入射する。第5変形例では、表面12aと上面31aとの間に段差を設けることで、発光素子14から射出された励起光Lが基板12の表面12aに遮られることがない。よって、発光素子14から射出した励起光Lを波長変換素子29の蛍光体層50に効率よく入射させることができる。
なお、第2実施形態の光源装置310、第3変形例の光源装置310A、第4変形例の光源装置310B、第5変形例の光源装置310Cにおいて、上記第1変形例または第2変形例の構成を適用してもよい。
(第3実施形態)
続いて、第3実施形態に係る光源装置について説明する。なお、第1実施形態と共通の構成及び部材については同じ符号を付し、詳細な説明については省略する。
図11は第3実施形態の光源装置の断面図である。図11は第1実施形態の図2に対応する図である。
図11に示すように、第3実施形態の光源装置410は、基板412と、複数のサブマウント13と、複数の発光素子14と、枠体15と、蓋体416と、複数のリード端子17(図示略)と、複数の波長変換素子29と、複数のダイクロイックプリズム420と、複数のロッド430と、を備えている。基板412、枠体15および蓋体416は、各々が別体の部材であり、接合材32、33を介して互いに接合されている。
基板412は、表面412a(第1面)と、表面412aとは反対側の裏面412bと、を有する板材で構成されている。基板412の表面412a側には、複数のサブマウント13を介して複数の発光素子14が設けられている。基板412の裏面412bにはヒートシンク等の放熱部材(図示略)が適宜設けられる。
第3実施形態において、基板412は、表面412aに設けられた複数の凹部413を有する。凹部413は各発光素子14に対応して配置される。複数の凹部413の各々は、複数の波長変換素子29をそれぞれ収容する収容部を構成する。凹部413の深さは、該凹部413内に収容した波長変換素子29の上面と基板412の表面412aとが略面一となるように、設定されている。
複数のダイクロイックプリズム420は、各波長変換素子29に対応して配置される。各ダイクロイックプリズム420は対応する波長変換素子29の上方に配置される。第3実施形態において、各ダイクロイックプリズム420は発光素子14から射出される励起光Lと波長変換素子29から射出された蛍光YLとの光路中に設けられる。
各ダイクロイックプリズム420は、ダイクロイック膜421(第1光学膜)と、三角プリズム422、423(光学素子)と、を有する。ダイクロイック膜421は、三角プリズム422の底面422a(第2面)に設けられている。三角プリズム423はダイクロイック膜421に接合されている。
ダイクロイック膜421は、励起光Lを反射するとともに蛍光YLを透過する光学特性を有した光学膜で構成される。このような構成に基づき、ダイクロイックプリズム420は励起光Lを反射するとともに波長変換素子29から射出された蛍光YLを透過可能となっている。
ダイクロイックプリズム420は、発光素子14から射出された励起光Lを反射して波長変換素子29に導くとともに波長変換素子29の蛍光体層50から射出された蛍光YLを透過させて外部に取り出すように配置される。第3実施形態において、ダイクロイックプリズム420は、蓋体416の内面416aに接合されている。蓋体416は透光性を有する板材で構成される。
複数のロッド430(第2の光学素子)は、各波長変換素子29に対応して配置される。第3実施形態において、各ロッド430は波長変換素子29から射出された蛍光YLを導光させることで照度分布を均一化する。ロッド430は、例えばBK7等のホウケイ酸ガラス、石英ガラス、合成石英ガラス等を含む光学ガラス、水晶、およびサファイア等の透光性部材で構成されている。
ロッド430は光入射面430aと光射出面430bとを有し、中心軸に直交する断面積が光入射面430aから光射出面430bに向かって大きくなるテーパーロッド構造を有する。なお、ロッド430における中心軸に直交する断面は円形或いは四角形のいずれでもよい。
図12は1つの発光素子の周辺構成を拡大した図である。
図12に示すように、ダイクロイックプリズム420は、発光素子14から射出された励起光Lが入射する第1入射面420aと、波長変換素子29から射出された蛍光YLが入射する第2入射面420bと、を有する。
ダイクロイックプリズム420と波長変換素子29の蛍光体層50の上面50Aとの間には隙間が設けられている。すなわち、波長変換素子29とダイクロイックプリズム420との間には、波長変換素子29およびダイクロイックプリズム420(三角プリズム422、423)よりも屈折率の低い第1空気層418(第1低屈折率層)が設けられている。なお、第1空気層418を波長変換素子29およびダイクロイックプリズム420よりも屈折率の低い樹脂層に置き換えてもよい。
また、ロッド430は、光入射面430aと蓋体416の外面416b(波長変換素子29とは反対側の面)との間に隙間を生じるように配置されている。すなわち、ロッド430は、蓋体416の外面416bに対して蓋体416よりも屈折率の低い第2空気層432(第2低屈折率層)を介して対向して配置されている。なお、第2空気層432を蓋体416よりも屈折率の低い樹脂層に置き換えてもよい。
第3実施形態の光源装置410において、各発光素子14から射出された励起光Lが基板412の表面412aに沿って進みダイクロイックプリズム420の第1入射面420aに入射する。励起光Lはダイクロイックプリズム420のダイクロイック膜421で反射されて波長変換素子29に入射する。蛍光体層50は上面50Aから蛍光YLを射出する。蛍光体層50の上面50Aから射出された蛍光YLは放射状に拡がる。
以上説明した第3実施形態の光源装置410によれば、以下の効果を奏する。
第3実施形態の光源装置410においても、第1実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、波長変換素子29の放熱性に優れ、小型かつ蛍光YLを効率よく利用できる、という効果が得られる。
また、第3実施形態の光源装置410では、波長変換素子29とダイクロイックプリズム420との間に第1空気層418が設けられるため、第2入射面420bによって蛍光YLが屈折する。これにより、蛍光YLはダイクロイックプリズム420の内面に対して臨界角よりも大きな角度で入射するので、プリズム内を全反射で伝播し易くなる。したがって、蛍光YLがダイクロイックプリズム420内に効率よく取り込まれる。よって、蛍光YLの光利用効率を向上させることができる。
また、第3実施形態の光源装置410において、ダイクロイックプリズム420に取り込まれた蛍光YLは蓋体416を透過して外面416bから射出されて対応するロッド430に入射する。蛍光YLはロッド430内に取り込まれるため、放射角が小さくなる。これにより、光源装置410から射出される蛍光YLの放射角度分布が狭くなるので、光源装置410の後段に配置される光学系に対して蛍光YLを効率よく入射させることができる。
また、第3実施形態の光源装置410では、蓋体416とロッド430との間に第2空気層432が設けられるため、ロッド430の光入射面430aに入射する際、蛍光YLが屈折する。これにより、蛍光YLはロッド430の側面430cに対して臨界角よりも大きな角度で入射するので、ロッド430の側面430cで全反射されることで内部を伝播し易くなる。よって、蛍光YLがロッド430内で効率よく伝播させることができる。
(第6変形例)
続いて、第6変形例に係る光源装置について説明する。第6変形例の光源装置は第3実施形態の変形例である。なお、光源装置全体の説明は省略し、第3実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図13は第6変形例の光源装置の要部構成を拡大した図である。
図13に示すように、第6変形例の光源装置510は、基板512と、複数の発光素子14と、枠体15(図示略)と、蓋体516と、複数のリード端子(図示略)と、複数の波長変換素子529と、複数の第1光学膜502と、を備えている。
第6変形例において、発光素子14及び波長変換素子529が基板512の表面512a(第1面)上に実装されている。波長変換素子529は、蛍光体層500と、反射膜501と、を有する。蛍光体層500は、第3実施形態の蛍光体層50と同様の構成を有し、発光素子14に対向する第1側面500aと、第1側面500aと反対の第2側面500bと、底面500cと、上面500dとを有する。
第6変形例において、第1光学膜502は蛍光体層500の第1側面500aに設けられる。第1光学膜502は励起光Lを透過するとともに蛍光YLを反射する光学特性を有する。反射膜501は、蛍光体層500における上面500dを除いた面、例えば、底面500c及び第2側面500bを覆うように設けられる。反射膜501は励起光L及び蛍光YLのいずれも反射するミラーで構成される。
第6変形例の光源装置510において、励起光Lは第1光学膜502を透過して蛍光体層500に入射する。蛍光体層500内で生成された蛍光YLは第1光学膜502及び反射膜501で反射され、上面500dから射出されて蓋体516の下面516bに入射し、蓋体516の上面516aから外部に向けて射出される。
第6変形例の光源装置510においても、第3実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、波長変換素子29の放熱性に優れ、小型かつ蛍光YLを効率よく利用できる、という効果が得られる。特に第6変形例の場合、第1光学膜502を蛍光体層500に直接設けるため、第1光学膜502を支持するための部材が不要となる。これにより光源装置510における部品点数を削減できる。
(第7変形例)
続いて、第7変形例に係る光源装置について説明する。第7変形例の光源装置は第3実施形態の変形例である。なお、光源装置全体の説明は省略し、第3実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図14は第7変形例の光源装置の要部構成を拡大した図である。
図14に示すように、第7変形例の光源装置510Aは、基板512と、複数の発光素子14と、枠体15(図示略)と、蓋体516と、複数のリード端子(図示略)と、複数の波長変換素子529と、複数の第1光学膜502と、を備えている。
第7変形例において、波長変換素子529は基板512の第1面512aに設けられた波長変換素子保持部515の上面515aに実装されている。波長変換素子保持部515の上面515aは、基板512の第1面512aよりも上方に位置する。第7変形例の光源装置510Aによれば、波長変換素子保持部515上に波長変換素子529を保持するので、第6変形例の光源装置510の構成に比べて波長変換素子529(蛍光体層500)の厚さを小さくできる。よって、装置のコストを低減することができる。
なお、第3実施形態の光源装置410、第6変形例の光源装置510、第7変形例の光源装置510Aにおいて、上記第1変形例または第2変形例の構成を適用してもよい。
(第4実施形態)
以下に、第4実施形態に係るプロジェクターの一例について説明するが、プロジェクターの実施形態はこの例に限定されることはない。
図15は第4実施形態のプロジェクターの概略構成を示す図である。
図15に示すように、第4実施形態のプロジェクター1は、スクリーンSCR上にカラー映像を表示する投写型画像表示装置である。プロジェクター1は、照明装置2と、色分離光学系3と、光変調装置4R,光変調装置4G,光変調装置4Bと、合成光学装置5と、投写光学装置6とを備える。
照明装置2からは、少なくとも赤色光LR、緑色光LG、青色光LB(図2参照)の三原色の光を含む照明光WLが射出される。色分離光学系3は、照明光WLを赤色光LRと、緑色光LGと、青色光LBとに分離する。なお、本明細書において、赤色光LRとは590nm以上700nm以下のピーク波長を有する可視赤色光を示し、緑色光LGとは500nm以上590nm以下のピーク波長を有する可視緑色光を示し、青色光LBとは400nm以上500nm以下のピーク波長を有する可視青色光を示す。
色分離光学系3は、第1のダイクロイックミラー7a及び第2のダイクロイックミラー7bと、第1の全反射ミラー8a、第2の全反射ミラー8b及び第3の全反射ミラー8cとを備える。第1のダイクロイックミラー7aは、照明装置2からの照明光WLを赤色光LRと、その他の光(青色光LB及び緑色光LG)とに分離する。第1のダイクロイックミラー7aは、青色光LB及び緑色光LGを反射するとともに、赤色光LRを透過させる。第2のダイクロイックミラー7bは、緑色光LGを反射するとともに青色光LBを透過させる。
第1の全反射ミラー8aは、赤色光LRを光変調装置4Rに向けて反射する。第2の全反射ミラー8b及び第3の全反射ミラー8cは、青色光LBを光変調装置4Bに導く。緑色光LGは、第2のダイクロイックミラー7bから光変調装置4Gに向けて反射される。
第1のリレーレンズ9a及び第2のリレーレンズ9bは、青色光LBの光路中における第2のダイクロイックミラー7bの後段に配置されている。
光変調装置4Bは、青色光LBを画像情報に応じて変調し、青色の画像光を形成する。
光変調装置4Gは、緑色光LGを画像情報に応じて変調し、緑色の画像光を形成する。光変調装置4Rは、赤色光LRを画像情報に応じて変調し、赤色の画像光を形成する。光変調装置4B,4G,4Rには、例えば透過型の液晶パネルが用いられる。
光変調装置4B,4G,4Rの入射側及び射出側には、不図示の偏光板が配置される。また、光変調装置4B,4G,4Rの入射側には、それぞれフィールドレンズ10B,10G,10Rが配置される。
合成光学装置5には、光変調装置4B,4G,4Rからの各画像光が入射する。合成光学装置5は、青色、緑色、赤色の各画像光を合成し、合成された画像光を投写光学装置6に向けて射出する。合成光学装置5には、例えばクロスダイクロイックプリズムが用いられる。
投写光学装置6は、合成光学装置5により合成された画像光をスクリーンSCRに向けて拡大させつつ投写する。スクリーンSCR上には、拡大されたカラー映像が表示される。投写光学装置6には、例えば、鏡筒と、鏡筒内に配置される複数のレンズとによって構成される組レンズが用いられる。
続いて、照明装置2の構成について説明する。
照明装置2は、第1照明装置101と、第2照明装置102とを含む。
第1照明装置101は、第1光源100(光源)と、ダイクロイックミラー39と、第1レンズアレイ40と、第2レンズアレイ441と、偏光変換素子42と、重畳レンズ43とを備えている。
第1光源100は、上記実施形態及び変形例に係る光源装置10、110、210、310、310A、310B、310C、410、510、510Aのいずれかで構成される。
第1光源100から射出された蛍光YLは、ダイクロイックミラー39に入射する。ダイクロイックミラー39は、第2照明装置102の光軸101ax及び照明装置2の照明光軸100axのそれぞれに対して45°の角度で交わるように配置されている。ダイクロイックミラー39は、蛍光YLを透過するとともに、第2照明装置102からの青色光Bを反射する特性を有する。
第2照明装置102は、第2光源45、第2集光光学系46、散乱板48及びピックアップ光学系47を備える。
第2光源45は、レーザー光からなる青色光Bを射出する半導体レーザーと、該半導体レーザーから射出された青色光Bを平行化するコリメーターレンズとを含む。なお、第2光源45は、半導体レーザー及びコリメーターレンズを少なくとも一つずつ有していればよく、半導体レーザー及びコリメーターレンズを複数ずつ有していても良い。青色光Bの発光強度のピークは、例えば445nmである。半導体レーザーとしては、445nm以外の波長、例えば455nmや460nmの青色光を射出するものを用いることもできる。
第2集光光学系46は、第1レンズ46a及び第2レンズ46bを備える。第2集光光学系46は、第2光源45からの青色光Bを散乱板48付近に集光する。第1レンズ46a及び第2レンズ46bは凸レンズからなる。
散乱板48は、第2光源45からの青色光Bを散乱し、第1照明装置101において生成される蛍光YLの配光分布に似た配光分布を有する青色光Bを生成する。散乱板48としては、例えば、光学ガラスからなる磨りガラスを用いることができる。
ピックアップ光学系47は、第1レンズ47aと第2レンズ47bとを備え、散乱板48からの光を略平行化する。第1レンズ47a及び第2レンズ47bは凸レンズからなる。
第1レンズアレイ40は、ダイクロイックミラー39からの光を複数の部分光束に分割するための複数の第1小レンズ40aを有する。複数の第1小レンズ40aは、照明光軸100axと直交する面内にマトリクス状に配列されている。
第2レンズアレイ41は、第1レンズアレイ40の複数の第1小レンズ40aに対応する複数の第2小レンズ41aを有する。第2レンズアレイ41は、重畳レンズ43とともに、第1レンズアレイ40の各第1小レンズ40aの像を光変調装置4R,4G,4Bの画像形成領域近傍に結像させる。複数の第2小レンズ41aは照明光軸100axに直交する面内にマトリクス状に配列されている。
偏光変換素子42は、照明光WLの偏光方向を揃えるものである。偏光変換素子42は、例えば、偏光分離膜と位相差板とミラーとから構成されている。偏光変換素子42は、非偏光である蛍光YLの偏光方向と青色光Bの偏光方向とを揃えるため、他方の偏光成分を一方の偏光成分に、例えばP偏光成分をS偏光成分に変換する。
重畳レンズ43は、偏光変換素子42からの各部分光束を集光して光変調装置4R,4G,4Bの画像形成領域近傍で互いに重畳させる。第1レンズアレイ40、第2レンズアレイ41及び重畳レンズ43は、照明光WLの面内光強度分布を均一にするインテグレーター光学系を構成する。
以上説明した第4実施形態に係るプロジェクター1によれば、以下の効果を奏する。
第4実施形態のプロジェクター1は、第1光源100を含む照明装置2と、照明装置2からの青色光LB、緑色光LG、赤色光LRを画像情報に応じて変調することにより画像光を形成する光変調装置4B,4G,4Rと、前述の画像光を投写する投写光学装置6とを備える。このことによって、第4実施形態のプロジェクター1によれば、波長変換素子の放熱性に優れ、小型かつ蛍光を効率よく利用可能な第1光源100を含む第1照明装置101を備えるので、小型かつ高輝度な画像を形成して投写することができる。
また、上記実施形態においては、透過型のプロジェクターに本発明を適用した場合の例について説明したが、本発明は、反射型のプロジェクターにも適用することも可能である。
ここで、「透過型」とは、液晶パネル等を含む液晶ライトバルブが光を透過する形態であることを意味する。「反射型」とは、液晶ライトバルブが光を反射する形態であることを意味する。なお、光変調装置は、液晶ライトバルブに限られず、例えばデジタルマイクロミラーデバイスが用いられてもよい。
また、上記実施形態では、本発明による光源装置をプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限定されない。本発明による光源装置は、照明器具や自動車のヘッドライト等にも適用することができる。
1…プロジェクター、4B,4G,4R…光変調装置、6…投写光学装置、10,110,210,310,310A,310B,310C,410,510,510A…光源装置、12,112,412,512…基板、12a,112a,412a…表面(第1面)、14…発光素子、15,113…枠体、16,116,216,216A,216B,416,516…蓋体、21…透光性基板(光学素子)、21a…第2面、22,122,421…ダイクロイック膜(第1光学膜)、25a…レンズ(平行化素子)、29,529…波長変換素子、30b…第1側面(傾斜面)、100…第1光源(光源)、121,124,126…プリズム(光学素子)、418…第1空気層(第1低屈折率層)、422…三角プリズム(光学素子)、430…ロッド(第2の光学素子)、432…第2空気層(第2低屈折率層)、502…第1光学膜、512a…第1面、L…励起光(第1の光)、YL…蛍光(第2の光)、La…主光線、S…収納空間。

Claims (9)

  1. 第1面を有する基板と、
    前記第1面側に設けられる枠体と、
    前記枠体に設けられる蓋体と、
    前記基板と前記枠体と前記蓋体とによって形成される収納空間に収納され、前記基板の第1面側に設けられる発光素子と、
    前記基板に設けられ、前記収納空間に収納され、前記発光素子から射出された第1の光を前記第1の光とは異なる波長を有する第2の光に変換する波長変換素子と、
    前記発光素子と前記波長変換素子との光路中に設けられ、前記第1の光および前記第2の光の一方を透過させるとともに前記第1の光および前記第2の光の他方を反射させる第1光学膜と、を備え、
    前記発光素子は、前記第1の光の主光線が前記第1面に沿うように、前記第1の光を射出することを特徴とする光源装置。
  2. 前記基板は、前記第1の光の進行方向に進むにしたがって前記第1面から前記蓋体に近づくように傾斜する傾斜面を有し、
    前記波長変換素子は、前記傾斜面に設けられる
    ことを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
  3. 前記発光素子と前記波長変換素子との光路中に設けられ、第2面を有する光学素子をさらに備え、
    前記第1光学膜は、前記光学素子の前記第2面に形成され、前記発光素子から射出された前記第1の光を透過し、前記波長変換素子から射出された前記第2の光を反射する
    ことを特徴とする請求項1または2に記載の光源装置。
  4. 前記第2の光を平行化する平行化素子と前記光学素子とが一体的に形成されている
    ことを特徴とする請求項3に記載の光源装置。
  5. 前記発光素子と前記波長変換素子との光路中に設けられ、第2面を有する光学素子をさらに備え、
    前記第1光学膜は、前記光学素子の前記第2面に形成され、前記発光素子から射出された前記第1の光を反射し、前記波長変換素子から射出された前記第2の光を透過する
    ことを特徴とする請求項1に記載の光源装置。
  6. 前記波長変換素子と前記光学素子との間に設けられ、前記波長変換素子および前記光学素子よりも屈折率の低い第1低屈折率層をさらに備える
    ことを特徴とする請求項5に記載の光源装置。
  7. 前記蓋体における前記波長変換素子とは反対側の面に前記蓋体よりも屈折率の低い第2低屈折率層を介して対向して配置され、前記波長変換素子から射出された前記第2の光の放射角を小さくする第2の光学素子をさらに備える
    ことを特徴とする請求項5または6に記載の光源装置。
  8. 前記光学素子は、前記第1の光および前記第2の光が通過する領域に設けられる
    ことを特徴とする請求項3ないし7のいずれか一項に記載の光源装置。
  9. 請求項1ないし8のいずれか一項に記載の光源装置と、
    前記光源装置から射出された光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
    前記光変調装置により変調された光を投写する投写光学装置と、を備える
    ことを特徴とするプロジェクター。
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