JP2020030168A - 温度センサ - Google Patents
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Abstract
Description
また、フレキシブル基板に搭載する従来の温度センサは製造コストが大きい。
1.
温度に応じて電気抵抗が変化する抵抗部を用いる温度センサであって、前記抵抗部が配置される基板と、該基板との間に前記抵抗部を挟んで密閉するカバー部材と、前記抵抗部に電気的に接続され、前記カバー部材よりも外部に導出された電気抵抗測定用の複数の電極とを備え、前記カバー部材が、主鎖にパーフルオロポリエーテル構造を有するパーフルオロ化合物をベースポリマーとする含フッ素ゴム組成物を架橋させて得られるパーフルオロポリエーテル系含フッ素ゴムから形成されている温度センサ。
2.
上記パーフルオロ化合物の架橋サイトがSi−CH=CH2であり、上記含フッ素ゴム組成物の架橋システムがヒドロシリル化付加反応架橋又はパーオキサイド架橋であることを特徴とする1に記載の温度センサ。
3.
上記抵抗部が、複数の電極が形成された基板上に、金属酸化物粒子とカーボンナノチューブとを含有する分散液又はペーストを塗布又は印刷する工程により形成されたものである1又は2に記載の温度センサ。
4.
上記抵抗部は、上記カーボンナノチューブと金属酸化物粒子との質量比が1:100〜1:2000のカーボンナノチューブと金属酸化物粒子との混合体から構成される3に記載の温度センサ。
5.
上記カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブである3又は4に記載の温度センサ。
6.
上記金属酸化物粒子は、酸化スズ(SnO2)、酸化タングステン(WO3)、酸化ニッケル(NiO)及び酸化インジウム(In2O3)から選択される少なくとも1種の金属酸化物からなる3〜5のいずれかに記載の温度センサ。
7.
上記カーボンナノチューブの平均長さが0.5〜50μmであり、上記金属酸化物粒子の平均粒径が1〜500nmである3〜6のいずれかに記載の温度センサ。
8.
上記基板は、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム及びポリエチレンナフタレートフィルムのいずれか、又はこれらから選択されるいずれか1種のフィルムで金属層が挟まれたラミネートフィルムである1〜7のいずれかに記載の温度センサ。
図1は、本発明に係る温度センサの構成を示す概略断面図である。
本発明に係る温度センサ10は、温度に応じて電気抵抗が変化する抵抗部3を用いる温度センサであって、抵抗部3が配置される基板2と、基板2との間に抵抗部3を挟んで密閉する保護層となるカバー部材4と、抵抗部3に電気的に接続され、カバー部材4よりも外部に導出された電気抵抗測定用の複数の電極(第1電極5及び第2電極6)とを備え、カバー部材4が、主鎖にパーフルオロポリエーテル構造を有するパーフルオロ化合物をベースポリマーとする含フッ素ゴム組成物を架橋させて得られるパーフルオロポリエーテル系含フッ素ゴムから形成されていることを特徴とするものである。即ち、本発明は、複数の電極(第1及び第2電極5、6)が形成された基板2上に、金属酸化物粒子とカーボンナノチューブとを含む抵抗部3を設けることにより温度センサ機能を有する。また、温度センサ10は、基板2上の抵抗部3の周囲(上面及び側面)をカバー部材(保護層)4で覆い、抵抗部3を基板2、カバー部材4、複数の電極(第1及び第2電極5、6)で密閉し外部環境から水蒸気等を遮断した構造を有する。
なお、金属酸化物粒子の平均粒径は、例えば、レーザー光回折法による累積重量平均値D50(又はメジアン径)として求めることができる。
なお、カーボンナノチューブの平均長さは、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)のSEM像(例えば5000倍)から100箇所以上の長さを計測し、その算術平均値として計算して求めることができる。
また、基板2は、1μm以上500μm以下の厚さを有することが好ましい。
柔軟性に優れる材料として、エラスティックな弾性材料が好ましい。このような材料としては、各種ゴム材料を挙げることができるが、加工性やセンサへのダメージを与えない観点から、未硬化時に(組成物が)液状であることが好ましい。未硬化時に(組成物が)液状を呈する材料としては、シリコーンゴム組成物、変性ウレタンゴム組成物、変性アクリルゴム組成物、変性ポリエーテルゴム組成物、液状EPDM(エチレン・プロピレン・ジエン共重合体)(EPDM組成物)、液状フッ素ゴム(含フッ素ゴム組成物)などが挙げられるが、ウェアラブル用途などへの応用を考えた場合、皮膚への刺激性の観点から、シリコーンゴム又は液状フッ素ゴムが好ましいものであるが、さらに透湿性の低さを考慮すると、本発明の温度センサにおいては、液状フッ素ゴム(含フッ素ゴム組成物)を選択的に使用する。
(A)分子中に少なくとも2個のアルケニル基を有し、かつ主鎖中に二価のパーフルオロポリエーテル構造を有するアルケニル基含有パーフルオロ化合物、
(B)補強性フィラー、及び
(C)分子中にヒドロシリル基を有する付加反応可能な架橋剤を前記(A)成分を硬化させるのに十分な量
を含有する架橋性含フッ素ゴム組成物を硬化させてなるものであることが好ましい。
なお、抵抗部3の電気抵抗値を、抵抗部3にパルス電流を流すことにより測定してもよい。このことにより、抵抗部3に電流を流すことにより抵抗部3が発熱することを抑制することができる。また、温度センサ10の消費電力を低減することができる。
また、温度センサ10がこのような構成を有することにより、抵抗部3の電気抵抗を容易に測定できる。更に、温度センサ10を薄くすることができ、温度センサの製造コストを低減することができる。
(温度センサの作製)
下記の手順で図1に示す温度センサを作製した。
まず、下記の抵抗部材料の原料(カーボンナノチューブ、金属酸化物粒子)と分散剤と水とを混合して分散液を調製した。
カーボンナノチューブ(CNT):単層カーボンナノチューブ(OCSiAl社製、商品名TUBALL単層カーボンナノチューブ)(平均外径1.8nm、平均長さ5μm)、
金属酸化物粒子:SnO2ナノ粒子(Sigma−Aldrich社製)(平均粒径100μm)、
分散剤:硫酸ドデシルナトリウム(SDS)、
水:蒸留水。
なお、該分散液中のカーボンナノチューブの濃度は0.2質量%、金属酸化物粒子の濃度は75質量%である。
上記銀電極を形成したPETフィルムを110℃のホットプレートで加熱した状態でPETフィルム上の2つの銀電極のそれぞれの一部に重なると共に該2つの銀電極間を埋めるように、上記調製した分散液を塗布し、この塗布膜を乾燥させた。この塗布及び乾燥を複数回繰り返して抵抗部3を作製した。
次に抵抗部を設けたPETフィルムを水に浸漬することにより抵抗部を洗浄し、分散剤を除去した。その後、90℃のオーブン中に1時間入れることにより乾燥させ抵抗部3を作製した。
最後に、上記(A)及び(C)成分を含有すると共に、(B)成分の補強性フィラーとしてシラン系表面処理剤で表面処理したヒュームドシリカを含有する付加反応架橋型パーフルオロポリエーテル系含フッ素ゴム組成物(品番:SIFEL2661、信越化学工業(株)製)を抵抗部3全体及び2つの銀電極のそれぞれ一部を被覆するように塗布形成し、90℃のオーブン中に12時間以上入れることにより硬化させ温度センサを作製した。
実施例1において、パーフルオロポリエーテル系含フッ素ゴム組成物に代えて加熱硬化型のシリコーンゴム組成物(品番:KJR-9060U、信越化学工業(株)製)を用い、それ以外は実施例1と同様にして温度センサを作製した。
上記のように作製した温度センサを使用して、温度制御できる環境試験機内に設置し、試験機内の湿度を約40%RHに保持した状態で、試験機内の環境温度を25℃〜45℃で変化させたときの抵抗部の電気抵抗値を2端子測定法で測定した。なお、温度センサの抵抗部の近くに熱電対(Tタイプ)を配置し抵抗部の電気抵抗の測定と同時に熱電対で検知される温度を実温度として測定した。
また、環境試験機に温度センサを設置する前に、温度センサで測定される電気抵抗値と、熱電対で検知される温度との対応関係を参照テーブルとして取得しておき、上記のように測定された温度センサの電気抵抗値を参照テーブルで温度に換算し、センサ検出温度とした。
実施例1の温度センサで検出される温度(センサ検出温度)は、図2に示すように、試験時間が20時間を超えても実温度との差異は見られず、高湿度環境の影響を受けることなく安定したセンサ特性が得られた。また、環境温度の上昇下降の変化に対しても実温度との差異は認められず、温度感度がよいことが分かった。
これに対して、比較例1の温度センサで検出される温度(センサ検出温度)は、図3に示すように、試験開始後、試験時間5時間までの間に環境温度の上昇下降の変化を繰り返したところ、試験時間の経過と共に実温度よりも低くなり、実温度との差が大きくなる傾向を示した。また、その後、環境温度を25℃の一定に保持して試験を継続したところ、センサ検出温度は実温度とは異なったままであった。これはカバー部材を透過して侵入した水蒸気の影響により温度センサにおける抵抗部の温度と電気抵抗値との関係が変化したためと推察される。
3 抵抗部
4 カバー部材
5 第1電極
6 第2電極
10 温度センサ
Claims (8)
- 温度に応じて電気抵抗が変化する抵抗部を用いる温度センサであって、前記抵抗部が配置される基板と、該基板との間に前記抵抗部を挟んで密閉するカバー部材と、前記抵抗部に電気的に接続され、前記カバー部材よりも外部に導出された電気抵抗測定用の複数の電極とを備え、前記カバー部材が、主鎖にパーフルオロポリエーテル構造を有するパーフルオロ化合物をベースポリマーとする含フッ素ゴム組成物を架橋させて得られるパーフルオロポリエーテル系含フッ素ゴムから形成されている温度センサ。
- 上記パーフルオロ化合物の架橋サイトがSi−CH=CH2であり、上記含フッ素ゴム組成物の架橋システムがヒドロシリル化付加反応架橋又はパーオキサイド架橋であることを特徴とする請求項1に記載の温度センサ。
- 上記抵抗部が、複数の電極が形成された基板上に、金属酸化物粒子とカーボンナノチューブとを含有する分散液又はペーストを塗布又は印刷する工程により形成されたものである請求項1又は2に記載の温度センサ。
- 上記抵抗部は、上記カーボンナノチューブと金属酸化物粒子との質量比が1:100〜1:2000のカーボンナノチューブと金属酸化物粒子との混合体から構成される請求項3に記載の温度センサ。
- 上記カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブである請求項3又は4に記載の温度センサ。
- 上記金属酸化物粒子は、酸化スズ(SnO2)、酸化タングステン(WO3)、酸化ニッケル(NiO)及び酸化インジウム(In2O3)から選択される少なくとも1種の金属酸化物からなる請求項3〜5のいずれか1項に記載の温度センサ。
- 上記カーボンナノチューブの平均長さが0.5〜50μmであり、上記金属酸化物粒子の平均粒径が1〜500nmである請求項3〜6のいずれか1項に記載の温度センサ。
- 上記基板は、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム及びポリエチレンナフタレートフィルムのいずれか、又はこれらから選択されるいずれか1種のフィルムで金属層が挟まれたラミネートフィルムである請求項1〜7のいずれか1項に記載の温度センサ。
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