JP2020024218A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 第１方向に作用する荷重の第１ホイートストンブリッジ回路による検出、及び第１方向に直交する第２方向に作用する荷重の第２ホイートストンブリッジ回路による検出に用いられる起歪体であって、
   起歪部材と、
   前記起歪部材上に設けられた回路パターンとを備え、
   前記起歪部材は、検出対象の荷重を受けてひずみが生じる起歪領域と、前記起歪領域とは異なる領域とを有し、
   前記回路パターンは、第１ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第１方向ひずみ受感素子と、第２ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第２方向ひずみ受感素子と、第１ホイートストンブリッジ回路を構成する第１方向固定抵抗素子及び第２ホイートストンブリッジ回路を構成する第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方を含み、
   前記２つの第１方向ひずみ受感素子、前記２つの第２方向ひずみ受感素子、並びに前記第１方向固定抵抗素子及び第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方は同一材料で形成されており、
   前記２つの第１方向ひずみ受感素子及び前記２つの第２方向ひずみ受感素子は前記起歪領域に設けられており、前記第１方向固定抵抗素子及び第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方は前記起歪領域とは異なる領域に設けられている起歪体。
2. 前記回路パターンは、第１ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第１方向固定抵抗素子と第２ホイートストンブリッジ回路を構成する２つの第２方向固定抵抗素子とを含み、
   前記２つの第１方向ひずみ受感素子、前記２つの第２方向ひずみ受感素子、前記２つの第１方向固定抵抗素子、及び前記２つの第２方向固定抵抗素子は同一材料で形成されており、
   前記２つの第１方向固定抵抗素子、及び前記２つの第２方向固定抵抗素子は前記起歪領域とは異なる領域に設けられている請求項１に記載の起歪体。
3. 前記回路パターンは少なくとも１つの端子を更に含み、
   前記少なくとも１つの端子が、前記起歪領域とは異なる領域に設けられている請求項１又は２に記載の起歪体。
4. 前記起歪領域とは異なる領域において、前記少なくとも１つの端子が、前記第１方向固定抵抗素子及び第２方向固定抵抗素子の少なくとも一方の前記起歪領域とは反対側に設けられている請求項３に記載の起歪体。
5. 前記起歪領域とは異なる領域は、前記起歪領域の両側に一対設けられている請求項１〜４のいずれか一項に記載の起歪体。
6. 前記回路パターンは２つの第３方向ひずみ受感素子又は２つの第３方向固定抵抗素子を更に含み、
   前記２つの第３方向ひずみ受感素子又は２つの第３方向固定抵抗素子は、第１ホイートストンブリッジ回路と第２ホイートストンブリッジ回路とを接続して第３ホイートストンブリッジ回路を構成する請求項１〜５のいずれか一項に記載の起歪体。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の起歪体と、
   前記起歪部材に接続された荷重作用部とを備えるセンサ。