JP2020016815A - 電気泳動装置、電子機器及び電気泳動装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】生産性良く製造できる構造の電気泳動装置を提供する。【解決手段】電気泳動装置１は電気泳動層４と画素電極３２との間に設けられた第１金属層３４と、ボンディングワイヤー１０と接続端子３５との間に設けられ第１金属層３４と同一材料で構成される第２金属層３７と、を備える。【選択図】図３

Description

本発明は、電気泳動装置、電子機器及び電気泳動装置の製造方法に関するものである。

表示装置である電気泳動装置が広く活用されている。電気泳動装置は画面のちらつきが少なく、利用者の目が疲れ難いという利点がある。この電気泳動装置の構造が特許文献１に開示されている。それによると、電気泳動装置は素子基板上に駆動層が形成されている。駆動層にはスイッチング素子であるＴＦＴ素子（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と画素電極が形成されている。スイッチング素子は画素電極の電圧を切り替える。駆動層に重ねて電気泳動シートが配置されている。電気泳動シートは多数の電気泳動粒子を有し、電気泳動粒子は液相分散媒中を移動する。電気泳動粒子には白色の粒子と黒色の粒子とが存在する。そして、白色の粒子と黒色の粒子とはそれぞれ異なる極に帯電されている。液相分散媒中の電位差により電気泳動粒子が電気泳動する。

電気泳動シート上には対向電極が形成されている。対向電極は共通電極ともいう。そして、画素電極と共通電極との電極間に電圧を印加するとき、電気泳動粒子に電気的な引力及び斥力が作用して、電気泳動粒子が泳動して分離する。スイッチング素子が画素毎に共通電極と画素電極間の電圧を切り替える。そして、画素毎に各電極の電圧を制御することにより各画素の表示色を制御する。その結果、所定のパターンの画像を形成することができる。

素子基板上には接続端子としての第２の層の上に第２金属層としての第１の層が積層されており、２つの層が電極パッドとして機能する。電極パッドは複数配列して形成され、電極パッドには配線としてのワイヤーボンディングが電気的に接続される。ワイヤーボンディングは電極パッドの配列のピッチが１００μｍ程度であっても接続できる。従って、電極パッドが占める面積を小さくできるので、電気泳動装置を小型にすることができる。

特開２０１５−１６１７００号公報

特許文献１では画素電極にチタンまたは窒化チタンを用いている。そして、第２の層には画素電極と同じ材質が用いられている。第１の層にはアルミニウム合金が用いられている。画素電極上に金属膜である第１金属層を配置すると電気泳動シートに第１金属層を密着させることができるので、電気泳動シートに電場を品質良く形成することができる。

このように、画素電極上に第１金属層が配置され、接続端子上に第２金属層が配置された電気泳動装置は品質良く電気泳動粒子を駆動することができる。しかし、このような第１金属層及び第２金属層を備え、生産性良く製造できる構造の電気泳動装置がこれまで存在していなかった。

本願の電気泳動装置では、電気泳動層と画素電極との間に設けられた第１金属層と、配線と接続端子との間に設けられ前記第１金属層と同一材料で構成される第２金属層と、を備えることを特徴とする。

上記の電気泳動装置では、前記画素電極の端部を覆うとともに前記接続端子の端部を覆う絶縁膜を備えることが好ましい。

上記の電気泳動装置では、前記第１金属層及び前記第２金属層はそれぞれめっき処理により形成されていることが好ましい。

上記の電気泳動装置では、前記画素電極と前記接続端子とは同一材料で構成されることが好ましい。

上記の電気泳動装置では、前記画素電極は金属の第１下層膜上にアルミニウムの第１上層膜が積層され、前記接続端子は金属の第２下層膜上にアルミニウムの第２上層膜が積層されていることが好ましい。

上記の電気泳動装置では、前記第１金属層はニッケルの第１本体層上に金の第１表面層が積層され、前記第２金属層はニッケルの第２本体層上に金の第２表面層が積層されていることが好ましい。

上記の電気泳動装置では、前記画素電極の前記第１下層膜及び前記接続端子の前記第２下層膜は、モリブデンまたはチタンを含むことが好ましい。

上記の電気泳動装置では、前記第１金属層は、画素ごとに互いに離間して設けられていることが好ましい。

本願の電子機器は、上記に記載の電気泳動装置を備えることを特徴とする。

本願の電気泳動装置の製造方法では、画素電極上に第１金属層を形成する工程と、接続端子上に第２金属層を形成する工程と、を備え、前記第１金属層と前記第２金属層とは同一材料で同時に形成されることを特徴とする。

上記の電気泳動装置の製造方法では、前記画素電極の端部と前記接続端子の端部とを覆うように絶縁膜を形成する工程を備えることが好ましい。

上記の電気泳動装置の製造方法では、前記第１金属層及び前記第２金属層はそれぞれめっき処理により形成されることが好ましい。

上記の電気泳動装置の製造方法では、前記画素電極と前記接続端子とは同一材料で同時に形成されることが好ましい。

上記の電気泳動装置の製造方法では、前記第１金属層を画素ごとに互いに離間して形成し、前記第１金属層に重ねて電気泳動層を配置し、しかる後に、前記第１金属層と前記電気泳動層との間に生じる気泡を前記画素から除去することが好ましい。

第１の実施形態にかかわる電気泳動装置の実装例を説明するための概略斜視図。 電気泳動装置の実装例を説明するための模式側面図。 電気泳動装置の構造を示す模式側断面図。 電気泳動装置の構造を示す模式側断面図。 第１実装端子の構造を示す要部模式断面図。 画素電極の構造を示す要部模式断面図。 電気泳動装置の電気制御ブロック図。 電気泳動装置の製造方法のフローチャート。 電気泳動装置の製造方法を説明するための模式図。 電気泳動装置の製造方法を説明するための模式図。 電気泳動装置の製造方法を説明するための模式図。 電気泳動装置の製造方法を説明するための模式図。 電気泳動装置の製造方法を説明するための模式図。 第２の実施形態にかかわる電気泳動装置の構造を示す模式側断面図。 第３の実施形態にかかわる電子ブックの構造を示す概略斜視図。 腕時計の構造を示す概略斜視図。

以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。

（第１の実施形態）
本実施形態では、電気泳動装置と、この電気泳動装置の製造方法との特徴的な例について、図に従って説明する。第１の実施形態にかかわる電気泳動装置について図１〜図７に従って説明する。図１は、電気泳動装置の実装例を説明するための概略斜視図である。図２は電気泳動装置の実装例を説明するための模式側面図である。図１及び図２に示すように、電気泳動装置１は素子基板２及び対向基板３を備えている。電気泳動装置１は反射型の表示装置である。素子基板２にはＴＦＴ素子が２次元マトリックス状に配置されている。

対向基板３は素子基板２と対向して配置されている板である。そして、素子基板２と対向基板３との間には電気泳動層４が配置されている。尚、本実施形態では、素子基板２及び対向基板３は双方とも方形であるが、この形状に限定されるものではない。

電気泳動層４は、２次元マトリックス状に区画された複数の領域を有している。複数の領域のそれぞれが画素として機能する。そして、２次元マトリックス状に配列された複数の画素により表示領域５が構成されている。素子基板２は４辺の内の１辺側が対向基板３よりも長くなっている。素子基板２が対向基板３より長くなっている方向を−Ｙ方向とする。対向基板３の厚み方向をＺ方向とする。そして、素子基板２に対して対向基板３が位置する方向を＋Ｚ方向とする。対向基板３の基板上面３ａにおいて、Ｙ方向と直交する方向をＸ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向は互いに直交する方向になっている。電気泳動装置１は基板上面３ａ側から画像が見られる構造になっている。

＋Ｚ方向側から見た平面視において、対向基板３からはみ出る素子基板２の部分には複数の第１実装端子６が配置されている。第１実装端子６はＸ方向に配列している。ＴＦＴ素子と第１実装端子６とは配線により電気的に接続されている。

電気泳動装置１は回路基板７上に配置されている。他にも回路基板７上には電気泳動装置１を駆動する回路素子８が配置されている。他にも回路基板７上には複数の第２実装端子９が配置されている。第２実装端子９も第１実装端子６と同様にＸ方向に配列している。第１実装端子６のピッチと第２実装端子９のピッチとは同じ長さになっている。

そして、各第１実装端子６と各第２実装端子９とはそれぞれ配線としてのボンディングワイヤー１０により電気的に接続されている。第２実装端子９と回路素子８とは回路基板７に配置された配線により電気的に接続されている。回路素子８は駆動信号を出力する。この駆動信号は第２実装端子９、ボンディングワイヤー１０、第１実装端子６を経由して各画素のＴＦＴ素子に入力される。

図３及び図４は電気泳動装置の構造を示す模式側断面図である。図３は電気泳動装置１の−Ｙ方向側の場所における側断面図である。図４は電気泳動装置１の中程の場所における側断面図である。図３及び図４に示すように、素子基板２は第１基材１１を有する。第１基材１１の材質には、ガラス、プラスチック、セラミック、シリコン等を用いることができる。第１基材１１は基板上面３ａの反対側に配置されるため不透明な材質でもよい。本実施形態では、例えば、第１基材１１の材質にガラスを用いている。

第１基材１１上には素子層１２が配置されている。素子層１２では第１基材１１上に第１絶縁膜１３が配置されている。第１絶縁膜１３は酸化シリコンや窒化シリコン等を用いることができる。第１基材１１の絶縁性が高く第１基材１１にナトリウムの含有量が少ないときには第１絶縁膜１３を省略しても良い。第１絶縁膜１３上には画素回路１４及び画素回路１４に電気信号を供給する配線等が配置されている。画素回路１４は画素毎に複数のＴＦＴ素子１５を備えている。図中には各画素における複数のＴＦＴ素子１５の中の１つが描かれている。

ＴＦＴ素子１５には島状の半導体層１６が配置されている。半導体層１６には第１ソース・ドレイン領域１７、チャネル形成領域１８、第２ソース・ドレイン領域２１がこの順に並んで形成されている。半導体層１６上にはゲート絶縁膜２２が配置されている。そして、ゲート絶縁膜２２上にはチャネル形成領域１８と対向する場所にゲート電極２３が配置されている。

半導体層１６の第１ソース・ドレイン領域１７には第１ソース・ドレイン電極２４が電気的に接続されている。第１ソース・ドレイン電極２４には第１配線２５が電気的に接続されている。第２ソース・ドレイン領域２１と電気的に接続して第２ソース・ドレイン電極２６が配置されている。第２ソース・ドレイン電極２６には第２配線２７が電気的に接続されている。ゲート電極２３には図示しない配線が電気的に接続されている。

ゲート電極２３及びゲート絶縁膜２２と重ねて第２絶縁膜２８が配置されている。第２絶縁膜２８は酸化シリコンや窒化シリコンで構成されている。第１配線２５及び第２配線２７は第２絶縁膜２８の＋Ｚ方向側の面に配置されている。第１ソース・ドレイン電極２４及び第２ソース・ドレイン電極２６が配置された場所には第２絶縁膜２８にコンタクトホールが形成されている。そして、第１ソース・ドレイン電極２４は第１コンタクトホール２８ａを通って第１配線２５と電気的に接続している。第２ソース・ドレイン電極２６も第２コンタクトホール２８ｂを通って第２配線２７と電気的に接続している。

第１実装端子６が配置されている場所では第２絶縁膜２８上に第３配線２９が配置されている。第３配線２９はいずれかの画素回路１４等と電気的に接続されている。

第２絶縁膜２８と第１ソース・ドレイン電極２４、第１配線２５、第２ソース・ドレイン電極２６、第２配線２７及び第３配線２９とを覆って第３絶縁膜３０が配置されている。第３絶縁膜３０は膜厚８００ｎｍ程度の窒化シリコン膜である。

第３絶縁膜３０の上には第４絶縁膜３１が配置されている。第４絶縁膜３１は有機樹脂の膜であり、本実施形態では例えば、第４絶縁膜３１にアクリル樹脂を用いている。第４絶縁膜３１は平坦化膜とも言われ、＋Ｚ側の面を平坦にする。

表示領域５では第４絶縁膜３１の上に画素電極３２が配置されている。画素電極３２は金属を含み導電性を有している。画素電極３２は第１下層膜３２ａ及び第１上層膜３２ｂを有している。画素電極３２の第１下層膜３２ａの材質にはモリブデン、チタン、モリブデンとアルミニウムとの合金等を用いることができる。本実施形態では例えば、画素電極３２はモリブデンの膜である第１下層膜３２ａとアルミニウムの膜である第１上層膜３２ｂとで構成されている。詳しくは、第４絶縁膜３１の上に膜厚が約３０ｎｍの第１下層膜３２ａが配置されている。そして、第１下層膜３２ａの上に膜厚が約５００ｎｍの第１上層膜３２ｂが配置されている。このように、画素電極３２は金属の第１下層膜３２ａ上にアルミニウムの第１上層膜３２ｂが積層されている。

モリブデン、チタン、モリブデンとアルミニウムとの合金等はアルミニウムとの親和性が良い。従って、第１下層膜３２ａの上に品質良く第１上層膜３２ｂを積層させることができる。そして、第１上層膜３２ｂを第１下層膜３２ａから剥がれにくくすることができる。

画素電極３２は画素５ａ毎に配置されている。そして、隣合う画素電極３２の間には絶縁膜としての画素枠部３３が配置されている。画素５ａが２次元マトリックス状に配置されているので、画素枠部３３は格子状に配置されている。画素枠部３３の材質は絶縁性があれば良く、樹脂材料等の有機材料でも良く、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機材料でも良い。本実施形態では例えば、画素枠部３３の材質にアクリル樹脂を用いている。画素枠部３３の厚みは１００ｎｍ〜１．５μｍの範囲に設定される。

第４絶縁膜３１及び第３絶縁膜３０には第３コンタクトホール３１ａが形成されている。そして、画素電極３２は第３コンタクトホール３１ａを通って第２配線２７と電気的に接続している。従って、画素電極３２に印加される電圧はＴＦＴ素子１５により切替えられる。

画素電極３２に重ねて第１金属層３４が配置されている。第１金属層３４は、画素５ａごとに互いに離間して設けられている。第１金属層３４は第１本体層３４ａと第１本体層３４ａを覆う第１表面層３４ｂとで構成されている。隣り合う第１金属層３４の間は溝３４ｃが配置されている。第１本体層３４ａの材質はニッケルである。第１本体層３４ａの厚みは５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、本実施形態では例えば、第１本体層３４ａの厚みは約７μｍになっている。第１金属層３４はめっき処理により形成される膜である。第１金属層３４の厚みが３０μｍを超えるとめっき処理にかかる時間が長くなるので生産性が低下する。

アルミニウムの上にはニッケルのめっきを安定して行うことができる。従って、第１本体層３４ａを品質良く配置することができる。

第１表面層３４ｂの材質は金である。第１表面層３４ｂの厚みは特に限定されないが、本実施形態では例えば、０．１μｍ〜０．９μｍになっている。このように、第１金属層３４はニッケルの第１本体層３４ａ上に金の第１表面層３４ｂが積層されている。

第１実装端子６が配置されている場所では第４絶縁膜３１及び第３絶縁膜３０に第４コンタクトホール３１ｂが形成されている。第４コンタクトホール３１ｂにより第３配線２９の一部と第２絶縁膜２８の一部が露出している。そして、露出した第３配線２９及び第２絶縁膜２８に重ねて接続端子３５が配置されている。

接続端子３５は第２下層膜３５ａ及び第２上層膜３５ｂを有している。接続端子３５の材質にモリブデン、チタン、モリブデンとアルミニウムとの合金等を用いることができる。本実施形態では例えば、接続端子３５はモリブデンの膜である第２下層膜３５ａとアルミニウムの膜である第２上層膜３５ｂとで構成されている。詳しくは、第２絶縁膜２８及び第３配線２９の上に膜厚が約３０ｎｍの第２下層膜３５ａが配置されている。そして、第２下層膜３５ａの上に膜厚が約５００ｎｍの第２上層膜３５ｂが配置されている。このように、接続端子３５は金属の第２下層膜３５ａ上にアルミニウムの第２上層膜３５ｂが積層されている。

モリブデン、チタン、モリブデンとアルミニウムとの合金等はアルミニウムとの親和性が良い。従って、第２下層膜３５ａの上に品質良く第２上層膜３５ｂを積層させることができる。そして、第２上層膜３５ｂを第２下層膜３５ａから剥がれにくくすることができる。

画素電極３２と接続端子３５とは同一材料で構成されている。従って、画素電極３２と接続端子３５とを別途他の材料を用いることなく構成することができる。また、画素電極３２と接続端子３５とを同一工程で同じ装置を用いて製造することができる。つまり、成膜とパターニングとを行うことができる。このとき、画素電極３２と接続端子３５とをそれぞれ別の工程で製造するときに比べて成膜工程とパターニング工程の数を減らすことができる。

接続端子３５の周囲には絶縁膜としての第５絶縁膜３６が配置されている。第５絶縁膜３６は画素電極３２と接続端子３５との間にも配置されている。第５絶縁膜３６と画素枠部３３とは同じ絶縁膜である。従って、第５絶縁膜３６の材質は画素枠部３３の材質と同じ材質であり、本実施形態では例えば、第５絶縁膜３６及び画素枠部３３の材質にアクリル樹脂を用いている。

接続端子３５に重ねて第２金属層３７が配置されている。第２金属層３７は第２本体層３７ａと第２本体層３７ａを覆う第２表面層３７ｂとで構成されている。第２本体層３７ａの材質はニッケルである。第２本体層３７ａの厚みは５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、本実施形態では例えば、第２本体層３７ａの厚みは約７μｍになっている。第２本体層３７ａはめっき処理により形成される膜である。第２本体層３７ａの厚みが３０μｍを超えるとめっき処理にかかる時間が長くなるので生産性が低下する。

アルミニウムの上にはニッケルのめっきを安定して行うことができる。従って、第２本体層３７ａを品質良く配置することができる。

第２表面層３７ｂの材質は金である。第２表面層３７ｂの厚みは特に限定されないが、本実施形態では例えば、０．１μｍ〜０．９μｍになっている。第２表面層３７ｂもめっき処理により形成される膜である。このように、第２金属層３７はニッケルの第２本体層３７ａ上に金の第２表面層３７ｂが積層されている。

第２金属層３７はニッケルの第２本体層３７ａ上に金の第２表面層３７ｂが積層されている。金はボンディングワイヤー１０との電気的な接触抵抗を低くすることができる。また、接続端子３５にボンディングワイヤー１０を設置する加工を行うとき、接続端子３５が受ける衝撃をニッケルの第２本体層３７ａが吸収するので、接続端子３５が衝撃を受けて剥離することを抑制できる。

第２金属層３７は第１金属層３４と同一材料で構成される。従って、第１金属層３４と第２金属層３７とを別途他の材料を用いることなく構成することができる。また、第１金属層３４と第２金属層３７とを同一工程で同じ装置を用いて製造することができる。つまり、成膜とパターニングとを行うことができる。このとき、第１金属層３４と第２金属層３７とをそれぞれ別の工程で製造するときに比べて成膜工程とパターニング工程の数を減らすことができる。その結果、電気泳動装置１を生産性良く製造することができる。

第１金属層３４及び第２金属層３７はそれぞれめっき処理により形成される。めっき処理はスパッタリング法等の物理気相堆積法に比べて短時間で厚い膜を成膜することができる。従って、生産性良く第１金属層３４及び第２金属層３７を形成することができる。

第１実装端子６にはボンディングワイヤー１０が設置される。ボンディングワイヤー１０はワイヤー１０ａとワイヤー先端１０ｂとで構成される。第１実装端子６にワイヤー先端１０ｂを固定するとき、ワイヤーボンディング装置が用いられる。ワイヤーボンディング装置は注射針のようなキャピラリーを備え、キャピラリーを移動させる。ワイヤーボンディング装置のキャピラリーがワイヤー先端１０ｂを第１実装端子６に押圧した状態で、キャピラリーがワイヤー先端１０ｂに超音波を加える。このとき、ワイヤー先端１０ｂが第１実装端子６に融着する。

ボンディングワイヤー１０と接続端子３５との間には第２金属層３７が設けられている。第２金属層３７はボンディングワイヤー１０を電気的に接続させるのに適した層である。このとき、第２金属層３７が超音波を吸収するのでワイヤー先端１０ｂを品質良く第２金属層３７に接合することができる。そして、ワイヤー先端１０ｂを第２金属層３７から剥がれ難くすることができる。さらに、第２金属層３７が超音波を吸収するので第１実装端子６が素子基板２から剥がれることを低減できる。

表示領域５では第１金属層３４の上に電気泳動層４が配置されている。従って、第１金属層３４は電気泳動層４と画素電極３２との間に設けられている。電気泳動層４はマイクロカプセル３８とマイクロカプセル３８を固定する固定部材３９とで構成されている。固定部材３９の材質は樹脂であり、マイクロカプセル３８を接着して固定する機能を有する。電気泳動層４と第１金属層３４との間には第１接着層４０が配置され、第１接着層４０が電気泳動層４と第１金属層３４とを接着する。

電気泳動層４の上には共通電極４１、支持シート４２、第２接着層４４及び対向基板３が配置されている。支持シート４２の−Ｚ方向側の面に共通電極４１が形成されている。そして、共通電極４１の−Ｚ方向側の面に電気泳動層４が配置されている。支持シート４２の材質は光透過性があり電気泳動層４を支持できれば良く特に限定されず、各種樹脂シートやゴムシートが用いられている。本実施形態では、例えば、支持シート４２の材質にエチレン・プロピレンゴムのシートを用いている。

電気泳動層４の外周には対向基板３の外縁に沿ってシール材４３が配置されている。シール材４３はＺ方向側から見て平面視で表示領域５を囲むように環状に配置されている。そして、素子基板２と対向基板３とは、シール材４３を介して対向して配置されている。そして、素子基板２、対向基板３及びシール材４３とで構成される空間内に電気泳動層４が配置されている。シール材４３は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂等の接着剤からなる。そして、シール材４３は素子基板２と対向基板３とを接着固定している。さらに、支持シート４２と対向基板３との間には第２接着層４４が配置されている。第２接着層４４は接着剤が固化した層である。第２接着層４４は対向基板３を支持シート４２に接着固定している。

共通電極４１は対向基板３と同様に光透過性を有する透明導電膜が用いられている。共通電極４１の材質にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ−ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯｘ（酸化錫）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｃｅｒｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）を用いることができる。本実施形態では、例えば、共通電極４１の材質にＩＴＯを用いている。

共通電極４１は画素電極３２とは異なり、表示領域５の略全域に、区画されずに形成されている。したがって、共通電極４１は、表示領域５に配置された総ての画素５ａにおける共通の電極として機能する。画素電極３２は画素５ａ毎に形成され、画素回路１４により個別に制御可能である。従って、電気泳動装置１は各々の画素５ａ毎に画素電極３２と共通電極４１との間に任意の電圧を印加できる。

そして、電気泳動層４は画素電極３２と電気的に接続する第１金属層３４と共通電極４１との間に配置されている。従って、電気泳動層４は各々の画素５ａ毎に任意の電圧が印加される。電気泳動層４と画素電極３２との間に第１金属層３４が設けられている。第１金属層３４には画素電極３２から電位が印加されて電気泳動層４に電場を形成する。

電気泳動層４の固定部材３９は接着性を有するシート状の基材である。固定部材３９の片方の面にマイクロカプセル３８が単層かつできるだけ隙間が生じないように敷き詰められている。そして、第１接着層４０により固定部材３９の他方の面が素子基板２上の第１金属層３４に貼り付けられている。固定部材３９には電解質が含まれている。

マイクロカプセル３８は直径が略３０μｍ〜７５μｍである。マイクロカプセル３８は第１金属層３４と共通電極４１との間でＺ方向には１層に配列している。そして、マイクロカプセル３８はＸ方向及びＹ方向では互いに接するように配置されている。したがって、マイクロカプセル３８の直径は第１金属層３４と共通電極４１との間の寸法と略同一である。そして各々の第１金属層３４上には、略同一の数のマイクロカプセル３８が配置されている。

マイクロカプセル３８は、複数の黒色粒子４５、複数の白色粒子４６及び分散媒４７が封入された球状体である。黒色粒子４５は黒色の電気泳動粒子である。白色粒子４６は白色の電気泳動粒子である。そして、マイクロカプセル３８の外殻をなす壁膜は、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル等のアクリル樹脂、ユリア樹脂、アラビアゴム等の透光性を持つ高分子樹脂等を用いて形成されている。

分散媒４７には水、アルコール系溶媒、エステル類、ケトン類、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、長鎖アルキル基を有するベンゼン類、ハロゲン化炭化水素、カルボン酸塩、シリコーンオイル等の油類を単独または混合物として用いられている。

黒色粒子４５は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック等の黒色顔料からなる粒子である。白色粒子４６は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子である。粒子は高分子あるいはコロイドである。これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤等を添加しても良い。

そして、黒色粒子４５と白色粒子４６は互いに反対の電位を有するように帯電されて用いられる。黒色粒子４５が正に帯電されて用いられる場合、白色粒子４６は負に帯電されて用いられる。そして、かかる電位の違いを利用し、画素５ａ毎に第１金属層３４と共通電極４１との間に電圧を印加することで表示領域５に画像を形成できる。

図３では、画素５ａが黒色表示となっている場合を示している。黒色表示を行う場合、第１金属層３４と共通電極４１との間に直流の駆動電圧を印加して、共通電極４１を相対的に低電位、第１金属層３４を相対的に高電位に保持する。これにより、正に帯電した黒色粒子４５が共通電極４１に引き寄せられる一方、負に帯電した白色粒子４６が画素電極３２に引き寄せられる。その結果、対向基板３側から画素５ａを見ると、画素５ａが黒色に見える。

また、白色表示を行う場合、共通電極４１が相対的に高電位、第１金属層３４が相対的に低電位となるように第１金属層３４と共通電極４１との間に直流の駆動電圧を印加する。これにより、負に帯電した白色粒子４６が共通電極４１に引き寄せられる一方、正に帯電した黒色粒子４５が画素電極３２に引き寄せられる。その結果、共通電極４１側から画素５ａを見ると、画素５ａが白色に見える。尚、黒色粒子４５及び白色粒子４６に代えて、例えば赤色、緑色、青色等の顔料を用いた粒子を用いてもよい。かかる構成であれば、カラー表示を行うこともできる。

図５は第１実装端子の構造を示す要部模式断面図である。図５に示すように、第４コンタクトホール３１ｂには接続端子３５が配置されている。第４絶縁膜３１の＋Ｚ方向側の面を第４絶縁膜上面３１ｃとする。接続端子３５は第２絶縁膜２８及び第３配線２９上から第４絶縁膜上面３１ｃまで配置されている。

第４絶縁膜上面３１ｃでは第５絶縁膜３６が接続端子３５の端部３５ｃを覆っている。接続端子３５上に第２金属層３７を形成するときに第２金属層３７の内部応力が接続端子３５に作用する。この内部応力により接続端子３５の端部３５ｃが剥がれることを第５絶縁膜３６が低減することができる。

図６は画素電極の構造を示す要部模式断面図である。図６に示すように、第３コンタクトホール３１ａには画素電極３２が配置されている。画素電極３２は第２配線２７上から第４絶縁膜上面３１ｃまで配置されている。

第４絶縁膜上面３１ｃでは画素枠部３３が画素電極３２の端部３２ｃを覆っている。画素電極３２上に第１金属層３４を形成するときに第１金属層３４の内部応力が画素電極３２に作用する。この内部応力により画素電極３２の端部３２ｃが剥がれることを画素枠部３３が抑制することができる。

図７は電気泳動装置の電気制御ブロック図である。図７に示すように、電気泳動装置１は回路素子８と電気的に接続して用いられる。回路素子８は入力部４８を備え、入力部４８は電気泳動装置１に表示する画像を示す画像信号を出力する装置と電気的に接続される。そして、入力部４８は画像信号を入力する。入力部４８は制御部４９と電気的に接続されている。そして、制御部４９は記憶部５０、第１波形形成部５１、第２波形形成部５２及び信号分配部５３と電気的に接続されている。

制御部４９は第１波形形成部５１、第２波形形成部５２及び信号分配部５３を制御する部位である。記憶部５０は画像信号の他、画像信号から電気泳動装置１に出力する信号を形成するときに用いる情報を記憶する。第１波形形成部５１はボンディングワイヤー１０、信号分配部５３を介して画素回路１４と電気的に接続され、画素回路１４に画素毎のデータ信号を出力する。画素回路１４は画素電極３２と電気的に接続され、データ信号に対応する電圧波形を画素電極３２に出力する。第２波形形成部５２はボンディングワイヤー１０及び信号分配部５３を介して共通電極４１と電気的に接続され、共通電極４１に電圧波形を出力する。

信号分配部５３は画素回路１４に駆動信号を分配し画素電極３２に出力する電圧波形を切り替える。さらに、信号分配部５３は共通電極４１に出力する電圧波形を分配する。

次に上述した電気泳動装置１の製造方法について図８〜図１３及び図３にて説明する。図８は、電気泳動装置の製造方法のフローチャートであり、図９〜図１３は電気泳動装置の製造方法を説明するための模式図である。図８のフローチャートにおいて、ステップＳ１は半導体層形成工程に相当する。この工程は、第１基材１１上に素子層１２及び第４絶縁膜３１を形成する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は画素電極、接続端子形成工程である。この工程は、第４絶縁膜３１上に画素電極３２及び接続端子３５を形成する工程である。次にステップＳ３に移行する。

ステップＳ３は絶縁膜形成工程である。この工程は、第４絶縁膜３１上に画素枠部３３及び第５絶縁膜３６を形成する工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は第１金属層、第２金属層形成工程である。この工程は、画素電極３２上に第１金属層３４を形成する工程である。さらに、接続端子３５上に第２金属層３７を形成する。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は電気泳動層設置工程である。この工程は、第１金属層３４上に電気泳動層４を設置する工程である。さらに、電気泳動層４上に対向基板３を設置する。以上の工程により電気泳動装置１が完成する。

次に、図９〜図１３及び図３を用いて、図８に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。まず、素子基板２を製造する。図９はステップＳ１の半導体層形成工程に対応する図である。図９に示すように、第１基材１１を用意する。第１基材１１は汎用の無アリカリガラスである。第１基材１１にはガラス板を所定の厚みに研削及び研磨して表面粗さを小さくした板を用いる。第１基材１１上に素子層１２を形成する。素子層１２の形成方法は公知であるので詳細の説明は省略し、概略の製造方法を説明する。素子層１２の形成方法は複数存在し特に限定されない。

まず、第１基材１１上に第１絶縁膜１３を形成する。ＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって第１基材１１上に酸化シリコンの第１絶縁膜１３を形成する。次に、第１絶縁膜１３上に、ＣＶＤ法等によって膜厚５０ｎｍ程度の非晶質シリコン膜を形成する。その非晶質シリコン膜をレーザー結晶化法等によって結晶化して、多結晶シリコン膜を形成する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって島状の多結晶シリコン膜である半導体層１６を形成する。

次に、半導体層１６及び第１絶縁膜１３を覆うように、ＣＶＤ法等によって膜厚１００ｎｍ程度の酸化シリコンの膜を形成し、ゲート絶縁膜２２とする。続いて、スパッタリング法等によって、ゲート絶縁膜２２上に膜厚５００ｎｍ程度のＭｏ膜を形成し、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって島状のゲート電極２３を形成する。次に、イオン注入法によって半導体層１６に不純物イオンを注入し、第１ソース・ドレイン領域１７、第２ソース・ドレイン領域２１及びチャネル形成領域１８を形成する。続いて、ゲート絶縁膜２２及びゲート電極２３を覆うように、膜厚８００ｎｍ程度の酸化シリコン膜を形成し、第２絶縁膜２８とする。

次に、第２絶縁膜２８に第１ソース・ドレイン領域１７に達する第１コンタクトホール２８ａと第２ソース・ドレイン領域２１に達する第２コンタクトホール２８ｂを形成する。その後、第２絶縁膜２８上と第１コンタクトホール２８ａ及び第２コンタクトホール２８ｂ内に、スパッタリング法等によって膜厚５００ｎｍ程度のＭｏ膜を形成し、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によってパターニングして、第１ソース・ドレイン電極２４、第２ソース・ドレイン電極２６及び図示しない配線を形成する。

第２絶縁膜２８と第１ソース・ドレイン電極２４、第２ソース・ドレイン電極２６及び配線とを覆うように、膜厚８００ｎｍ程度の窒化シリコン膜を形成し、第３絶縁膜３０とする。フォトリソグラフィー法及びエッチング法によってパターニングして、第３絶縁膜３０にコンタクトホールを形成する。尚、ステップＳ１では画素回路１４を構成する複数のＴＦＴ素子１５が配置される。

次に、第３絶縁膜３０上に第４絶縁膜３１を設置する。まず、第４絶縁膜３１の材料となる樹脂膜を設置する。素子層１２の上にアクリル樹脂を溶解した溶液を素子層１２上に塗布し乾燥させて固化する。樹脂膜はインクジェット法、オフセット印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷等の凸版印刷、グラビア印刷等の凹版印刷等の各種印刷法を用いて設置することができる。他にも、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、スリットコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ダイコート法、ディップコート法等を用いても良い。次に、樹脂膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法によってパターニングする。これにより、第４絶縁膜３１の外形形状、第３コンタクトホール３１ａ及び第４コンタクトホール３１ｂの形状をパターニングする。樹脂膜は蒸着またはＣＶＤ法等の成膜法を用いるときより厚い膜を容易に設置することができる。

図１０はステップＳ２の画素電極、接続端子形成工程に対応する図である。図１０に示すように、ステップＳ２において第４絶縁膜３１上、第３コンタクトホール３１ａ及び第４コンタクトホール３１ｂ内に、スパッタリング法等の成膜法を用いて膜厚３０ｎｍ程度のモリブデン膜を形成する。さらに、スパッタリング法等の成膜法を用いて膜厚５００ｎｍ程度のモリブデン膜に重ねてアルミニウム膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によってモリブデン膜及びアルミニウム膜をエッチングして画素電極３２及び接続端子３５を形成する。画素枠部３３を設置する予定の場所では第４絶縁膜３１を露出させる。エッチング法は特に限定されないが本実施形態ではドライエッチング法を用いた。

ステップＳ２では画素電極３２と接続端子３５とは同一材料で同時に形成される。つまり、成膜とパターニングとを行うことができる。このとき、画素電極３２と接続端子３５とをそれぞれ別に製造するときに比べて成膜とパターニングの数を減らすことができる。その結果、電気泳動装置１を生産性良く製造することができる。

図１１はステップＳ３の絶縁膜形成工程に対応する図である。図１１に示すように、ステップＳ３において、第４絶縁膜３１が露出する開口３１ｄ上に画素枠部３３を形成する。さらに、表示領域５の−Ｙ方向側で第４絶縁膜３１が露出する場所に第５絶縁膜３６を形成する。まず、画素電極３２上に画素枠部３３及び第５絶縁膜３６の材料となる感光性樹脂材料を塗布する。感光性樹脂材料はアクリル樹脂を溶解した溶液に感光性の添加物を加えた液体である。

感光性樹脂材料の塗布方法はオフセット印刷、スクリーン印刷、凸版印刷等の各種印刷法を用いて設置することができる。他にも、スピンコート法やロールコート法等のコート法を用いても良い。続いて、感光性樹脂材料を加熱乾燥して固化する。次に、感光性樹脂材料をフォトリソグラフィー法によってパターニングしエッチングして画素枠部３３及び第５絶縁膜３６を成形する。画素枠部３３及び第５絶縁膜３６は画素電極３２の端部３２ｃと接続端子３５の端部３５ｃとを覆うように形成される。

画素電極３２の端部３２ｃを覆う画素枠部３３と接続端子３５の端部３５ｃを覆う第５絶縁膜３６とは同じ材質の絶縁膜である。従って、画素電極３２の端部３２ｃを覆う画素枠部３３と接続端子３５の端部３５ｃを覆う第５絶縁膜３６とは同じ工程で形成できる。画素電極３２の端部３２ｃを覆う画素枠部３３と接続端子３５の端部３５ｃを覆う第５絶縁膜３６とを別の工程で配置するときに比べて工程数を減らすことができる。その結果、生産性良く電気泳動装置１を製造することができる。

画素枠部３３及び第５絶縁膜３６は第４絶縁膜３１と接合される。画素枠部３３、第５絶縁膜３６及び第４絶縁膜３１はともに樹脂材料で形成されるので強固に接合させることができる。従って、画素電極３２の端部３２ｃ及び接続端子３５の端部３５ｃを確実に固定することができる。

図１２はステップＳ４の第１金属層、第２金属層形成工程に対応する図である。図１２に示すように、ステップＳ４において、画素電極３２上に第１金属層３４を形成する。さらに、接続端子３５上に第２金属層３７を形成する。第１金属層３４の第１本体層３４ａ及び第２金属層３７の第２本体層３７ａの形成方法は無電解めっき法を用いてニッケルのめっきを行う。画素電極３２の第１上層膜３２ｂ及び接続端子３５の第２上層膜３５ｂの材質はアルミニウムである。アルミニウムの表面には酸化膜ができやすい。アルミニウム専用のエッチング剤を用いてアルミニウムの表面にできている酸化膜や変質層を除去する。

次に、画素電極３２及び接続端子３５が形成された第１基材１１をめっき浴に浸漬して加熱する。画素電極３２の第１上層膜３２ｂ及び接続端子３５の第２上層膜３５ｂはアルミニウムが含まれているのでニッケルがめっきされる。画素電極３２及び接続端子３５以外は画素枠部３３や第５絶縁膜３６等の樹脂材料におおわれているのでニッケルがめっきされない。従って、めっき浴に浸漬しても第１金属層３４の第１本体層３４ａ及び第２金属層３７の第２本体層３７ａのみ形成される。

次に、第１金属層３４の第１本体層３４ａに重ねて第１表面層３４ｂを形成し、第２金属層３７の第２本体層３７ａに重ねて第２表面層３７ｂを形成する。第１表面層３４ｂ及び第２表面層３７ｂの形成方法は無電解めっき法を用いて金のめっきを行う。第１本体層３４ａ及び第２本体層３７ａが形成された第１基材１１をめっき浴に浸漬して加熱する。金はニッケルに比べてイオン化傾向が小さい。従って、第１本体層３４ａ及び第２本体層３７ａのニッケルと金とが置換されて金の第１表面層３４ｂ及び第２表面層３７ｂが形成される。

本工程では画素電極３２上に第１金属層３４を形成する工程と、接続端子３５上に第２金属層３７を形成する工程と、が含まれる。そして、第１金属層３４と第２金属層３７とは同一材料で同時に形成されている。つまり、成膜とパターニングとを行うことができる。このとき、第１金属層３４と第２金属層３７とをそれぞれ別に製造するときに比べて成膜とパターニングの数を減らすことができる。その結果、電気泳動装置１を生産性良く製造することができる。

尚、ステップＳ１の半導体層形成工程〜ステップＳ４の第１金属層、第２金属層形成工程までは第１基材１１上に複数の電気泳動装置１に対向する素子を形成するのが好ましい。そして、第１基材１１上に第１金属層３４及び第２金属層３７を形成した後で、各電気泳動装置１に対応する形状にダイシングして分割する。

図１３はステップＳ５の電気泳動層設置工程に対応する図である。図１３に示すように、ステップＳ５において、第１金属層３４上に電気泳動層４を設置する。黒色粒子４５及び白色粒子４６を分散媒４７に投入して攪拌する。この操作により分散媒４７に黒色粒子４５及び白色粒子４６が分散する。そして、分散媒４７をマイクロカプセル３８に注入して封止する。

支持シート４２上に共通電極４１を形成する。共通電極４１はＩＴＯの膜であり、スパッタリング法を用いて形成する。次に、マイクロカプセル３８、固定部材３９及び溶媒を混合して共通電極４１上に塗布する。塗布方法には各種のコート法や印刷法を用いることができる。次に、乾燥させて溶媒の量を調整する。以上の工程により、支持シート４２上に共通電極４１及び電気泳動層４が配置される。

続いて、電気泳動層４が配置された支持シート４２に接着剤を塗布して第１金属層３４上に配置する。そして、支持シート４２を素子基板２に押圧する。このとき、減圧雰囲気において支持シート４２を第１金属層３４上に配置するのが好ましい。第１金属層３４と電気泳動層４との間に気泡５４が生じるのを低減することができる。さらに、加熱することにより、気体を分散させて気泡５４が生じるのを低減することができる。

第１金属層３４は画素５ａごとに互いに離間して形成されている。そして、第１金属層３４に重ねて電気泳動層４を配置し、しかる後に、第１金属層３４と電気泳動層４との間に生じる気泡５４を画素５ａから除去する。気泡５４の移動方法は支持シート４２をＺ方向側から押しながら支持シート４２に沿って気泡５４を移動する。そして、気泡５４が溝３４ｃに到達すると、気泡５４は溝３４ｃに入る。この操作により気泡５４を画素５ａから除外させることができる。

第１金属層３４は、画素５ａごとに互いに離間して設けられている。このとき、画素５ａ間に溝３４ｃができる。第１金属層３４の上に電気泳動層４を設置するとき、第１金属層３４と電気泳動層４との間に気泡５４ができることがある。このとき、気泡５４を溝３４ｃに移動させて気泡５４を溝３４ｃに収納することができる。従って、気泡５４が表示内容を見難くすることがない為、表示品質を向上することができる。

画素５ａから気泡５４を除去した後で、支持シート４２を第１基材１１に押圧しながら加熱する。加熱により固定部材３９が固化して電気泳動層４は第１金属層３４に接着される。接着剤は固化して第１接着層４０になる。

図３に示すように、第５絶縁膜３６上にシール材４３を配置する。シール材４３は接着剤からなる。シール材４３の配置方法にはスクリーン印刷やオフセット印刷等の各種の印刷方法を用いることができる。次に、支持シート４２上に粘性の低い接着剤を塗布する。続いて、支持シート４２及びシール材４３に重ねて対向基板３を配置する。次に、シール材４３及び接着剤が熱硬化性の接着剤であるときには加熱してシール材４３及び接着剤を固化する。シール材４３及び接着剤が紫外線硬化性の接着剤であるときには紫外線を照射してシール材４３及び接着剤を固化する。支持シート４２と対向基板３との間の接着剤が固化して第２接着層４４になる。以上の工程により対向基板３が素子基板２に接着固定されて電気泳動装置１が完成する。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、電気泳動層４と画素電極３２との間に第１金属層３４が設けられている。第１金属層３４には画素電極３２から電位が印加されて電気泳動層４に電場を形成する。そして、ボンディングワイヤー１０と接続端子３５との間に第２金属層３７が設けられている。第２金属層３７はボンディングワイヤー１０を電気的に接続させるのに適した層であり、電気泳動装置１とボンディングワイヤー１０とを電気的に品質良く接続する。そして、第１金属層３４と第２金属層３７とは同一材料で構成されている。

従って、第１金属層３４と第２金属層３７とを別途他の材料を用いることなく構成することができる。また、第１金属層３４と第２金属層３７とを同一工程で同じ装置を用いて製造することができる。つまり、成膜とパターニングとを行うことができる。このとき、第１金属層３４と第２金属層３７とをそれぞれ別の工程で製造するときに比べて成膜工程とパターニング工程の数を減らすことができる。その結果、電気泳動装置１を生産性良く製造することができる。

（２）本実施形態によれば、画素枠部３３が画素電極３２の端部３２ｃを覆う。さらに、第５絶縁膜３６が接続端子３５の端部３５ｃを覆う。画素電極３２上に第１金属層３４を形成するときに第１金属層３４の内部応力により画素電極３２の端部３２ｃが剥がれることを画素枠部３３が低減することができる。同様に、接続端子３５上に第２金属層３７を形成するときに第２金属層３７の内部応力により接続端子３５の端部３５ｃが剥がれることを第５絶縁膜３６が低減することができる。そして、画素電極３２の端部３２ｃを覆う画素枠部３３と接続端子３５の端部３５ｃを覆う第５絶縁膜３６とは同じ絶縁膜である。従って、画素電極３２の端部３２ｃを覆う画素枠部３３と接続端子３５の端部３５ｃを覆う第５絶縁膜３６とは同じ工程で形成できる。画素電極３２の端部３２ｃを覆う画素枠部３３と接続端子３５の端部３５ｃを覆う第５絶縁膜３６とを別の工程で配置するときに比べて工程数を減らすことができる。その結果、生産性良く電気泳動装置１を製造することができる。

（３）本実施形態によれば、第１金属層３４及び第２金属層３７はそれぞれめっき処理により形成されている。めっき処理はスパッタリング法等の物理気相堆積法に比べて短時間で厚い膜を成膜することができる。従って、生産性良く第１金属層３４及び第２金属層３７を形成することができる。

（４）本実施形態によれば、画素電極３２と接続端子３５とは同一材料で構成されている。従って、画素電極３２と接続端子３５とを別途他の材料を用いることなく構成することができる。また、画素電極３２と接続端子３５とを同一工程で同じ装置を用いて製造することができる。つまり、成膜とパターニングとを行うことができる。このとき、画素電極３２と接続端子３５とをそれぞれ別の工程で製造するときに比べて成膜工程とパターニング工程の数を減らすことができる。

（５）本実施形態によれば、第１金属層３４は、画素５ａごとに互いに離間して設けられている。このとき、画素５ａ間に溝３４ｃができる。第１金属層３４の上に電気泳動層４を設置するとき、第１金属層３４と電気泳動層４との間に気泡５４ができることがある。このとき、気泡５４を溝３４ｃに移動させて気泡５４を溝３４ｃに収納することができる。従って、気泡５４が表示内容を見難くすることがない為、表示品質を向上することができる。

（６）本実施形態によれば、画素電極３２上に第１金属層３４が形成され、接続端子３５上に第２金属層３７が形成されている。そして、第１金属層３４と第２金属層３７とは同一材料で同時に形成されている。つまり、成膜とパターニングとを行うことができる。このとき、第１金属層３４と第２金属層３７とをそれぞれ別に製造するときに比べて成膜とパターニングの数を減らすことができる。その結果、電気泳動装置１を生産性良く製造することができる。

（７）本実施形態によれば、画素枠部３３が画素電極３２の端部３２ｃを覆う。さらに、第５絶縁膜３６は接続端子３５の端部３５ｃを覆う。画素電極３２上に第１金属層３４を形成するときに第１金属層３４の内部応力により画素電極３２の端部３２ｃが剥がれることを画素枠部３３が低減することができる。同様に、接続端子３５上に第２金属層３７を形成するときに第２金属層３７の内部応力により接続端子３５の端部３５ｃが剥がれることを第５絶縁膜３６が低減することができる。そして、画素電極３２の端部３２ｃを覆う画素枠部３３と接続端子３５の端部３５ｃを覆う第５絶縁膜３６とは同じ材質の絶縁膜である。従って、画素電極３２の端部３２ｃを覆う画素枠部３３と接続端子３５の端部３５ｃを覆う第５絶縁膜３６とは同じ工程で形成できる。画素電極３２の端部３２ｃを覆う画素枠部３３と接続端子３５の端部３５ｃを覆う第５絶縁膜３６とを別の工程で配置するときに比べて工程数を減らすことができる。その結果、生産性良く電気泳動装置１を製造することができる。

（８）本実施形態によれば、第１基材１１上に画素電極３２が形成され、第１基材１１上に接続端子３５が形成されている。そして、ステップＳ２では画素電極３２と接続端子３５とは同一材料で同時に形成される。つまり、成膜とパターニングとを行うことができる。このとき、画素電極３２と接続端子３５とをそれぞれ別に製造するときに比べて成膜とパターニングの数を減らすことができる。その結果、電気泳動装置１を生産性良く製造することができる。

（９）本実施形態によれば、第１金属層３４の上に電気泳動層４を設置している。このとき、第１金属層３４と電気泳動層４との間に気泡５４ができることがある。第１金属層３４は、画素５ａごとに互いに離間して形成されている。このとき、画素５ａ間に溝３４ｃができる。そして、気泡５４を溝３４ｃに移動させて気泡５４を溝３４ｃに収納している。従って、気泡５４が表示内容を見難くすることがない為、表示品質を向上することができる。

（第２の実施形態）
次に、電気泳動装置の一実施形態について図１４の電気泳動装置の構造を示す模式側断面図を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、図３及び図４に示した電気泳動層４の形態が異なる点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。

すなわち、本実施形態では、図１４に示すように電気泳動装置５６は素子基板２を備えている。素子基板２は第１の実施形態の電気泳動装置１における素子基板２と同じ構成になっている。素子基板２上には第１接着層５７を介して電気泳動層５８が配置されている。そして、電気泳動層５８上には第２接着層５９を介して対向基板３が配置されている。

第１接着層５７及び第２接着層５９は接着剤が固化した層である。第１接着層５７は素子基板２と電気泳動層５８とを接着固定する。第２接着層５９は電気泳動層５８と対向基板３とを接着固定する。

電気泳動層５８は第１支持シート６０、第２支持シート６１及び隔壁６２を備えている。そして、第１支持シート６０及び第２支持シート６１が隔壁６２を挟む構造になっている。隔壁６２はＺ方向から見た形状が格子状になっている。第１支持シート６０、第２支持シート６１及び隔壁６２に囲まれた空間が閉空間になっている。この閉空間をマイクロセル６３とする。電気泳動層５８にはマイクロセル６３が２次元マトリックス状に複数配置されている。

マイクロセル６３には黒色粒子４５、白色粒子４６及び分散媒４７が配置されている。そして、マイクロセル６３はマイクロカプセル３８と同様の機能を有する。第２支持シート６１の＋Ｚ方向側の面には共通電極６４が配置されている。

電気泳動装置５６は電気泳動装置１と同じ素子基板２を備えている為、第１の実施形態における効果（１）〜効果（９）と同じ効果を有している。

（第３の実施形態）
次に、電気泳動装置１または電気泳動装置５６を搭載した電子機器の一実施形態について図１５及び図１６を用いて説明する。図１５は電子ブックの構造を示す概略斜視図であり、図１６は腕時計の構造を示す概略斜視図である。図１５に示すように、電子機器としての電子ブック７０は板状のケース７１を有する。ケース７１には蝶番７２を介して蓋部７３が設置されている。さらに、ケース７１には操作ボタン７４と表示部７５とが設置されている。操作者は操作ボタン７４を操作して表示部７５に表示する内容を操作することができる。

ケース７１の内部には、制御部７６と表示部７５を駆動する信号駆動部７７が設置されている。制御部７６は信号駆動部７７に表示データを出力するとともに、当該表示データをデータ信号に変換するときのタイミング信号も出力する。信号駆動部７７は表示データからデータ信号を生成し表示部７５に出力する。また、制御部７６は、信号駆動部７７が出力するデータ信号に同期させた表示制御信号を表示部７５に出力する。表示部７５は内部に信号分配回路を有する。表示部７５は入力される表示制御信号及びデータ信号から電気泳動表示に必要な信号を生成する。そして、制御部７６が表示部７５に出力した表示データに従って表示部７５は表示を行う事ができる。尚、操作ボタン７４による操作者の操作は、適時信号化され制御部７６に伝達され、制御部７６の出力信号に反映される。

電子ブック７０は表示部７５を備えている。この表示部７５には上記の電気泳動装置１または電気泳動装置５６が用いられている。上記の電気泳動装置１及び電気泳動装置５６は、第１金属層３４と第２金属層３７とが同じ材料で構成されている。そして、第１金属層３４と第２金属層３７とが同一工程で同じ装置を用いて製造されている。従って、電気泳動装置１及び電気泳動装置５６は生産性良く製造することができる。その結果、電子ブック７０は生産性良く製造できる電気泳動装置を備えた機器とすることができる。

図１６に示すように、電子機器としての腕時計８０は板状のケース８１を有する。ケース８１はバンド８２を備え、操作者はバンド８２を腕に巻いて腕時計８０を腕に固定することができる。ケース８１には操作ボタン８３と表示部８４とが設置されている。操作者は操作ボタン８３を操作して表示部８４に表示する内容を操作することができる。

ケース８１の内部には腕時計８０を制御する制御部８５と表示部８４を駆動する信号駆動部８６とが設置されている。制御部８５は信号駆動部８６に表示データと必要なタイミング信号を出力する。尚、当該必要なタイミング信号の中には制御部８５から表示部８４に直接出力される信号があってもよい。信号駆動部８６は表示に必要な信号を表示部８４に出力することで、表示部８４に表示データに対応する内容を表示させることができる。

腕時計８０は表示部８４を備えている。この表示部８４には上記の電気泳動装置１または電気泳動装置５６が用いられている。上記の電気泳動装置１及び電気泳動装置５６は、第１金属層３４と第２金属層３７とが同じ材料で構成されている。そして、第１金属層３４と第２金属層３７とが同一工程で同じ装置を用いて製造されている。従って、電気泳動装置１及び電気泳動装置５６は生産性良く製造することができる。その結果、腕時計８０は生産性良く製造できる電気泳動装置を備えた機器とすることができる。

尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、図７に示すように、信号分配部５３が電気泳動装置１に配置されていた。回路素子８は信号分配部５３の機能を備えてもよい。他にも、回路素子８を電気泳動装置１に配置しても良い。そして、回路基板７には外部機器と接続するための端子群を配置しても良い。このように、回路構成を変更しても素子基板２では第１金属層３４と第２金属層３７とが同じ材料で構成されている為、電気泳動装置を生産性良く製造することができる。

（変形例２）
前記第１の実施形態では、第１実装端子６と第２実装端子９とがボンディングワイヤー１０により電気的に接続されていた。他にも、第１実装端子６と第２実装端子９とがフレキシブル基板により電気的に接続される構造にしても良い。

（変形例３）
前記第１の実施形態では、ボンディングワイヤー１０を設置する前に素子基板２上に対向基板３を接着固定した。他にも、素子基板２を回路基板７に接着固定し、ボンディングワイヤー１０にて第１実装端子６と第２実装端子９とを電気的に接続した後で素子基板２上に対向基板３を接着固定しても良い。

以下に、実施形態から導き出される内容を記載する。

電気泳動装置は、電気泳動層と画素電極との間に設けられた第１金属層と、配線と接続端子との間に設けられ前記第１金属層と同一材料で構成される第２金属層と、を備えることを特徴とする。

この構成によれば、電気泳動層と画素電極との間に第１金属層が設けられている。第１金属層には画素電極から電位が印加されて電気泳動層に電場を形成する。そして、配線と接続端子との間に第２金属層が設けられている。第２金属層は配線を電気的に接続させるのに適した層であり、電気泳動装置と配線とを電気的に品質良く接続する。そして、第１金属層と第２金属層とは同一材料で構成されている。

従って、第１金属層と第２金属層とを別途他の材料を用いることなく構成することができる。また、第１金属層と第２金属層とを同一工程で同じ装置を用いて製造することができる。つまり、第１金属層及び第２金属層の成膜及びパターニングを同時に行うことができる。このとき、第１金属層と第２金属層とをそれぞれ別の工程で製造するときに比べて成膜工程とパターニング工程の数を減らすことができる。その結果、電気泳動装置を生産性良く製造することができる。

上記の電気泳動装置は、前記画素電極の端部を覆うとともに前記接続端子の端部を覆う絶縁膜を備えることが好ましい。

この構成によれば、絶縁膜が画素電極の端部を覆う。さらに、絶縁膜は接続端子の端部を覆う。画素電極上に第１金属層を形成するときに第１金属層の内部応力により画素電極の端部が剥がれることを絶縁膜が抑制することができる。同様に、接続端子上に第２金属層を形成するときに第２金属層の内部応力により接続端子の端部が剥がれることを絶縁膜が抑制することができる。そして、画素電極の端部を覆う絶縁膜と接続端子の端部を覆う絶縁膜とは同じ絶縁膜である。従って、画素電極の端部を覆う絶縁膜と接続端子の端部を覆う絶縁膜とは同じ工程で形成できる。画素電極の端部を覆う絶縁膜と接続端子の端部を覆う絶縁膜とを別の工程で配置するときに比べて工程数を減らすことができる。その結果、生産性良く電気泳動装置を製造することができる。

上記の電気泳動装置では、前記第１金属層及び前記第２金属層はそれぞれめっき処理により形成されていることが好ましい。

この構成によれば、第１金属層及び第２金属層はそれぞれめっき処理により形成されている。めっき処理はスパッタリング法等の物理気相堆積法に比べて短時間で厚い膜を成膜することができる。従って、生産性良く第１金属層及び第２金属層を形成することができる。

上記の電気泳動装置では、前記画素電極と前記接続端子とは同一材料で構成されることが好ましい。

この構成によれば、画素電極と接続端子とは同一材料で構成されている。従って、画素電極と接続端子とを別途他の材料を用いることなく構成することができる。また、画素電極と接続端子とを同一工程で同じ装置を用いて製造することができる。つまり、画素電極及び接続端子の成膜及びパターニングを同時に行うことができる。このとき、画素電極と接続端子とをそれぞれ別の工程で製造するときに比べて成膜工程とパターニング工程の数を減らすことができる。

上記の電気泳動装置では、前記画素電極は金属の第１下層膜上にアルミニウムの第１上層膜が積層され、前記接続端子は金属の第２下層膜上にアルミニウムの第２上層膜が積層されていることが好ましい。

この構成によれば、画素電極では金属の第１下層膜上にアルミニウムの第１上層膜が積層されている。そして、第１上層膜の上にニッケルの第１本体層が配置されている。接続端子では金属の第２下層膜上にアルミニウムの第２上層膜が積層されている。そして、第２上層膜の上にニッケルの第２本体層が配置されている。アルミニウムの上にはニッケルのめっきを安定して行うことができる。従って、第１本体層及び第２本体層を品質良く配置することができる。

上記の電気泳動装置では、前記第１金属層はニッケルの第１本体層上に金の第１表面層が積層され、前記第２金属層はニッケルの第２本体層上に金の第２表面層が積層されていることが好ましい。

この構成によれば、第２金属層はニッケルの第２本体層上に金の第２表面層が積層されている。金は各種金属との電気的な接触抵抗を低くすることができる。また、接続端子に配線を設置する加工を行うとき、接続端子が受ける衝撃をニッケルの第２本体層が衝撃を吸収するので、接続端子が衝撃を受けて剥離することを抑制できる。

上記の電気泳動装置では、前記画素電極の前記第１下層膜及び前記接続端子の前記第２下層膜は、モリブデンまたはチタンを含むことが好ましい。

この構成によれば、画素電極の第１下層膜及び接続端子の第２下層膜は、モリブデンまたはチタンを含んでいる。モリブデン、チタン、モリブデンとアルミニウムとの合金等はアルミニウムとの親和性が良い。従って、第１下層膜の上に品質良く第１上層膜を積層させることができる。そして、第１上層膜を第１下層膜から剥がれにくくすることができる。同様に、第２下層膜の上に品質良く第２上層膜を積層させることができる。そして、第２上層膜を第２下層膜から剥がれにくくすることができる。

上記の電気泳動装置では、前記第１金属層は、画素ごとに互いに離間して設けられていることが好ましい。

この構成によれば、第１金属層は、画素ごとに互いに離間して設けられている。このとき、画素間に溝ができる。第１金属層の上に電気泳動層を設置するとき、第１金属層と電気泳動層との間に気泡ができることがある。このとき、気泡を溝に移動させて気泡を溝に収納することができる。従って、気泡が表示内容を見難くすることがない為、表示品質を向上することができる。

電子機器は、上記に記載の電気泳動装置を備えることを特徴とする。

この構成によれば、電子機器は上記に記載の電気泳動装置を備えている。上記に記載の電気泳動装置は生産性良く製造することができる。従って、電子機器は生産性良く製造できる電気泳動装置を備えた機器とすることができる。

電気泳動装置の製造方法では、画素電極上に第１金属層を形成する工程と、接続端子上に第２金属層を形成する工程と、を備え、前記第１金属層と前記第２金属層とは同一材料で同時に形成されることを特徴とする。

この構成によれば、画素電極上に第１金属層が形成され、接続端子上に第２金属層が形成されている。そして、第１金属層と第２金属層とは同一材料で同時に形成されている。つまり、成膜とパターニングとを行うことができる。このとき、第１金属層と第２金属層とをそれぞれ別に製造するときに比べて成膜とパターニングの数を減らすことができる。その結果、電気泳動装置を生産性良く製造することができる。

上記の電気泳動装置の製造方法では、前記画素電極の端部と前記接続端子の端部とを覆うように絶縁膜を形成する工程を備えることが好ましい。

この構成によれば、絶縁膜が画素電極の端部を覆う。さらに、絶縁膜は接続端子の端部を覆う。画素電極上に第１金属層を形成するときに第１金属層の内部応力により画素電極の端部が剥がれることを絶縁膜が抑制することができる。同様に、接続端子上に第２金属層を形成するときに第２金属層の内部応力により接続端子の端部が剥がれることを絶縁膜が抑制することができる。そして、画素電極の端部を覆う絶縁膜と接続端子の端部を覆う絶縁膜とは同じ絶縁膜である。従って、画素電極の端部を覆う絶縁膜と接続端子の端部を覆う絶縁膜とは同じ工程で形成できる。画素電極の端部を覆う絶縁膜と接続端子の端部を覆う絶縁膜とを別の工程で配置するときに比べて工程数を減らすことができる。その結果、生産性良く電気泳動装置を製造することができる。

上記の電気泳動装置の製造方法では、前記第１金属層及び前記第２金属層はそれぞれめっき処理により形成されることが好ましい。

この構成によれば、第１金属層及び第２金属層はそれぞれめっき処理により形成されている。めっき処理はスパッタリング法等の物理気相堆積法に比べて短時間で厚い膜を成膜することができる。従って、生産性良く第１金属層及び第２金属層を形成することができる。

上記の電気泳動装置の製造方法では、前記画素電極と前記接続端子とは同一材料で同時に形成されることが好ましい。

この構成によれば、画素電極と接続端子とは同時に形成されている。つまり、成膜とパターニングとを行うことができる。このとき、画素電極と接続端子とをそれぞれ別に製造するときに比べて成膜とパターニングの数を減らすことができる。その結果、電気泳動装置を生産性良く製造することができる。

上記の電気泳動装置の製造方法では、前記第１金属層を画素ごとに互いに離間して形成し、前記第１金属層に重ねて電気泳動層を配置し、しかる後に、前記第１金属層と前記電気泳動層との間に生じる気泡を前記画素から除去することが好ましい。

この構成によれば、第１金属層の上に電気泳動層が設置されている。このとき、第１金属層と電気泳動層との間に気泡ができることがある。第１金属層は、画素ごとに互いに離間して形成されている。このとき、画素間に溝ができる。そして、気泡を溝に移動させて気泡を溝に収納している。従って、気泡が表示内容を見難くすることがない為、表示品質を向上することができる。

１，５６…電気泳動装置、４，５８…電気泳動層、５ａ…画素、１０…配線としてのボンディングワイヤー、３２…画素電極、３３…絶縁膜としての画素枠部、３４…第１金属層、３５…接続端子、３６…絶縁膜としての第５絶縁膜、３７…第２金属層、７０…電子機器としての電子ブック、８０…電子機器としての腕時計。

Claims (14)

1. 電気泳動層と画素電極との間に設けられた第１金属層と、
   配線と接続端子との間に設けられ前記第１金属層と同一材料で構成される第２金属層と、を備えることを特徴とする電気泳動装置。
2. 請求項１に記載の電気泳動装置であって、
   前記画素電極の端部を覆うとともに前記接続端子の端部を覆う絶縁膜を備えることを特徴とする電気泳動装置。
3. 請求項１または２に記載の電気泳動装置であって、
   前記第１金属層及び前記第２金属層はそれぞれめっき処理により形成されていることを特徴とする電気泳動装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
   前記画素電極と前記接続端子とは同一材料で構成されることを特徴とする電気泳動装置。
5. 請求項４に記載の電気泳動装置であって、
   前記画素電極は金属の第１下層膜上にアルミニウムの第１上層膜が積層され、
   前記接続端子は金属の第２下層膜上にアルミニウムの第２上層膜が積層されていることを特徴とする電気泳動装置。
6. 請求項４または５に記載の電気泳動装置であって、
   前記第１金属層はニッケルの第１本体層上に金の第１表面層が積層され、
   前記第２金属層はニッケルの第２本体層上に金の第２表面層が積層されていることを特徴とする電気泳動装置。
7. 請求項５に記載の電気泳動装置であって、
   前記画素電極の前記第１下層膜及び前記接続端子の前記第２下層膜は、モリブデンまたはチタンを含むことを特徴とする電気泳動装置。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の電気泳動装置であって、
   前記第１金属層は、画素ごとに互いに離間して設けられていることを特徴とする電気泳動装置。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気泳動装置を備えることを特徴とする電子機器。
10. 画素電極上に第１金属層を形成する工程と、
    接続端子上に第２金属層を形成する工程と、を備え、
    前記第１金属層と前記第２金属層とは同一材料で同時に形成されることを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
11. 請求項１０に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
    前記画素電極の端部と前記接続端子の端部とを覆うように絶縁膜を形成する工程を備えることを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
12. 請求項１０または１１に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
    前記第１金属層及び前記第２金属層はそれぞれめっき処理により形成されることを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
13. 請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
    前記画素電極と前記接続端子とは同一材料で同時に形成されることを特徴とする電気泳動装置の製造方法。
14. 請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の電気泳動装置の製造方法であって、
    前記第１金属層を画素ごとに互いに離間して形成し、
    前記第１金属層に重ねて電気泳動層を配置し、しかる後に、前記第１金属層と前記電気泳動層との間に生じる気泡を前記画素から除去することを特徴とする電気泳動装置の製造方法。

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