JP2020009432A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020009432A5 JP2020009432A5 JP2019118472A JP2019118472A JP2020009432A5 JP 2020009432 A5 JP2020009432 A5 JP 2020009432A5 JP 2019118472 A JP2019118472 A JP 2019118472A JP 2019118472 A JP2019118472 A JP 2019118472A JP 2020009432 A5 JP2020009432 A5 JP 2020009432A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- transistor
- gate
- input terminal
- output terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 10
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 claims 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
Claims (9)
- 第1回路を有し、
前記第1回路は、第1入力端子と、第2入力端子と、第1出力端子と、第2出力端子と、第2インバータ回路と、第3インバータ回路と、第4インバータ回路と、第5インバータ回路と、切り替え回路と、を有し、
前記切り替え回路は、第1トランジスタと、第2トランジスタと、第1インバータ回路と、を有し、
前記第1トランジスタは、第1ゲートと、第2ゲートと、を有し、
前記第2トランジスタは、第3ゲートと、第4ゲートと、を有し、
前記切り替え回路は、第3入力端子を有し、
前記第1トランジスタの前記第1ゲートは、前記第3入力端子に電気的に接続され、
前記第2トランジスタの前記第3ゲートは、前記第1インバータ回路の出力端子に電気的に接続され、
前記第1インバータ回路の入力端子は、前記第3入力端子に電気的に接続され、
前記第1入力端子は、前記第2インバータ回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第2入力端子は、前記第3インバータ回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第1出力端子は、前記第4インバータ回路の出力端子に電気的に接続され、
前記第2出力端子は、前記第5インバータ回路の出力端子に電気的に接続され、
前記切り替え回路は、
前記第3入力端子に入力された信号に応じて、前記第2インバータ回路の出力端子と、前記第4インバータ回路又は前記第5インバータ回路の一方の入力端子と、の間を導通状態にし、かつ前記第3インバータ回路の出力端子と、前記第4インバータ回路又は前記第5インバータ回路の他方の入力端子と、の間を導通状態にする機能と、
前記第1トランジスタの前記第2ゲートの電位に応じて、前記第2インバータ回路の出力端子から出力された信号が、前記第4インバータ回路の入力端子に入力されるまでの時間を変動させる機能と、
前記第2トランジスタの前記第4ゲートの電位に応じて、前記第3インバータ回路の出力端子から出力された信号が、前記第4インバータ回路の入力端子に入力されるまでの時間を変動させる機能と、を有する、
半導体装置。 - 第1回路を有し、
前記第1回路は、第1入力端子と、第2入力端子と、第1出力端子と、第2出力端子と、第2回路と、第3回路と、切り替え回路と、を有し、
前記切り替え回路は、第1トランジスタと、第2トランジスタと、第1インバータ回路と、を有し、
前記第1トランジスタは、第1ゲートと、第2ゲートと、を有し、
前記第2トランジスタは、第3ゲートと、第4ゲートと、を有し、
前記切り替え回路は、第3入力端子を有し、
前記第1トランジスタの前記第1ゲートは、前記第3入力端子に電気的に接続され、
前記第2トランジスタの前記第3ゲートは、前記第1インバータ回路の出力端子に電気的に接続され、
前記第1インバータ回路の入力端子は、前記第3入力端子に電気的に接続され、
前記第1入力端子は、前記第2回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第2入力端子は、前記第3回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第2回路は、前記第2回路の入力端子に入力された信号を補正して、前記第2回路の出力端子に補正された信号を出力する機能を有し、
前記第3回路は、前記第3回路の入力端子に入力された信号を補正して、前記第3回路の出力端子に補正された信号を出力する機能を有し、
前記切り替え回路は、
前記第3入力端子に入力された信号に応じて、前記第2回路の出力端子と、前記第1出力端子又は前記第2出力端子の一方と、の間を導通状態にし、かつ前記第3回路の出力端子と、前記第1出力端子又は前記第2出力端子の他方と、の間を導通状態にする機能と、
前記第1トランジスタの前記第2ゲートの電位に応じて、前記第2回路の出力端子から出力された信号が、前記第1出力端子に入力されるまでの時間を変動させる機能と、
前記第2トランジスタの前記第4ゲートの電位に応じて、前記第3回路の出力端子から出力された信号が、前記第1出力端子に入力されるまでの時間を変動させる機能と、を有する、
半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記切り替え回路は、第1保持部を有し、
前記第1保持部は、前記第1トランジスタの前記第2ゲートの電位、及び前記第2トランジスタの前記第4ゲートの電位を保持する機能を有する、
半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記切り替え回路は、第1保持部と、第2保持部と、を有し、
前記第1保持部は、前記第1トランジスタの前記第2ゲートの電位を保持する機能を有し、
前記第2保持部は、前記第2トランジスタの前記第4ゲートの電位を保持する機能を有する、
半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記切り替え回路は、第1保持部と、第2保持部と、第1スイッチと、第2スイッチと、を有し、
前記第1保持部は、前記第1スイッチを介して、前記第1トランジスタの前記第2ゲートと、前記第2トランジスタの前記第4ゲートと、に電気的に接続され、
前記第2保持部は、前記第2スイッチを介して、前記第1トランジスタの前記第2ゲートと、前記第2トランジスタの前記第4ゲートと、に電気的に接続され、
前記第1スイッチ、又は第2スイッチの一方をオン状態にし、他方をオフ状態にすることで、前記第1トランジスタの前記第2ゲート及び前記第2トランジスタの前記第4ゲートと、前記第1保持部又は前記第2保持部の一方と、の間を導通状態にする機能を有する、
半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記第1回路を複数段、有し、
複数の前記第1回路に含まれている前記切り替え回路は、第4入力端子を有し、
前段の前記第1回路の第1出力端子は、後段の前記第1回路の第1入力端子に電気的に接続され、
前段の前記第1回路の第2出力端子は、後段の前記第1回路の第2入力端子に電気的に接続され、
全ての前記第1回路の前記第1トランジスタの前記第2ゲート、及び前記第2トランジスタの前記第4ゲートには、それぞれ対応する第1データに応じた電位が保持され、かつ全ての前記切り替え回路の前記第3入力端子には、それぞれ対応する第2データに応じた信号が入力されている場合に、一段目の前記第1回路の前記第1入力端子と前記第2入力端子とにそれぞれ入力信号が入力されることによって、最終段の前記第1回路の第1出力端子と前記第2出力端子とから出力されるそれぞれの出力信号の時間差は、前記第1データと前記第2データの積和に応じた時間となる、
半導体装置。 - 請求項6において、
第4回路を有し、
前記第4回路は、前記最終段の前記第1回路の前記第1出力端子と、前記第2出力端子と、に電気的に接続され、
前記第4回路は、前記出力信号の時間差に応じた信号を生成する機能を有する、
半導体装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタの少なくともいずれか一は、チャネル形成領域に金属酸化物を有する、
半導体装置。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一の半導体装置と、筐体と、を有し、
前記半導体装置によってニューラルネットワークの演算を行う、
電子機器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018124122 | 2018-06-29 | ||
JP2018124122 | 2018-06-29 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020009432A JP2020009432A (ja) | 2020-01-16 |
JP2020009432A5 true JP2020009432A5 (ja) | 2022-06-21 |
JP7337563B2 JP7337563B2 (ja) | 2023-09-04 |
Family
ID=69007463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019118472A Active JP7337563B2 (ja) | 2018-06-29 | 2019-06-26 | 半導体装置、及び電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11515873B2 (ja) |
JP (1) | JP7337563B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11515873B2 (en) * | 2018-06-29 | 2022-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10924090B2 (en) * | 2018-07-20 | 2021-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising holding units |
US20210150311A1 (en) * | 2019-11-19 | 2021-05-20 | Alibaba Group Holding Limited | Data layout conscious processing in memory architecture for executing neural network model |
US11218137B2 (en) * | 2020-04-14 | 2022-01-04 | Globalfoundries U.S. Inc. | Low clock load dynamic dual output latch circuit |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070022070A1 (en) | 2005-03-15 | 2007-01-25 | Wells Richard B | Forgetful logic for artificial neural networks |
US7592841B2 (en) | 2006-05-11 | 2009-09-22 | Dsm Solutions, Inc. | Circuit configurations having four terminal JFET devices |
KR101804589B1 (ko) | 2009-12-11 | 2018-01-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US8878589B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
US8710505B2 (en) | 2011-08-05 | 2014-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8988152B2 (en) | 2012-02-29 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8866510B2 (en) | 2012-05-02 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5885719B2 (ja) | 2013-09-09 | 2016-03-15 | 株式会社東芝 | 識別装置および演算装置 |
US9461126B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit |
US8803591B1 (en) | 2013-11-06 | 2014-08-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | MOS transistor with forward bulk-biasing circuit |
US9397637B2 (en) | 2014-03-06 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator, semiconductor device, and electronic device |
JP6501146B2 (ja) | 2014-03-18 | 2019-04-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ニューラルネットワーク回路およびその学習方法 |
WO2016012893A1 (en) | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oscillator circuit and semiconductor device including the same |
JP6674838B2 (ja) | 2015-05-21 | 2020-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
US9666606B2 (en) | 2015-08-21 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
SG10201607278TA (en) | 2015-09-18 | 2017-04-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and electronic device |
KR20180063084A (ko) | 2015-09-30 | 2018-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
US10038402B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10096631B2 (en) | 2015-11-30 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing circuit and semiconductor device including the signal processing circuit |
JP6906978B2 (ja) | 2016-02-25 | 2021-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、半導体ウェハ、および電子機器 |
TWI730091B (zh) | 2016-05-13 | 2021-06-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6846297B2 (ja) | 2016-06-20 | 2021-03-24 | キオクシア株式会社 | 演算装置 |
US10504204B2 (en) | 2016-07-13 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
CN111526267B (zh) | 2016-08-03 | 2022-09-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 摄像装置、摄像模块、电子设备及摄像系统 |
US10410571B2 (en) | 2016-08-03 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US10733946B2 (en) | 2016-08-26 | 2020-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US10319743B2 (en) | 2016-12-16 | 2019-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display system, and electronic device |
JP7073090B2 (ja) | 2016-12-28 | 2022-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ニューラルネットワークを利用したデータ処理装置、電子部品、および電子機器 |
WO2018138603A1 (en) | 2017-01-26 | 2018-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device |
TW201837894A (zh) | 2017-02-15 | 2018-10-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及顯示系統 |
TW201836020A (zh) | 2017-02-17 | 2018-10-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
WO2018197985A1 (ja) | 2017-04-27 | 2018-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示ユニット、表示装置、および電子機器 |
US11101386B2 (en) | 2017-08-04 | 2021-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11182670B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-11-23 | International Business Machines Corporation | Thin-film large-area classifier |
JP7337782B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2023-09-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2019239246A1 (ja) | 2018-06-15 | 2019-12-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び電子機器 |
US11515873B2 (en) * | 2018-06-29 | 2022-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10924090B2 (en) | 2018-07-20 | 2021-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising holding units |
-
2019
- 2019-06-24 US US16/449,595 patent/US11515873B2/en active Active
- 2019-06-26 JP JP2019118472A patent/JP7337563B2/ja active Active
-
2022
- 2022-11-17 US US17/988,841 patent/US11870436B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020009432A5 (ja) | ||
US10855280B2 (en) | Input/output circuit and method | |
JPWO2020095140A5 (ja) | ||
US9531336B2 (en) | Operational amplifier and driving circuit | |
JP2016219090A5 (ja) | ||
JP2017161521A5 (ja) | 半導体装置、表示パネル、表示モジュール及び電子機器 | |
JPH10224191A (ja) | 遅延回路 | |
JPS60134627A (ja) | 一致検出回路 | |
JP2015207997A5 (ja) | 保持回路、保持回路の駆動方法 | |
US20200065065A1 (en) | Full adder circuits with reduced delay | |
JPWO2019239246A5 (ja) | ||
JPWO2020128722A5 (ja) | ||
JPWO2020217138A5 (ja) | ||
JP2017017683A5 (ja) | ||
US9287841B2 (en) | Gain control circuit and method capable of easing leakage current influence | |
JP2022087630A5 (ja) | ||
JPWO2021191721A5 (ja) | ||
JPWO2021038349A5 (ja) | ||
JPWO2020234681A5 (ja) | ||
JPWO2020031016A5 (ja) | アンプ回路 | |
JPWO2020016705A5 (ja) | ||
JPWO2021165788A5 (ja) | ||
US6563367B1 (en) | Interconnection switch structures | |
GB845371A (en) | Improved semi-conductor logic units and networks composed thereof | |
US5467030A (en) | Circuit for calculating a maximum value |