JP2020003332A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 伸縮性を有する基材と、該基材に配置される伸びセンサと、を備える静電容量型伸びセンサシステムであって、
   該伸びセンサは、金属アルコキシド化合物で架橋されてなるエラストマーを有する誘電層と、該誘電層を挟んで配置され、金属アルコキシド化合物で架橋されてなるエラストマーおよび導電材を有する複数の電極層と、を有するセンサ素子を備え、
   測定周波数が０．１Ｈｚ以上１０ｋＨｚ以下の範囲において、該誘電層の最大比誘電率は最小比誘電率の１０倍以下であることを特徴とする静電容量型伸びセンサシステム。
2. 前記基材が伸縮する方向のうちの一方向を測定方向、該測定方向に垂直な方向を垂直方向と定義して、
   前記センサ素子における該測定方向の長さは該垂直方向の長さに対して５倍以上であり、
   前記伸びセンサのヤング率は２０ＭＰａ以下であり、
   該伸びセンサのヤング率をＥ_１（ＭＰａ）、厚さをＴ_１（ｍｍ）、該基材のヤング率をＥ_２（ＭＰａ）、厚さをＴ_２（ｍｍ）とした場合に、次式（ｉ）を満足する請求項１に記載の静電容量型伸びセンサシステム。
   １０≦（Ｅ_１×Ｔ_１）／（Ｅ_２×Ｔ_２） ・・・（ｉ）
3. 前記伸びセンサは、前記センサ素子と前記基材との間に配置される接着層を備える請求項１または請求項２に記載の静電容量型伸びセンサシステム。
4. 前記接着層は、熱可塑性エラストマーを有する請求項３に記載の静電容量型伸びセンサシステム。
5. 前記接着層のヤング率は５０ＭＰａ以下、破断伸びは１０％以上である請求項３または請求項４に記載の静電容量型伸びセンサシステム。
6. 前記誘電層の前記エラストマーは、ニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、カルボキシル基変性ニトリルゴム、カルボキシル基変性水素化ニトリルゴムから選ばれる一種以上である請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の静電容量型伸びセンサシステム。
7. 前記導電材は、薄層黒鉛を含む請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の静電容量型伸びセンサシステム。
8. 前記基材は布である請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の静電容量型伸びセンサシステム。