JP2019537788A5

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Publication number: JP2019537788A5
Application number: JP2019521014A
Authority: JP
Filing date: 2017-10-19
Publication date: 2020-11-19
Anticipated expiration: 2037-10-19

Claims

複数の製造ツールおよび複数の検査または計測ツールと電子通信するインタフェースと、
前記インタフェースと電子通信するプロセス制御ユニットと、
を備え、前記プロセス制御ユニットが、
前記複数の製造ツールおよび前記複数の検査または計測ツールから、前記製造ツールを使用して製造された１つ以上のデバイスの測定値を含む生産データを受け取り、
ツール間標準偏差および全標準偏差を推定するように構成された分散成分分析を、前記生産データに対して実行し、
前記生産データに対する全測定不確かさ（ＴＭＵ）を算出し、
製造ステップをＴＭＵにより比較し、
前記生産データについてのＴＭＵ管理限界影響（ＣＬＩ）を算出し、ＴＭＵＣＬＩが、全プロセスの標準偏差および測定標準偏差に基づき管理限界幅についての測定不確かさを測定し、
製造ステップをＴＭＵＣＬＩにより比較し、
前記製造ツールの少なくとも１つあるいは前記検査または計測ツールの少なくとも１つの設定を、ＴＭＵによる前記製造ステップの前記比較およびＴＭＵＣＬＩによる前記製造ステップの前記比較に基づき決定し、
前記製造ツールの少なくとも１つあるいは前記検査または計測ツールの少なくとも１つの前記設定を、ＴＭＵによる前記製造ステップの前記比較およびＴＭＵＣＬＩによる前記製造ステップの前記比較に基づき調整する命令を送信する、
ように構成され、
前記プロセス制御ユニットが、ＴＭＵによる前記製造ステップのリストを記憶するように構成された電子データ記憶ユニットを備える、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記プロセス制御ユニットが、
処理装置と、
前記処理装置および前記電子データ記憶ユニットと電子通信する通信ポートと、
を含む、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記デバイスが半導体ウェーハである、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記プロセス制御ユニットがさらに、
前記製造ツールのうちの１つの製造ツールあるいは前記検査または計測ツールのうちの１つの検査または計測ツールからテストビークルに対する測定データを受け取り、
精度の標準偏差を推定する分散成分分析を、前記測定データに対して実行し、
精度に関するＴＭＵ、全ＴＭＵ、精度に関するＴＭＵＣＬＩおよび全ＴＭＵＣＬＩを算出し、
前記測定データに対する結果をＴＭＵまたはＴＭＵＣＬＩにより比較する
ように構成される、システム。
請求項４に記載のシステムであって、
前記プロセス制御ユニットがさらに、前記測定データに対する前記結果の前記比較に基づいて、前記製造ツールの１つまたは前記検査または計測ツールの１つを調整するように構成される、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記インタフェースがセキュアードサーバである、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記プロセス制御ユニットがさらに、
連続的に前記分散成分分析を実行し、
前記ＴＭＵを算出し、
前記製造ステップを比較する、
ように構成される、システム。
請求項１に記載のシステムであって、
前記プロセス制御ユニットがさらに、
前記製造ツールの少なくとも１つあるいは前記検査または計測ツールの少なくとも１つの前記設定を、ＴＭＵによる前記製造ステップの前記比較およびＴＭＵＣＬＩによる前記製造ステップの前記比較に基づき調整する、
ように構成される、システム。
複数の製造ツールおよび複数の検査または計測ツールから、前記製造ツールを使用して製造された１つ以上のデバイスの測定値を含む生産データを、処理装置において受け取ることと、
前記処理装置を使用して、ツール間標準偏差および全標準偏差を推定する分散成分分析を、前記生産データに対して実行することと、
前記処理装置を使用して、前記生産データに対する全測定不確かさ（ＴＭＵ）を算出することと、
前記処理装置を使用して、製造ステップをＴＭＵにより比較することと、
前記処理装置を使用して、前記生産データに対するＴＭＵ管理限界影響（ＣＬＩ）を算出し、ＴＭＵＣＬＩが、全プロセスの標準偏差および測定標準偏差に基づき管理限界幅についての測定不確かさを測定することと、
前記処理装置を使用して、製造ステップをＴＭＵＣＬＩにより比較することと、
前記処理装置を使用して、ＴＭＵによる前記製造ステップの前記比較およびＴＭＵＣＬＩによる前記製造ステップの前記比較に基づいて、前記製造ツールのうちの少なくとも１つの製造ツールあるいは前記検査または計測ツールのうちの少なくとも１つの検査または計測ツールについての設定を決めることと、
ＴＭＵによる前記製造ステップの比較およびＴＭＵＣＬＩによる前記製造ステップの比較に基づき、前記処理装置を使用して、前記製造ツールの少なくとも１つあるいは前記検査または計測ツールの少なくとも１つの前記設定を調整する命令を送信すること、
を含む、方法。
請求項９に記載の方法であって、
前記デバイスが半導体ウェーハである、方法。
請求項９に記載の方法であって、
前記製造ツールのうちの１つの製造ツールあるいは前記検査または計測ツールのうちの１つの検査または計測ツールからテストビークルに対する測定データを、前記処理装置において受け取ることと、
前記処理装置を使用して、精度の標準偏差を推定する分散成分分析を、前記測定データに対して実行することと、
前記処理装置を使用して、精度に関するＴＭＵ、全ＴＭＵ、精度に関するＴＭＵＣＬＩおよび全ＴＭＵＣＬＩを算出することと、
前記処理装置を使用して、前記測定データに対する結果をＴＭＵまたはＴＭＵＣＬＩにより比較すること、
をさらに含む、方法。
請求項１１に記載の方法であって、
前記測定データに対する前記結果の前記比較に基づいて、前記製造ツールの１つまたは前記検査または計測ツールの１つを調整することをさらに含む、方法。
請求項９に記載の方法であって、
前記分散成分分析を実行すること、前記ＴＭＵを算出すること、および前記製造ステップを比較することが連続的に実行される、方法。
請求項９に記載の方法であって、
ＴＭＵによる前記製造ステップの比較およびＴＭＵＣＬＩによる前記製造ステップの比較に基づき、前記処理装置を使用して、前記製造ツールの少なくとも１つあるいは前記検査または計測ツールの少なくとも１つの前記設定を調整すること、
をさらに含む方法。
非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、
複数の製造ツールおよび複数の検査または計測ツールからの生産データに対して分散成分分析を実行するステップであり、前記生産データが、前記製造ツールを使用して製造された１つ以上のデバイスの測定値を含み、前記分散成分分析が、ツール間標準偏差および全標準偏差を推定する、ステップと、
前記生産データに対する全測定不確かさ（ＴＭＵ）を算出するステップと、
製造ステップをＴＭＵにより比較するステップと、
前記生産データに対するＴＭＵ管理限界影響（ＣＬＩ）を算出し、ＴＭＵＣＬＩが、全プロセスの標準偏差および測定標準偏差に基づき管理限界幅についての測定不確かさを測定するステップと、
製造ステップをＴＭＵＣＬＩにより比較するステップと、
ＴＭＵによる前記製造ステップの前記比較およびＴＭＵＣＬＩによる前記製造ステップの前記比較に基づいて、前記製造ツールのうちの少なくとも１つの製造ツールあるいは前記検査または計測ツールのうちの少なくとも１つの検査または計測ツールについての設定を決めるステップと、
ＴＭＵによる前記製造ステップの比較およびＴＭＵＣＬＩによる前記製造ステップの比較に基づき、前記製造ツールの少なくとも１つあるいは前記検査または計測ツールの少なくとも１つの前記設定を調整する命令を送信するステップ、
を含むステップを１つ以上のコンピューティングデバイス上で実行するための１つ以上のプログラムを含む、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記ステップがさらに、
前記製造ツールのうちの１つの製造ツールあるいは前記検査または計測ツールのうちの１つの検査または計測ツールからテストビークルに対する測定データを受け取るステップと、
精度の標準偏差を推定する分散成分分析を、前記測定データに対して実行するステップと、
精度に関するＴＭＵ、全ＴＭＵ、精度に関するＴＭＵＣＬＩおよび全ＴＭＵＣＬＩを算出するステップと、
前記測定データに対する結果をＴＭＵまたはＴＭＵＣＬＩにより比較するステップと、
前記結果の比較に基づき、前記製造ツールの少なくとも１つあるいは前記検査または計測ツールの少なくとも１つの設定を調整する命令を送信するステップと、
を含む非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記ステップがさらに、
ＴＭＵによる前記製造ステップの比較およびＴＭＵＣＬＩによる前記製造ステップの比較に基づき、前記製造ツールの少なくとも１つあるいは前記検査または計測ツールの少なくとも１つについての前記設定を調整するステップを含む、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。