JP2019533197A - Ｅｕｖ放射を反射する多層膜ミラーおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
ＥＵＶ放射用の多層膜ミラー（１０）であって、多層膜ミラー（１０）は、交互に第１の膜（１）と第２の膜（２）とを複数有する積層体（５）を備え、第１の膜（１）は、ランタンまたはランタン化合物を有し、第２の膜（２）は、ホウ素を有する、多層膜ミラーが記載される。第２の膜（２）には炭素がドープされており、第２の膜（２）中の炭素の物質量の割合は、１０％以下である。さらに、多層膜ミラー（１０）を製造する方法が記載される。
Description
本発明は、６ｎｍ〜１０ｎｍのスペクトル領域の極端紫外放射（ＥＵＶ放射）を反射するために設けられた多層膜ミラーおよび多層膜ミラーの製造方法に関する。
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１６１１８９４０．５号の優先権を主張し、その開示内容は、援用により本明細書に含まれるものとする。
この波長領域では、６．７ｎｍ付近の波長が特に重要である。というのも、この波長の放射は、次世代のＥＵＶリソグラフィ（ＢＥＵＶＬ、Beyond Extreme Ultraviolet Lithography）に使用することができるからである。
ＥＵＶスペクトル領域用の多層膜ミラーは、通常は、複数の薄膜対から成る周期的な積層体を有している。薄膜対は、一般に、素子の使用のために設定された波長領域において可能な限り大きく異なる光学定数を有するべきである異なる材料から成る２つの膜を有している。これらの材料のうちの少なくとも１つは、所定の波長で可能な限り低い吸収率を有するべきである。したがって、積層体の材料選択は、とりわけ光学素子が使用するはずの波長に依存している。したがって、ＥＵＶスペクトル領域では、それぞれたった数ナノメートル幅の特定の波長領域に対して最適な材料の組み合わせが存在することが多い。材料の組み合わせは、膜材料の光学定数に基づいて、高い反射率を保証する。ＥＵＶスペクトル領域の光学系を実現するために、可能な限り高い反射率を特徴とするミラーが必要とされる。これは、特に、異なるミラーの複数の反射が行われる用途に当てはまる。というのも、この場合、光学系全体の反射率が、ミラーの数とともに指数関数的に低下するからである。したがって、複数のミラーから成るアセンブリでは、個々のミラーの反射率のわずかな改善が、光学系の全体反射率に大きな影響を有している。
米国特許出願公開第２０１１／０１９４８９７号明細書には、５ｎｍ〜１２ｎｍの波長領域のための多層膜ミラーが記載されている。多層膜ミラーは、第１の膜と第２の膜とから成る交互膜系であり、第１の膜は、ランタンもしくはトリウムまたはこれらの材料の窒化物もしくは炭化物を有し、第２の膜は、ホウ素（Ｂ）または炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）を有する。
ＤＣマグネトロンスパッタリングが、特に被覆の再現性および正確な膜厚分配に関して、ＥＵＶリソグラフィの高度な産業上の要求を満たす多層膜ミラーを製造することが可能である方法として判明している。ＤＣマグネトロンスパッタリングでは、膜材料から成るターゲットと被覆されるべき基板との間に、直流電圧（通常は数百ボルト）が印加され、したがって、これは直流電圧スパッタリングとも称される。ターゲットは、負に帯電した電極を形成し、基板は、正に帯電した電極を形成する。使用される不活性ガス（たとえばアルゴン）の原子の衝撃イオン化により、ガス空間内にプラズマ（アルゴン低圧プラズマ）が生じる。その成分、つまり負に帯電した電子および正に帯電したガスイオン、たとえばＡｒ+が、印加された直流電圧により、基板またはターゲットの方向へ加速される。そこで陽イオンの持続的な流れがターゲットに衝突し、したがって、これは方法の英語名でdirect current sputtering、独語名でGleichstrom- bzw. DC-Sputtern（直流−またはＤＣスパッタリング）とも称される。ターゲットに衝突すると、衝撃の伝達により、粒子がターゲットから放出され、粒子は、ターゲットから離反して基板の方へ移動し、そこで薄膜として堆積する。
ＤＣマグネトロンスパッタリングでは、ターゲットの背後に、付加的に磁場を発生させる。電場と磁場との重畳により、電荷担体は、もはや電気力線に対して平行に移動せず、渦状の軌道に沿って偏向される。これにより、その距離が延長され、電子ごとの衝突数が増加する。電子のイオン化率の効率的な増加は、希ガスイオン数の増加をもたらし、ひいてはスパッタリング速度の増加をももたらす。
この方法の主な欠点は、導電性のターゲット材料にしか使用できないことである。電気絶縁性の材料では、新しい電荷担体を常に供給することにより、後続のイオンが電気的に反発されるので、ターゲットと基板との両方が帯電し、ひいては直流電圧場が相殺され、スパッタリングプロセスが妨げられるであろう。
炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）がＤＣスパッタリングに優れている一方で、純粋なホウ素については、その小さすぎる導電率に基づいて、ＤＣスパッタリングを用いることができない。したがって、ここでは他の明らかにより面倒な被覆の方法を用いなければならない。I. A, Makhotkinらによる、”Short period La/B and LaN/B multilayer mirrors for 〜6.8nm wavelength”, Optics Express 21 (24), 2013, S.29894-299904では、スパッタリングされるべきホウ素ターゲットを４００℃超へ加熱して、その導電率を充分に高めることが提案されている。しかし、これは手間の増加を伴い、被覆されるべき基板の所望されない加熱を引き起こしてしまうおそれがある。代替的に、非導電性の材料には、高周波スパッタリングの技術を適用することが可能であるが、ただし、それはＤＣスパッタリングよりも著しく不安定であり、産業上の要求を満たすという問題がある。
したがって、解決すべき課題は、高い反射率を特徴とし、比較的わずかな手間で、高い精度でかつ良好な再現性で製造可能である、６ｎｍ〜１０ｎｍのスペクトル領域のＥＵＶ放射を反射するための多層膜ミラーを提供することである。さらに、多層膜ミラーを製造する適切な方法が提供されるべきである。
これらの課題は、独立請求項に記載された多層膜ミラーおよび多層膜ミラーを製造する方法により解決される。本発明の好適な形態および改良形は、従属請求項の対象である。
本明細書に記載の多層膜ミラーは、６ｎｍ〜１０ｎｍ、好ましくは６ｎｍ〜７ｎｍ、特に約６．７ｎｍのスペクトル領域のＥＵＶ放射を反射するために設けられている。多層膜ミラーは、少なくとも１つの実施例によれば、交互に第１の膜と第２の膜とを複数有する積層体を備える。第１の膜は、ランタンまたはランタン化合物を有し、第２の膜はホウ素を有する。第２の膜には、好ましくは炭素がドープされている。「炭素がドープされる」とは、特に、膜材料であるホウ素に炭素の不純物原子が含まれているが、炭素原子の濃度は、ホウ素と炭素との化学的な二元化合物、つまり炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）中の濃度よりも低いことを意味している。特に、第２の膜中の炭素の物質量の割合は、１０％以下である。「物質量の割合」とは、第２の膜の材料中のホウ素原子および炭素原子の総数に対する炭素原子数の比と解される。この０〜１（つまり０％〜１００％）の値の範囲における無次元量は、部分的に原子パーセント（略：ａｔ％）でも表される。
達成可能な反射率は、炭素の物質量の割合が低いほど、より高い。好ましくは、第２の膜中の炭素の物質量の割合は、わずか５％以下、特に好ましくはわずか３％以下である。たとえば、炭素の物質量の割合は、約２％であってよい。換言すると、第２の膜は、ｘ≦０．１、好ましくはｘ≦０．０５、特に好ましくはｘ≦０．０３のＢ1-XＣXを有する。
すでに膜材料であるホウ素中の、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）と比べて低い炭素濃度が、ＤＣマグネトロンスパッタリングを用いた第２の膜の製造を可能にする充分な導電率を生じさせるのに充分であることが判明している。これは、膜を高い膜厚精度でかつ極めて良好な再現性でＤＣマグネトロンスパッタリングを用いて製造することが可能であるので、有利である。ランタン化合物と炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）との材料の組み合わせに基づく多層膜ミラーと比較して、本明細書に提案される、ランタンまたはランタン化合物と炭素がドープされたホウ素との材料の組み合わせにより、さらに、より高い反射率を得ることが可能である。したがって、極めて低い炭素の割合を有するホウ素膜は、ランタンまたはランタン化合物との材料の組み合わせにおいて特に高い反射率において優れている純粋なホウ素膜の利点と、好ましくはＤＣマグネトロンスパッタリングを用いて製造可能であるＢ4Ｃ膜の利点とを兼ね備えている。
ホウ素から成る第２の膜には、好ましくは、第２の膜の膜厚全体にわたって炭素がドープされている。したがって、炭素から成る不純物原子は、第２の膜の境界面領域に存在するだけではなく、第２の膜の膜厚全体にわたって分配されている。好ましくは、第２の膜中に炭素から成る不純物原子がほぼ均一に分配されている。
交互に第１の膜と第２の膜とから成る積層体における第１の膜は、特にランタン、ランタン酸化物、ランタン炭化物またはランタン窒化物を有していてよい。これらの材料により、炭素がドープされたホウ素から成る第２の膜と組み合わせて、高い反射率を得ることが可能である。
多層膜ミラーの第１の膜および第２の膜は、好ましくは、それぞれ約１ｎｍ〜約３ｎｍの膜厚を有している。
積層体は、好ましくは、それぞれ第１の膜の１つと第２の膜の１つとから成る１００〜４００の膜対を有している。本明細書に記載の多層膜ミラーに関連する、約６ｎｍ〜１０ｎｍの波長領域で、そのような多数の膜対で、好ましくは高い反射率を得ることが可能である。
多層膜ミラーの有利な実施例では、第１の膜と第２の膜との間の境界面に、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）または炭素（Ｃ）を有するとともに１．０ｎｍ以下の厚さを有する薄いバリア膜が配置されている。好ましくは、バリア膜は、０．１ｎｍ〜１．０ｎｍの厚さを有する。バリア膜は、第１の膜と第２の膜との間の境界面における相互拡散を最少化するのに有利であり得る。その他のケースでは、特に高温での、相互拡散による境界面拡張が、多層膜ミラーの反射率を損ない得る。したがって、第１の膜と第２の膜との間にバリア膜を形成することによって、特に、たとえばＥＵＶ放射源の周辺の高い動作温度で使用するために、多層膜ミラーの熱安定性を改善することができる。
バリア膜は、成長方向に第１の膜が第２の膜に続くのかまたはその逆に第２の膜が第１の膜に続くのかにかかわらず、第１の膜と第２の膜との間の全ての境界面に配置されてよい。しかも代替的に、成長方向に第１の膜が第２の膜に続く境界面または成長方向に第２の膜が第１の膜に続く境界面のどちらかだけにバリア膜が取り付けられることが想定されてもよい。
積層体は、特に、膜対がそれぞれ同一の厚さ（周期の厚さ）を有する周期的な積層体であってよい。１つの周期の厚さは、第１の膜の厚さと第２の膜の厚さとの和に、場合により第１の膜と第２の膜との間に配置されたバリア膜の厚さを加えたものである。ミラーは、特に、ほぼ垂直の放射入射の下で使用するように設けられてよく、この場合、周期の厚さは、波長の約半分である。好ましくは、周期の厚さは、約３ｎｍ〜約４ｎｍである。
ＥＵＶスペクトル領域用の多層膜ミラーを製造する方法では、ランタンまたはランタン化合物を有する第１の膜とホウ素を有する第２の膜とが交互に堆積され、その際、第２の膜に炭素がドープされており、第２の膜中の炭素の物質量の割合は、１０％以下である。この方法では、第１の膜および第２の膜は、特にＤＣマグネトロンスパッタリングによって堆積され、これにより、高い膜厚精度および良好な再現性の上述された利点が生じる。
ＤＣマグネトロンスパッタリングを用いた第２の膜の堆積時、好ましくは、炭素がドープされたホウ素を有するスパッタリングターゲットが使用される。スパッタリングターゲットは、好ましくは、堆積されるべき第２の膜中の物質量の割合にほぼ同一の炭素の物質量の割合を有している。スパッタリングターゲット中の炭素の物質量の割合は、特に１０％以下、好ましくは５％以下、特に好ましくは３％以下であってよい。
第２の膜における炭素のドーピングは、直接に第２の膜の製造時、炭素がドープされたホウ素を有するスパッタリングターゲットの使用に基づいて行われ、その際、炭素から成る不純物原子が、第２の膜全体に分配される。
方法の別の有利な構成は、多層膜ミラーの前述の説明から明らかであり、またその逆も同様である。
本発明を、以下、図１〜４と関連して実施例に基づいて詳説する。
図中、同一のまたは同等の構成部材には、それぞれ同一の参照番号が付されている。図示される構成部材およびそれらの構成部材同士の大きさの比は、縮尺通りと見なされるべきではない。
図１に概略横断面図で示した、ＥＵＶ放射用の多層膜ミラー１０は、交互に第１の膜１と第２の膜２とを複数有する積層体５を備える。積層体５は、用途に応じて平らな基板または曲がった基板であってよい基板６上に取り付けられている。可能な限り高い反射率を得るために、好ましくは、小さい表面粗さを有する基板６が使用される。基板６は、ケイ素またはガラスセラミックスを有してよい。
第１の膜１と第２の膜２とは、それぞれ膜対４を形成している。図面を簡単にするために、図１には５つの膜対４のみが示されているが、積層体５は、可能な限り高い反射率を得るために、好ましくは約１００〜約４００の膜対４を有している。たとえば、多層膜ミラー１０は、約２５０の膜対４を有していてよい。
積層体５は、特に、膜対４が同一に構成されているとともに同一の膜厚を有する周期的な積層体であってよい。この場合、第１の膜１の厚さと第２の膜２の厚さとの和が１つの周期の厚さであり、周期の厚さは、好ましくは約３ｎｍ〜約４ｎｍである。垂直の放射入射に対して最適化された多層膜ミラー１０では、周期の厚さは、反射率最大値の波長の約半分である。波長λ＝６．７ｎｍの場合に反射率最大値を有するミラーに関して、周期の厚さは、たとえば約３．４ｎｍであってよい。
膜対４の第１の膜１は、ランタン（Ｌａ）またはランタン化合物を有しているか、ランタン（Ｌａ）またはランタン化合物から構成されている。特に、第１の膜は、ランタン窒化物、ランタン酸化物またはランタン炭化物を有しているか、ランタン窒化物、ランタン酸化物またはランタン炭化物から構成されていてよい。膜対４の第２の膜２は、ホウ素（Ｂ）と、付加的に低濃度の炭素（Ｃ）とを有している。この場合、第２の膜２中の炭素の物質量の割合は、１０％以下、好ましくは５％以下、特に好ましくは３％以下である。基材であるホウ素に炭素を添加することにより、第２の膜２の導電率が増加し、好ましくはＤＣマグネトロンスパッタリングを用いた製造が可能となる。ＤＣマグネトロンスパッタリングは、好ましくは室温で、特にスパッタリングターゲットを加熱することなく行うことが可能である。被覆プロセスの間の基板６の所望されない加熱を、このようにして回避することができる。その結果、膜厚の高い精度および良好な再現性が達成されるという利点が生じる。
さらに、積層体４の反射率は、第２の膜２に炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）が使用された場合よりも大きい。第２の膜２の良好な導電率を得るために、炭素の物質量の割合が少なくとも０．１％、好ましくは少なくとも１％、特に好ましくは少なくとも２％であると有利であり得る。
多層膜ミラー１０は、基板６とは反対の側に、少なくとも１つのカバー膜（図示されていない）を有することが可能であり、カバー膜は、第１の膜１および第２の膜２とは別の材料および／または別の膜厚を有していてよい。そのようなカバー膜は、たとえば、特にＥＵＶ放射源の近くに使用されるとき、酸化および／またはイオンの衝突に対する多層膜ミラー１０の耐性を改善するために設けられてよい。適切なカバー膜材料は、特に酸化物、窒化物または炭化物、たとえばＬａ、Ｃｅ、ＵまたはＴｈの酸化物、窒化物または炭化物である。
多層膜ミラー１０の製造時、好ましくは、積層体５全体がＤＣマグネトロンスパッタリングによって堆積される。図２は、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置２０におけるスパッタリングプロセスを単純に概略化して示している。基板６は、被覆プロセスに際して、基板ホルダ２３上に配置され、基板ホルダ２３は、好ましくは横方向に可動であり、ゆえに様々な膜材料を被着させるために異なるスパッタリングターゲット２１，２２の下に移動可能である。陽極として機能する基板ホルダ２３と、陰極として機能するスパッタリングターゲット２１、２２との間に、スパッタリングプロセス時、直流電圧２５が印加される。ＤＣマグネトロンスパッタリング装置２０は、スパッタリングガス、好ましくはアルゴンのためのガス入口と高真空ポンプ（図示されていない）とをさらに有する。スパッタリングターゲット２１、２２上に、磁場を発生させるためのマグネトロン２４が配置されている。例示された２つのスパッタリングターゲット２１、２２に対して付加的に、たとえば第３の材料から成るバリア膜を製造するために、少なくとも１つの別のスパッタリングターゲットが設けられてよい。第２の膜２の被着のために、炭素がドープされたホウ素を有するスパッタリングターゲット２２が使用される。スパッタリングターゲット２２は、特に、１０％以下、好ましくは５％以下、特に好ましくは３％以下の炭素の物質量の割合を有するホウ素を有していてよい。たとえば、炭素の物質量の割合は、２％であってよい。
炭素から成る不純物原子は、ホウ素に対して付加的に、所望の物質量の割合の炭素から成る不純物原子を含むスパッタリングターゲット２２の使用により、すでに製造時に第２の膜２に導入される。このようにして、第２の膜２の膜厚全体にわたって炭素材料が分配されているということが達成される。特に、第２の膜２中の炭素の物質量の割合は、場合によっては生じる、境界面での拡散に起因する差を除いてほぼ一定であってよい。
図３には、多層膜ミラー１０の別の実施例が示されている。本実施例は、第１の実施例にほぼ相当するが、本実施例では、第１の膜１と第２の膜２との間の境界面にそれぞれ１つの薄いバリア膜３が付加的に取り付けられている。図３の実施例では、成長方向に第１の膜１が第２の膜２に続くのかまたはその逆に第２の膜２が第１の膜１に続くのかにかかわらず、すべての境界面にバリア膜３が取り付けられている。この場合、第１の膜１と第２の膜２との間に配置されたバリア膜３を含む、第１の膜１と第２の膜２との対が、積層体における膜対４とみなされてよい。要するに、本実施例では、多層膜ミラー１０の１つの周期は、それぞれ４つの部分膜を有している。
代替的に、それぞれ、成長方向に第１の膜１が第２の膜２に続くかまたはその逆である境界面の１つだけに、バリア膜３が配置されていることも考えられる。この場合、多層膜ミラー１０の１つの周期は、３つの部分膜を有することになる。
バリア膜３は、好ましくは、わずか０．１ｎｍ〜１．０ｎｍの厚さを有している。バリア膜に特に適した材料は、炭素（Ｃ）および炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）である。薄いバリア膜３を第１の膜１と第２の膜２との間に取り付けることによって、多層膜ミラー１０の反射率をさらに増大できることが判明した。薄いバリア膜３を取り付けることにより、積層体５の反射率にポジティブに作用する平滑な境界面が積層体５に形成されることを推測することができる。
図４には、多層膜ミラーの３つの実施例および本発明によるものではない１つの比較例の、１０°の入射角でのＳ偏光放射に対して測定された反射率Ｒが示されている。挿入された部分拡大図には、最大の反射率の差を明確にするために、反射率最大値付近の範囲が拡大して示されている。測定は、ベルリンのドイツ物理工学研究所（ＰＴＢ）のＥＵＶ反射率計で行われた。
反射率曲線１１は、波長λに基づく、本発明によるものではない、交互にＬａＮから成る第１の膜とＢ4Ｃから成る第２の膜とから形成される２５０の膜対を有する多層膜ミラーの比較例の、測定された反射率Ｒを示している。測定された反射率の最大値は、５７．８％である。反射率曲線１２は、交互にＬａＮから成る第１の膜と炭素がドープされたホウ素から成る第２の膜とから形成される（この場合、炭素の物質量の割合は２％である）２５０の膜対を有する多層膜ミラーの実施例の、測定された反射率を示している。測定された反射率の最大値は、５８．４％であり、反射率曲線１１の比較例における最大値よりも大きいことが判明した。
反射率曲線１３は、交互にＬａＮから成る第１の膜と炭素がドープされたホウ素から成る第２の膜とを有する（この場合、炭素の物質量の割合は２％である）２５０の膜対を有する多層膜ミラーの別の実施例の、測定された反射率を示している。本実施例では、付加的に、第１の膜と第２の膜との間の全ての境界面に、炭素（Ｃ）から成るバリア膜が取り付けられている。測定された反射率の最大値は、５９．１％であり、反射率曲線１２の実施例における最大値よりもさらに大きい。
反射率曲線１４は、交互にＬａＮから成る第１の膜と炭素がドープされたホウ素から成る第２の膜とを有する（この場合、炭素の物質量の割合は２％である）２５０の膜対を有する多層膜ミラーのさらに別の実施例の、測定された反射率を示している。本実施例では、付加的に、第１の膜と第２の膜との間の全ての境界面に、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）から成るバリア膜が取り付けられている。測定された反射率の最大値は、６０．６％であり、反射率曲線１３の実施例における最大値よりもさらに大きい。
本発明は、実施例における記述によって限定されるものではない。むしろ、本発明は、あらゆる新たな特徴と、特徴のあらゆる組合わせとを含み、これは、特に、その特徴またはその組み合わせ自体が特許請求の範囲または実施例の説明に明示的に記載されていなくても、特許請求の範囲の特徴のあらゆる組み合わせを含むものである。
このような結果をもたらした研究は、フラウンホーファー研究機構の内部プログラムの枠内で助成された。
１ 第１の膜
２ 第２の膜
３ バリア膜
４ 膜対
５ 積層体
６ 基板
１０ 多層膜ミラー
１１ 反射率曲線
１２ 反射率曲線
１３ 反射率曲線
１４ 反射率曲線
２０ ＤＣマグネトロンスパッタリング装置
２１ 第１のスパッタリングターゲット
２２ 第２のスパッタリングターゲット
２３ 基板ホルダ
２４ マグネトロン
２５ 直流電圧
２ 第２の膜
３ バリア膜
４ 膜対
５ 積層体
６ 基板
１０ 多層膜ミラー
１１ 反射率曲線
１２ 反射率曲線
１３ 反射率曲線
１４ 反射率曲線
２０ ＤＣマグネトロンスパッタリング装置
２１ 第１のスパッタリングターゲット
２２ 第２のスパッタリングターゲット
２３ 基板ホルダ
２４ マグネトロン
２５ 直流電圧
Claims (13)
- ＥＵＶ放射用の多層膜ミラー（１０）であって、
前記多層膜ミラー（１０）は、交互に第１の膜（１）と第２の膜（２）とを複数有する積層体（５）を備え、前記第１の膜（１）は、ランタンまたはランタン化合物を有し、前記第２の膜（２）は、ホウ素を有する、多層膜ミラーにおいて、
前記第２の膜（２）に炭素がドープされており、前記第２の膜（２）中の炭素の物質量の割合は、１０％以下であることを特徴とする、多層膜ミラー。 - 前記第２の膜（２）中の炭素の物質量の割合は、５％以下である、請求項１記載の多層膜ミラー。
- 前記第２の膜（２）中の炭素の物質量の割合は、３％以下である、請求項１または２記載の多層膜ミラー。
- 前記ランタン化合物は、ランタン窒化物、ランタン酸化物またはランタン炭化物である、請求項１から３までのいずれか１項記載の多層膜ミラー。
- 前記第１の膜（１）および前記第２の膜（２）は、それぞれ１ｎｍ〜３ｎｍの厚さを有している、請求項１から４までのいずれか１項記載の多層膜ミラー。
- 前記第１の膜（１）と前記第２の膜（２）との間の境界面に、Ｂ4ＣまたはＣを有するとともに１．０ｎｍ以下の厚さを有する薄いバリア膜（３）が配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の多層膜ミラー。
- 前記積層体（５）は、周期的な膜列であり、１つの周期の厚さは、３ｎｍ〜４ｎｍである、請求項１から６までのいずれか１項記載の多層膜ミラー。
- 前記膜列（５）は、それぞれ前記第１の膜（１）の１つと前記第２の膜（２）の１つとを有する１００〜４００の膜対（４）を有している、請求項１から７までのいずれか１項記載の多層膜ミラー。
- ＥＵＶスペクトル領域用の多層膜ミラー（１０）を製造する方法であって、
ランタンまたはランタン化合物を有する第１の膜（１）とホウ素を有する第２の膜（２）とを交互に堆積させ、その際、前記第２の膜（２）には炭素がドープされており、前記第２の膜（２）中の炭素の物質量の割合は、１０％以下である、多層膜ミラーを製造する方法。 - 前記第１の膜（１）および前記第２の膜（２）を、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより堆積させる、請求項９記載の方法。
- 前記第２の膜（２）のＤＣマグネトロンスパッタリング時、炭素がドープされたホウ素を有するスパッタリングターゲット（２２）を使用する、請求項１０記載の方法。
- 前記スパッタリングターゲット（２２）中の炭素が１０％以下の物質量の割合を有する、請求項１１記載の方法。
- ＤＣマグネトロンスパッタリングを室温で行う、請求項１０から１２までのいずれか１項記載の方法。
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