JP2019532148A - ブロック共重合体 - Google Patents

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Abstract

本出願は、ブロック共重合体およびその用途が提供され得る。本出願のブロック共重合体は、優れた自己組織化特性または相分離特性を有し、要求される多様な機能も自由に付与することができる。

Description

本出願は2016年11月30日付出願された大韓民国特許出願第10−2016−0162134号に基づいた優先権の利益を主張し、該当大韓民国特許出願の文献に開示されたすべての内容は本明細書の一部として含まれる。
本出願は、ブロック共重合体に関するものである。
ブロック共重合体は、互いに異なる化学的構造を有する高分子セグメントが共有結合を通じて連結されている分子構造を有している。ブロック共重合体は相分離によって、スフィア(sphere)、シリンダー(cylinder)またはラメラ(lamella)などのような周期的に配列された構造を形成することができる。ブロック共重合体の自己組織化現象によって形成された構造のドメインの大きさは広範囲に調節され得、多様な形態の構造の製作が可能であるため、高密度磁気保存媒体、ナノ線製作、量子ドットまたは金属ドットなどのような多様な次世代ナノ素子や磁気記録媒体またはリソグラフィなどによるパターンの形成などに応用され得る。
本出願は、ブロック共重合体およびその用途を提供する。
本明細書で用語アルキル基は、特に規定しない限り、炭素数1〜20、炭素数1〜16、炭素数1〜12、炭素数1〜8または炭素数1〜4のアルキル基を意味し得る。前記アルキル基は、直鎖状、分枝状または環状アルキル基であり得、任意に一つ以上の置換基によって置換されていることができる。
本明細書で用語アルコキシ基は、特に規定しない限り、炭素数1〜20、炭素数1〜16、炭素数1〜12、炭素数1〜8または炭素数1〜4のアルコキシ基を意味し得る。前記アルコキシ基は、直鎖状、分枝状または環状アルコキシ基であり得、任意に一つ以上の置換基によって置換されていることができる。
本明細書で用語アルケニル基またはアルキニル基は、特に規定しない限り、炭素数2〜20、炭素数2〜16、炭素数2〜12、炭素数2〜8または炭素数2〜4のアルケニル基またはアルキニル基を意味し得る。前記アルケニル基またはアルキニル基は、直鎖状、分枝状または環状であり得、任意に一つ以上の置換基によって置換されていることができる。
本明細書で用語アルキレン基は、特に規定しない限り、炭素数1〜20、炭素数1〜16、炭素数1〜12、炭素数1〜8または炭素数1〜4のアルキレン基を意味し得る。前記アルキレン基は、直鎖状、分枝状または環状アルキレン基であり得、任意に一つ以上の置換基によって置換されていることができる。
本明細書で用語アルケニレン基またはアルキニレン基は、特に規定しない限り、炭素数2〜20、炭素数2〜16、炭素数2〜12、炭素数2〜8または炭素数2〜4のアルケニレン基またはアルキニレン基を意味し得る。前記アルケニレン基またはアルキニレン基は、直鎖状、分枝状または環状であり得、任意に一つ以上の置換基によって置換されていることができる。
本明細書で用語アリール基またはアリーレン基は、特に規定しない限り、一つのベンゼン環構造、2個以上のベンゼン環が一つまたは2個の炭素原子を共有して連結されているか、または任意のリンカーによって連結されている構造を含む化合物またはその誘導体から由来する1価または2価残基を意味し得る。前記アリール基またはアリーレン基は、特に規定しない限り、例えば、炭素数6〜30、炭素数6〜25、炭素数6〜21、炭素数6〜18または炭素数6〜13のアリール基であり得る。
本出願で用語芳香族構造は、前記アリール基またはアリーレン基を意味し得る。
本明細書で用語脂環族環構造は、特に規定しない限り、芳香環構造ではない環状炭化水素構造を意味する。前記脂環族環構造は、特に規定しない限り、例えば、炭素数3〜30、炭素数3〜25、炭素数3〜21、炭素数3〜18または炭素数3〜13の脂環族環構造であり得る。
本出願で用語単一結合は、該当部位に別途の原子が存在しない場合を意味し得る。例えば、A−B−Cで表示された構造でBが単一結合である場合にBで表示される部位に別途の原子が存在せず、AとCが直接連結されてA−Cで表示される構造を形成することを意味し得る。
本出願でアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アルコキシ基、アリール基、アリーレン基、鎖または芳香族構造などに任意に置換されていることができる置換基としては、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイル基オキシ、メタクリロイル基オキシ基、チオール基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アルコキシ基またはアリール基などが例示され得るが、これに制限されるものではない。
本出願の一つの側面では、ブロック共重合体は下記の構造の化学式1の単位を含む高分子セグメントを含むことができる。前記で高分子セグメントは、セグメントAと呼称され得る。前記高分子セグメントAは、下記の化学式1の単位を主成分として含むことができる。本明細書で高分子セグメントがある単位を主成分として含むということは、該当高分子セグメントがその単位を重量を基準として60%以上、65%以上、70%以上、75%以上、80%以上、85%以上または90%以上含み、100%以下で含む場合を意味する。
[化学式1]
Figure 2019532148
化学式1でRは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Qは単一結合、−O−L−C(=O)−または−O−L−であり、Xは、−N(R)−L−C(=O)−O−、O−C(=O)−、−C(=O)−O−、ウレタンリンカーまたはウレアリンカーであり、前記Lは炭素数1〜4のアルキレン基であり、Lは炭素数1〜4のアルキレン基または炭素数2〜4のアルキリデン基であり、前記Rは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Yは4個以上の鎖形成原子を有する直鎖鎖である。
本出願の一つの例示において前記化学式1の単位は、Rは水素または炭素数1〜4のアルキル基、例えば、メチル基であり、Qは単一結合または−O−L−C(=O)−であり、Xは、−N(R)−L−C(=O)−O−であり、前記Lは炭素数1〜4の直鎖アルキレン基であり、前記Lはメチレン基またはエチリデン基であり、前記Rは水素であり、Yは4個以上の鎖形成原子を有する直鎖鎖の単位であり得る。
本出願の一つの例示において前記化学式1の単位は、Rは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Qは−O−L−であり、Xは、−O−C(=O)−、−C(=O)−O−、ウレタンリンカーまたはウレアリンカーであり、前記Lは炭素数1〜4の直鎖アルキレン基であり、Yは4個以上の鎖形成原子を有する直鎖鎖の単位であり得る。
化学式1でYは少なくとも4個の鎖形成原子で形成される鎖構造を含む。
本出願で用語鎖形成原子は、所定鎖の直鎖構造を形成する原子を意味する。前記鎖は直鎖状であるか分枝状であり得るが、鎖形成原子の数は最も長い直鎖を形成している原子の数のみで計算され、前記鎖形成原子に結合されている他の原子(例えば、鎖形成原子が炭素原子である場合にその炭素原子に結合している水素原子など)は計算されない。また、分枝状鎖である場合に、前記鎖形成原子の数は最も長い鎖を形成している鎖形成原子の数で計算され得る。例えば、前記鎖がn−ペンチル基である場合に鎖形成原子はすべて炭素であって、その数は5であり、前記鎖が2−メチルペンチル基である場合にも鎖形成原子はすべて炭素であって、その数は5である。前記鎖形成原子としては、炭素、酸素、硫黄または窒素などが例示され得、適切な鎖形成原子は炭素、酸素または窒素であるか、炭素または酸素であり得る。前記鎖形成原子の数は、5以上、6以上、7以上、8以上、9以上、10以上、11以上または12以上であり得る。前記鎖形成原子の数は、また、30以下、25以下、20以下または16以下であり得る。
化学式1の化合物は前記鎖の存在によって後述するブロック共重合体を形成した時に、そのブロック共重合体が優れた自己組織化特性を示すようにすることができる。
一つの例示において前記鎖は、直鎖アルキル基のような直鎖炭化水素鎖であり得る。このような場合にアルキル基は、炭素数8以上、炭素数8〜30、炭素数8〜25、炭素数8〜20または炭素数8〜16のアルキル基であり得る。前記アルキル基の炭素原子のうち一つ以上は任意に酸素原子で置換されていることができ、前記アルキル基の少なくとも一つの水素原子は任意に他の置換基によって置換されていることができる。
ブロック共重合体は、前記高分子セグメントAと共に前記高分子セグメントAとは異なる高分子セグメントBを含む。
本出願において、ある2種の高分子セグメントが同じであるとは、ある2種の高分子セグメントが主成分として含む単量体単位の種類が互いに同じである場合、またはある2種の高分子セグメントが含む単量体単位の種類が50%以上、55%以上、60%以上、65%以上、70%以上、75%以上、80%以上、85%以上または90%以上共通し、各高分子セグメントの前記共通単量体単位の重量比率の偏差が30%以内、25%以内、20%以内、20%以内、15%以内、10%以内または5%以内である場合のうちいずれか一つの場合である。両高分子セグメントが前記二つの場合をいずれも満足しない場合、これらは互いに異なる高分子セグメントである。前記で共通する単量体単位の比率は、両高分子セグメントモードに対して満足することが適切であり得る。例えば、ある高分子セグメント1が、A、B、C、DおよびFの単量体単位を有し、他の高分子セグメント2が、D、F、GおよびHの単量体単位を有する場合には、高分子セグメント1と2で共通する単量体単位はDおよびFであるが、高分子セグメント1の立場では、全体5種の単量体のうち2種が共通するので共通比率は40%(=100×2/5)であるが、高分子セグメント2の立場では前記比率は50%(=100×2/4)である。したがって、このような場合には共通比率が高分子セグメント2でのみ50%以上であるので、両高分子セグメントは同一でないものと認められ得る。一方、前記で共通単量体の重量比率の偏差は、大きい重量比率から小さい重量比率を引いた数値を小さい重量比率で割った数値の百分率である。例えば、前記場合において、セグメント1のD単量体単位の重量比率がセグメント1の全単量体単位の重量比率合計100%基準として約40%であり、セグメント2のD単量体単位の重量比率がセグメント2の全単量体単位の重量比率合計100%基準として約30%であれば、前記重量比率偏差は約33%(=100×(40−30)/30)程度となり得る。2個のセグメント内に共通する単量体単位が二種以上であれば、同じセグメントであるとするためには、前記重量比率偏差30%以内がすべての共通する単量体に対して満足するか、あるいは主成分である単量体単位に対して満足すると共通する単量体と見なされ得る。前記のような基準によって同一のものと認められる各高分子セグメントは、互いに異なる形態の重合体であり得るが(例えば、いずれか一つのセグメントはブロック共重合体の形態であり、他の一つのセグメントはランダム共重合体の形態)、好ましくは同じ形態の重合体であり得る。
本出願のブロック共重合体は、前記のような高分子セグメントAの一末端に前記高分子セグメントBが連結されているジブロック共重合体の形態であり得る。必要な場合に前記ブロック共重合体は、追加のセグメントを含んでジブロック以上のマルチブロック共重合体で具現されてもよい。
本出願で前記高分子セグメントBの具体的な種類は特に制限されない。
例えば、前記高分子セグメントBは、ポリビニルピロリドン高分子セグメント、ポリ乳酸(polylactic acid)高分子セグメント、ポリビニルピリジン高分子セグメント、ポリメチルメタクリレ−トなどのポリアルキル(メタ)アクリレートセグメント、ポリスチレンまたはポリトリメチルシリルスチレン(poly trimethylsilylstyrene)などのようなポリスチレン(polystyrene)高分子セグメント、ポリエチレンオキシド(polyethylene oxide)のようなポリアルキレンオキシド高分子セグメント、ポリブタジエン(poly butadiene)高分子セグメント、ポリイソプレン(poly isoprene)高分子セグメントまたはポリエチレン(poly ethylene)等のポリオレフィン高分子セグメントであり得る。このような高分子セグメントは本明細書で高分子セグメント2Aと呼称され得る。
他の例示において、前記高分子セグメントBは一つ以上のハロゲン原子を含む芳香族構造を有する高分子セグメントであり得る。
このような高分子セグメントBは、例えば、下記の化学式7で表示される単位を含む高分子セグメントであり得る。前記高分子セグメントは前記化学式7の単位を主成分として含むことができる。このような高分子セグメントは、本明細書で高分子セグメント2Bと呼称され得る。
[化学式7]
Figure 2019532148
化学式7でBは一つ以上のハロゲン原子を含む芳香族構造を有する1価置換基である。
このような高分子セグメントBが前述した高分子セグメントAの少なくとも一側に存在する場合、前記ブロック共重合体が優れた自己組織化特性などを示すことができる。
化学式7で芳香族構造は、例えば、炭素数6〜18または炭素数6〜12の芳香族構造であり得る。
また、化学式7に含まれるハロゲン原子としては、フッ素原子または塩素原子などが例示され得、適切にはフッ素原子が使われ得るが、これに制限されるものではない。
一つの例示において、化学式7のBは1つ以上、2個以上、3個以上、4個以上または5個以上のハロゲン原子で置換された炭素数6〜12の芳香族構造を有する1価置換基であり得る。前記でハロゲン原子の個数の上限は特に制限されず、例えば、10個以下、9個以下、8個以下、7個以下または6個以下のハロゲン原子が存在し得る。
例えば、高分子セグメント2Bに含まれる前記単位である化学式7は下記の化学式8で表示され得る。
[化学式8]
Figure 2019532148
化学式8でXは、単一結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)−、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X−または−X−C(=O)−であり、前記でXは単一結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)−、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり、Wは少なくとも1個のハロゲン原子を含むアリール基である。前記でWは少なくとも1個のハロゲン原子で置換されたアリール基、例えば、2個以上、3個以上、4個以上または5個以上のハロゲン原子で置換された炭素数6〜12のアリール基であり得る。
高分子セグメント2Bに含まれる前記単位は、例えば、下記の化学式9で表示され得る。
[化学式9]
Figure 2019532148
化学式9でXは、単一結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)−、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X−または−X−C(=O)−であり、前記でXは単一結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)−、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり、R〜Rはそれぞれ独立して水素、アルキル基、ハロアルキル基またはハロゲン原子であり、R〜Rが含むハロゲン原子の数は1個以上である。
化学式9でXは、他の例示において、単一結合、酸素原子、アルキレン基、−C(=O)−O−または−O−C(=O)−であり得る。
化学式9でR〜Rはそれぞれ独立して水素、アルキル基、ハロアルキル基またはハロゲン原子であるものの、R〜Rは1つ以上、2個以上、3個以上、4個以上または5個以上のハロゲン原子、例えば、フッ素原子を含むことができる。R〜Rに含まれるハロゲン原子、例えば、フッ素原子は、10個以下、9個以下、8個以下、7個以下または6個以下であり得る。
本出願の前記のようなブロック共重合体は、基本的に優れた相分離または自己組織化特性を示すことができる。
前記のようなブロック共重合体において前記高分子セグメントAの体積分率は、0.10〜0.90の範囲内にあり、高分子セグメントAおよびBの体積分率の合計は1であり得る。前記のような体積分率で各高分子セグメントを含むブロック共重合体は優れた自己組織化特性を示すことができる。ブロック共重合体の各高分子セグメントの体積分率は、各高分子セグメントの密度とGPC(Gel Permeation Chromatogrph)またはNMR(Nuclear Magnetic Resonance)により測定される分子量に基づいて求めることができる。
ブロック共重合体の数平均分子量(Mn(Number Average Molecular Weight))は、例えば、3,000〜300,000の範囲内にあり得る。本明細書で用語数平均分子量は、GPC(Gel Permeation Chromatograph)を使って測定した標準ポリスチレンに対する換算数値であり、本明細書で用語分子量は、特に規定しない限り数平均分子量を意味する。分子量(Mn)は他の例示では、例えば、3000以上、5000以上、7000以上、9000以上、11000以上、13000以上または15000以上であり得る。分子量(Mn)はさらに他の例示において、250000以下、200000以下、180000以下、160000以下、140000以下、120000以下、100000以下、90000以下、80000以下、70000以下、60000以下、50000以下、40000以下、30000以下または25000以下程度であり得る。ブロック共重合体は、1.01〜1.60の範囲内の分散度(polydispersity、Mw/Mn)を有し得る。分散度は他の例示において、約1.1以上、約1.2以上、約1.3以上または約1.4以上であり得る。
このような範囲でブロック共重合体は適切な自己組織化特性を示すことができる。ブロック共重合体の数平均分子量などは目的とする自己組織化構造などを勘案して調節され得る。
ブロック共重合体が前記高分子セグメントAおよびBを少なくとも含む場合に、前記ブロック共重合体内で高分子セグメントA、例えば、前述した前記鎖を含む高分子セグメントの比率は10モル%〜90モル%の範囲内にあり得る。
このようなブロック共重合体は公知の方式で製造することができる。例えば、ブロック共重合体は各高分子セグメントの単位を形成する単量体を使用したCLP(Controlled/Living Polymerization)方式で製造することができる。例えば、有機希土類金属複合体を重合開始剤として使用するか、有機アルカリ金属化合物を重合開始剤として使用して、アルカリ金属またはアルカリ土類金属塩などの無機酸塩の存在下で合成するアニオン重合、有機アルカリ金属化合物を重合開始剤として使用して、有機アルミニウム化合物の存在下で合成するアニオン重合方法、重合制御剤として原子移動ラジカル重合剤を利用する原子移動ラジカル重合法(ATRP)、重合制御剤として原子移動ラジカル重合剤を利用するものの、電子を発生させる有機または無機還元剤下で重合を遂行するARGET(Activators Regenerated by Electron Transfer)原子移動ラジカル重合法(ATRP)、ICAR(Initiators for continuous activator regeneration)原子移動ラジカル重合法(ATRP)、無機還元剤可逆付加−開裂連鎖移動剤を利用する可逆付加−開裂連鎖移動による重合法(RAFT)または有機テルル化合物を開始剤として利用する方法などがあり、このような方法のうち適切な方法が選択されて適用され得る。
例えば、前記ブロック共重合体は、ラジカル開始剤およびリビングラジカル重合試薬の存在下に、前記高分子セグメントを形成できる単量体を含む反応物をリビングラジカル重合法で重合することを含む方式で製造することができる。
ブロック共重合体の製造時に、前記単量体を使って形成する高分子セグメントと共に前記共重合体に含まれる他の高分子セグメントを形成する方式は特に制限されず、目的とする高分子セグメントの種類を考慮して適切な単量体を選択して前記他の高分子セグメントを形成することができる。
高分子セグメント共重合体の製造過程は、例えば前記過程を経て生成された重合生成物を非溶媒内で沈殿させる過程をさらに含むことができる。
ラジカル開始剤の種類は特に制限されず、重合効率を考慮して適切に選択することができ、例えば、AIBN(azobisisobutyronitrile)または2,2'−アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリル(2,2'−azobis−(2,4−dimethylvaleronitrile))等のアゾ化合物や、BPO(benzoyl peroxide)またはDTBP(di−t−butyl peroxide)などのような過酸化物系列を使うことができる。
リビングラジカル重合過程は、例えば、メチレンクロライド、1,2−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ベンゼン、トルエン、アセトン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドまたはジメチルアセトアミドなどのような溶媒内で遂行され得る。
非溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ノルマルプロパノールまたはイソプロパノールなどのようなアルコール、エチレングリコールなどのグリコール、n−ヘキサン、シクロヘキサン、n−ヘプタンまたはペトロリウムエーテルなどのようなエーテル系列が使用され得るが、これに制限されるものではない。
本出願はまた前記ブロック共重合体を含む高分子膜に関するものある。前記高分子膜は多様な用途に使用され得、例えば、多様な電子または電子素子、前記パターンの形成工程または磁気保存記録媒体、フラッシュメモリーなどの記録媒体またはバイオセンサなどに使われ得る。
一つの例示において、前記高分子膜で前記ブロック共重合体は、自己組織化を通じてスフィア(sphere)、シリンダー(cylinder)、ジャイロイド(gyroid)またはラメラ(lamellar)等を含む周期的な構造を具現していることができる。
例えば、ブロック共重合体で高分子セグメントA〜Cまたはそれと共有結合した他の高分子セグメントのセグメント内で、他のセグメントがラメラ形態またはシリンダー形態などのような規則的な構造を形成していることができる。
本出願はまた前記ブロック共重合体を使って高分子膜を形成する方法に関するものである。前記方法は、前記ブロック共重合体を含む高分子膜を自己組織化された状態で基板上に形成することを含むことができる。例えば、前記方法は、前記ブロック共重合体またはそれを適正な溶媒に希釈したコーティング液層を塗布などによって基板上に形成し、必要に応じて、前記層を熟成したり熱処理する過程を含むことができる。
前記熟成または熱処理は、例えば、ブロック共重合体の相転移温度またはガラス転移温度を基準として遂行され得、例えば、前記ガラス転移温度または相転移温度以上の温度で遂行され得る。このような熱処理が遂行される時間は特に制限されず、例えば、約1分〜72時間の範囲内で遂行され得るが、これは必要に応じて変更され得る。また、高分子薄膜の熱処理温度は、例えば、100℃〜250℃程度であり得るが、これは使われるブロック共重合体を考慮して変更され得る。
前記形成された層は、他の例示では常温の非極性溶媒および/または極性溶媒内で、約1分〜72時間の間溶媒熟成されてもよい。
本出願はまたパターン形成方法に関するものである。前記方法は、例えば、基板および前記基板の表面に形成されており、自己組織化された前記ブロック共重合体を含む高分子膜を有する積層体で前記ブロック共重合体の高分子セグメントA、Bおよび/またはCを選択的に除去する過程を含むことができる。前記方法は、前記基板にパターンを形成する方法であり得る。例えば前記方法は、前記ブロック共重合体を含む高分子膜を基板に形成し、前記膜内に存在するブロック共重合体のいずれか一つまたはそれ以上の高分子セグメントを選択的に除去した後、基板を食刻することを含むことができる。このような方式で、例えば、ナノスケールの微細パターンの形成が可能である。また、高分子膜内のブロック共重合体の形態に応じて前記方式を通じてナノロッドまたはナノホールなどのような多様な形態のパターンを形成することができる。必要に応じて、パターン形成のために前記ブロック共重合体と異なる共重合体あるいは単独重合体などが混合され得る。このような方式に適用される前記基板の種類は特に制限されず、必要に応じて選択され得、例えば、酸化ケイ素などが適用され得る。
例えば、前記方式は高いアスペクト比を示す酸化ケイ素のナノスケールのパターンを形成することができる。例えば、酸化ケイ素上に前記高分子膜を形成し、前記高分子膜内のブロック共重合体が所定の構造を形成している状態でブロック共重合体のいずれか一つの高分子セグメントを選択的に除去した後、酸化ケイ素を多様な方式、例えば、反応性イオン食刻等でエッチングしてナノロッドまたはナノホールのパターンなどを含む多様な形態を具現することができる。また、このような方法を通じてアスペクト比が大きいナノパターンの具現が可能となり得る。
例えば、前記パターンは、数十ナノメートルスケールで具現され得、このようなパターンは、例えば、次世代情報電子用磁気記録媒体などを含む多様な用途に活用され得る。
前記方法において、ブロック共重合体のいずれか一つの高分子セグメントを選択的に除去する方式は特に制限されず、例えば、高分子膜に適正な電磁波、例えば、紫外線などを照射して相対的にソフトな高分子セグメントを除去する方式を使用することができる。この場合、紫外線照射条件はブロック共重合体の高分子セグメントの種類によって決定され、例えば、約254nm波長の紫外線を1分〜60分の間照射して遂行することができる。
また、紫外線照射に引き続き、高分子膜を酸などで処理して紫外線によって分解されたセグメントをさらに除去する段階を遂行することもできる。
また、選択的に高分子セグメントが除去された高分子膜をマスクにして基板をエッチングする段階は特に制限されず、例えば、CF/Arイオンなどを使った反応性イオン食刻段階を通じて遂行することができ、この過程に引き続き、酸素プラズマ処理などによって高分子膜を基板から除去する段階をさらに遂行することができる。
本出願は、ブロック共重合体およびその用途が提供され得る。本出願のブロック共重合体は、優れた自己組織化特性または相分離特性を有し、要求される多様な機能も自由に付与することができる。
ブロック共重合体によって形成された自己組織化膜の写真。 ブロック共重合体によって形成された自己組織化膜の写真。 ブロック共重合体によって形成された自己組織化膜の写真。 エッチング選択性を比較した図面。 エッチング選択性を比較した図面。 エッチング選択性を比較した図面。
以下、本出願に従う実施例および比較例を通じて本出願をより詳細に説明するか、本出願の範囲は下記に提示された実施例によって制限されるものではない。
1.NMR測定
NMR分析は、三重共鳴5mm探針(probe)を有するVarian Unity Inova(500MHz)分光計を含むNMR分光計を使って常温で遂行した。NMR測定用溶媒(CDCl)に分析対象物質を約10mg/ml程度の濃度に希釈して使用したのであり、化学的移動はppmで表現した。
<適用略語>
br=広い信号、s=単一線、d=二重線、dd=二重の二重線、t=三重線、dt=二重の三重線、q=四重線、p=五重線、m=多重線。
2.GPC(Gel Permeation Chromatograph)
数平均分子量(Mn)および分子量分布は、GPC(Gel permeation chromatography)を使って測定した。5mLバイアル(vial)に実施例または比較例のブロック共重合体またはマクロ開始剤などの分析対象物質を入れ、約1mg/mL程度の濃度となるようにTHF(tetrahydro furan)に希釈する。その後、Calibration用標準試料と分析しようとする試料をsyringe filter(pore size:0.45μm)を通じて濾過させた後測定した。分析プログラムは、Agilent technologies社のChemStationを使用したのであり、試料のelution timeをcalibration curveと比較して重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)をそれぞれ求め、その比率(Mw/Mn)で分子量分布(PDI)を計算した。GPCの測定条件は下記の通りである。
<GPC測定条件>
機器:Agilent technologies社の1200 series
カラム:Polymer laboratories社のPLgel mixed B 2個使用
溶媒:THF
カラム温度:35
サンプル濃度:1mg/mL、200L注入
標準試料:ポリスチレン(Mp:3900000、723000、316500、52200、31400、7200、3940、485)
製造例1.
下記の化学式Aの化合物は下記の方式で合成した。Boc−glycine(10.0g、57.1mmol)と1−ドデカノール(11.5g、68.5mmol)をフラスコに入れ、メチレンクロライド(MC)(300mL)に溶かした後にDCC(N,N'−dicylcohexylcarbodiimide)(14.4g、68.5mmol)とDMAP(p−dimethylaminopyridine)(2.8g、22.8mmol)を順に添加した。常温で撹拌し、一晩中反応させた後にフィルタリングして固形分を除去した。残った溶液を集めてEA(エチルアセテート)/ヘキサン溶液(EA:ヘキサン=1:5)でカラムクロマトグラフィーして無色の液状中間体A1を得た(14.3g、45.3mmol)。
<NMR分析結果>
H−NMR(CDCl):d5.00(s、1H);d4.13(t、2H);δ3.90(d、2H);d1.63(tt、2H);d1.45(s、9H);d1.37−1.22(m、18H);d0.88(t、3H)
中間体A1(14.3g、45.3mmol)をフラスコに入れ、1,4−ジオキサン(120mL)に溶かした後にアイスバスで撹拌しながら塩酸溶液(4N in 1,4−dioxane、60mL)を添加し、常温で一晩中反応させた。反応溶液に過量のMCを添加し、フィルタリングして固形分をMCで何度も洗って白色固体相の中間体A2(8.7g、34.7mmol)を得たのであり、真空オーブンで乾燥した後に次の反応を進めた。
前記中間体A2(8.7g、34.7mmol)をフラスコに入れ、MC(150mL)を入れて強い撹拌で分散させた。アイスバスでTEA(Tetraethylammonium10.5g、104.1mmol)をゆっくり入れ、反応物がよく混ざると、引き続き、メタクリロイルクロライド(4.0g、49.5mmol)をゆっくり入れる。フラスコを常温に取り出して一晩中反応させ、EA/ヘキサン混合溶液でカラムクロマトグラフィーして灰色の固体相の目的物(下記の化学式A)を得た。
<NMR分析結果>
H−NMR(CDCl):d6.31(s、1H);d5.77(s、2H);δ5.39(s、1H);d4.16(t、2H);d4.10(d、2H);d1.99(s、3H)、d1.65(tt、2H)、d1.37−1.22(m、18H);d0.88(t、3H)
[化学式A]
Figure 2019532148
化学式AでRはメチルであり、Qは単一結合であり、Xは、−N(R)−L−C(=O)−O−であり、前記でLはメチレンであり、Rは水素であり、Yはドデシル基である。
製造例2.
下記の化学式Bの化合物は下記の方式で合成した。Boc−glycine(10.0g、57.1mmol)と1−ドデカノール(11.5g、68.5mmol)をフラスコに入れ、メチレンクロライド(MC)(300mL)に溶かした後にDCC(N,N'−dicylcohexylcarbodiimide)(14.4g、68.5mmol)とDMAP(p−dimethylaminopyridine)(2.8g、22.8mmol)を順に添加した。常温で撹拌し、一晩中反応させた後にフィルタリングして固形分を除去した。残った溶液を集めてEA(エチルアセテート)/ヘキサン溶液(EA:ヘキサン=1:5)でカラムクロマトグラフィーして無色の液状中間体B1を得た。前記中間体B1をフラスコに入れ、1,4−ジオキサン(120mL)に溶かした後にアイスバスで撹拌しながら塩酸溶液(4N in 1,4−dioxane、60mL)を添加し、常温で一晩中反応させた。反応溶液に過量のMCを添加し、フィルタリングして固形分をMCで何度も洗って白色固体相の中間体B2(13.0g、46.5mmol)を得たのであり、真空オーブンで乾燥した後に次の反応を進めた。
<NMR分析結果>
H−NMR(DMSO−d6):d8.44(s、3H);d4.13(t、2H);δ3.76(s、2H);d1.58(tt、2H);d1.30−1.23(m、18H);d0.88(t、3H)
前記中間体B2(13.0g、46.5mmol)をフラスコに入れ、MC(150mL)を入れて分散させ、クロロアセチルクロライド(10.5g、92.9mmol)を添加した。アイスバスで撹拌しながらTEA(Tetraethylammonium)(14.1g、139.4mmol)をゆっくり入れ、常温で一晩中反応させた。反応が終了すると、フィルターで固形分を除去し、残った溶液を集めてEA/ヘキサン(1:5)溶液でカラムクロマトグラフィーし、得られた固体をヘキサンで洗浄して不純物を除去することによって白色固体相の中間体B3を得た(11.1g、34.7mmol)。
<NMR分析結果>
H−NMR(CDCl):d7.07(s、1H);d4.17(t、2H);δ4.09(s、2H);d4.08(d、2H);d1.65(tt、2H);d1.40−1.26(m、18H);d0.88(t、3H)
前記中間体B3(11.1g、34.7mmol)とメタクリル酸(12.0g、138.8mmol)をフラスコに入れ、ジメチルホルムアミド(DMF)(200mL)に撹拌して溶かした後にポタシウムカーボネート(28.8g、208.2mmol)とポタシウムアイオダイド(0.58g、3.48mmol)を添加する。80℃で2時間反応させ、過量の水を注入し、ジエチルエーテルで抽出した。有機層を集めてマグネシウムサルフェートで乾燥し、溶媒を除去した後、カラムクロマトグラフィーして化学式Bの化合物を白色固体相で得た(11.8g、31.9mmol)。
<NMR分析結果>
H−NMR(CDCl):d6.67(s、1H);d6.23(s、1H);δ5.71(s、1H);d4.70(s、2H);d4.17(t、2H);d4.09(d、2H)、d2.02(s、3H)、d1.65(tt、2H)。d1.34―1.26(m、18H);d0.88(t、3H)
[化学式B]
Figure 2019532148
化学式BでRはメチルであり、Qは、−O−L−C(=O)−であり、Xは、−N(R)−L−C(=O)−O−であり、前記でLおよびLはメチレンであり、Rは水素であり、Yはドデシル基である。
製造例3.
下記の化学式Cの化合物(DPM−C12)は次の方式で合成した。250mLフラスコにヒドロキノン(hydroquinone)(10.0g、94.2mmol)および1−ブロモドデカン(1−Bromododecane)(23.5g、94.2mmol)を入れ、100mLのアセトニトリル(acetonitrile)に溶かした後に過量のポタシウムカーボネート(potassium carbonate)を添加し、75oCで約48時間の間窒素条件下で反応させた。反応後、残存するポタシウムカーボネートおよび反応に使ったアセトニトリルも除去した。DCM(dichloromethane)と水の混合溶媒を添加してウォークアップ(work up)し、分離された有機層をMgSOで脱水した。引き続き、CC(Column Chromatography)でDCM(dichloromethane)に精製して白色固体相の中間体を約37%の収得率で得た。
<中間体に対するNMR分析結果>
H−NMR(CDCl):d6.77(dd、4H);δd4.45(s、1H);d3.89(t、2H);d1.75(p、2H);d1.43(p、2H);d1.33−1.26(m、16H);d0.88(t、3H)。
フラスコに合成された中間体(9.8g、35.2mmol)、メタクリル酸(6.0g、69.7mmol)、DCC(dicyclohexylcarbodiimide)(10.8g、52.3mmol)およびDMAP(p−dimethylaminopyridine)(1.7g、13.9mmol)を入れ、120mLのメチレンクロライドを添加した後、常温の窒素雰囲気で24時間の間反応させた。反応後、反応中に生成された塩(urea salt)をフィルターで除去し、残存するメチレンクロライドも除去した。CC(Column Chromatography)でヘキサンとDCM(dichloromethane)を移動相にして不純物を除去し、得られた生成物をメタノールと水の混合溶媒(1:1重量比率で混合)で再結晶させて白色固体相の目的物(DPM−C12)(7.7g、22.2mmol)を63%の収得率で得た。
<DPM−C12 NMR分析結果>
H−NMR(CDCl):d7.02(dd、2H);δd6.89(dd、2H);d6.32(dt、1H);d5.73(dt、1H);d3.94(t、2H);δd2.05(dd、3H);d1.76(p、2H);δd1.43(p、2H);1.34−1.27(m、16H);d0.88(t、3H)。
[化学式C]
Figure 2019532148
化学式CでRは炭素数12の直鎖上アルキル基である。
実施例1.
製造例1の化学式Aの化合物0.5g、AIBN(Azobisisobutyronitrile)2.6mg、RAFT剤((Reversible Addition−Fragmentation chain Transfer agent)のCPBD(2−Cyano−2−propyl benzodithioate)7.1mg、アニソール1.172mLをフラスコに入れ、窒素雰囲気下常温で1時間の間撹拌した後に70℃のシリコンオイル容器で約6時間の間RAFT重合反応を遂行した。重合反応後に反応溶液をメタノール300mLに2回沈殿させた後に減圧濾過し、乾燥し、RAFT試薬が末端に結合された前記化学式Aの化合物の重合体をマクロ開始剤(数平均分子量Mn:10,500、分子量分布PDI:1.20)として合成した。
前記マクロ開始剤0.1768g、ペンタフルオロスチレン1.961g、AIBN(Azobisisobutyronitrile)2.0mgをアニソール0.716mLにフラスコで溶解し、窒素雰囲気下常温で1時間の間撹拌した後に115℃のシリコンオイル容器で約4時間の間RAFT重合反応を遂行した。重合反応後に反応溶液をメタノール250mLに2回沈殿させた後に減圧濾過して目的のブロック共重合体を製造した(数平均分子量Mn:28,100、分子量分布PDI:1.16)を合成した。
実施例2.
製造例2の化学式Bの化合物2g、AIBN(Azobisisobutyronitrile)11mg、RAFT剤((Reversible Addition−Fragmentation chain Transfer agent)のCPBD(2−Cyano−2−propyl benzodithioate)29.9mg、アニソール8.040mLをフラスコに入れ、窒素雰囲気下常温で1時間の間撹拌した後に約4時間の間RAFT重合反応を遂行した。重合反応後に反応溶液をメタノール300mLに2回沈殿させた後に減圧濾過し、乾燥し、RAFT試薬が末端に結合された前記化学式Bの化合物の重合体をマクロ開始剤(数平均分子量Mn:14,500、分子量分布PDI:1.18)として合成した。
前記マクロ開始剤0.35g、ペンタフルオロスチレン2.811g、AIBN(Azobisisobutyronitrile)2.0mgをアニソール3.176mLにフラスコで溶解し、窒素雰囲気下常温で1時間の間撹拌した後に70℃のシリコンオイル容器で約6時間の間RAFT重合反応を遂行した。重合反応後に反応溶液をメタノール250mLに2回沈殿させた後に減圧濾過して目的のブロック共重合体を製造した(数平均分子量Mn:37,600、分子量分布PDI:1.27)を合成した。
比較例1.
製造例3の化学式Cの化合物2g、RAFT剤((Reversible Addition−Fragmentation chain Transfer agent)のCPBD(2−Cyano−2−propyl benzodithioate)64mg、AIBN(Azobisisobutyronitrile)23mgおよびアニソール5.34mLをフラスコに入れ、窒素雰囲気下常温で30分の間撹拌した後に70℃で約4時間の間RAFT重合反応を遂行した。重合反応後に反応溶液をメタノール250mLに沈殿させた後に減圧濾過し、乾燥してピンク色のマクロ開始剤(数平均分子量Mn:9,000、分子量分布PDI:1.16)を合成した。
前記マクロ開始剤0.3g、ペンタフルオロスチレン2.7174g、AIBN(Azobisisobutyronitrile)2.1mgをアニソール1.306mLにフラスコで溶解し、窒素雰囲気下常温で30分の間撹拌した後に115℃で約4時間の間重合反応を遂行した。重合反応後に反応溶液をメタノール250mLに沈殿させた後に減圧濾過して薄いピンク色の目的のブロック共重合体を製造した(数平均分子量Mn:16,300、分子量分布PDI:1.13)を合成した。
試験例1.自己組織化パターンの確認
実施例1および2と比較例1で合成したブロック共重合体を、それぞれトルエンに適正濃度に希薄したコーティング液をスピンコーターを利用してシリコンウェハーの基板上に3000rpmの速度で60秒の間コーティングして高分子薄膜を形成した。このような薄膜を220℃で1時間の間熱処理を通じて薄膜の表面にナノ構造を発現させた。図1および2はそれぞれ実施例1および2、そして図3は比較例1について発現した自己組織化パターンのイメージである。
試験例2.エッチング選択性の確認
実施例1と2、そして比較例1のブロック共重合体のエッチング選択性を評価した。エッチング選択性は、実施例1と2、そして比較例1の各ブロック共重合体の各ブロックを単独重合体(homopolymer)の形態で製造し、その単独重合体で高分子膜を形成した後にエッチング機器(Plasmalab system 100)を使って同一条件(RF出力25W、圧力10mTorr)でエッチングを遂行し、エッチング時間別の高分子膜の残存厚さを比較して評価した。図4〜6はその結果であり、図4〜6においてX軸はエッチング時間であり、Y軸は高分子膜の残存厚さである。すべての高分子膜の初期厚さは約100nm程度に制御した。図4を参照すると、化学式Aの化合物の単独重合体(重合体A)とPFS(pentafluorostyrene)の単独重合体膜(PPFS)のエッチング速度が比較されており、図5には、化学式Bの化合物の単独重合体(重合体B)とPFS(pentafluorostyrene)の単独重合体膜(PPFS)のエッチング速度が比較されており、図6には、化学式Cの化合物の単独重合体(重合体C)とPFS(pentafluorostyrene)の単独重合体膜(PPFS)のエッチング速度が比較されている。図面から実施例のブロック重合体の各ブロックのエッチング速度は、エッチング時間の経過につれて、大きな差が出るが、比較例1の場合は、エッチング時間につれて、エッチング速度に大きな差は発生しないことを確認することができる。

Claims (13)

  1. 下記の化学式1で表示される単位を有する高分子セグメントAおよび下記の化学式9で表示される単位を有する高分子セグメントBを含む、ブロック共重合体。
    [化学式1]
    Figure 2019532148
    化学式1でRは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Qは単一結合、−O−L−C(=O)−または−O−L−であり、Xは、−N(R)−L−C(=O)−O−、O−C(=O)−、−C(=O)−O−、ウレタンリンカーまたはウレアリンカーであり、前記Lは炭素数1〜4のアルキレン基であり、Lは炭素数1〜4のアルキレン基または炭素数2〜4のアルキリデン基であり、前記Rは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Yは4個以上の鎖形成原子を有する直鎖鎖である:
    [化学式9]
    Figure 2019532148
    化学式9でXは、単一結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)−、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、−C(=O)−X−または−X−C(=O)−であり、前記でXは単一結合、酸素原子、硫黄原子、−S(=O)−、アルキレン基、アルケニレン基またはアルキニレン基であり、R〜Rはそれぞれ独立して水素、アルキル基、ハロアルキル基またはハロゲン原子であり、R〜Rが含むハロゲン原子の数は5個以上である。
  2. 高分子セグメントとして、高分子セグメントAおよびBのみを含むジブロック形態である、請求項1に記載のブロック共重合体。
  3. 化学式1でRは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Qは単一結合または−O−L−C(=O)−であり、Xは、−N(R)−L−C(=O)−O−であり、前記Lは炭素数1〜4の直鎖アルキレン基であり、前記Lはメチレン基またはエチリデン基であり、前記Rは水素であり、Yは4個以上の鎖形成原子を有する直鎖鎖である、請求項1または2に記載のブロック共重合体。
  4. 化学式1でRは水素または炭素数1〜4のアルキル基であり、Qは−O−L−であり、Xは、−O−C(=O)−、−C(=O)−O−、ウレタンリンカーまたはウレアリンカーであり、前記Lは炭素数1〜4の直鎖アルキレン基であり、Yは4個以上の鎖形成原子を有する直鎖鎖である、請求項1または2に記載のブロック共重合体。
  5. 直鎖鎖は8個〜20個の鎖形成原子を含む、請求項1から4のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
  6. 鎖形成原子は炭素、酸素、窒素または硫黄である、請求項1から5のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
  7. 鎖形成原子は炭素または酸素である、請求項1から5のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
  8. 鎖は炭化水素鎖である、請求項1から5のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
  9. 化学式9でXは、単一結合、酸素原子、硫黄原子または−S(=O)−であり、R〜Rはハロゲン原子である、請求項1から8のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
  10. ハロゲン原子がフッ素原子である、請求項1から9のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
  11. 高分子セグメントAおよびBの体積分率の合計が1であり、高分子セグメントAの体積分率が0.10〜0.90の範囲内である、請求項1から10のいずれか一項に記載のブロック共重合体。
  12. 自己組織化された請求項1から11のいずれか一項に記載されたブロック共重合体を含む高分子膜を基板上に形成することを含む、高分子膜の形成方法。
  13. 基板および前記基板上に形成されており、自己組織化された請求項1から11のいずれか一項に記載されたブロック共重合体を含む高分子膜を有する積層体から前記ブロック共重合体の高分子セグメントのうちいずれか一つを選択的に除去する過程を含む、パターン形成方法。
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