JP2019530373A - コンタクトレスインターフェースを形成する少なくとも1つのトランジションを含むパッケージ構造 - Google Patents
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Abstract
Description
コンタクトレストランジションを提供するために、他端においてリッジギャップ導波路に接続されているトランスフォーマ部14C'は、ここでは、例えばトランスフォーマ部14C'の端部に面するキャビティの開口の実質的に中間に延在する第1伝送線路2Cの結合部3Cが配置されたキャビティの端部と反対側の端部で、図7では見ることができないキャビティに隣接して終端する。上述のように、結合部は、キャビティ開口の任意の場所に配置されてもよい。
Claims (33)
- 平面状の伝送線路である第1伝送線路(2A;・・・;2H)と第2伝送線路(11A;・・・;11F;2G';11H)との間の少なくとも1つのトランジションと、第1導電性ブロック部(10A;10B;10C;10D,10D;10E;10F;10G;10H)及び第2導電性ブロック部(20A;20B;20C;20D;20E;20F;20G;20H)を有する分割ブロックアセンブリと、少なくとも1つの入出力ポートとを含む高周波パッケージ構造であって、
前記第1伝送線路(2A;・・・;2H)は、基板上に構成されるか、前記第1導電性ブロック部(10A;・・・;10H)に配置されたMMIC(1A;・・・;1H)などの前記基板上に構成された回路装置の一部を形成し、かつ、結合部(3A;・・・;3H)を含むか、前記結合部(3A;・・・;3H)に接続され、
前記第1導電性ブロック部(10A;・・・;10H)は、前記トランジションに対して、前記第1導電性ブロック部(10A;・・・;10H)の上面に開口を有するキャビティ(4A;・・・;4H)を含み、
前記第1伝送線路(2A;・・・;2H)は、前記分割ブロックアセンブリの組み立て状態において、前記結合部(3A;・・・;3H)が前記キャビティ(4A;・・・;4H)の前記開口内に位置するように構成され、前記第2伝送線路(11A;・・・;11F;2G';11H)は、前記第1伝送線路(2A;・・・;2H)と前記第2伝送線路との間にトランジションを設けるために、前記キャビティ(4A;・・・;4H)の前記開口と対向する面に前記第1伝送線路に沿って構成され、
前記第2導電性ブロック部(20A;・・・;20H)は、前記パッケージ構造の前記組み立て状態において、リッドまたはカバーとして機能するように構成され、
前記トランジションにおいて、前記第1導電性ブロック部及び前記第2導電性ブロック部の一方に、前記第1伝送線路(2A;・・・;2H)及び前記第2伝送線路(11A;...;11F;2G';11H)に沿って、または前記第1伝送線路(2A;・・・;2H)及び前記第2伝送線路(11A;...;11F;2G';11H)に面して構成された、例えば周期的または準周期的構造を含む高インピーダンス面(15A;・・・;15H)またはAMC面の領域が設けられ、かつ、少なくとも前記トランジションの領域では、前記分割ブロックアセンブリの前記組み立て状態において、前記高インピーダンス面(15A;...;15H)または前記AMC面の前記領域と、対向する他方の導電性ブロック部(10A;...;10H)の面との間に狭いギャップが存在し、これにより、前記第1伝送線路(2A;...;2H)と前記第2伝送線路(11A;...;11F;2G';11H)との間の前記トランジションは、前記第1伝送線路(2A;...;2H)と前記第2伝送線路(11A;...;11F;2G';11H)との間にいかなるガルバニック接触もなくコンタクトレスであることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記キャビティ(4A;...;4H)は、約λg/4、すなわち実質的に1/4波長の深さを有することを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1または2に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記キャビティ(4A;...;4H)は、前記キャビティが設けられた前記第1導電性ブロック部の前記上面に前記開口を有し、前記開口の前記大きさは、前記結合部(3A;...;3H)の寸法を超え、
前記結合部(3A;...;3H)は、前記キャビティの前記開口の一端部から前記キャビティの前記開口内へ突出し、前記第2伝送線路(11A;...;11F;2G';11H)は前記キャビティの前記開口と対向する面に隣接して配置されるか、または前記対向する面の端部から前記キャビティの前記開口に入り、前記第1伝送線路(2A;...;2H)の前記結合部(3A;...;3H)と、前記第2伝送線路(11A;...;11F;2G';11H)または前記第2伝送線路(2G')の結合部(3G')との間にわずかな距離が存在することを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1または2に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記キャビティ(4C;4D;4E;4F;4H)は、その寸法が約λg/2の大きさである矩形、円形、正方形、楕円形などの断面を有することを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記キャビティ(4A;4B;4G)は、その寸法が約λg/4である多角形形状を有することを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記第1導電性ブロック部及び前記第2導電性ブロック部(10,20;10A,20A1;・・・.;10H,20H)は、ねじなどの相互接続手段によって着脱可能、または解放可能に接続できるように適合され、したがって、組み立て時の前記第1導電性ブロック部と前記第2導電性ブロック部とのアライメントを補助するための組み立て/非組み立て可能なアライメント手段が任意選択で設けられることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記基板は誘電体基板であり、
前記基板は、前記第1導電性ブロック部の前記キャビティの前記開口と実質的に同一の平面寸法である開口または孔を含む形状であり、共に配置されるか、前記結合部の下で延在する任意の形状に形成されるか、または、任意の対応する開口または孔、もしくは形状がなくインタクトであり、かつ前記結合部と同一の距離だけ前記キャビティの前記開口の中に突出していることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記高インピーダンス面(15A;...;15H)または前記AMC面は、ピンの層を形成するように構成された複数の金属のピン(16A;・・・;16H)、波形などを備えたピン構造を有する前記周期的または準周期的構造を含み、前記ギャップはλg/4より小さく、好ましくは約λg/10であり、前記ギャップはエアギャップであるか、または少なくとも部分的に誘電材料で充填されたギャップであることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記周期的または準周期的構造(15A;...;15H)のピン(16A;・・・;16H)、波形などが、特定の選択された周波数帯域に適合された寸法を有し、他のすべてのモードを遮断することを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜9のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記結合部は、前記第1伝送線路からの電磁場を前記第2伝送線路へ結合するように適合されていることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記キャビティは、半波長共振器として機能するように適合されていることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記第1伝送線路は、前記回路装置、例えば前記MMIC(1A;・・・;1F;1H)のマイクロストリップラインを含み、
前記第2伝送線路は、導波路(11A;11B;11C;11D;11E;11F;11H)を含み、
前記パッケージ構造は、したがって、前記回路装置、例えば前記MMICと前記導波路との間に少なくとも1つのコンタクトレストランジションを含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項12に記載の高周波パッケージ構造であって、
各導波路(11B,11B)と前記回路装置、例えば前記MMIC(1B)との間に2つの前記トランジションを有する連続的な構造を含む、すなわち2ポートデバイスを含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項12または13に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記導波路(11A;11B,11B)は、矩形導波路、リッジ導波路、環状導波路または正方形導波路、もしくは任意の他の標準導波路を含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項12〜14のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記高インピーダンス面(15A;15B)は、前記第2導電性ブロック部(20A;20B)に設けられ、前記高周波パッケージ構造の前記組み立て状態において、前記回路装置、例えば前記MMIC(1A;1B)及び前記キャビティ(4A)または複数の前記キャビティ(4B,4B)の上方に設けられた前記トランジションに面するように構成され、前記第1伝送線路(2A;2B)は、前記トランジションのための結合部(3A;3B,3B)を有する前記マイクロストリップラインを含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項15に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記第1導電性ブロック部(10A;10B)上の前記導波路(11A;11B,11B)の端部に、インピーダンス整合要素(5A;5B,5B)、例えば整合アイリスが前記キャビティ(4A;4B,4B)に隣接して配置されることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項12または13に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記導波路は、前記第1導電性ブロック部(10C;10D)に設けられたリッジギャップ導波路(11C;11D,11D)を含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項17に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記リッジギャップ導波路(11C;11D,11D)は、それぞれの前記キャビティ(14C';14D',14D')に隣接したリッジ(14C;14D)に接続されているチェビシェフトランスフォーマまたはインピーダンス整合トランジション部(14C';14D',14D')を含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項17または18に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記高インピーダンス面(15C;15D)は、前記第1導電性ブロック部(10C;10D)に設けられ、かつ、前記トランジション領域において、前記キャビティの両側で少なくとも1つのリッジギャップ導波路に沿って延在し、かつ、前記MMICの両側に少なくとも部分的に沿って延在するように構成され、前記第1伝送線路は、前記トランジションのための結合部を有して設けられているか、または前記トランジションのための前記結合部に接続されたMMIC上のマイクロストリップラインを含み、
ブロック接続部すなわち導波路側壁(21C,21C;21D,21D)は、前記第1導電性ブロック部及び/または前記第2導電性ブロック部に設けられることにより前記第1導電性ブロック部及び前記第2導電性ブロック部の組み立てを可能にするが、前記高インピーダンス面と前記第2導電性ブロック部の表面との間に前記ギャップを残すことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項17または18に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記高インピーダンス面(15C;15D)は、前記リッジギャップ導波路(11C;11D,11D)、前記キャビティ(4C;4D,4D)の両側に沿って前記第2導電性ブロック部に設けられ、かつ、伝播方向における前記MMIC(1C,1D,1D)の対向する外側端に少なくとも部分的に沿って前記第2導電性ブロック部に設けられるか、
前記高インピーダンス面(15C;15D)は、完全な高さのピン要素(16C;16D)または波形を含むか、または
前記第1導電性ブロック部及び前記第2導電性ブロック部に不完全な高さのピン要素がそれぞれ設けられ、前記第1導電性ブロック部及び前記第2導電性ブロック部の上の2つの対向するピン要素または波形が、完全な高さのピン要素または波形を共に形成することを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項12または13に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記導波路は、前記第1導電性ブロック部(10E;10F)に設けられたグルーブギャップ導波路(11E;11F,11F)を含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項21に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記キャビティ(4E;4F,4F)に隣接した前記第1導電性ブロック部(10E;10F)の前記グルーブギャップ導波路(11E;11F,11F)の端部に、インピーダンス整合要素(5E;5F,5F)、例えば整合アイリスが配置されることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項21または22に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記高インピーダンス面(15E;15F)は、例えば突出ピン要素(16E;16F)を含み、前記第1導電性ブロック部(10E;10F)に設けられ、かつ、少なくとも1つの前記グルーブギャップ導波路(11E;11F,11F)の両長辺側に沿った領域と、少なくとも1つの前記結合部(3E;3F,3F)を有するマイクロストリップライン(2E;2F)を含む前記第1伝送線路を有する回路装置を含む前記基板、例えば前記MMIC(1E;1F)に沿った、少なくとも前記トランジションの前記領域を囲む2つの実質的に反対側の領域とによって形成された前記トランジションの前記領域にわたって延在するように構成され、ブロック接続部(21E,21E;21F,21F)は、前記第1導電性ブロック部及び前記第2導電性ブロック部の組み立てを可能にするように、前記第1導電性ブロック部及び/または前記第2導電性ブロック部に設けられているが、前記高インピーダンス面の領域と前記トランジションの前記領域の対向するブロック部の間にギャップの存在を確実にすることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項21または22に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記高インピーダンス面は、完全な高さのピン要素または波形を含む前記グルーブギャップ導波路の両側に沿って前記第2導電性ブロック部に設けられるか、または
前記第1導電性ブロック部及び前記第2導電性ブロック部に不完全な高さのピン要素がそれぞれ設けられ、前記第1導電性ブロック部及び前記第2導電性ブロック部に設けられた2つの対向するピン要素または波形が、完全な高さのピン要素または波形を共に形成することを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記第1伝送線路は、前記基板、例えば前記MMIC(1G)に設けられた回路装置のマイクロストリップライン(2G)を含み、
前記第2伝送線路はまた、基板、例えばMMIC(1G')に設けられた回路装置のマイクロストリップライン(2G')を含み、したがって、前記パッケージ構造は、前記基板、例えばMMICまたはPCBに設けられた2つの前記回路装置の間にコンタクトレストランジションを含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項25に記載の高周波パッケージ構造であって、
第1の前記マイクロストリップライン及び第2の前記マイクロストリップライン(2G;2G')は、それぞれの前記結合部に各々設けられることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項25または26に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記高インピーダンス面(15G)は、前記第2導電性ブロック部(20G)に設けられ、かつ、前記パッケージ構造の組み立て状態において、前記キャビティ(4G)の前記開口の上方に、実質的に同一平面上に配置された前記結合部(3G;3G')と、前記回路装置、例えばMMIC(1G;1G')を有する前記基板の少なくとも大部分とに面するように構成されることを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜11のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
少なくとも1つの前記トランジションは、前記平面状の前記第1伝送線路(2H)を含むDUT(被試験デバイス)(1H)などの試験されるべき電子デバイスまたはオンチップアンテナを含む前記基板の上の前記回路装置と、前記第2伝送線路を形成する導波路(11H)との間の前記トランジションを含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜11、または請求項28のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
前記少なくとも1つのトランジションは、前記平面状の前記第1伝送線路(2H)を含むオンチップアンテナ(1H)を備えた前記回路装置と、前記第2伝送線路を形成する導波路(11H)との間のトランジションを含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜29のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
分析装置、例えばVNA(Vector Network Analyser)に接続するための導波路インターフェースまたは導波路フランジを含むことを特徴とするパッケージ構造。 - 請求項1〜30のいずれか1項に記載の高周波パッケージ構造であって、
高周波RF信号に使用されるべく適合されていることを特徴とするパッケージ構造。 - 測定または試験されるべき電子デバイスへの接続を提供するための相互接続装置であって、
コンタクトレストランジションを含み、かつ、前記基板またはオンチップアンテナ上に配置された被試験デバイス(1H)を含む前記回路装置の前記結合部(3H)を有する前記第1伝送線路を、導波路(11H)に結合するためのコンタクトレスプローブとして使用されるように適合され、前記導波路は、測定装置の導波路フランジに接続するための導波路インターフェースを含む、請求項1〜11のいずれか1項に記載のパッケージ構造を含むことを特徴とする相互接続装置。 - 請求項32に記載の相互接続装置の使用であって、
前記電子デバイス、例えば被試験デバイス(DUT)または前記オンチップアンテナのウエハ上測定を実行するための、相互接続装置の使用。
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