JP2019530237A - 基板の洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
基板の洗浄方法及び洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019530237A JP2019530237A JP2019515436A JP2019515436A JP2019530237A JP 2019530237 A JP2019530237 A JP 2019530237A JP 2019515436 A JP2019515436 A JP 2019515436A JP 2019515436 A JP2019515436 A JP 2019515436A JP 2019530237 A JP2019530237 A JP 2019530237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- ultrasonic
- power
- temperature
- bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
=−Sx0p0ln(x0−x)│0 x0−1=Sx0p0ln(x0) (2)
ここで、Sはシリンダ断面の面積、X0はシリンダの長さ、P0は圧縮前のシリンダ内部の気体圧力である。上記式(2)では、圧縮時の温度上昇の要因を考慮していないため、気泡内の圧力は実際には温度上昇により高くなる。したがって、音波圧力による実際の機械的作用は、式(2)によって計算されるものよりも大きくなる。
全ての音波圧力による機械的作用が部分的に熱エネルギーに変換され、部分的に気泡内の高圧気体および蒸気の機械的エネルギーに変換されると仮定し、この熱エネルギーが全体的に気泡内の気体の温度上昇に寄与し(気泡周辺の液体分子にエネルギーの伝達がない)、気泡内部の気体の質量が圧縮の前後で一定であると仮定すると、一回の気泡の圧縮後の温度上昇ΔTは以下の式で表すことが出来る。
ΔT=Q/(mc)=βwm/(mc)=βSx0p0ln(x0)/(mc) (3)
上記式で、Qは機械的作用から変換された熱エネルギーであり、βは音波圧力によるトータルの機械的作用に対する熱エネルギーの比であり、mは気泡内部の気体の質量であり、cは気体比熱係数である。β=0.65、S=1E−12m2、x0=1000m=1E−3m(圧縮比N=1000)、p0=1kg/cm2=1E4kg/m2、m=8.9E−17kg(水素ガスの場合)、c=9.9E3J/(kg0k)を上記式(3)に代入すると、ΔT=50.90kとなる。
最初の圧縮後の気泡内の気体温度T1は以下の通り計算される。
=((Ti−T0−ΔT)/(ΔT−δT)+1)/f1 (11)
ここで、t1は超音波/高周波超音波の周期であり、f1は周波数である。
Claims (64)
- 超音波/高周波超音波装置を用いて基板上のパターン構造に損傷を与えることなく前記基板を洗浄する方法であって、
前記基板と前記超音波/高周波超音波装置との間の空間に液体を塗布し、
前記超音波/高周波超音波電源を周波数f1と電力P1に設定して、前記超音波/高周波超音波装置を駆動し、
気泡内破によってマイクロ噴流が発生した後であって、気泡内破によって発生した前記マイクロ噴流によって前記基板のパターン構造が損傷する前に、前記超音波/高周波超音波電源を周波数f2と電力P2に設定して、前記超音波/高周波超音波装置を駆動し、
気泡内の温度が設定温度まで冷却された後、前記超音波/高周波超音波電源を周波数f1および電力P1に再び設定し、
前記基板が洗浄されるまで上記のステップを繰り返すことを特徴とする方法。 - Tnは、nサイクル後、音波出力が気泡に作用し続けることによって得られる気泡の最高温度であり、Tdは、パターン構造の損傷を引き起こす高強度(または出力)の気泡内破がある一定の量蓄積する温度とした場合に、温度Tnを温度Tdより低く制御(時間Δτを制御)することによって、パターン構造が損傷しないように気泡内破の強度を制御することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記電源を周波数f1及び電力P1に設定してから、前記超音波/高周波超音波電源を周波数f2及び電力P2に設定するまでの時間を、周波数f1の波形周期の2000倍より短くすることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- Tiを前記気泡内破時の気泡内蒸気温度とし、T0を前記液体の温度とし、ΔTを前記気泡が一回圧縮された後の温度上昇とし、δTを前記気泡が一回膨張させられた後の温度の低下として、前記電源を周波数f1および電力P1に設定してから、前記超音波/高周波超音波電源を周波数f2および電力P2に設定するまでの時間が((Ti−T0−ΔT)/(ΔT−δT)+1)/f1より短いことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記設定温度は前記液体温度の近傍であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記電力値P2はゼロに設定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記周波数f1は前記周波数f2に等しく、前記電力値P2は前記電力値P1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記周波数f1は前記周波数f2よりも高く、前記電力値P2は前記電力値P1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記周波数f1は前記周波数f2より低く、前記電力値P1は前記電力値P2に等しいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記周波数f1は前記周波数f2より低く、前記電力値P1は前記電力値P2より大きいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記周波数f1は前記周波数f2より低く、前記電力値P1は前記電力値P2より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、増加した振幅の電力P1を出力することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、減少した振幅の電力P1を出力することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず減少した振幅で、その後、増加した振幅で電力P1を出力することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず増加した振幅で、その後、減少した振幅で電力P1を出力することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f1で、その後周波数f3で電力P1を出力し、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f3で、その後周波数f1で電力P1を出力し、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f3で、その後周波数f1で、最後に周波数f3で電力P1を出力し、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f1で、その後周波数f3で、最後に周波数f1の波形を出力し、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f1で、その後周波数f3で、最後に周波数f4で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f4で、その後周波数f3で、最後に周波数f1で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f1で、その後周波数f4で、最後に周波数f3で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f3で、その後周波数f4で、最後に周波数f1で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f3で、その後周波数f1で、最後に周波数f4で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f4で、その後周波数f1で、最後に周波数f3で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記周波数f2はゼロに等しく、前記電力値P2は正の値であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記周波数f2はゼロに等しく、前記電力値P2は負の値であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記周波数f2はf1に等しく、f2の位相はf1の位相と逆に設定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記周波数f2はf1とは異なり、f2の位相はf1の位相と逆に設定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 超音波/高周波超音波装置を用いて基板を洗浄する装置であって、
前記基板を保持するチャックと、
前記基板に隣接して配置される前記超音波/高周波超音波装置と、
前記基板、及び、前記基板と前記超音波/高周波超音波装置との間の隙間に薬液を噴射する少なくとも一つのノズルと、
超音波/高周波超音波電源と、
前記超音波/高周波超音波電源を周波数f1と電力P1に設定して、前記超音波/高周波超音波装置を駆動する制御装置とを備え、気泡内破によってマイクロ噴流が発生した後であって、気泡内破によって発生した前記マイクロ噴流によって前記基板のパターン構造が損傷する前に、前記超音波/高周波超音波電源を周波数f2と電力P2に設定して、前記超音波/高周波超音波装置を駆動し、気泡内の温度が設定温度まで冷却された後、その超音波/高周波超音波電源を周波数f1および電力P1に再び設定し、前記基板が洗浄されるまで上記のステップを繰り返すことを特徴とする装置。 - Tnは、nサイクル後、音波出力が気泡に作用し続けることによって得られる気泡の最高温度であり、Tdは、パターン構造の損傷を引き起こす高強度(または出力)の気泡内破がある一定の量蓄積する温度とした場合に、温度Tnを温度Tdより低く制御(時間Δτを制御)することによって、パターン構造が損傷しないように気泡内破の強度を制御することを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記電源を周波数f1で電力P1に設定し、超音波/高周波超音波電源を周波数f2で電力P2に設定する時間を周波数f1での波形周期の2,000倍より短くすることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- Tiを前記気泡内破時の気泡内蒸気温度とし、T0を前記液体の温度とし、ΔTを前記気泡が一回圧縮された後の温度上昇とし、δTを前記気泡が一回膨張させられた後の温度の低下として、前記電源を周波数f1および電力P1に設定してから、前記超音波/高周波超音波電源を周波数f2および電力P2に設定するまでの時間が((Ti−T0−ΔT)/(ΔT−δT)+1)/f1より短いことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記設定温度は前記液体温度の近傍であることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記電力値P2はゼロに設定されることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記周波数f1は前記周波数f2に等しく、前記電力値P2は前記電力値P1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記周波数f1は前記周波数f2よりも高く、前記電力値P2は前記電力値P1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記周波数f1は前記周波数f2より低く、前記電力値P1は前記電力値P2に等しいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記周波数f1は前記周波数f2より低く、前記電力値P1は前記電力値P2より大きいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記周波数f1は前記周波数f2より低く、前記電力値P1は前記電力値P2より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、増加した振幅の電力P1を出力することを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、減少した振幅の電力P1を出力することを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず増加した振幅の、その後減少した振幅の電力P1を出力することを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず減少した振幅の、その後増加した振幅の電力P1を出力することを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f1で、その後周波数f3で電力P1を出力し、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f3で、その後周波数f1で電力P1を出力し、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f3で、その後周波数f1で、最後に周波数f3で電力P1を出力し、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f1で、その後周波数f3で、最後に周波数f1の波形を出力し、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f1で、その後周波数f3で、最後に周波数f4で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f4で、その後周波数f3で、最後に周波数f1で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f1で、その後周波数f4で、最後に周波数f3で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f3で、その後周波数f4で、最後に周波数f1で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f3で、その後周波数f1で、最後に周波数f4で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記超音波/高周波超音波電源は、まず周波数f4で、その後周波数f1で、最後に周波数f3で電力P1を出力し、f4はf3より小さく、f3はf1より小さいことを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記周波数f2はゼロに等しく、前記電力値P2は正の値であることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記周波数f2はゼロに等しく、前記電力値P2は負の値であることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記周波数f2はf1に等しく、f2の位相はf1の位相と逆に設定されることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 前記周波数f2はf1とは異なり、f2の位相はf1の位相と逆に設定されることを特徴とする請求項30に記載の装置。
- 超音波/高周波超音波装置を用いて基板を洗浄する装置であって、
少なくとも一つの基板を保持するカセットと、
前記カセットを保持するタンクと、
前記タンクの外壁に取り付けられた超音波/高周波超音波装置と、
前記基板を浸漬するために前記タンク内に薬液を充填するための少なくとも一つの注入口と、
超音波/高周波超音波電源と、
前記超音波/高周波超音波電源を周波数f1と電力P1に設定して、前記超音波/高周波超音波装置を駆動する制御装置とを備え、気泡内破によってマイクロ噴流が発生した後であって、気泡内破によって発生した前記マイクロ噴流によって前記基板のパターン構造が損傷する前に、前記超音波/高周波超音波電源を周波数f2と電力P2に設定して、前記超音波/高周波超音波装置を駆動し、気泡内の温度が設定温度まで冷却された後、前記超音波/高周波超音波電源を周波数f1および電力P1に再び設定し、前記基板が洗浄されるまで上記のステップを繰り返すことを特徴とする装置。 - Tnは、nサイクル後、音波出力が気泡に作用し続けることによって得られる気泡の最高温度であり、Tdは、パターン構造の損傷を引き起こす高強度(または出力)の気泡内破がある一定の量蓄積する温度とした場合に、温度Tnを温度Tdより低く制御(時間Δτを制御)することによって、パターン構造が損傷しないように気泡内破の強度を制御することを特徴とする請求項59に記載の装置。
- 前記電力値P2はゼロに設定されることを特徴とする請求項59に記載の装置。
- 超音波/高周波超音波装置を用いて基板を洗浄する装置であって、
前記基板を保持するチャックと、
前記基板に隣接して配置されるノズルであって、前記基板上に薬液を噴射するノズルと接続された超音波/高周波超音波装置と、
超音波/高周波超音波電源と、
前記超音波/高周波超音波電源を周波数f1と電力P1に設定して、前記超音波/高周波超音波装置を駆動する制御装置とを備え、気泡内破によってマイクロ噴流が発生した後であって、気泡内破によって発生した前記マイクロ噴流によって前記基板のパターン構造が損傷する前に、前記超音波/高周波超音波電源を周波数f2と電力P2に設定して、前記超音波/高周波超音波装置を駆動し、気泡内の温度が設定温度まで冷却された後、前記超音波/高周波超音波電源を周波数f1および電力P1に再び設定し、前記基板が洗浄されるまで上記のステップを繰り返すことを特徴とする装置。 - Tnは、nサイクル後、音波出力が気泡に作用し続けることによって得られる気泡の最高温度であり、Tdは、パターン構造の損傷を引き起こす高強度(または出力)の気泡内破がある一定の量蓄積する温度とした場合に、温度Tnを温度Tdより低く制御(時間Δτを制御)することによって、パターン構造が損傷しないように気泡内破の強度を制御することを特徴とする請求項62に記載の装置。
- 前記電力値P2はゼロに設定されることを特徴とする請求項62に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2016/099428 WO2018053678A1 (en) | 2016-09-20 | 2016-09-20 | Methods and apparatus for cleaning substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019530237A true JP2019530237A (ja) | 2019-10-17 |
JP7032815B2 JP7032815B2 (ja) | 2022-03-09 |
Family
ID=61690109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019515436A Active JP7032815B2 (ja) | 2016-09-20 | 2016-09-20 | 基板の洗浄方法及び洗浄装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11037804B2 (ja) |
EP (1) | EP3516684B1 (ja) |
JP (1) | JP7032815B2 (ja) |
KR (1) | KR102655533B1 (ja) |
CN (1) | CN109791899B (ja) |
WO (1) | WO2018053678A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111386157B (zh) * | 2017-11-15 | 2022-12-27 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 用于清洗半导体晶圆的方法 |
JP7258915B2 (ja) * | 2018-04-27 | 2023-04-17 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 半導体ウエハの洗浄に用いられる方法及び装置 |
CN115959763A (zh) * | 2022-10-21 | 2023-04-14 | 中国矿业大学 | 一种微纳气泡强化好氧菌处理焦化废水的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289565A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Toshiba Corp | 洗浄方法、半導体装置の製造方法及びアクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
JP2012522387A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2013051356A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Hitachi Kokusai Denki Engineering:Kk | 超音波洗浄方法及びその装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4003018A1 (de) * | 1990-02-02 | 1991-08-08 | Metallgesellschaft Ag | Verfahren zur herstellung monotektischer legierungen |
JPH06296942A (ja) | 1993-02-22 | 1994-10-25 | Yoshihide Shibano | 超音波洗浄における超音波振動子の発振方法及びその装置 |
US6039059A (en) * | 1996-09-30 | 2000-03-21 | Verteq, Inc. | Wafer cleaning system |
JPH10235303A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-08 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 超音波洗浄装置 |
US20010013355A1 (en) | 1998-10-14 | 2001-08-16 | Busnaina Ahmed A. | Fast single-article megasonic cleaning process for single-sided or dual-sided cleaning |
JP2002280343A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Nec Corp | 洗浄処理装置、切削加工装置 |
US6595224B2 (en) | 2001-06-20 | 2003-07-22 | P.C.T. Systems, Inc. | Bath system with sonic transducers on vertical and angled walls |
US7306002B2 (en) | 2003-01-04 | 2007-12-11 | Yong Bae Kim | System and method for wet cleaning a semiconductor wafer |
US7104268B2 (en) * | 2003-01-10 | 2006-09-12 | Akrion Technologies, Inc. | Megasonic cleaning system with buffered cavitation method |
US7495371B2 (en) | 2003-09-08 | 2009-02-24 | The Crest Group, Inc. | Cleaning tank with sleeved ultrasonic transducer |
CA2544633A1 (en) | 2003-11-05 | 2005-05-19 | The Crest Group, Inc. | Ultrasonic processing method and apparatus with multiple frequency transducers |
JP4519541B2 (ja) | 2004-06-24 | 2010-08-04 | 株式会社東芝 | 超音波洗浄装置 |
JP4442383B2 (ja) * | 2004-10-12 | 2010-03-31 | 国立大学法人 東京大学 | 超音波洗浄装置 |
JP2007165695A (ja) | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Kaijo Corp | 超音波洗浄装置及びその超音波洗浄方法 |
TWI393595B (zh) | 2006-03-17 | 2013-04-21 | Michale Goodson J | 具有頻率掃描的厚度模式轉換器之超高頻音波處理設備 |
US9070722B2 (en) | 2006-10-17 | 2015-06-30 | Akrion Systems, Llc | System and method for the sonic-assisted cleaning of substrates utilizing a sonic-treated liquid |
CN100466304C (zh) | 2007-05-11 | 2009-03-04 | 上海明兴开城超音波科技有限公司 | 单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机 |
US20090173358A1 (en) * | 2008-01-09 | 2009-07-09 | Micron Technology, Inc. | Megasonic cleaning with controlled boundary layer thickness and associated systems and methods |
CN101879511B (zh) * | 2009-05-08 | 2013-01-02 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 半导体衬底的清洗方法和装置 |
US9159311B2 (en) | 2010-04-01 | 2015-10-13 | J. Michael Goodson | Unrestricted mounting of ultrasonic transducers |
CN103782139A (zh) | 2011-05-03 | 2014-05-07 | 克雷斯特石油和天然气公司 | 超声空气垫反射器 |
JP5183777B2 (ja) | 2011-07-12 | 2013-04-17 | 株式会社カイジョー | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
KR102218873B1 (ko) * | 2013-02-02 | 2021-02-23 | 나우라 아크리온 인코포레이티드 | 음향 에너지를 이용하여 기판을 처리하기 위한 시스템 |
CN103736690B (zh) | 2013-12-31 | 2018-12-18 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 硅片清洗方法 |
CN104576455A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-29 | 无锡德鑫太阳能电力有限公司 | 一种清洗黑硅电池片的装置 |
US11581205B2 (en) * | 2017-11-20 | 2023-02-14 | Acm Research, Inc. | Methods and system for cleaning semiconductor wafers |
-
2016
- 2016-09-20 US US16/334,923 patent/US11037804B2/en active Active
- 2016-09-20 KR KR1020197010660A patent/KR102655533B1/ko active IP Right Grant
- 2016-09-20 JP JP2019515436A patent/JP7032815B2/ja active Active
- 2016-09-20 EP EP16916419.1A patent/EP3516684B1/en active Active
- 2016-09-20 CN CN201680089380.8A patent/CN109791899B/zh active Active
- 2016-09-20 WO PCT/CN2016/099428 patent/WO2018053678A1/en unknown
-
2021
- 2021-06-14 US US17/347,011 patent/US11848217B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002289565A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Toshiba Corp | 洗浄方法、半導体装置の製造方法及びアクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
JP2012522387A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド | 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2013051356A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Hitachi Kokusai Denki Engineering:Kk | 超音波洗浄方法及びその装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3516684B1 (en) | 2021-01-20 |
EP3516684A4 (en) | 2020-06-03 |
US11848217B2 (en) | 2023-12-19 |
WO2018053678A1 (en) | 2018-03-29 |
EP3516684A1 (en) | 2019-07-31 |
KR20190050829A (ko) | 2019-05-13 |
CN109791899A (zh) | 2019-05-21 |
KR102655533B1 (ko) | 2024-04-08 |
US20190287824A1 (en) | 2019-09-19 |
US20220037172A1 (en) | 2022-02-03 |
JP7032815B2 (ja) | 2022-03-09 |
CN109791899B (zh) | 2023-06-16 |
US11037804B2 (en) | 2021-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6605044B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法および洗浄装置 | |
JP6770757B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置 | |
US11848217B2 (en) | Methods and apparatus for cleaning substrates | |
WO2016183707A1 (en) | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers | |
US11638937B2 (en) | Methods and apparatus for cleaning substrates | |
US11581205B2 (en) | Methods and system for cleaning semiconductor wafers | |
TWI698291B (zh) | 襯底清洗方法及清洗裝置 | |
TWI731851B (zh) | 清洗半導體襯底的方法和裝置 | |
JP7230037B2 (ja) | 基板の洗浄方法及び洗浄装置 | |
TWI835822B (zh) | 清洗基板的方法和裝置 | |
TWI695743B (zh) | 清洗襯底的方法和裝置 | |
JP7455743B2 (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
KR102517666B1 (ko) | 반도체 웨이퍼를 세정하는 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190521 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220125 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7032815 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |