JP2019522865A - 光抽出層の製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示基板 - Google Patents

光抽出層の製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2019522865A
JP2019522865A JP2017544736A JP2017544736A JP2019522865A JP 2019522865 A JP2019522865 A JP 2019522865A JP 2017544736 A JP2017544736 A JP 2017544736A JP 2017544736 A JP2017544736 A JP 2017544736A JP 2019522865 A JP2019522865 A JP 2019522865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical material
transparent optical
material layer
layer
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017544736A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6878285B2 (ja
Inventor
ジウシャ・ヤン
ウェンヤン・シュ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of JP2019522865A publication Critical patent/JP2019522865A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6878285B2 publication Critical patent/JP6878285B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/87Arrangements for heating or cooling
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0012Arrays characterised by the manufacturing method
    • G02B3/0031Replication or moulding, e.g. hot embossing, UV-casting, injection moulding
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0037Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/821Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本出願は、凹凸面を有する光抽出層の製造方法を開示する。この方法は、透明性光学材料を用いて透明性光学材料層を形成する工程と、モールディングプレートの表面に複数の凹部を含むモールディングプレートを用いて、透明性光学材料層の表面に、複数の凹部とそれぞれ略相補的である複数の凸部を形成する工程と、を含む。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、2016年5月27日に提出した中国特許出願No.201610365849.8の優先権を主張し、その内容が全て本出願に援用される。
本発明は表示技術に関し、特に、新規な光抽出層及び光抽出層の製造方法に関する。
液晶表示パネル(LCD)デバイス等の他の表示デバイスと比べ、有機発光ダイオード(OLED)表示デバイスは、バックライトを必要としない自己発光型の装置である。レスポンスが速く、視野角が広く、高輝度で、色調が鮮やかであり、より薄型で軽いというメリットがあることから、表示領域において広く応用が可能となっている。通常、OLED表示装置は、トップエミッション型OLED、ボトムエミッション型OLED及びデュアルエミッション型OLEDの3つのタイプに分けられる。
ひとつの方面において、本発明は、透明性光学材料を用いて透明性光学材料層を形成する工程と、モールディングプレートの表面に複数の凹部を含むモールディングプレートを用いて、前記透明性光学材料層の表面に、前記複数の凹部とそれぞれ略相補的である複数の凸部を形成する工程と、を含む、凹凸面を有する光抽出層の製造方法を提供する。
前記複数の凸部を形成する工程は、前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層とを互いに押し付けて前記透明性光学材料層を変形させることで、前記透明性光学材料層の前記表面に複数の第1凸部を形成する工程を含んでもよい。
前記透明性光学材料層を変形させる前に、前記透明性光学材料層を加熱して溶媒容量を減少させる工程をさらに含んでもよい。
前記透明性光学材料層を変形させた後、前記透明性光学材料層を硬化して前記複数の第1凸部の表面を修正する工程をさらに含み、前記透明性光学材料は硬化材料であってもよい。
この方法は、前記複数の第1凸部の前記表面を修正した後、前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程をさらに含んでもよい。
この方法は、前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層とを互いに再押し付ける工程を繰り返した後、毎回前記透明性光学材料層を再硬化する工程をさらに含んでもよい。
この方法は、前記透明性光学材料層を変形させる前に、前記透明性光学材料層を加熱して溶媒容量を減少させる工程をさらに含み、前記透明性光学材料層を変形させた後に、前記透明性光学材料層を硬化して前記複数の第1凸部の表面を修正する工程と、前記複数の第1凸部の前記表面を修正する工程の後に、前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層とを互いに再押し付ける工程と、修正及び押し付け工程を少なくとも1回繰り返す工程と、をさらに含んでもよい。
この方法は、前記透明性光学材料層を焼成して、前記凹凸面を有し、前記複数の凸部を含む前記光抽出層を形成する工程をさらに含んでもよい。
前記複数の凹部は略アール面を有するように形成されてもよい。
前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程は、約1.5気圧から約2.5気圧の圧力範囲で、持続時間約15秒から約3分の範囲において行ってもよい。
前記透明性光学材料層を加熱する工程は、約10度から約135度の温度範囲で、持続時間約50秒から約10分の範囲において行ってもよい。
前記透明性光学材料層を硬化する工程は、約30度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約10分の範囲において行ってもよい。
前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層を少なくとも1回互いに再押し付ける工程は、約1.0気圧から約1.5気圧の圧力範囲で、持続時間約50秒から約20分の範囲において行ってもよい。
前記透明性光学材料層を再硬化する工程は、約30度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約10分の範囲において行ってもよい。
前記透明性光学材料層を焼成する工程は、約70度から約190度の温度範囲で、持続時間約1分から約30分の範囲において行ってもよい。
前記透明性光学材料層を形成する工程は、前記透明性光学材料を添加剤と混ぜて混合物を作る工程と、前記混合物を用いて前記透明性光学材料層を形成する工程と、を含み、前記添加剤は、前記透明性光学材料層の厚みを均一にしやすいものであってもよい。
別の方面において、本発明は、本開示で述べる方法により製造される前記光抽出層を有する発光ダイオード表示装置を提供する。
別の方面において、本発明は、凹凸面を有する光抽出層を有し、前記光抽出層は、略アール面を有する複数の凸部を含む、発光ダイオード表示装置を提供する。
前記光抽出層は屈折率が1.5以上であってもよい。
別の方面において、本発明は、凹凸面を有する光抽出層を含み、前記光抽出層は、略アール面を有する複数の凸部を含む、発光ダイオードベース基板を提供する。
前記光抽出層は屈折率が1.5以上であってもよい。
以下の図面は開示された様々な実施形態の例にすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
本開示のいくつかの実施形態におけるボトムエミッション型発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。 本開示のいくつかの実施形態におけるボトムエミッション型発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。 本開示のいくつかの実施形態におけるトップエミッション型発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。 本開示のいくつかの実施形態におけるトップエミッション型発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。 本開示のいくつかの実施形態における光抽出層を有する発光ダイオード表示装置と、光抽出層のない従来の発光ダイオード表示装置の光抽出効率を比較したものである。 本開示のいくつかの実施形態における発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。 本開示のいくつかの実施形態における発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。 本開示のいくつかの実施形態における発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。
以下では、実施形態を参照しつつ、本開示について具体的に説明する。なお、いくつかの実施形態に関する以下の説明は例示及び説明としてのものに過ぎず、全てを網羅している訳ではなく、また、開示されるそのままの形態に本発明を限定するものでもない。
例えば、従来の有機発光ダイオード装置等の従来の表示装置は、光抽出効率が低い。発光層から発光される光線の大部分は、インターフェースにおける全内部反射のために、表示装置の様々な層間インターフェースで失われる。
そこで、本発明は、特に、従来技術における制限及び欠点に起因する一つ以上の課題を実質的に解消する、新規な光抽出層及び光抽出層の製造方法を提供する。ひとつの方面において、本開示は、光線を屈折させる凹凸面を有する光抽出層を含む発光ダイオード表示装置を提供する。光抽出層は、略アール面を有する複数の凸部を含んでもよい。ポリマー材料は、屈折率が1.5以上であってもよい。光抽出層は、光学材料により作製されてもよい。光抽出層は、ポリマー材料により作製されてもよい。
本明細書において、「光学材料」とは、本開示の光抽出層(又は光抽出層を有する表示パネル)の動作波長λにおける光放射がほぼ透過可能な材料を指す。
本明細書において、本開示に関連し「アール」とは、略円形に平滑化された凸部の表面又は光抽出層の表面を指す。例えば、表面上の任意の角部は、第1方向から第2方向へなだらかかつ徐々に移行する。略円状は、鋭角がない限り、例えば、略真円(例えば、半分円、四分円)、略弧状、略放物状又はこれらの任意の組み合わせであってもよい。略アール面には、微小チップ及び微細突起が実質的になくてもよい。略アール面には、ミクロ割れ及びミクロ応力が実質的になくてもよい。
図1〜2は、本開示のいくつかの実施形態におけるボトムエミッション型発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。図1を参照すると、図1の発光ダイオード表示装置は、ベース基板10と、ベース基板10上に設けられる光抽出層2と、光抽出層2のベース基板10から離れた側に設けられる第1電極3と、第1電極3の光抽出層2から離れた側に設けられる発光層1と、発光層1の第1電極3から離れた側に設けられる第2電極4と、を含む。図1の光抽出層2は略平坦な表面を有し、例えば、光抽出層2は層全体を通して厚みが略均一である。図1に示すように、発光層1から発信される光線は、第1電極3と光抽出層2との間のインターフェースまで進み、屈折して光抽出層2に入り、発光側(例えば、ベース基板10)を通って発光ダイオード表示装置から出射する。しかし、発光層1から発信される光線の大部分は、光抽出層2と第1電極3との間のインターフェースにおける全内部反射のために、発光側(例えば、ベース基板10)から出射できない。図1に示すように、光線の大部分は、発光ダイオード表示装置の発光側と反対方向に沿って発光ダイオード表示装置に反射される。図2を参照すると、図2の発光ダイオード表示装置は、ベース基板10と、ベース基板10上に設けられる光抽出層2と、光抽出層2のベース基板10から離れた側に設けられる第1電極3と、第1電極3の光抽出層2から離れた側に設けられる発光層1と、発光層1の第1電極3から離れた側に設けられる第2電極4と、を含む。しかし、図2の光抽出層2は、複数の凸部2aを含む凹凸面を有する。複数の凸部2aは、各々略アール面を有してもよい。図2に示すように、発光層1から発信される光線は、第1電極3と光抽出層2との間のインターフェースまで進み、屈折して光抽出層2に入り、発光側を通って(例えば、ベース基板10を通って)発光ダイオード表示装置から出射する。複数の凸部2aがあるために、発光層1から発信される光線の大部分は、反射されて発光層1に入らずに、屈折して光抽出層2に入る。従って、発光ダイオード表示装置の層間インターフェースにおける全内部反射に起因する光損失がほぼ除去される。
同様に、図3〜4は、本開示のいくつかの実施形態におけるトップエミッション型発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。図3を参照すると、図3の発光ダイオード表示装置は、ベース基板10と、ベース基板10上に設けられる第1電極3と、第1電極3のベース基板10から離れた側に設けられる発光層1と、発光層1の第1電極3から離れた側に設けられる第2電極と、第2電極4の発光層1から離れた側に設けられる光抽出層2と、を含む。図3の光抽出層2は略平坦な表面を有し、例えば、光抽出層2は層全体を通して厚みが略均一である。図3に示すように、発光層1から発信される光線は、第2電極4と光抽出層2との間のインターフェースまで進み、発光側(例えば、光抽出層2)を通って発光ダイオード表示装置から出射する。しかし、発光層1から発信される光線の大部分は、光抽出層2と第2電極4との間のインターフェースにおける全内部反射のために、発光側から(例えば、光抽出層2を通って)出射できない。図3に示すように、光線の大部分は、発光ダイオード表示装置の発光側と反対方向に沿って発光ダイオード表示装置に反射される。図4を参照すると、図4の発光ダイオード表示装置は、ベース基板10と、ベース基板10上に設けられる第1電極3と、第1電極3のベース基板10から離れた側に設けられる発光層1と、発光層1の第1電極3から離れた側に設けられる第2電極と、第2電極4の発光層1から離れた側に設けられる光抽出層2と、を含む。しかし、図4の光抽出層2は、複数の凸部2aを含む凹凸面を有する。複数の凸部2aは、各々略アール面を有してもよい。図4に示すように、発光層1から発信される光線は、第2電極4と光抽出層2との間のインターフェースまで進み、屈折して光抽出層2に入り、発光側を通って(例えば、光抽出層2を通って)発光ダイオード表示装置から出射する。複数の凸部2aがあるために、発光層1から発信される光線の大部分は、反射されて発光層1に入らずに、屈折して光抽出層2に入る。従って、発光ダイオード表示装置の層間インターフェースにおける全内部反射に起因する光損失がほぼ除去される。
従って、凹凸面及び複数の凸部を有する光抽出層を含むことで、本発明の発光ダイオード表示装置の光抽出効率及び外部量子効率が大幅に増大する。図5は、本開示のいくつかの実施形態における光抽出層を有する発光ダイオード表示装置と、光抽出層のない従来の発光ダイオード表示装置の光抽出効率を比較したものである。図5を参照すると、実線は、凹凸面を有する光抽出層を有する発光ダイオード表示装置から発光される光線の光強度を示し、点線は、光抽出層のない従来の発光ダイオード表示装置から発光される光線の光強度を示す。図5に示すように、本発明の発光ダイオード表示装置における光抽出効率は、従来の発光ダイオード表示装置より著しく高くなっている。本発明の発光ダイオード表示装置における外部量子効率は、従来の発光ダイオード表示装置に比べて20%近く改善されている。
別の方面において、本開示は光抽出層の製造方法を提供する。いくつかの実施形態において、この方法は、凹凸面を有する光抽出層を形成する工程を含み、光抽出層は、複数の凹部とそれぞれ略相補的な複数の凸部を含むように形成される。光抽出層を形成する工程は、モールディングプレートを用いて、凹凸面を有する光抽出層を形成する工程を含んでもよい。発光ダイオード表示装置内に、凹凸面を有する本発明の光抽出層を含むことで、発光ダイオード表示装置の様々な層間インターフェースにおける全内部反射に起因する光損失を低減又は除去できる。それ故、本発明の方法により製造される光抽出層を有する発光ダイオード表示装置は、画面がより明るく、電力消費が少なく、視野角が広い。
いくつかの実施形態において、凹凸面を有する光抽出層を形成する工程は、光抽出層の表面に複数の凸部を形成する工程を含む。モールディングプレートは、モールディングプレートの表面に複数の凹部を含んでもよい。光抽出層の複数の凸部は、モールディングプレートの表面の複数の凹部とそれぞれ略相補的であってもよい。本発明の製造工程ではモールディングプレートを用いて光抽出層を製造しており、発光ダイオード表示装置のパターニングに用いるマスク板の数が1枚少ないことから、製造コストを低減できる。
いくつかの実施形態において、凹凸面を有する光抽出層を形成する工程は、モールディングプレートの表面に透明性光学材料を直接配置する工程を含む。透明性光学材料はモールディングプレートの表面上の複数の凹部を充填するため、複数の凸部を有する光抽出層が形成される。この工程は、モールディングプレートを光抽出層から分離する工程をさらに含む。
いくつかの実施形態において、凹凸面は、光抽出層を形成する工程の後に得られる光抽出層の露出面である。例えば、いくつかの実施形態において、光抽出層を形成する工程は、透明性光学材料を用いて透明性光学材料層を形成する工程と、透明性光学材料層を形成した後、透明性光学材料層の表面に複数の凹部を形成することで凹凸面を形成する工程を含む。
光抽出層は、単層構造を有するように形成してもよい。光抽出層は、2つ以上のサブ層が互いにラミネートされた、ラミネート状の光抽出層であってもよい。
光抽出層を作製するための透明性光学材料は、屈折率の比較的高い材料であってもよい。透明性光学材料は、屈折率が1.5以上であってもよい。
透明性光学材料はポリマー材料を含んでもよい。透明性光学材料は樹脂材料を含んでもよい。透明性光学材料は、透明性光学材料層が硬化可能となるような硬化材料を含んでもよい。
いくつかの実施形態において、複数の凸部を形成する工程は、モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付けて透明性光学材料層を変形させることで、複数の第1凸部を形成する工程を含む。変形工程は、透明性光学材料層上に、複数の第1凸部と、凹凸面と、を形成することを目的とする。モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程は、約1.5気圧から約2.5気圧の圧力範囲で、持続時間約15秒から約3分の範囲において行ってもよい。モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程は、約2気圧の圧力下で、持続時間約0.5分から約3分の範囲において行ってもよい。モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程は、約1.8気圧の圧力下で、持続時間約15秒から約150秒の範囲において行ってもよい。モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程は、約1.5気圧から約2.3気圧の圧力範囲で、持続時間約20秒から約1分の範囲において行ってもよい。一実施例において、モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程は、約2気圧の圧力下で、持続時間約50秒により行われる。別の実施例において、モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程は、約1.8気圧の圧力下で、持続時間約35秒により行われる。
いくつかの実施形態において、この方法は、透明性光学材料層を変形させる前に、透明性光学材料層を加熱して溶媒容量を減らす工程をさらに含む。加熱工程は、透明性光学材料層の溶媒容量を減らして、モールディングプレートを用いて実施する後続の変形工程を促すことを目的とする。透明性光学材料層を加熱する工程は、約10度から約135度の温度範囲で、持続時間約50秒から約10分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を加熱する工程は、約10度から約110度の温度範囲で、持続時間約2分から約10分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を加熱する工程は、約35度から約135度の温度範囲で、持続時間約50秒から約5分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を加熱する工程は、約55度から約85度の温度範囲で、持続時間約2分から約6分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を加熱する工程は、約60度から約80度の温度範囲で、持続時間約3分から約5分の範囲において行ってもよい。一実施例において、透明性光学材料層を加熱する工程は、約60度の温度下で持続時間約5分により行われる。別の実施例において、透明性光学材料層を加熱する工程は、約85度の温度下で持続時間約3分により行われる。一般に、加熱時間が長いほど、透明性光学材料層の溶媒容量を十分減じるのに必要な加熱温度が低くなる。透明性光学材料は硬化樹脂材料であってもよい。
いくつかの実施形態において、透明性光学材料は硬化材料であり、この方法は、透明性光学材料層を変形させた後、透明性光学材料層を硬化させて複数の第1凸部の表面を修正する工程をさらに含んでもよい。硬化工程は、変形の工程で生じたミクロ応力、微細突起、微小チップ及びミクロ割れを減少又は除去して、複数の第1凸部の表面を略アール面とすることを目的とする。透明性光学材料層を硬化する工程は、約30度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約10分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を硬化する工程は、約30度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約5分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を硬化する工程は、約35度から約135度の温度範囲で、持続時間約2分から約10分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を硬化する工程は、約80度から約95度の温度範囲で、持続時間約1分から約10分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を硬化する工程は、約85度から約90度の温度範囲で、持続時間約1.5分から約8分の範囲において行ってもよい。一実施例において、透明性光学材料層を硬化する工程は、約90度の温度下で、持続時間約1.5分により行われる。別の実施例において、透明性光学材料層を硬化する工程は、約85度の温度下で、持続時間約8分により行われる。
いくつかの実施形態において、この方法は、複数の第1凸部の表面を修正する工程の後に、モールディングプレートと透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程をさらに含む。再押し付ける工程は、モールディングプレートにより設定された形状と一致するように複数の第1凸部の形状を整えることを目的とする。モールディングプレートと透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程は、約1.0気圧から約1.5気圧の圧力範囲で、持続時間約50秒から約20分間の範囲において行ってもよい。モールディングプレートと透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程は、約1.0気圧の圧力下で、持続時間約50秒から約5分の範囲において行ってもよい。モールディングプレートと透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程は、約1.0気圧の圧力下で、持続時間約10分から約20分の範囲において行ってもよい。一実施例において、モールディングプレートと透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程は、約1.0気圧の圧力下で、約2分間行ってもよい。別の実施例において、モールディングプレートと透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程は、約1.0気圧の圧力下で、約3分間行ってもよい。
いくつかの実施形態において、この方法は、モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに再押し付ける工程を繰り返した後、毎回透明性光学材料層を再硬化する工程をさらに含む。再硬化工程は、再押し付け工程で生じたミクロ応力、微細突起、微小チップ及びミクロ割れを減少又は除去して、複数の凸部の表面を略アール面とすることを目的とする。透明性光学材料層を再硬化する工程は、約30度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約10分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を再硬化する工程は、約30度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約5分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を再硬化する工程は、約35度から約135度の温度範囲で、持続時間約2分から約10分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を再硬化する工程は、約80度から約95度の温度範囲で、持続時間約1分から約10分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を再硬化する工程は、約85度から約90度の温度範囲で、持続時間約1.5分から約8分の範囲において行ってもよい。一実施例において、透明性光学材料層を再硬化する工程は、約90度の温度下で、持続時間約1.5分により行ってもよい。別の実施例において、透明性光学材料層を再硬化する工程は、約85度の温度下で、持続時間約8分により行ってもよい。
いくつかの実施形態において、この方法は、透明性光学材料層を加熱して溶媒容量を減らす工程と、モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付けて透明性光学材料層を変形させることで、複数の第1凸部を形成する工程と、透明性光学材料層を硬化させて複数の第1凸部の表面を修正する工程と、複数の第1凸部の表面を修正した後、モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに再押し付ける工程と、修正及び押し付けの工程を1回以上繰り返す工程と、を含む。透明性光学材料層を加熱する工程は、約10度から約110度の温度範囲で、持続時間約2分から約10分の範囲において行い、モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程は、約2気圧の圧力下で、持続時間約0.5分から約3分の範囲において行い、透明性光学材料層を硬化する工程は、約30度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約5分の範囲において行い、モールディングプレートと透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程は、約1.0気圧の圧力下で、持続時間約50秒から約5分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を加熱する工程は、約35度から約135度の温度範囲で、持続時間約50秒から約5分の範囲において行い、モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程は、約1.8気圧の圧力下で、持続時間約15秒から約150秒の範囲において行い、透明性光学材料層を硬化する工程は、約35度から約135度の温度範囲で、持続時間約2分から約10分の範囲において行い、モールディングプレートと透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程は、約1.0気圧の圧力下で、持続時間約10分から約20分の範囲において行ってもよい。
いくつかの実施形態において、この方法は、変形及び修正の工程の後、透明性光学材料層を焼成して、凹凸面を有し、複数の凸部を含む光抽出層を形成する工程を含む。焼成工程は、再押し付け工程で生じたミクロ応力、微細突起、微小チップ及びミクロ割れを減少又は除去して、複数の凸部の表面を略アール面とすることを目的とする。本発明の方法により作製される光抽出層には任意の微小チップ及び微細突起がなく、最終的に製造される発光ダイオード表示装置において部分放電欠陥が回避される。透明性光学材料層を焼成する工程は、約70度から約190度の温度範囲で、持続時間約1分から約30分の範囲において行ってもよい。透明性光学材料層を焼成する工程は、約80度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約20分の範囲において行ってもよい。一実施例において、透明性光学材料層を焼成する工程は、約120度の温度下で、持続時間約3分により行われる。別の実施例において、透明性光学材料層を焼成する工程は、約120度の温度下で、持続時間約18分により行われる。
いくつかの実施形態において、透明性光学材料層を形成する工程は、透明性光学材料を添加剤と混ぜて混合物を作る工程と、混合物を用いて透明性光学材料層を形成する工程と、を含む。添加剤は、厚みが均一な透明性光学材料層を形成しやすい化合物であってもよい。透明性光学材料層を作製にあたり混合物に添加剤を添加することで、混合材は優れた自己水平化特性を持つようになり、表面上に均一に分布されて、層全体の厚みが略均一な透明性光学材料層が形成される。その上、混合材には自己水平化特性があるため、透明性光学材料層の表面に微小チップや微細突起が形成されるのを回避できる。例えば、複数の第1凸部を有する透明性光学材料層の硬化工程又は焼成工程が行われるたびに、混合材の自己水平化特性のために、透明性光学材料層の表面又は光抽出層の表面に微小チップ、微細突起、ミクロ応力及びミクロ割れが形成されるのが避けられ、最終的に製造される発光ダイオード表示装置の性質がより優れたものとなる。
モールディングプレートは、弾性材料により作製されてもよい。モールディングプレートは、ポリシリコン、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリイミド及びフェノール樹脂からなる群から選択される弾性材料により作製されてもよい。モールディングプレートは、ポリジメチルシロキサンにより作製されてもよい。弾性材料により作製されたモールディングプレートを用いることで、透明性光学材料層の表面に微小チップ及び微細突起が形成されるのをさらに避けることができる。
透明性光学材料は硬化材料であってもよい。透明性光学材料は硬化ポリマー材料であってもよい。透明性光学材料は熱硬化材料であってもよい。透明性光学材料は熱硬化ポリマー材料であってもよい。透明性光学材料は、光硬化材料(例えば、紫外線硬化材料)であってもよい。透明性光学材料は、光硬化ポリマー材料(例えば、紫外線硬化ポリマー材料)であってもよい。
一実施例において、透明性光学材料は熱硬化材料である。光抽出層を形成する工程は、透明性光学材料を用いて透明性光学材料層を形成する工程と、約10度から約110度の温度範囲で、持続時間約2分から約10分の範囲において透明性光学材料層を加熱して溶媒容量を減少させる工程と、約2気圧の圧力下で、持続時間約0.5分から約3分の範囲においてモールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付けて透明性光学材料層を変形させ、モールディングプレートは、モールディングプレートの表面に複数の凹部を含み、複数の凹部を有する表面を透明性光学材料層に対し押し付けて、透明性光学材料層の表面に複数の第1凸部を形成する工程と、約30度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約5分の範囲において透明性光学材料層を硬化することで、複数の第1凸部の表面を修正する工程と、約1.0気圧の圧力下で、持続時間約50秒から約5分の範囲においてモールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに再押し付ける工程と、透明性光学材料層を焼成して、凹凸面を有し、複数の凸部を含む光抽出層を形成する工程と、を含む。このプロセスは、溶媒容量を減少する加熱工程と、複数の第1凸部の表面を修正する硬化工程と、加熱工程の後に行われる押し付け工程と、硬化工程の後に行われる再押し付け工程と、を含む。押し付け工程と再押し付け工程では、透明性光学材料層を変形させてその表面に複数の凸部を形成する。硬化工程と焼成工程では、押し付け工程と再押し付け工程において生じたミクロ応力、微細突起、微小チップ及びミクロ割れを減少又は除去する。
別の実施例において、透明性光学材料は光硬化材料である。光抽出層を形成する方法は、透明性光学材料を用いて透明性光学材料層を形成する工程と、約35度から約135度の温度範囲で、持続時間約50秒から約5分の範囲において透明性光学材料層を加熱して溶媒容量を減少させる工程と、約1.8気圧の圧力下で、持続時間約15秒から約150秒の範囲においてモールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付けて透明性光学材料層を変形させ、モールディングプレートは、モールディングプレートの表面に複数の凹部を含み、複数の凹部を有する表面を透明性光学材料層に対し押し付けて、透明性光学材料層の表面に複数の第1凸部を形成する工程と、約35度から約135度の温度範囲で、持続時間約2分から約10分の範囲において透明性光学材料層を硬化することで、複数の第1凸部の表面を修正する工程と、約1.0気圧の圧力下で、持続時間約10分から約20分の範囲においてモールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに再押し付ける工程と、透明性光学材料層を焼成して、凹凸面及び複数の凸部を有する光抽出層を形成する工程と、を含む。このプロセスは、溶媒容量を減少する加熱工程と、複数の第1凸部の表面を修正する硬化工程と、加熱工程の後に行われる押し付け工程と、硬化工程の後に行われる再押し付け工程と、を含む。押し付け工程と再押し付け工程では、透明性光学材料層を変形させてその表面に複数の凸部を形成する。硬化工程と焼成工程では、押し付け工程と再押し付け工程において生じたミクロ応力、微細突起、微小チップ及びミクロ割れを減少又は除去する。透明性光学材料は紫外線硬化材料であり、硬化工程は、紫外線を用いて透明性光学材料層を硬化する工程を含む。
いくつかの実施形態において、透明性光学材料層の表面に設けられる複数の第1凸部は、他の適切な方法により形成されてもよい。例えば、複数の第1凸部はリソグラフィ処理において形成されてもよい。この方法は、複数の第1凸部を形成した後、本開示で述べる硬化工程、再硬化工程、再押し付け工程及び焼成工程のうちのひとつ以上をさらに含んでもよい。
一実施例において、この方法は、透明性光学材料を用いて透明性光学材料層を形成する工程と、透明性光学材料層をパターニングして透明性光学材料層の表面に複数の凸部を形成する工程と、透明性光学材料層を硬化させて複数の第1凸部の表面を修正する工程と、を含む。この方法は、複数の第1凸部の表面を修正する工程の後に、モールディングプレートと透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程をさらに含んでもよい。この方法は、押し付け工程の後に、透明性光学材料層を少なくとも1回を再硬化する工程と、モールディングプレートと透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程をさらに含んでもよい。この方法は、透明性光学材料層を焼成して、凹凸面及び複数の凸部を有する光抽出層を形成する工程をさらに含んでもよい。
別の方面において、本開示は表示基板の製造方法を提供する。いくつかの実施形態において、表示基板の製造方法は、本開示で述べる光抽出層を製造する工程を含む。
別の方面において、本開示は表示装置の製造方法を提供する。いくつかの実施形態において、表示装置の製造方法は、本開示で述べる光抽出層を製造する工程を含む。表示装置は、液晶表示装置であってもよい。表示装置は、発光ダイオード表示装置であってもよい。
別の方面において、本開示は発光ダイオード表示装置の製造方法を提供する。いくつかの実施形態において、発光ダイオード表示装置の製造方法は、本開示で述べる光抽出層を製造する工程を含む。
本発明の方法により製造される光抽出層は様々な目的に利用できる。一実施例において、光抽出層は、液晶表示装置におけるバックライトの光利用効率を改善するのに利用できる。例えば、光抽出層は、液晶表示装置におけるバックライトの光路に配置してもよい。光抽出層は、バックライトと液晶表示装置の他の層との間のインターフェースにおける全内部反射に起因する、バックライトから発信される光線の光損失を軽減するように構成される。
別の実施例において、光抽出層は発光ダイオード表示装置、例えば、発光ダイオード表示装置に利用される。発光ダイオード表示装置は、有機発光ダイオード表示装置であってもよい。発光ダイオード表示装置は、量子ドット発光ダイオード表示装置であってもよい。
別の方面において、本開示は本発明の方法により製造される光抽出層を提供する。別の方面において、本開示は本発明の方法により製造される光抽出層を有する表示基板を提供する。別の方面において、本開示は本発明の方法により製造される光抽出層を有する表示パネルを提供する。別の方面において、本開示は本発明の方法により製造される光抽出層を有する表示装置を提供する。
別の方面において、本開示は、凹凸面を有し、凹凸面を形成する複数の凸部を含む、光抽出層を提供する。複数の凸部は、略アール面を有してもよい。複数の凸部は、各々略アール面を有してもよい。光抽出層は、例えば、樹脂等の光学ポリマー材料により作製されてもよい。光抽出層は屈折率が1.5以上の材料により作製されてもよい。凹凸面は、複数の凹部により間隔を置いた複数の凸部を含んでもよい。複数の凸部は、各々直径又は幅が約1μmから約500μmの範囲にあってもよく、例えば、約1μmから約10μm、約10μmから約100μm、約100μmから約250μm、約250μmから500μmであってもよい。光抽出層には、微小チップ及び微細突起がほぼなくてもよい。光抽出層には、ミクロ応力及びミクロ割れがほぼなくてもよい。
光抽出層は、単層構造を有してもよい。光抽出層は、互いにラミネートされた2つ以上のサブ層を含んでもよい。2つ以上のサブ層の屈折率は、発光方向、例えば、発光層から表示パネルの発光側に向かう方向に沿って増大してもよい。
光抽出層を作製するための透明性光学材料は、屈折率の比較的高い材料であってもよい。透明性光学材料は、屈折率が1.5以上であってもよい。
別の方面において、本開示は表示基板用のベース基板を提供する。いくつかの実施形態において、ベース基板は、支持基板と、支持基板上に設けられ、表示基板の光抽出効率を強化するための光抽出層と、を含む。光抽出層は、光抽出層の支持基板から離れた側に凹凸面を有する。複数の凸部は、略アール面を有してもよい。複数の凸部は、各々略アール面を有してもよい。光抽出層は、例えば、樹脂等の光学ポリマー材料により作製されてもよい。光抽出層は屈折率が1.5以上の材料により作製されてもよい。凹凸面は、複数の凹部により間隔を置いた複数の凸部を含んでもよい。
別の方面において、本開示は、本開示で述べる、又は本開示で述べる方法により製造される光抽出層を有する表示基板を提供する。別の方面において、本開示は、本開示で述べる、又は本開示で述べる方法により製造される光抽出層を有する表示パネルを提供する。別の方面において、本開示は、本開示で述べる、又は本開示で述べる方法により製造される光抽出層を有する表示装置を提供する。適切な表示装置の例には、電子ペーパー、携帯電話、タブレットコンピュータ、テレビ、モニタ、ノートパソコン、電子アルバム、GPS等が含まれるが、これらに限らない。表示装置は、発光ダイオード表示装置であってもよい。発光ダイオード表示装置は、有機発光ダイオード表示装置であってもよい。発光ダイオード表示装置は、量子ドット発光ダイオード表示装置であってもよい。
図6は、本開示のいくつかの実施形態における発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。図6を参照すると、いくつかの実施形態における発光ダイオード表示装置は、ベース基板10と、ベース基板10上に設けられる光抽出層2と、光抽出層2のベース基板10から離れた側に設けられる第1電極3と、第1電極3の光抽出層2から離れた側に設けられる発光層1と、発光層1の第1電極3から離れた側に設けられる第2電極4と、第2電極4の発光層1から離れた側に設けられる封止層5と、を含む。
いくつかの実施形態において、発光ダイオード表示装置は、ボトムエミッション型発光ダイオード表示装置である。ボトムエミッション型有機発光ダイオード表示装置における第1電極3は、透明導電材料により作製されてもよい。透明第1電極3を作製するための適切な透明導電材料の例には、酸化亜鉛、インジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムチタン酸化物及びインジウムガリウム亜鉛酸化物が含まれるがこれらに限らない。ボトムエミッション型有機発光ダイオード表示装置における第2電極4は、反射金属材料により作製されてもよい。反射第2電極4を作製する適切な反射金属材料の例には銀が含まれるが、これに限らない。
いくつかの実施形態において、発光ダイオード表示装置は、トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置である。トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置における第1電極3は、反射金属材料により作製されてもよい。反射第1電極3を作製する適切な反射金属材料の例には銀が含まれるが、これに限らない。トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置における第2電極4は、透明導電材料により作製されてもよい。透明第2電極4を作製するための適切な透明導電材料の例には、酸化亜鉛、インジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムチタン酸化物及びインジウムガリウム亜鉛酸化物が含まれるがこれらに限らない。
図7は、本開示のいくつかの実施形態における発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。図7を参照すると、いくつかの実施形態における発光ダイオード表示装置は、ベース基板10と、ベース基板10上に設けられる第1電極3と、第1電極3のベース基板10から離れた側に設けられる発光層1と、発光層1の第1電極3から離れた側に設けられる第2電極4と、第2電極4の発光層1から離れた側に設けられる光抽出層2と、光抽出層2の第2電極4から離れた側に設けられる封止層5と、を含む。
いくつかの実施形態において、発光ダイオード表示装置は、ボトムエミッション型発光ダイオード表示装置である。ボトムエミッション型有機発光ダイオード表示装置における第1電極3は、透明導電材料により作製されてもよい。透明第1電極3を作製するための適切な透明導電材料の例には、酸化亜鉛、インジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムチタン酸化物及びインジウムガリウム亜鉛酸化物が含まれるがこれらに限らない。ボトムエミッション型有機発光ダイオード表示装置における第2電極4は、反射金属材料により作製されてもよい。反射第2電極4を作製するための適切な反射金属材料の例には銀が含まれるが、これに限らない。
いくつかの実施形態において、発光ダイオード表示装置は、トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置である。トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置における第1電極3は、反射金属材料により作製されてもよい。反射第1電極3を作製するための適切な反射金属材料の例には銀が含まれるが、これに限らない。トップエミッション型有機発光ダイオード表示装置における第2電極4は、透明導電材料により作製されてもよい。透明第2電極4を作製するための適切な透明導電材料の例には、酸化亜鉛、インジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムチタン酸化物及びインジウムガリウム亜鉛酸化物が含まれるがこれらに限らない。
図8は、本開示のいくつかの実施形態における発光ダイオード表示装置の構造を示す模式図である。図8を参照すると、いくつかの実施形態における発光ダイオード表示装置は、ベース基板10と、ベース基板10上に設けられる光抽出層2と、光抽出層2のベース基板10から離れた側に設けられる第1電極3と、第1電極3の光抽出層2から離れた側に設けられる発光層1と、発光層1の第1電極3から離れた側に設けられる第2電極4と、第2電極4の発光層2から離れた側に設けられる第2光抽出層2’と、第2光抽出層2’の第2電極4から離れた側に設けられる封止層5と、を含む。
いくつかの実施形態において、発光ダイオード表示装置は、デュアルエミッション型発光ダイオード表示装置である。第1電極3及び第2電極4は、半透過・半反射電極材料により作製されてもよい。第1電極3の一部は反射金属材料により作製され、第1電極3の別の一部は透明導電材料により作製されてもよい。第2電極4の一部は反射金属材料により作製され、第2電極4の別の一部は透明導電材料により作製されてもよい。ベース基板10は、透明ベース基板10であってもよい。
本発明の実施形態に関する以上の記載は例示と説明を目的としており、全てを網羅している訳ではなく、また開示された形態そのものに本発明を限定するものでもない。それ故、上記記載は限定ではなく例示を目的としていると見なすべきであり、多くの変更や変形は当業者にとって明らかであろう。本発明の原理とそれが実際に適用される最良の形態を最も説明しやすいような実施形態を選択しそれについて記載することで、特定の用途又は想定される適用に適した本発明の様々な実施形態及び様々な変更を当業者に理解させることを目的とする。本開示に付した請求項及びその均等物により本発明の範囲を定義することが意図され、別途示唆しない限り、すべての用語は合理的な範囲内で最も広く解釈されるべきである。従って、「本発明」、「本開示」又はこれに類する用語は請求項の範囲を必ずしも特定の実施形態に限定せず、本発明の例示的実施形態に対する参照は本発明への限定を示唆するものではなく、かかる限定を推論すべきではない。本発明は付属する請求項の構想と範囲のみにより限定される。さらに、これらの請求項では後に名詞又は要素を伴って「第1」「第2」等という表現を用いる場合がある。特定の数量が示されない限り、このような用語は専用語であると理解すべきであり、修飾された要素の数量が上記専用語により限定されると解釈してはならない。記載した効果や利点はいずれも本発明のすべての実施形態に適用されるとは限らない。当業者であれば、以下の請求項により定義される本発明の範囲から逸脱せずに、記載した実施形態を変形できることが理解されよう。さらに、以下の請求項に明記されているか否かを問わず、本開示の要素及び部品のいずれも公衆に捧げる意図はない。

Claims (21)

  1. 透明性光学材料を用いて透明性光学材料層を形成する工程と、
    モールディングプレートの表面に複数の凹部を含むモールディングプレートを用いて、前記透明性光学材料層の表面に、前記複数の凹部とそれぞれ略相補的である複数の凸部を形成する工程と、
    を含む、凹凸面を有する光抽出層の製造方法。
  2. 前記複数の凸部を形成する工程は、前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層とを互いに押し付けて前記透明性光学材料層を変形させることで、前記透明性光学材料層の前記表面に複数の第1凸部を形成する工程を含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記透明性光学材料層を変形させる前に、
    前記透明性光学材料層を加熱して溶媒容量を減少させる工程をさらに含む、請求項2に記載の方法。
  4. 前記透明性光学材料層を変形させた後、
    前記透明性光学材料層を硬化して前記複数の第1凸部の表面を修正する工程をさらに含み、
    前記透明性光学材料は硬化材料である、請求項2に記載の方法。
  5. 前記複数の第1凸部の前記表面を修正した後、
    前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層とを少なくとも1回互いに再押し付ける工程をさらに含む、請求項4に記載の方法。
  6. 前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層とを互いに再押し付ける工程を繰り返した後、毎回前記透明性光学材料層を再硬化する工程をさらに含む、請求項5に記載の方法。
  7. 前記透明性光学材料層を変形させる前に、
    前記透明性光学材料層を加熱して溶媒容量を減少させる工程をさらに含み、
    前記方法は、前記透明性光学材料層を変形させた後に、
    前記透明性光学材料層を硬化して前記複数の第1凸部の表面を修正する工程と、
    前記複数の第1凸部の前記表面を修正する工程の後に、前記モールディングプレートと 前記透明性光学材料層とを互いに再押し付ける工程と、
    修正及び押し付け工程を少なくとも1回繰り返す工程と、
    をさらに含む請求項2に記載の方法。
  8. 前記透明性光学材料層を焼成して、前記凹凸面を有し、前記複数の凸部を含む前記光抽出層を形成する工程をさらに含む、請求項2に記載の方法。
  9. 前記複数の凹部は略アール面を有するように形成される、請求項1に記載の方法。
  10. 前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層とを互いに押し付ける工程は、約1.5気圧から約2.5気圧の圧力範囲で、持続時間約15秒から約3分の範囲において行う、請求項2に記載の方法。
  11. 前記透明性光学材料層を加熱する工程は、約10度から約135度の温度範囲で、持続時間約50秒から約10分の範囲において行う、請求項3に記載の方法。
  12. 前記透明性光学材料層を硬化する工程は、約30度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約10分の範囲において行う、請求項4に記載の方法。
  13. 前記モールディングプレートと前記透明性光学材料層を少なくとも1回互いに再押し付ける工程は、約1.0気圧から約1.5気圧の圧力範囲で、持続時間約50秒から約20分の範囲において行う、請求項5に記載の方法。
  14. 前記透明性光学材料層を再硬化する工程は、約30度から約140度の温度範囲で、持続時間約1分から約10分の範囲において行う、請求項6に記載の方法。
  15. 前記透明性光学材料層を焼成する工程は、約70度から約190度の温度範囲で、持続時間約1分から約30分の範囲において行う、請求項8に記載の方法。
  16. 前記透明性光学材料層を形成する工程は、
    前記透明性光学材料を添加剤と混ぜて混合物を作る工程と、
    前記混合物を用いて前記透明性光学材料層を形成する工程と、を含み、
    前記添加剤は、前記透明性光学材料層の厚みを均一にしやすいものである、請求項1に記載の方法。
  17. 請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法により製造される前記光抽出層を有する発光ダイオード表示装置。
  18. 凹凸面を有する光抽出層を有し、
    前記光抽出層は、略アール面を有する複数の凸部を含む、発光ダイオード表示装置。
  19. 前記光抽出層は屈折率が1.5以上である、請求項18に記載の発光ダイオード表示基板。
  20. 凹凸面を有する光抽出層を含み、
    前記光抽出層は、略アール面を有する複数の凸部を含む、発光ダイオードベース基板。
  21. 前記光抽出層は屈折率が1.5以上である、請求項20に記載の発光ダイオードベース基板。
JP2017544736A 2016-05-27 2017-02-28 光抽出層の製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示基板 Active JP6878285B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610365849.8 2016-05-27
CN201610365849.8A CN105870361B (zh) 2016-05-27 2016-05-27 光学膜的制作方法、光学器件、显示基板及显示装置
PCT/CN2017/075089 WO2017202096A1 (en) 2016-05-27 2017-02-28 Method of fabricating a light extraction layer, light emitting diode display apparatus, and light emitting diode display substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019522865A true JP2019522865A (ja) 2019-08-15
JP6878285B2 JP6878285B2 (ja) 2021-05-26

Family

ID=56642584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017544736A Active JP6878285B2 (ja) 2016-05-27 2017-02-28 光抽出層の製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示基板

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10205128B2 (ja)
EP (1) EP3465794B1 (ja)
JP (1) JP6878285B2 (ja)
KR (1) KR101981979B1 (ja)
CN (1) CN105870361B (ja)
WO (1) WO2017202096A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105870361B (zh) * 2016-05-27 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 光学膜的制作方法、光学器件、显示基板及显示装置
CN107123747B (zh) * 2017-06-14 2021-04-23 京东方科技集团股份有限公司 透明基板及其制备方法、和oled显示器件
KR102578545B1 (ko) 2017-12-19 2023-09-13 엘지디스플레이 주식회사 광학필름 및 이를 포함한 표시장치
KR20200101571A (ko) * 2019-02-19 2020-08-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11296296B2 (en) * 2019-11-06 2022-04-05 Applied Materials, Inc. Organic light-emtting diode light extraction layer having graded index of refraction
CN111040756A (zh) * 2019-12-16 2020-04-21 深圳扑浪创新科技有限公司 一种光学膜及制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086353A (ja) * 2001-09-11 2003-03-20 Nissan Chem Ind Ltd 有機el素子用透明性基板および有機el素子
JP2011003284A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 光取り出し構造体
JP2015219972A (ja) * 2014-05-14 2015-12-07 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 凹凸構造を有するフィルム部材

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2361356B (en) 2000-04-14 2005-01-05 Seiko Epson Corp Light emitting device
US6833667B2 (en) * 2002-02-27 2004-12-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and image forming apparatus or portable terminal unit using thereof
JP2004031221A (ja) * 2002-06-27 2004-01-29 Fuji Photo Film Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2004127661A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Sony Corp 表示装置の製造方法
JP4228026B2 (ja) * 2007-02-28 2009-02-25 日東電工株式会社 バックライトシステムおよび粘着剤付光学シート
CN101382606B (zh) * 2007-09-07 2010-06-09 迎辉科技股份有限公司 光学膜、成型光学膜的模具及模具的制造方法
CN101978780A (zh) * 2008-03-28 2011-02-16 住友化学株式会社 有机电致发光元件
DE102009025123A1 (de) * 2009-06-16 2010-12-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
JP2012178332A (ja) 2011-02-04 2012-09-13 Canon Inc 表示装置
JP5998600B2 (ja) * 2011-06-24 2016-09-28 三菱レイヨン株式会社 光学フィルム及びそれを用いた光学装置
JP5980797B2 (ja) * 2011-10-24 2016-08-31 三菱瓦斯化学株式会社 光拡散フィルム、光拡散フィルムの表面形状を規定する方法、および表面形状規定プログラムを記録した記録媒体
WO2014041795A1 (ja) 2012-09-11 2014-03-20 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明器具及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2015076147A1 (ja) 2013-11-22 2015-05-28 綜研化学株式会社 ステップアンドリピート方式のインプリント技術を用いた構造体の製造方法
CN206076288U (zh) 2016-05-27 2017-04-05 京东方科技集团股份有限公司 光学器件、显示基板及显示装置
CN105870361B (zh) * 2016-05-27 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 光学膜的制作方法、光学器件、显示基板及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086353A (ja) * 2001-09-11 2003-03-20 Nissan Chem Ind Ltd 有機el素子用透明性基板および有機el素子
JP2011003284A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Sumitomo Chemical Co Ltd 光取り出し構造体
JP2015219972A (ja) * 2014-05-14 2015-12-07 Jx日鉱日石エネルギー株式会社 凹凸構造を有するフィルム部材

Also Published As

Publication number Publication date
CN105870361A (zh) 2016-08-17
KR101981979B1 (ko) 2019-05-24
JP6878285B2 (ja) 2021-05-26
KR20180002591A (ko) 2018-01-08
CN105870361B (zh) 2017-12-01
EP3465794B1 (en) 2023-10-11
EP3465794A1 (en) 2019-04-10
EP3465794A4 (en) 2020-02-12
US20180241006A1 (en) 2018-08-23
WO2017202096A1 (en) 2017-11-30
US10205128B2 (en) 2019-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6878285B2 (ja) 光抽出層の製造方法、発光ダイオード表示装置及び発光ダイオード表示基板
WO2018040708A1 (zh) 准直光源、其制作方法及显示装置
TWI667782B (zh) 有機發光二極體顯示面板及包含其之有機發光二極體顯示裝置
US8755005B2 (en) Thin edge backlight with LEDS optically coupled to the back surface
WO2016082358A1 (zh) 有机发光二极管阵列基板及其制备方法、显示装置
JP5125717B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス発光装置および液晶表示装置
JPWO2012004975A1 (ja) 配光制御装置およびそれを用いた発光装置並びに配光制御装置の製造方法
CN106873073B (zh) 导光板及其制备方法、背光模组
JP2019527450A (ja) 表示基板、表示パネル及び表示装置
US7678595B2 (en) Method for forming a light emitting apparatus
US10367170B2 (en) Light emitting device with irregularities located on a first light transmissive substrate and a second light transmissive substrate
US9905808B2 (en) Organic light-emitting diode display device and its manufacturing method
CN106058068A (zh) 有机发光二极管和显示基板及其制作方法、显示器件
TWI671558B (zh) 發光裝置與液晶顯示器
US11018118B2 (en) Backlight device and manufacturing method thereof
US20110051248A1 (en) Hybrid Optical Film
US12032239B2 (en) Backlight unit using semiconductor light-emitting element
WO2024000355A1 (zh) 显示面板与显示装置
KR20200026672A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 백라이트 유닛
US11088172B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, liquid crystal display panel and liquid crystal apparatus
TWI847331B (zh) 封裝結構、顯示基板及其製作方法、顯示裝置
TW200824144A (en) Package structure for light-emitting component
CN117174703A (zh) Led模组、led模组的制作方法及显示装置
CN114551759A (zh) 盖板结构、显示模组及其制备方法
CN117406496A (zh) 光学膜片、背光模组和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190902

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200825

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200831

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210317

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210405

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210428

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6878285

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250