JP2019522609A - 高輝度ナノ構造体のためのコア/シェル量子ドット形態の改良法 - Google Patents
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Abstract
Description
(a)ナノ結晶コアを有機酸と接触させる工程、ここで、前記ナノ結晶コアと前記有機酸のモル比は約1:1〜約1:1000の間である;および
(b)(a)を約50℃〜約250℃の間の温度で加熱して、出発ナノ結晶コアに比べて球形度が増大したナノ構造体を得る工程
を含む、ナノ構造体を生産する方法を対象とする。
(a)ナノ結晶コアを有機酸と接触させる工程、ここで、前記ナノ結晶コアと前記有機酸のモル比は約1:1〜約1:1000の間である;
(b)(a)を約50℃〜約250℃の間の温度で加熱して、出発ナノ結晶コアに比べて球形度が増大したナノ構造体を得る工程;および
(c)(b)のナノ構造体を約200℃〜350℃の間の温度で約1分〜2時間の間加熱する工程
を含む、ナノ構造体の球形度を増大させる方法を対象とする。
(a)ナノ結晶コアを有機酸と接触させる工程、ここで、前記ナノ結晶コアと前記有機酸のモル比は約1:1〜約1:1000の間である;
(b)(a)を約50℃〜約250℃の間の温度で加熱して、出発ナノ結晶コアに比べて球形度が増大したナノ構造体を得る工程;
(c)(b)のナノ構造体を約200℃〜350℃の間の温度で約1分〜2時間の間加熱する工程;
(d)(c)のナノ構造体をシェル材料と接触させる工程;および
(e)(d)を約200℃〜約310℃の間の温度で加熱して、少なくとも一つのシェルを有するナノ構造体を得る工程
を含む、ナノ構造体の球形度を増大させる方法を対象とする。
(a)ナノ結晶コアを有機酸と接触させる工程、ここで、前記ナノ結晶コアと前記有機酸のモル比は約1:1〜約1:1000の間である;
(b)(a)を約50℃〜約250℃の間の温度で加熱して、出発ナノ結晶コアに比べて球形度が増大したナノ構造体を得る工程;
(c)(b)のナノ構造体が約200℃〜350℃の間の温度で約1分〜2時間の間加熱する工程;
(d)(b)のナノ構造体をシェル材料と接触させる工程;および
(e)(d)を約200℃〜約310℃の間の温度で加熱して、少なくとも一つのシェルを有するナノ構造体を得る工程
を含む、ナノ構造体の球形度を増大させる方法を対象とする。
(a)ナノ結晶コアを約150℃〜350℃の間の温度で約1分〜2時間の間加熱して、出発ナノ結晶コアに比べて球形度が増大したナノ構造体を得る工程
を含む、ナノ構造体の球形度を増大させる方法を提供する。
(a)ナノ結晶コアを約150℃〜350℃の間の温度で約1分〜2時間の間加熱して、出発ナノ結晶コアに比べて球形度が増大したナノ構造体を得る工程;
(b)生産されたナノ構造体を有機酸と接触させる工程;および
(c)(b)を約50℃〜約250℃の間の温度で加熱してナノ構造体を得る工程
を含むナノ構造体の球形度を増大させる方法を提供する。
(a)ナノ結晶コアを約150℃〜350℃の間の温度で約1分〜2時間の間加熱して、出発ナノ結晶コアに比べて球形度が増大したナノ構造体を得る工程;
(b)生産されたナノ構造体を有機酸と接触させる工程;
(c)(b)を約50℃〜約250℃の間の温度で加熱してナノ構造体を得る工程;
(d)生産されたナノ構造体をシェル材料と接触させる工程;および
(e)(d)を約200℃〜約310℃の間の温度で加熱して、少なくとも一つのシェルを有するナノ構造体を得る工程
を含む、ナノ構造体の球形度を増大させる方法を提供する。
(a)ナノ結晶コアを約150℃〜350℃の間の温度で約1分〜2時間の間加熱して、出発ナノ結晶コアに比べて球形度が増大したナノ構造体を得る工程;
(b)生産されたナノ構造体を有機酸と接触させる工程;
(c)(b)を約50℃〜約250℃の間の温度で加熱してナノ構造体を得る工程;
(d)生産されたナノ構造体をシェル材料と接触させる工程;および
(e)(d)を約200℃〜約310℃の間の温度で加熱して、少なくとも一つのシェルを有するナノ構造体を得る工程
を含む、ナノ構造体の球形度を増大させる方法を提供する。
(a)ナノ結晶コアを約150℃〜350℃の間の温度で約1分〜2時間の間加熱してナノ構造体を得る工程;
(b)生産されたナノ構造体をシェル材料で接触させる工程;および
(c)(d)を約200℃〜約310℃の間の温度で加熱して、少なくとも一つのシェルを有するナノ構造体を得る工程
を含む、ナノ構造体を生産する方法を提供する。
そうではないことが定義されない限り、本明細書で使用される全ての技術用語および科学用語は、本発明が属する技術分野の熟練者によって一般に理解されているものと同じ意味を有する。以下の定義は当業者を補い、本願に向けられ、いずれの関連するまたは無関連のケースにも、例えば、本願の権利者が所有するいずれの特許または特許出願にも帰属されるものではない。本明細書に記載されるものと類似または等価のいずれの方法および材料も本発明の試験のための実施において使用することができるが、本明細書には好ましい材料および方法が記載される。従って、本明細書で使用される技術用語は、特定の実施形態だけを述べるためのものではなく、限定を意図するものではない。
Ψ=(π1/3(6Vp)2/3)/Ap
式中、Vpは粒子の体積であり、Apは粒子の表面積である。球体の球形度は1であり、球体でない粒子は1未満の球形度を有する。
様々なナノ構造体のコロイド合成のための方法は当技術分野で公知である。このような方法としては、例えば得られるナノ構造体のサイズおよび/または形状分布を制御するためにナノ構造体の成長を制御するための技術が含まれる。
いくつかの実施形態では、コアは、コアに1以上のシェルを付着する前に酸でエッチングされる。
いくつかの実施形態では、コアは、1以上のシェルを付着する前にアニーリングされる。
いくつかの実施形態では、本発明のナノ構造体は、コアと少なくとも一つのシェルを含む。いくつかの実施形態では、本発明のナノ構造体は、コアと少なくとも二つのシェルを含む。シェルは、例えば、ナノ構造体の量子収率および/または安定性を高めることができる。いくつかの実施形態では、コアとシェルは異なる材料を含む。いくつかの実施形態では、ナノ構造体は、異なるシェル材料のシェル含む。
いくつかの実施形態では、コアまたはコア/シェルナノ構造体に付着されるシェルは、ZnSeシェルである。
いくつかの実施形態では、高輝度ナノ構造体は、内シェルと外シェルの間にシェル層を含む。いくつかの実施形態では、ナノ構造体は、ZnSexS1−xシェルを含み、ここで、0<x<1である。
いくつかの実施形態では、コアまたはコア/シェルナノ構造体に付着されるシェルは、ZnSシェルである。
いくつかの実施形態では、コア/シェルナノ構造体は、付加的シェルを付着する前に酸でエッチングされる。
いくつかの実施形態では、コア/シェルナノ構造体は、コア/ZnSe/ZnSナノ構造体またはコア/ZnSe/ZnSexS1−x/ZnSナノ構造体である。いくつかの実施形態では、コア/シェルナノ構造体は、InP/ZnSe/ZnSナノ構造体またはコア/ZnSe/ZnSexS1−x/ZnSナノ構造体である。
ナノ粒子の球形度を測定するための方法は当業者に公知である。いくつかの実施形態では、粒子形状の均一性または球形度の計測はTEM画像を使用することによって得てもよい。TEMは、電子ビームが検体に透過され、画像が形成され、拡大され、蛍光スクリーンもしくは写真フィルム層の上に現れるように向けられるか、または電荷結合素子(CCD)カメラなどのセンサによって検出されるイメージング技術である。TEMでは、粒子サイズ、サイズ分布、およびナノ粒子の形態などのナノ粒子に関する情報が得られる。
前駆体としてオレイン酸亜鉛、セレン化トリブチルホスフィン、およびオクタンチオールを用いる、280℃を超える温度での緑色InPコア上の厚いZnSe/ZnS多層シェルの付着を記載する。
in situ InPコア合成および酸エッチング
5g(0.0129mol)のトリオクチルホスフィンオキシド、1.45g(0.004967mol)の酢酸インジウム、3g(0.0498mol)のラウリン酸、および50mg(0.0272mmol)の酢酸亜鉛を反応フラスコに加えた。この混合物を真空下で40分間120℃に加熱し、次いで反応温度を窒素流下で300℃に上昇させた。この温度で、4gのトリオクチルホスフィン中、1gのトリス(トリメチルシリル)ホスフィンを反応フラスコに迅速に注入し、反応温度を260℃で維持した。1分後、加熱を取り去ることによって反応を停止させた。反応混合物を80℃に冷却し、1.2g(0.00599mol)のラウリン酸を反応フラスコに加えた。反応混合物の温度を40分間80℃で維持した。図3に示されるように、InPコアこの期間にエッチングされ、第一の励起子吸収ピークの15nmの青方偏移が見られた。反応混合物を加熱から取り出した。反応混合物が室温まで冷却されたところで、グローブボックス内で20mLのトルエンを反応混合物に加え、この混合物に50mLのエタノールを加えることによりInPドットを沈澱させ、その後、遠心分離およびデカンテーションを行った。得られたInPドットをヘキサンに溶かした。InP量子ドットの濃度は、350nmでのInPバルク吸光係数に基づくUV−Vis吸収測定により決定した。
緑色発光InP/ZnSe/ZnSドットを形成するためのin situ InP酸エッチングおよびシェル成長
ヘキサン溶液中、30mLの1−オクタデセン、1.2g(0.00599mol)のラウリン酸、および50mg(0.000343mol)のInPコアを反応フラスコに加えた。反応温度を10分間100℃に上昇させた。InPコアはこの期間にエッチングされた。
表1.非エッチコアおよびエッチコアからのInP/ZnSe/ZnSの光学特性
緑色アニーリングコア/シェルのための方法
ラウリン酸、トリオクチルホスフィンオキシド、1−オクタデセン、およびオレイルアミンを反応フラスコに加えた。この反応混合物を、反応フラスコの脱気を行いながら(3回パージの後真空のサイクル)100℃に加熱した。反応混合物を真空下で15分間100℃に保持した。この反応混合物にコアを注入した。反応混合物を210℃に加熱した後、反応混合物を140℃に冷却した。次に、反応混合物を10分かけて150℃の温度に上昇させた。
赤色アニーリングコア/シェルのための方法
ラウリン酸、トリオクチルホスフィンオキシド、1−オクタデセン、およびオレイルアミンを反応フラスコに加えた。この反応混合物を、反応フラスコの脱気を行いながら(3回パージの後真空のサイクル)100℃に加熱した。反応混合物を真空下で15分間100℃に保持した。この反応混合物にコアを注入した。反応混合物を270℃に加熱した後、反応混合物を140℃に冷却した。次に、反応混合物を10分かけて150℃の温度に上昇させた。
Claims (63)
- (a)ナノ結晶コアを有機酸と接触させる工程、ここで、前記ナノ結晶コアと前記有機酸のモル比は約1:1〜約1:1000の間である;および
(b)(a)を約50℃〜約250℃の間の温度で加熱してナノ構造体を得る工程
を含む、ナノ構造体を生産する方法。 - 前記ナノ結晶コアがInP、InZnP、InGaP、CdSe、CdS、CdSSe、CdZnSe、CdZnS、ZnSe、ZnSSe、InAs、InGaAs、またはInAsPナノ結晶である、請求項1に記載の方法。
- 前記ナノ結晶コアはInPナノ結晶である、請求項1または2に記載の方法。
- 前記有機酸がカルボン酸、ホスホン酸、またはスルホン酸である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機酸がラウリン酸、ヘキサン酸、オレイン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、オクチルホスホン酸、2−エチルヘキサン酸、ミリスチン酸、デカン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、リノール酸、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機酸がラウリン酸である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- (b)の前記加熱が約1分〜約6時間の間行われる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- (b)の前記加熱が約10分〜約50分の間行われる、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- (b)の前記加熱が約50℃〜約100℃の間の温度である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ナノ結晶コアと前記有機酸のモル比が約1:2〜約1:1000の間である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ナノ結晶コアと前記有機酸のモル比が約1:5〜約1:1000の間である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 生産される前記ナノ構造体が実質的に球形である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- (b)で生産される前記ナノ構造体が(a)の出発ナノ結晶コアに比べて球形度の増大を示す、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- (b)で生産される前記ナノ構造体が(a)の前記出発ナノ結晶コアに比べて約1%〜約10%の間の球形度の増大を示す、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ナノ構造体が精製を行わずにその後の工程で使用される、請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。
- (c)(b)の前記ナノ構造体を約200℃〜350℃の温度で約1分〜2時間の間加熱する工程をさらに含む、請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法。
- (d)(c)の前記ナノ構造体をシェル材料と接触させる工程;および
(e)(d)を約200℃〜約310℃の間の温度で加熱してナノ構造体に少なくとも一つのシェルを得る工程
をさらに含む、請求項16に記載の方法。 - (d)(b)の前記ナノ構造体をシェル材料と接触させる工程;および
(e)(d)を約200℃〜約310℃の間の温度で加熱してナノ構造体に少なくとも一つのシェルを得る工程
をさらに含む、請求項1〜15のいずれか一項に記載の方法。 - 前記シェル材料が亜鉛源、硫黄源、セレン源、およびテルル源のうち少なくとも二つを含む、請求項17または請求項18に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が10nm〜60nmの間の半値全幅(FWHM)を有する、請求項17〜19のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が10nm〜50nmの間のFWHMを有する、請求項17〜20のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が70%〜99%の間のフォトルミネセンス量子収率を示す、請求項17〜21のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が75%〜99%の間のフォトルミネセンス量子収率を示す、請求項17〜22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機酸はラウリン酸であり、(b)の前記加熱が約10分〜50分の間行われ、かつ、(b)の前記加熱が約50℃〜約100℃の間の温度である、請求項1〜23のいずれか一項に記載の方法。
- (a)ナノ結晶コアを約150℃〜350℃の間の温度で約1分〜2時間の間加熱して、前記出発ナノ結晶コアに比べて球形度が増大したナノ構造体を得る工程
を含む、ナノ構造体の球形度を増大させる方法。 - 前記ナノ結晶コアがInP、InZnP、InGaP、CdSe、CdS、CdSSe、CdZnSe、CdZnS、ZnSe、ZnSSe、InAs、InGaAs、またはInAsPナノ結晶である、請求項25に記載の方法。
- 前記ナノ結晶コアがInPナノ結晶である、請求項25または26に記載の方法。
- 前記加熱が約1分〜約200分の間行われる、請求項25〜27のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加熱が約10分〜約50分の間行われる、請求項25〜28のいずれか一項に記載の方法。
- 前記加熱が約150℃〜約300℃の間の温度である、請求項25〜29のいずれか一項に記載の方法。
- 生産される前記ナノ構造体が実質的に球形である、請求項25〜30のいずれか一項に記載の方法。
- 生産される前記ナノ構造体が出発ナノ結晶コアに比べて約1%〜約10%の間の球形度の増大を示す、請求項25〜31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ナノ構造体が精製を行わずにその後の工程で使用される、請求項25〜32のいずれか一項に記載の方法。
- (b)前記生産されたナノ構造体を有機酸と接触させる工程;および
(c)(b)を約50℃〜約250℃の間の温度で加熱してナノ構造体を得る工程
をさらに含む、請求項25〜33のいずれか一項に記載の方法。 - 前記有機酸がカルボン酸、ホスホン酸、またはスルホン酸である、請求項34に記載の方法。
- 前記有機酸がラウリン酸、ヘキサン酸、オレイン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、オクチルホスホン酸、2−エチルヘキサン酸、ミリスチン酸、デカン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、リノール酸、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項34または35に記載の方法。
- 前記有機酸がラウリン酸である、請求項34〜36のいずれか一項に記載の方法。
- (d)前記生産されたナノ構造体をシェル材料と接触させる工程;および
(e)(d)を約200℃〜約310℃の間の温度で加熱してナノ構造体に少なくとも一つのシェルを得る工程
をさらに含む、請求項34〜37のいずれか一項に記載の方法。 - (b)生産されたナノ構造体をシェル材料と接触させる工程;および
(c)(b)を約200℃〜約310℃の温度で加熱してナノ構造体に少なくとも一つのシェルを得る工程
をさらに含む、請求項25〜33のいずれか一項に記載の方法。 - 前記シェル材料が亜鉛源、硫黄源、セレン源、およびテルル源のうち少なくとも一つを含む、請求項38または39に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が10nm〜60nmの間の半値全幅(FWHM)を有する、請求項38〜40のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が10nm〜50nmの間のFWHMを有する、請求項38〜41のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が70%〜99%の間のフォトルミネセンス量子収率を有する、請求項38〜42のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が75%〜99%の間のフォトルミネセンス量子収率を有する、請求項38〜42のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ナノ結晶コアが約200℃〜300℃の間の温度で約1分〜200分の間加熱される、請求項25〜44のいずれか一項に記載の方法。
- (a)ナノ結晶コアを約150℃〜350℃の間の温度で約1分〜2時間の間加熱してナノ構造体を得る工程;
(b)前記生産されたナノ構造体をシェル材料と接触させる工程;および
(c)(d)を約200℃〜約310℃の間の温度で加熱してナノ構造体に少なくとも一つのシェルを得る工程
を含む、ナノ構造体を生産する方法。 - 前記ナノ結晶コアがInP、InZnP、InGaP、CdSe、CdS、CdSSe、CdZnSe、CdZnS、ZnSe、ZnSSe、InAs、InGaAs、またはInAsPナノ結晶である、請求項46に記載の方法。
- 前記ナノ結晶コアがInPナノ結晶である、請求項46または47に記載の方法。
- (c)で生産される前記ナノ構造体が実質的に球形である、請求項46〜48のいずれか一項に記載の方法。
- (c)で生産される前記ナノ構造体が(a)の出発ナノ結晶コアに比べて球形度の増大を示す、請求項46〜49のいずれか一項に記載の方法。
- (c)で生産される前記ナノ構造体が(a)の前記出発ナノ結晶コアに比べて約1%〜約10%の間の球形度の増大を示す、請求項46〜50のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ナノ構造体が精製を行わずにその後の工程で使用される、請求項46〜51のいずれか一項に記載の方法。
- 前記シェル材料が亜鉛源、硫黄源、セレン源、およびテルル源のうち少なくとも二つを含む、請求項46〜52のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が10nm〜60nmの間の半値全幅(FWHM)を有する、請求項46〜53のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が10nm〜50nmの間のFWHMを有する、請求項46〜54のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が70%〜99%の間のフォトルミネセンス量子収率を示す、請求項46〜55のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを有する前記ナノ構造体が75%〜99%の間のフォトルミネセンス量子収率を示す、請求項46〜56のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つのシェルを含むナノ構造体の集団であって、実質的に球形であり、かつ、10nm〜60nmの間のFWHMを有する、集団。
- 10nm〜50nmの間のFWHMを有する、請求項58に記載のナノ構造体の集団。
- 完全球形から約1%〜約8%の間のばらつきがある、請求項58または請求項59に記載のナノ構造体の集団。
- 完全球形から約1%〜約4%の間のばらつきがある、請求項58〜60のいずれか一項に記載のナノ構造体の集団。
- 70%〜99%の間のフォトルミネセンス量子収率を示す、請求項58〜61のいずれか一項に記載のナノ構造体の集団。
- 75%〜99%の間のフォトルミネセンス量子収率を示す、請求項58〜62のいずれか一項に記載のナノ構造体の集団。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662338864P | 2016-05-19 | 2016-05-19 | |
US62/338,864 | 2016-05-19 | ||
PCT/US2017/033503 WO2017201386A1 (en) | 2016-05-19 | 2017-05-19 | Method to improve the morphology of core/shell quantum dots for highly luminescent nanostructures |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019522609A true JP2019522609A (ja) | 2019-08-15 |
JP7062600B2 JP7062600B2 (ja) | 2022-05-06 |
Family
ID=59014744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018560089A Active JP7062600B2 (ja) | 2016-05-19 | 2017-05-19 | 高輝度ナノ構造体のためのコア/シェル量子ドット形態の改良法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10316250B2 (ja) |
EP (1) | EP3458545B1 (ja) |
JP (1) | JP7062600B2 (ja) |
KR (1) | KR102481314B1 (ja) |
CN (1) | CN109312228B (ja) |
AU (1) | AU2017267735B2 (ja) |
CA (1) | CA3024169A1 (ja) |
WO (1) | WO2017201386A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI596188B (zh) * | 2012-07-02 | 2017-08-21 | 奈米系統股份有限公司 | 高度發光奈米結構及其製造方法 |
KR102600042B1 (ko) * | 2018-01-11 | 2023-11-08 | 삼성전자주식회사 | 비카드뮴계 양자점 |
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-
2017
- 2017-05-19 KR KR1020187036760A patent/KR102481314B1/ko active IP Right Grant
- 2017-05-19 CN CN201780030780.6A patent/CN109312228B/zh active Active
- 2017-05-19 EP EP17728319.9A patent/EP3458545B1/en active Active
- 2017-05-19 AU AU2017267735A patent/AU2017267735B2/en active Active
- 2017-05-19 US US15/599,848 patent/US10316250B2/en active Active
- 2017-05-19 JP JP2018560089A patent/JP7062600B2/ja active Active
- 2017-05-19 CA CA3024169A patent/CA3024169A1/en active Pending
- 2017-05-19 WO PCT/US2017/033503 patent/WO2017201386A1/en unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7062600B2 (ja) | 2022-05-06 |
CN109312228A (zh) | 2019-02-05 |
US10316250B2 (en) | 2019-06-11 |
CA3024169A1 (en) | 2017-11-23 |
KR20190010608A (ko) | 2019-01-30 |
AU2017267735A1 (en) | 2018-11-22 |
WO2017201386A1 (en) | 2017-11-23 |
AU2017267735B2 (en) | 2021-11-04 |
EP3458545A1 (en) | 2019-03-27 |
US20170335187A1 (en) | 2017-11-23 |
EP3458545B1 (en) | 2020-10-21 |
CN109312228B (zh) | 2022-02-25 |
KR102481314B1 (ko) | 2022-12-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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