JP2019510971A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 方法であって、
   他のマイクロ電子デバイスを備える基板ウェハの一部であるマイクロ電子デバイスの磁化可能な構造的特徴であって、ボンドパッドを含み、フラックスゲート磁気計コアを含む前記マイクロ電子デバイスの磁気センサ構成要素から分離された前記磁化可能な構造的特徴に、前記磁場に平行に前記磁化可能な構造的特徴の磁気モーメントを整合させるために所定の期間の間、浮遊磁場より大きい磁場を印加することと、
   前記所定の期間の後に前記磁場の印加を中断することと、
   を含む、方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、
   前記磁場が少なくとも１０ミリテスラ（ｍＴ）である、方法。
3. 請求項１に記載の方法であって、
   前記磁化可能な材料がニッケルを含む、方法。
4. 請求項１に記載の方法であって、
   前記磁場が前記基板の頂部表面に平行に向けられる、方法。
5. 請求項１４に記載の方法であって、
   前記磁気センサ構成要素が磁気抵抗センサを含む、方法。
6. 請求項１に記載の方法であって、
   前記磁場が前記磁気センサ構成要素のフィールド測定軸に垂直に向けられる、方法。
7. 請求項１に記載の方法であって、
   前記磁場がハルバッハデバイスを用いて印加される、方法。
8. 請求項１に記載の方法であって、
   前記磁場が前記磁場を生成するため電流を用いて印加される、方法。
9. 請求項８に記載の方法であって、
   前記磁場がヘルムホルツコイルを用いて印加される、方法。
10. 方法であって、
    他のマイクロ電子デバイスを備える基板ウェハの一部であるマイクロ電子デバイスの磁化可能な構造的特徴であって、ボンドパッドを含み、ホールプレートを含む前記マイクロ電子デバイスの磁気センサ構成要素から分離された前記磁化可能な構造的特徴に、前記磁化可能な構造的特徴の磁気モーメントを前記磁場に平行に整合させるために所定の期間の間、浮遊磁場よりも大きい磁場を印加することと、
    前記所定の期間の後に前記磁場の印加を中断することと、
    を含む、方法。
11. 方法であって、
    第１のマイクロ電子デバイスの磁気センサ構成要素から分離された前記第１のマイクロ電子デバイスの磁化可能な構造的特徴に、前記磁化可能な構造的特徴の磁気モーメントを前記磁場に平行に整合させるために所定の期間の間、浮遊磁場よりも大きい磁場を印加することと、
    前記所定の期間の後に前記磁場の印加を中断することと、
    磁気センサ構成要素と磁化可能な構造的特徴とを含む第２のマイクロ電子デバイスにテスト磁場を印加することと、
    その後に前記第２のマイクロ電子デバイスの前記磁気センサ構成要素のパラメータの値を測定することと、
    前記磁場を前記第１のマイクロ電子デバイスに印加する前に、前記第２のマイクロ電子デバイスに印加される前記磁場にとって所望の方位を推定するために前記パラメータの前記測定された値を用いることと、
    を含む、方法。
12. 方法であって、
    マイクロ電子デバイスの磁気センサ構成要素から分離された前記マイクロ電子デバイスの磁化可能な構造的特徴に、前記磁化可能な構造的特徴の磁気モーメントを前記磁場に平行に整合させるために所定の期間の間、浮遊磁場よりも大きい磁場を印加することと、
    前記所定の期間の後に前記磁場の印加を中断することと、
    コンピュータ可読メモリから前記マイクロ電子デバイスの磁気特性の値を読むことと、
    前記磁気特性の値を用いて、前記磁化可能な構造的特徴の前記磁気モーメントのテスト方位の関数として前記磁気センサ構成要素のパラメータの値を推定することと、
    前記磁場を前記マイクロ電子デバイスに印加する前に、前記パラメータの前記推定された値を用いて、前記マイクロ電子デバイスに印加される前記磁場にとって所望の方位を推定することと、
    を含む、方法。
13. 方法であって、
    能動回路とフラックスゲート磁気計コアとを収容するパッケージに配置される磁化可能な構造的特徴に、前記フラックスゲート磁気計コアの選択されたゼロフィールドオフセットのために前記磁化可能な構造的特徴の磁気モーメントを前記磁場に平行に整合させるために所定の期間の間、浮遊磁場より大きい磁場を印加することと、
    前記所定の期間の後に前記磁場の印加を中断することと、
    を含む、方法。
14. 請求項１３に記載の方法であって、
    前記磁場が少なくとも１０ｍＴである、方法。
15. 請求項１３に記載の方法であって、
    前記パッケージの前記磁化可能な構造的特徴が金属リードを含む、方法。