JP2019502761A - ((r)−3−[(−1−メチルピロリジン−2−イル)メチル]−5−(2−フェニルスルホニルエチル)−1h−インドールを作製する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
が現在も必要とされている。
i)触媒の存在下で、化合物Aと、フェニルビニルスルホン及び塩基とを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート・HX、化合物Iを生じる工程と、
を含む、本発明の第1の態様の新規化合物Iの作製方法に関する。
i)エレトリプタンと、酸HAとを反応させて、エレトリプタンの新規な酸付加塩である化合物IIを製造する工程と、
ii)工程i)で得られた化合物IIを従来の単離技術によって単離する工程と、
を含む、本発明の第4の態様のエレトリプタンの新規な酸付加塩である化合物IIの作製方法に関する。
少なくとも、
a)エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程と、
b)工程a)で得られたエレトリプタンを従来の単離技術によって単離する工程と、
c)任意に、工程b)のエレトリプタンを従来の精製技術によって精製する工程と、
d)任意に、工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンをその薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程と、
を含む、方法を提供する。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程と、
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化してエレトリプタンを生じる工程と、
i.工程b)で得られたエレトリプタンを酸HAで処理してエレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程、
ii.工程i)で得られた化合物IIを従来の単離技術によって単離する工程、及び、
iii.工程ii)で得られた化合物IIを塩基で処理してエレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを従来の単離技術によって単離する工程と、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを従来の精製技術によって精製する工程と、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られたトリプタンをその薬学的に許容可能な塩又は共結晶に変換する工程と、
を含む、方法を提供する。
本明細書で使用される、「有機溶媒」という用語は、少なくとも部分的に別の物質(すなわち、溶質)を溶解することができる炭素を含む物質を指す。有機溶媒は、室温で液体の場合がある。有機溶媒は、2以上の有機溶媒の組み合わせによって形成されていてもよい。
i)触媒の存在下で、化合物Aと、フェニルビニルスルホン及び塩基とを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート・HX、化合物Iを生じる工程:
i)触媒の存在下で、化合物Aと、フェニルビニルスルホン及び塩基とを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート・HX、化合物Iを生じる工程、
なお、塩基はアンモニア誘導体、金属オルトリン酸塩、及び金属炭酸塩から選択される;
ii)工程i)で得られた化合物Iを従来の単離技術によって単離する工程。
i)触媒の存在下で、化合物Aと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート・HX、化合物Iを生じる工程、
なお、上記反応は50℃〜還流温度にて反応媒質としての有機溶媒の存在下で進行する;
ii)工程i)で得られた化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
i)触媒の存在下で、化合物Aと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンと反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート・HX、化合物Iを生じる工程、
なお、上記反応は、50℃〜還流温度にて反応媒質としての有機溶媒の存在下で進行し、フェニルビニルスルホンに対する化合物Aのモル比は1:1〜1:2であり得る;
ii)工程i)で得られた上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
i)触媒の存在下で、化合物Aと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート・HX、化合物Iを生じる工程、
なお、上記反応は、50℃〜還流温度にて反応媒質として、1,4−ジオキサン、アセトニトリル若しくはエタノール、又はそれらの混合物から選択される有機溶媒の存在下で進行し、フェニルビニルスルホンに対する化合物Aのモル比は、1:1〜1:2であり得る;
ii)工程i)で得られた上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
i)触媒としてのトリ−オルトトリルホスフィンの存在下、Pd(OAc)2の存在下、化合物Aと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート・HX、化合物Iを生じる工程、
なお、上記反応は、還流温度にて反応媒質としてアセトニトリルの存在下で進行し、フェニルビニルスルホンに対する化合物Aのモル比は1:1〜1:2であり得る;
ii)工程i)で得られた上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
i)触媒としてのトリ−オルトトリルホスフィンの存在下、Pd(OAc)2の存在下、化合物Aと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート・HX、化合物Iを生じる工程、
なお、上記反応は、還流温度にて反応媒質としてアセトニトリルの存在下で進行し、フェニルビニルスルホンに対する化合物Aのモル比は1:1〜1:1.1であり得る;
ii)工程i)で得られた上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
i)触媒としてのトリ−オルトトリルホスフィンの存在下、Pd(OAc)2の存在下、化合物Aと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート・HX、化合物Iを生じる工程、
なお、上記反応は、還流温度にて反応媒質としてアセトニトリルの存在下で進行し、フェニルビニルスルホンに対する化合物Aのモル比は1:1〜1:1.1であり得て、さらに、塩基に対する化合物Aのモル比は約1:1.5である;
ii)工程i)で得られた上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
iii)触媒の存在下で、tert−ブチル(R)−5−ブロモ−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−1H−インドール−1−カルボキシレートと、フェニルビニルスルホン及び塩基とを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート臭化水素酸塩、化合物Iを生じる工程、
iv)工程i)で得られた上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
iii)触媒の存在下で、tert−ブチル(R)−5−ブロモ−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−1H−インドール−1−カルボキシレートと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート臭化水素酸塩、化合物Iを生じる工程、
iv)工程i)で得られた上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
iii)触媒の存在下で、tert−ブチル(R)−5−ブロモ−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−1H−インドール−1−カルボキシレートと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート臭化水素酸塩、化合物Iを生じる工程、
iv)工程i)で得られた上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
iii)触媒の存在下で、tert−ブチル(R)−5−ブロモ−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−1H−インドール−1−カルボキシレートと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート臭化水素酸塩、化合物Iを生じる工程、
iv)工程i)で得られた上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
iii)Pd(OAc)2の存在下、触媒としてのトリ−オルトトリルホスフィンの存在下で、tert−ブチル(R)−5−ブロモ−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−1H−インドール−1−カルボキシレートと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート臭化水素酸塩、化合物Iを生じる工程、
iv)工程i)で得られる上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
iii)Pd(OAc)2の存在下、触媒としてのトリ−オルトトリルホスフィンの存在下で、tert−ブチル(R)−5−ブロモ−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−1H−インドール−1−カルボキシレートと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート臭化水素酸塩、化合物Iを生じる工程、
iv)工程i)で得られる上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
iii)Pd(OAc)2の存在下、触媒としてのトリ−オルトトリルホスフィンの存在下で、tert−ブチル(R)−5−ブロモ−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−1H−インドール−1−カルボキシレートと、フェニルビニルスルホン及びトリエチルアミンとを反応させて、tert−ブチル(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール−1−カルボキシレート臭化水素酸塩、化合物Iを生じる工程、
iv)工程i)で得られる上記化合物Iを、従来の単離技術によって単離する工程。
(i)およそ16.3、18.1、19.2、19.8、21.6、及び26.0±0.2°度2シータ(すなわちブラッグ角)で特徴的なピークを有する粉体X線回折(PXRD)パターン;又は、
(ii)およそ150℃〜153℃でオンセット及びおよそ151℃〜154℃で最大の吸熱ピークを示すDSCサーモグラム、
の少なくとも1つを特徴とする、結晶の新規化合物IIを提供する。
i)エレトリプタンと、酸HAとを反応させて、エレトリプタンの新規な酸付加塩である化合物IIを産生する工程。
i)エレトリプタンと、酸HAとを反応させて、エレトリプタンの新規な酸付加塩である化合物IIを産生する工程、
なお、HAは(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水一水和物から選択され、エレトリプタンに対する酸の比率1:1(mol/mol)〜2:1(mol/mol)であり、反応媒質として有機溶媒が存在する;
ii)工程i)で得られた化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程。
i)エレトリプタンと、酸HAとを反応させて、エレトリプタンの新規な酸付加塩である化合物IIを産生する工程、
なお、HAは(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水一水和物から選択され、エレトリプタンに対する酸の比率約1:1であり、反応媒質として有機溶媒が存在する;
ii)工程i)で得られた化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程。
i)エレトリプタンと、酸HAとを反応させて、エレトリプタンの新規な酸付加塩である化合物IIを産生する工程、
なお、HAは(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水一水和物であり、エレトリプタンに対する酸の比率約1:1であり、反応媒質としてメタノール、エタノール、アセトン、テトラヒドロフラン、又は酢酸エチルから選択される有機溶媒が存在する;
ii)工程i)で得られた化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程。
a)エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを水性塩基で処理してエレトリプタンを生じる工程。
c)任意に、工程b)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程。
d)任意に、工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。エレトリプタンの塩又は共結晶は、エレトリプタンを、−10℃〜100℃の温度で薬学的に許容可能な酸と接触させることにより作製され得る。
a)エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを、室温で酢酸イソプロピル中のアンモニア水で処理して、エレトリプタンを生じる工程、
b)工程a)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
c)工程b)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
d)任意に、工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンをその薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。エレトリプタンの塩又は共結晶は、エレトリプタンを−10℃〜100℃の温度で薬学的に許容可能な酸と接触させることにより作製され得る。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程:
i.工程b)で得られた上記エレトリプタンを酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程:
iii.工程ii)で得られた化合物IIを水性塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
(ここで、化合物Iにおいて、Bocはtert−ブチルオキシカルボニル保護基であり、XはCl、Br、又はIから選択されるハロゲン;アリールジアゾニウム塩及びヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トシレート、メシレート、塩化スルホニル、酸塩化物、リン酸塩及びスルホキシドから選択される擬ハロゲンから選択される好適な塩対イオンであり、XはCl及びBrであることが好ましく、XはBrであることが最も好ましい)
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iを酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVを容易に形成させることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程、
i.工程b)で得られた上記エレトリプタンを酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた上記化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIを水性塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程、
なお、上記エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを有機溶媒中の水性塩基と混合してエレトリプタンを生じる;
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られた上記エレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
(ここで、化合物Iにおいて、Bocはtert−ブチルオキシカルボニル保護基であり、XはCl、Br、又はIから選択されるハロゲン;アリールジアゾニウム塩及びヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トシレート、メシレート、塩化スルホニル、酸塩化物、リン酸塩及びスルホキシドから選択される擬ハロゲンから選択される好適な塩対イオンであり、XはCl及びBrであることが好ましく、XはBrであることが最も好ましい)
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iをトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVを容易に形成させることができる。
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られた上記エレトリプタンを溶媒中の酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた上記化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIを、水性塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られた上記エレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
(ここで、化合物Iにおいて、Bocはtert−ブチルオキシカルボニル保護基であり、XはCl、Br、又はIから選択されるハロゲン;アリールジアゾニウム塩及びヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トシレート、メシレート、塩化スルホニル、酸塩化物、リン酸塩及びスルホキシドから選択される擬ハロゲンから選択される好適な塩対イオンであり、XはCl及びBrであることが好ましく、XはBrであることが最も好ましい)
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iをトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVを容易に形成させることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られた上記エレトリプタンをメタノール中の酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた上記化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIを水性塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られた上記エレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
(ここで、化合物Iにおいて、Bocはtert−ブチルオキシカルボニル保護基であり、XはCl、Br、又はIから選択されるハロゲン;アリールジアゾニウム塩及びヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トシレート、メシレート、塩化スルホニル、酸塩化物、リン酸塩及びスルホキシドから選択される擬ハロゲンから選択される好適な塩対イオンであり、XはCl及びBrであることが好ましく、XはBrであることが最も好ましい)
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iをトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVを容易に形成させることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られた上記エレトリプタンを還流温度にて、メタノール中の酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた上記化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIを水性塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られた上記エレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
(ここで、化合物Iでは、Bocはtert−ブチルオキシカルボニル保護基であり、XはCl、Br、又はIから選択されるハロゲン;アリールジアゾニウム塩及びヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トシレート、メシレート、塩化スルホニル、酸塩化物、リン酸塩及びスルホキシドから選択される擬ハロゲンから選択される好適な塩対イオンであり、XはCl及びBrであることが好ましく、XはBrであることが最も好ましい)
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iを塩化メチレン中のトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVの形成を容易にすることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られたエレトリプタンを、還流温度にてメタノール中の酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAは、(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIをアンモニアである水性塩基で処理することにより、エレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られたエレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
(ここで、化合物Iでは、Bocはtert−ブチルオキシカルボニル保護基であり、XはCl、Br、又はIから選択されるハロゲン;アリールジアゾニウム塩及びヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トシレート、メシレート、塩化スルホニル、酸塩化物、リン酸塩及びスルホキシドから選択される擬ハロゲンから選択される好適な塩対イオンであり、XはCl及びBrであることが好ましく、XはBrであることが最も好ましい)
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iを15℃〜25℃の間の温度にて塩化メチレン中のトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVの形成を容易にすることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られたエレトリプタンを、還流温度にてメタノール中の酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAは、(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIを溶媒中のアンモニアである水性塩基で処理することにより、エレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られたエレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
(ここで、化合物Iでは、Bocはtert−ブチルオキシカルボニル保護基であり、XはCl、Br、又はIから選択されるハロゲン;アリールジアゾニウム塩及びヨードニウム塩、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、トシレート、メシレート、塩化スルホニル、酸塩化物、リン酸塩及びスルホキシドから選択される擬ハロゲンから選択される好適な塩対イオンであり、XはCl及びBrであることが好ましく、XはBrであることが最も好ましい)
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iを15℃〜25℃の間の温度にて塩化メチレン中のトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVの形成を容易にすることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られたエレトリプタンを、還流温度にてメタノール中の酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAは、(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIをメタノール中のアンモニアである水性塩基で処理することにより、エレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られたエレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iを酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して、化合物IVを容易に形成させることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られたエレトリプタンを酸HAで処理してエレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた化合物IIを水性塩基によって処理してエレトリプタンを生じる工程、
なお、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを有機溶媒中、水性塩基と混合してエレトリプタンを生じる;
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られたエレトリプタンをその薬学的に許容可能な塩又は共結晶に変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iをトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して、化合物IVを容易に形成させることができる。
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られたエレトリプタンを溶媒中の酸HAで処理してエレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた化合物IIを水性塩基によって処理してエレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られたエレトリプタンをその薬学的に許容可能な塩又は共結晶に変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iをトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して、化合物IVを容易に形成させることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られたエレトリプタンをメタノール中の酸HAで処理してエレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた化合物IIを水性塩基によって処理してエレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られたエレトリプタンをその薬学的に許容可能な塩又は共結晶に変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iをトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVを容易に形成させることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られた上記エレトリプタンを還流温度にて、メタノール中の酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた上記化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIを水性塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られた上記エレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iを塩化メチレン中のトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVを容易に形成させることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られた上記エレトリプタンを還流温度にて、メタノール中の酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた上記化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIをアンモニアである水性塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られた上記エレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iを15℃〜25℃の間の温度にて、塩化メチレン中のトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVを容易に形成させることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られた上記エレトリプタンを還流温度にて、メタノール中の酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた上記化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIを溶媒中のアンモニアである水性塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られた上記エレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
a)化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程、
なお、Boc保護基を排除するため、化合物Iを15℃〜25℃の間の温度にて塩化メチレン中のトリフルオロ酢酸で処理して、化合物IVを生じる。また、その混合物を撹拌して化合物IVを容易に形成させることができる;
b)工程a)で得られた化合物IVを水和して、エレトリプタンを生じる工程、
c)任意に、以下の工程によってエレトリプタンを精製する工程:
i.工程b)で得られた上記エレトリプタンを還流温度にてメタノール中の酸HAで処理して、エレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程(ここで、HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸無水物又は(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である)、
ii.工程i)で得られた上記化合物IIを、従来の単離技術によって単離する工程、
iii.工程ii)で得られた上記化合物IIをメタノール中のアンモニアである水性塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られたエレトリプタンを、従来の単離技術によって単離する工程、
e)任意に、工程d)のエレトリプタンを、従来の精製技術によって精製する工程、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られた上記エレトリプタンを、その薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程。
本発明の化合物を、以下の方法を使用する、粉体X線回折(PXRD)、示差走査熱量測定(DSC)及び熱重量測定(TGA)等の一般的な分析技術によって特性評価した。
データ収集:測定される結晶を、操作用の保護オイルとしてペルフルオロポリエーテルに浸漬された不活性条件下で用意した。APPEX 24K CCD領域検出器と、MoKα放射線(0.71073A)を使用するMicrofocus Source E025 IuSと、モノクロメーターとしてのQuazar MX multilayer Opticsと、Oxford Cryosystems低温装置Cryostream 700 plus(T=−173℃)とを備えるApex DUO Kappa4軸ゴニオメータを使用して、結晶構造決定を行った。全球体のデータ収集をω及びΦスキャンにより使用した。使用したプログラム:データ収集APEX−21、データ整理Bruker Saint2 V/.60A、及び吸収補正TWINABS3。
アセトニトリル(75mL)中の(R)−5−ブロモ−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−1H−インドール(25g、85.3mmol)の溶液にDMAP(0.52g、4.3mmol)を添加した。得られた懸濁物に、アセトニトリル50mL中Boc2O(21.4g、98.0mmol)の溶液を添加した。上記反応物を室温で2時間撹拌し、tert−ブチル−(R)−5−ブロモ−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−1H−インドール−1−カルボキシレートを生じた。
HPLCによる純度98%より高い。
塩化メチレン(125mL)中の実施例1の化合物I(26g、46.3mmol)の溶液にトリフルオロ酢酸(32.6mL、426.3mmol)を添加した。その反応物を室温で4時間撹拌し、水(75mL)を添加して、水酸化ナトリウム(75mL)の20%重量/重量の溶液で中和した。水相を塩化メチレンで再抽出し、合わせた有機相を水で洗浄した。有機層を室温で30分間に亘って0.75gの中性炭で処理し、濾過した。溶媒を真空下で濃縮し、粗生成物をアセトニトリル−水の混合物から沈殿させて、黄色がかった固体として13.6gの化合物IVを供給した。
HPLCによる純度99.6%
アセトン(90mL)及び水(10mL)中の化合物IV(10g、25.1mmol)の溶液にメタンスルホン酸(3.2mL、50.2mmol)を滴加し、得られた溶液を5分間撹拌してから、5%重量/重量のPd/C触媒(3.5g、Johnson Matthey Type 58、50%湿重量)を添加した。その懸濁物を6時間に亘り3barで30℃にて水素化した。濾過により触媒を除去し、濾液を揮散させ、アセトン不含スラリーを得た。これに酢酸イソプロピル(50mL)と、K2CO3(30mL)の20%重量/重量水溶液とを添加した。水相を酢酸イソプロピルで再抽出し、合わせた有機相を水で洗浄した。溶媒を真空下で濃縮し、粗エレトリプタンをメタノール(120mL)に溶解した。
HPLCによる純度99%超
実施例3で得られた化合物固体((R)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)エチル)−1H−インドールBLT)を、酢酸イソプロピル(60mL)、水(50mL)、及びNH4OHの25%水溶液(15mL)と混合する。水相を酢酸イソプロピルで再抽出し、エレトリプタン塩基を含む、合わせた有機相を水で洗浄することで、残留しているあらゆる(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸を排除する。減圧下で溶媒を除去して、粗エレトリプタンを得た。
HPLCによる純度99%超
実施例4で得られたこの粗エレトリプタンをエタノール(20mL)に溶解し、臭化水素酸の48%水溶液3.4gを添加した。このようにして得られた懸濁物を室温で6時間撹拌し、濾過して、エレトリプタン臭化水素酸塩一水和物を得た。この化合物を、55℃にてエタノールとアセトンの混合物中で還流した後、濾過し、45℃でオーブン乾燥して、灰白色の固体として7.5gのエレトリプタン臭化水素酸塩を生じた。
HPLCによる純度99.80%以上
Claims (63)
- 化合物I:
- 結晶形態である、請求項1に記載の化合物I。
- XがBrであり、およそ172℃〜175℃でオンセット及びおよそ182℃〜185℃で最大の吸熱ピークを伴うDSCを有する、請求項1又は2に記載の結晶化合物I。
- 図1と実質的に一致するDSCを提供することを特徴とする、XがBrである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の結晶化合物I。
- 図2と実質的に一致するTGAを提供することを特徴とする、XがBrである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の結晶化合物I。
- 図3と実質的に一致するIRを提供することを特徴とする、XがBrである、請求項1〜5のいずれか一項に記載の結晶化合物I。
- 室温にて大気条件下で1ヶ月の保存期間に亘って、実質的に変色を示さないことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の結晶化合物I。
- 温度30℃、相対湿度60%において実質的に水分の取り込みを示さないことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の結晶化合物I。
- 非晶質の形態である、請求項1に記載の化合物I。
- 溶媒和物の形態である、請求項1又は2に記載の化合物I。
- 水和物の形態である、請求項1又は2に記載の化合物I。
- 化合物Aが、触媒の存在下でフェニルビニルスルホン及び塩基と反応される、請求項1〜11のいずれか一項に記載の化合物Iの作製方法:
- 使用される前記塩基が、アンモニア誘導体、金属オルトリン酸塩及び金属炭酸塩、好ましくは前記塩基がアンモニア誘導体である、請求項12に記載の方法。
- 使用される前記塩基がトリエチルアミンである、請求項13に記載の方法。
- 前記反応が50℃〜還流温度で行われる、請求項12〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反応が還流温度で行われる、請求項15に記載の方法。
- フェニルビニルスルホンに対する化合物Aのモル比が1:1〜1:5であり、Xが好ましくはCl及びBrであり、最も好ましくはXがBrである、請求項12〜16のいずれか一項に記載の方法。
- フェニルビニルスルホンに対する化合物Aのモル比が1:1〜1:2、好ましくは1:1〜1:1.1であり、Xが好ましくはCl及びBrであり、最も好ましくはXがBrである、請求項17に記載の方法。
- 塩基に対する化合物Aのモル比が1:1〜1:5であり、Xが好ましくはCl及びBrであり、最も好ましくはXがBrである、請求項12〜18のいずれか一項に記載の方法。
- 塩基に対する化合物Aのモル比が1:1〜1:2、好ましくは1:1〜1:1.5であり、Xが好ましくはCl及びBrであり、最も好ましくはXがBrである、請求項19に記載の方法。
- 前記反応が溶媒の存在下で行われ、化合物AのXがBrである、請求項12〜20のいずれか一項に記載の方法。
- 前記溶媒が、1,4−ジオキサン、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、エタノール、メタノール、アセトン、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、アセトニトリル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びそれらの混合物から選択される、請求項21に記載の方法。
- 前記溶媒が、1,4−ジオキサン、アセトニトリル、エタノール、及びそれらの混合物から選択される、請求項22に記載の方法。
- Xが好ましくはCl及びBrであり、最も好ましくはXがBrである、エレトリプタン又はその薬学的に許容可能な塩の作製のための、請求項1〜23のいずれか一項に記載の化合物Iの使用。
- エレトリプタンの酸付加塩である化合物II:
- 前記有機酸が(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸である、請求項25に記載のエレトリプタンの酸付加塩。
- 前記有機酸が(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である、請求項26に記載の酸付加塩。
- 結晶の形態である、請求項25〜27のいずれか一項に記載のエレトリプタンの酸付加塩。
- 溶媒和物の形態である、請求項25〜28のいずれか一項に記載のエレトリプタンの酸付加塩。
- 水和物の形態である、請求項29に記載のエレトリプタンの酸付加塩である化合物II。
- 非晶質の形態である、請求項25〜27のいずれか一項に記載のエレトリプタンの酸付加塩である化合物II。
- HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物であり、2シータ値:16.3、18.1、19.2、19.8、21.6、及び26±0.2°度2シータで主ピークを含むX線粉体回折パターンを有する、請求項25〜28のいずれか一項に記載の結晶形態のエレトリプタンの酸付加塩である化合物II。
- HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物であり、およそ150℃〜153℃でオンセット及びおよそ151℃〜154℃で最大の吸熱ピークを示すDSCサーモグラムを有する、請求項25〜28又は32に記載の結晶形態のエレトリプタンの酸付加塩である化合物II。
- 新規なエレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを産生するため、エレトリプタンを酸HAと反応させる、請求項25〜33のいずれか一項に記載のエレトリプタンの酸付加塩である化合物IIの作製方法。
- 前記酸HAが、(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸である、請求項34に記載の方法。
- 前記酸HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸一水和物である、請求項35に記載の方法。
- エレトリプタンに対する前記酸HAのモル比が5:1〜1:1である、請求項34〜36のいずれか一項に記載の方法。
- エレトリプタンに対する前記酸HAのモル比が2:1〜1:1、好ましくは1:1である、請求項34〜37のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反応が溶媒の存在下で行われる、請求項34〜38のいずれか一項に記載の方法。
- 前記溶媒が、メタノール、エタノール、アセトン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、及びそれらの混合物から選択され、好ましくは前記溶媒がメタノールである、請求項39に記載の方法。
- 前記反応が0℃〜還流温度で行われる、請求項34〜40のいずれか一項に記載の方法。
- 前記反応が25℃〜還流温度で行われ、好ましくは前記反応が還流温度で行われる、請求項34〜41のいずれか一項に記載の方法。
- エレトリプタン又はその薬学的に許容可能な塩の作製のための、請求項25〜33のいずれか一項に記載のエレトリプタンの酸付加塩である化合物IIの使用。
- 請求項25〜33のいずれか一項に記載のエレトリプタンの酸付加塩である化合物IIから、エレトリプタン又はその薬学的に許容可能な塩若しくは共結晶を作製する方法であって、
少なくとも、
a)請求項25〜33のいずれか一項に記載のエレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを有機溶媒中の水性塩基で処理して、エレトリプタンを生じる工程と、
b)工程a)で得られた前記エレトリプタンを従来の単離技術によって単離する工程と、
c)任意に、工程b)の前記エレトリプタンを従来の精製技術によって精製する工程と、
d)任意に、工程b)又は工程c)で得られた前記エレトリプタンをその薬学的に許容可能な塩又は共結晶へと変換する工程と、
を含む、方法。 - 工程a)の前記水性塩基が、アンモニア水、ジイソプロピルアミン、ジシクロヘキシルアミン、トリエチルアミン、金属水酸化物、及び金属炭酸塩から選択される、請求項44に記載の方法。
- 工程a)の前記水性塩基がアンモニア水である、請求項45に記載の方法。
- 工程a)の前記有機溶媒が酢酸イソプロピルである、請求項44〜46のいずれか一項に記載の方法。
- 工程a)の前記反応が0℃〜還流温度で行われる、請求項44〜47のいずれか一項に記載の方法。
- 工程a)の前記反応が、0℃〜50℃の温度、好ましくは15℃〜30℃の温度で行われる、請求項48に記載の方法。
- エレトリプタン又はその薬学的に許容可能な塩若しくはその共結晶の作製方法であって、少なくとも、
a)請求項1〜11に記載の化合物Iを酸、HBで処理して、(R,E)−3−((1−メチルピロリジン−2−イル)メチル)−5−(2−(フェニルスルホニル)ビニル)−1H−インドール一水和物、化合物IVを生じる工程と、
b)工程a)で得られた化合物IVを水素化してエレトリプタンを生じる工程と、
i.工程b)で得られた前記エレトリプタンを酸HAで処理してエレトリプタンの酸付加塩である化合物IIを生じる工程、
ii.工程i)で得られた前記化合物IIを従来の単離技術によって単離する工程、及び、
iii.工程ii)で得られた前記化合物IIを塩基で処理してエレトリプタンを生じる工程、
d)工程b)又は工程c)で得られた前記エレトリプタンを従来の単離技術によって単離する工程と、
e)任意に、工程d)の前記エレトリプタンを従来の精製技術によって精製する工程と、
f)任意に、工程b)又は工程c)又は工程d)又は工程e)で得られた前記トリプタンをその薬学的に許容可能な塩又は共結晶に変換する工程と、
を含む、方法。 - 化合物IのXがBrである、請求項50に記載の方法。
- 工程a)で使用される前記酸HBが、塩酸、過塩素酸、次亜塩素酸、塩素酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、リン酸、ホウフッ化水素酸、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項50又は51に記載の方法。
- 前記工程a)で使用される前記酸HBが、シュウ酸、マロン酸、フマル酸、クエン酸一水化物を含むクエン酸、マレイン酸、酒石酸、酢酸、ギ酸、トリフルオロ酢酸、グルコン酸、乳酸、リンゴ酸、コハク酸、アセチルサリチル酸、アジピン酸、ピバリン酸、安息香酸、フェニル酢酸、p−メトキシ安息香酸、4−ピリジルカルボン酸、オレイン酸、有機硫黄化合物、エンボン酸、ゲンチシン酸、グルクロン酸、ピログルタミン酸、グリコール酸、マンデル酸、アスパラギン酸、馬尿酸、グルタル酸、ピメリン酸、パルミチン酸、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項52に記載の方法。
- 化合物Iに対する前記酸の比率が2:1〜15:1の範囲である、請求項50〜53のいずれか一項に記載の方法。
- 化合物Iに対する前記酸の比率が10:1〜15:1の範囲であり、好ましくは化合物Iに対する前記酸の比率が8:1である、請求項54に記載の方法。
- 0℃〜40℃の範囲の温度で、好ましくは15℃〜25℃の範囲の温度で行われる、請求項50〜55のいずれか一項に記載の方法。
- 工程a)の前記反応が、反応媒質としての有機溶媒の存在下で行われる、請求項50〜56のいずれか一項に記載の方法。
- 工程a)の前記反応で使用される前記溶媒が、塩化メチレン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、及びそれらの混合物であり、好ましくは前記溶媒が塩化メチレンである、請求項57に記載の方法。
- 工程b)の前記酸が、メタンスルホン酸又は硫酸である、請求項50〜58のいずれか一項に記載の方法。
- 工程b)の前記溶媒がアセトンと水の混合物である、請求項50〜59のいずれか一項に記載の方法。
- 工程i)の前記酸HAが、(−)−O,O’−ジ−p−トルオイル−L−酒石酸(TLT)、(−)−O,O’−ジ−p−トルオイル−D−酒石酸(TDT)、(−)−O,O’−ジベンゾイル−D−酒石酸(BDT)(無水物又は一水化物)、及び(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸(無水物又は一水化物)(BLT)から選択される有機酸である、請求項50〜60のいずれか一項に記載の方法。
- 工程i)の前記酸HAが(−)−O,O’−ジベンゾイル−L−酒石酸(無水物又は一水化物)(BLT)である、請求項50〜61のいずれか一項に記載の方法。
- 工程i)の前記反応が、0℃〜還流温度で、好ましくは25℃〜還流温度で、最も好ましくは還流温度で行われる、請求項50〜62のいずれか一項に記載の方法。
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