JP2019220615A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 168
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 37
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 claims description 11
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical group C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 18
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 17
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 14
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 13
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 11
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 8
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006757 chemical reactions by type Methods 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008423 Si—B Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910020641 Co Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020520 Co—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100402560 Mus musculus Msl3 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 for example Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920005555 halobutyl Polymers 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229920002681 hypalon Polymers 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006277 sulfonation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
Description
例えば特許文献1には、大きく開口したシールド部材内に、リッドが取り付けられた半導体パッケージを設けるとともに、リッドの上面周縁部に電気的に接触する環状のリッド接触部を設け、該リッド接触部とシールド部材とを電気的に接続させる、という技術が開示されている。
さらに近年では、製造コストの低減や、製造の容易性について、さらなる改善要求があり、これらの点についても満足することができる半導体装置の開発が望まれていた。
その結果、本発明の半導体装置は、従来にはない高いレベルで、放熱性及び電磁波抑制効果を両立できるとともに、本発明の半導体装置は、前記導電シールドカン等の導電シールド部材を設けていないため、半導体装置の薄膜化や、製造コストの低減、製造容易性の向上も可能となった。
(1)基板上に形成された半導体素子と、前記半導体素子の上部に設けられた、導電性の冷却部材と、前記半導体装置と前記冷却部材との間に設けられた、樹脂の硬化物を含有する導電性熱伝導部材と、を備え、前記導電性熱伝導部材が、前記基板中のグラウンドに接続し、前記冷却部材と前記グラウンドとを電気的に接続していることを特徴とする、半導体装置。
上記構成によって、低コスト且つ容易に製造できるとともに、優れた放熱性及び電磁波抑制効果を実現できる。
(2)前記導電性熱伝導部材が、前記半導体素子を覆うように設けられ、前記半導体素子の上面及び側面の少なくとも一部と当接していることを特徴とする、上記(1)に記載の半導体装置。
(3)前記導電性熱伝導部材が、前記半導体素子の上面及び側面を封止していることを特徴とする、上記(1)に記載の半導体装置。
(4)前記導電性熱伝導部材の抵抗率が、0.15Ω・m以下であることを特徴とする、上記(1)〜(3)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(5)前記導電性熱伝導部材の抵抗率が、0.00001Ω・m以上であることを特徴とする、上記(1)〜(4)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(6)前記導電性熱伝導部材が、磁気特性を有することを特徴とする、上記(1)〜(5)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(7)前記導電性熱伝導部材が、表面に粘着性又は接着性を有することを特徴とする、上記(1)〜(6)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(8)前記導電性熱伝導部材が、柔軟性を有することを特徴とする、上記(1)〜(7)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(9)前記導電性熱伝導部材が、導電性の充填剤を含むことを特徴とする、上記(1)〜(8)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(10)前記導電性の充填剤が、炭素繊維であることを特徴とする、上記(9)に記載の半導体装置。
(11)前記基板中の前記グラウンド以外の部分が、絶縁処理されていることを特徴とする、上記(1)〜(10)のいずれか1項に記載の半導体装置。
(12)上記(1)〜(11)のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
半導体素子上に、樹脂の硬化物を含有するシート状の導電性熱伝導部材を圧着させることで、前記半導体素子と前記導電性熱伝導部材とを接合するとともに、前記導電性熱伝導部材とグラウンドとを接合する工程を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
上記構成によって、優れた放熱性及び電磁波抑制効果を有する半導体装置を、低コスト且つ容易に製造することができる。
ここで、図1〜3は、本本発明の半導体装置の実施形態について、断面を模式的に示した図である。また、図4は、本発明の半導体装置の一実施形態について、組立状態を説明するための斜視図である。なお、各図面については、説明の便宜のため、各部材の形状やスケールが実際のものとは異なる状態で示されている。各部材の形状やスケールについては、本明細書の中で規定されていること以外は、半導体装置ごとに適宜変更することが可能である。
本発明の半導体装置1は、図1〜3に示すように、半導体素子30と、前記半導体素子30の上部に設けられた導電性の冷却部材40と、前記半導体装置30と前記冷却部材40との間に設けられた、樹脂の硬化物を含有する導電性熱伝導部材10と、を備える。
そして、本発明の半導体装置1では、図1〜3に示すように、前記基板50中のグラウンド60に接続し、前記冷却部材40と前記グラウンド60とを電気的に接続していることを特徴とする。
さらに、本発明の半導体装置1は、樹脂の硬化物を含有し、図1〜3に示すように、前記基板50中のグラウンド60と接続することによって、前記冷却部材40と前記グラウンド60とが、前記導電性熱伝導部材10を介して電気的に接続し、本発明の半導体装置1内において電気的に閉じられた空間(図1〜3の破線で囲んだ空間)が形成される結果、電磁波遮断効果を高めることが可能となり、優れた電磁波抑制効果も実現できる。
さらにまた、本発明の半導体装置1では、シールドカン等の電磁波シールド部材が別途形成されていないため、従来の電磁波シールド部材を用いた技術に比べて、製造コストの低減及び製造の容易性向上を図ることもできる。
また、図8(b)に示された半導体装置100では、導電性熱伝導部材10がシールドカン20を介して積層されるような構成であることから、本発明の半導体装置1に比べて、半導体素子30と冷却部材40との間の熱抵抗が大きく、十分な放熱性を得ることができない。
(半導体素子)
本発明の半導体装置1は、図1〜3に示すように、基板50上に形成された半導体素子30を備える。
ここで、前記半導体素子については、半導体による電子部品であれば特に限定されるものではない。例えば、ICやLSI等の集積回路、CPU、MPU、グラフィック演算素子、イメージセンサなどが挙げられる。
本発明の半導体装置1は、図1〜3に示すように、前記半導体素子30の上部に設けられた、導電性の冷却部材40を備える。
ここで、前記冷却部材40は、前記熱源(半導体素子30)から発生する熱を吸収し、外部に放散させる部材である。後述する導電性熱伝導部材10を介して前記半導体素子30と接続されることによって、半導体素子30が発生した熱を外部に拡散させ、半導体装置の高い放熱性を実現できる。
また、前記冷却部材40は導電性を有するため、後述する導電性熱伝導部材10を介して、前記グラウンド60と電気的に接続されることによって、電気的に閉じた空間(図1〜3の破線で囲んだ領域A)を形成し、半導体装置1の電磁波抑制効果を高めることができる。
本発明の半導体装置1は、図1〜3に示すように、前記半導体素子30と、前記導電冷却部材40との間に設けられた、樹脂の硬化物を含有する導電性熱伝導部材10を備え、前記導電性熱伝導部材10が、前記基板50中のグラウンド60に接続し、前記冷却部材40と前記グラウンド60とが、導電性熱伝導部材10を介して電気的に接続していることを特徴とする。
熱伝導性の高い導電性熱伝導部材10が、半導体素子30と冷却部材40との間に設けられることで、電磁波抑制効果を低下させることなく、放熱性についても向上させることが可能となる。加えて、導電性を有する前記導電性熱伝導部材10を介して、前記冷却部材40と前記グラウンド60とが電気的に接続することで、図1〜3に示すように、本発明の半導体装置1内において電気的に閉じられた空間Aが形成される結果、導電シールドカン20の電磁波遮断効果を高めることが可能となり、優れた電磁波抑制効果を実現できる。
具体的には、図1及び図3に示すように、前記半導体装置30と前記冷却部材40との間に設けられていること折り曲げたシートのような状態で設けることができる。前記導電性熱伝導部材10は、樹脂の硬化物を含有し、柔軟性がある程度あるため、煩雑な工程を経ることなく、図1及び図3に示すような形状とすることが可能である。また、図2に示すように、前記半導体装置30の周りを全て囲む(前記半導体素子30の上面30b及び側面30aを封止する)ように設けることもできる。
また、同様の観点から、前記導電性熱伝導部材10が、図2に示すように、前記半導体素子30の上面30b、及び、側面30aを、封止していることがより好ましい。
例えば、図1及び3に示すように、前記導電性熱伝導部材10が折り曲げたシートのように設けられる場合には、前記導電性熱伝導部材10を一層のシートにより構成することができる。ただし、シートの厚さを調整しやすい等の観点から、複数のシートから構成することもできる。
また、図2に示すように、前記導電性熱伝導部材10が、前記半導体素子30の上面30b、及び、側面30aを、封止している場合には、一枚の前記導電性熱伝導部材10を加工することもできるし、複数の前記導電性熱伝導部材10を組み合わせることにより前記導電性熱伝導部材10を構成することもできる。
ここで、前記導電性熱伝導部材10の厚さTは、図1〜3に示すように、前記半導体素子30上の前記導電性熱伝導部材10のうち、最も厚さが大きな部分の厚さTのことを意味し、一層のシートから形成されるか、複数のシートから形成されるかには関わらない。
なお、前記導電性熱伝導部材10の柔軟性については、高い程好ましく、具体的には、ゴム硬度ショアOO(ASTM D2240)が10〜80の範囲となることが好ましい。
具体的には、前記導電性熱伝導部材10の抵抗率が、0.15Ω・m以下であることが好ましく、0.01Ω・m以下であることがより好ましく、0.005Ω・m以下であることがさらに好ましく、0.001Ω・m以下であることが特に好ましい。前記導電性部材11の抵抗率を0.15Ω・m以下とすることで、より優れた電磁波抑制効果が得られるからである。
また、前記導電性熱伝導部材10の抵抗率については、0.00001Ω・m以上であることが好ましい。抵抗率が低い、すなわち導電率が大きいほど電磁波遮蔽性能は大きくなり、電磁波抑制効果を高めることができる。
なお、前記導電性熱伝導部材10の熱伝導性(抵抗率)の調整方法としては、特に限定はされないが、バインダ樹脂の種類や、熱伝導性充填材の材料、配合量及び配向方向等を変えることによって、調整することが可能である。
ここで、前記導電性熱伝導部材10の磁気特性の調整方法としては、特に限定はされないが、導電性熱伝導部材10中に、磁性粉等を含有させ、その配合量等を変えることによって、調整することが可能である。
なお、前記導電性熱伝導部材10の表面にタック性を付与する方法については特に限定はされない。例えば、後述する導電性熱伝導部材10を構成するバインダ樹脂の適正化を図ってタック性を持たせることもできるし、該導電性熱伝導部材10の表面にタック性のある接着層を別途設けることもできる。
例えば、高いレベルで、電磁波吸収性能及び熱伝導性を実現できる点からは、前記導電性熱伝導部材が、バインダ樹脂と、導電性を有する熱伝導性充填剤と、その他成分とを含むことができる。
・バインダ樹脂
前記導電性熱伝導部材を構成するバインダ樹脂とは、導電性熱伝導部材の基材となる樹脂成分の硬化物である。その種類については、特に限定されず、公知のバインダ樹脂を宜選択することができる。例えば、バインダ樹脂の一つとして、熱硬化性樹脂が挙げられる。
上述した成形加工性、耐候性、密着性等を得る観点からは、前記シリコーンとして、液状シリコーンゲルの主剤と、硬化剤とから構成されるシリコーンであることが好ましい。そのようなシリコーンとしては、例えば、付加反応型液状シリコーン、過酸化物を加硫に用いる熱加硫型ミラブルタイプのシリコーン等が挙げられる。
なお、前記液状シリコーンゲルの主剤と、硬化剤との組合せにおいて、前記主剤と前記硬化剤との配合割合としては、質量比で、主剤:硬化剤=35:65〜65:35であることが好ましい。
導電性熱伝導部材は、前記バインダ樹脂内に、導電性を有する熱伝導性充填剤(以下、単に「熱伝導性充填剤」ということもある。)を含む。該導電性を有する熱伝導性充填剤は、シートの熱伝導性及び導電性を向上させるための成分である。
ここで、熱伝導性充填剤の種類については、特に限定はされないが、より高い熱伝導性を実現できる点からは、繊維状の熱伝導性充填剤を用いることが好ましい。
なお、前記繊維状の熱伝導性充填剤の「繊維状」とは、アスペクト比の高い(およそ6以上)の形状のことをいう。そのため、本発明では、繊維状や棒状等の熱導電性充填剤だけでなく、アスペクト比の高い粒状の充填材や、フレーク状の熱導電性充填剤等も繊維状の熱導電性充填剤に含まれる。
これらの繊維状の熱伝導性充填剤の中でも、より高い熱伝導性及び導電性を得られる点からは、炭素繊維を用いることがより好ましい。
なお、前記導電性を有する熱伝導性充填剤については、一種単独でもよいし、二種以上を混合して用いてもよい。また、二種以上の熱伝導性充填剤を用いる場合には、いずれも繊維状の熱伝導性充填剤であってもよいし、繊維状の熱伝導性充填剤と別の形状の熱伝導性充填剤とを混合して用いてもよい。
さらにまた、前記繊維状の熱伝導性充填剤の平均繊維径(平均短軸長さ)についても、特に制限はなく適宜選択することができるが、確実に高い熱伝導性を得る点から、4μm〜20μmの範囲であることが好ましく、5μm〜14μmの範囲であることがより好ましい。
ここで、前記繊維状の熱伝導性充填剤の平均長軸長さ、及び平均短軸長さは、例えばマイクロスコープ、走査型電子顕微鏡(SEM)等によって測定し、複数のサンプルから平均を算出することができる。
例えば、前記導電性熱伝導部材による熱伝導性及び導電性を高め、本発明の半導体装置の放熱性及びを向上させたい場合には、前記熱伝導性充填剤をシート面に対して略垂直状に配向させることができる。一方、前記導電性熱伝導部材中の電気の流れを変える場合等には、前記熱伝導性充填剤をシート面に対して略平行状やその他の方向に配向させることができる。
ここで、前記シート面に対して略垂直状や、略平行の方向は、前記シート面方向に対してほぼ垂直な方向やほぼ平行な方向を意味する。ただし、前記導電性を有する熱伝導性充填剤の配向方向は、製造時に多少のばらつきはあるため、本発明では、上述したシート面の方向に対して垂直な方向や平行な方向から±20°程度のズレは許容される。
また、前記導電性熱伝導部材は、上述したバインダ樹脂及び導電性を有する熱伝導性繊維に加えて、無機物フィラーをさらに含むことができる。導電性熱伝導部材の熱伝導性をより高めたり、シートの強度を向上できるためである。
前記無機物フィラーとしては、形状、材質、平均粒径等については特に制限がされず、目的に応じて適宜選択することができる。前記形状としては、例えば、球状、楕円球状、塊状、粒状、扁平状、針状等が挙げられる。これらの中でも、球状、楕円形状が充填性の点から好ましく、球状が特に好ましい。
前記無機物フィラーがアルミナの場合、その平均粒径は、1μm〜10μmであることが好ましく、1μm〜5μmであることがより好ましく、4μm〜5μmであることが特に好ましい。前記平均粒径が1μm未満であると、粘度が大きくなり、混合しにくくなるおそれがある。一方、前記平均粒径が10μmを超えると、前記導電性熱伝導部材の熱抵抗が大きくなるおそれがある。
さらに、前記無機物フィラーが窒化アルミニウムの場合、その平均粒径は、0.3μm〜6.0μmであることが好ましく、0.3μm〜2.0μmであることがより好ましく、0.5μm〜1.5μmであることが特に好ましい。前記平均粒径が、0.3μm未満であると、粘度が大きくなり、混合しにくくなるおそれがあり、6.0μmを超えると、前記導電性熱伝導部材の熱抵抗が大きくなるおそれがある。
なお、前記無機物フィラーの平均粒径については、例えば、粒度分布計、走査型電子顕微鏡(SEM)により測定することができる。
さらに、前記導電性熱伝導部材は、上述したバインダ樹脂、繊維状の熱伝導性繊維及び無機物フィラーに加えて、磁性金属粉をさらに含むことが好ましい。該磁性金属粉を含むことで、導電性熱伝導部材の磁気特性を高め、半導体装置の電磁波抑制効果を向上させることができる。
なお、前記磁性金属粉については、材料が異なるものや、平均粒径が異なるものを二種以上混合したものを用いてもよい。
その他の成分としては、例えば、チキソトロピー性付与剤、分散剤、硬化促進剤、遅延剤、微粘着付与剤、可塑剤、難燃剤、酸化防止剤、安定剤、着色剤等が挙げられる。
上述した本発明の半導体装置を製造するための方法については、特に限定はされない。
例えば、図1に示すような実施形態の半導体装置1を製造する場合には、本発明の半導体装置の製造方法として、半導体素子30上に、樹脂の硬化物を含有するシート状の導電性熱伝導部材を圧着させることで、前記半導体素子30と前記導電性熱伝導部材10とを接合するとともに、前記導電性熱伝導部材10とグラウンド60とを接合する工程を含む製造方法を用いることができる。
上記工程を含むことによって、煩雑な工程を経ることなく、前記導電性熱伝導部材10の内部に、導電シールドカン20の上端20aを確実に食い込ませることができ、優れた放熱性及び電磁波抑制効果を有する半導体装置を、効率的に製造することが可能となる。
実施例1では、3次元電磁界シミュレータANSYS HFSS(アンシス社製)を用いて、図5(a)及び(b)に示すような半導体装置の解析モデル(本発明例の解析モデル、比較例の解析モデル)を作製し、電磁波抑制効果の評価を行った。
ここで、半導体装置のモデルに用いた導電性熱伝導部材10は、樹脂バインダとして2液性の付加反応型液状シリコーンを用い、熱伝導フィラーとして平均粒径4μmのアルミナ(DENKA株式会社製)を用い、繊維状の導電性を有する熱伝導性充填剤として平均繊維長200μmのピッチ系炭素繊維(「熱伝導性繊維」 日本グラファイトファイバー株式会社製)を用い、2液性の付加反応型液状シリコーン:アルミナ粒子:ピッチ系炭素繊維=35vol%:53vol%:12vol%の体積比となるように分散させて、シリコーン組成物(シート用組成物)を調製したものを用いた。得られた熱伝導シートは、垂直方向の平均熱伝導率(界面の熱抵抗と内部の熱抵抗を合わせて算出している)が、ASTM D5470に準拠した測定で15W/m.Kを示し、該シートの磁気特性及び誘電特性については、Sパラメータ法で測定した値を用いた。該シートの抵抗率はJIS K7194に準拠した測定で0.1Ω・mを示した。なお、導電性熱伝導部材10の寸法は、22mm×22mm、厚さTは、1mmとした。
シミュレーションモデルとしては、上記シートの磁気特性・誘電特性を用い、抵抗率として、0.15Ω・m、0.015Ω・m、0.0015Ω・mの条件で解析した。
また、半導体装置のモデルに用いた冷却部材40(ヒートシンク)は、アルミ板を材料として用い、大きさは30mm×30mmで、厚さは、0.3mmとした。
本発明例の解析モデルの断面構造は、図1と同様であり、半導体素子30は、図5(a)及び(b)に示すように、マイクロストリップライン(MSL)31を樹脂モールドで覆ったものとし、該MSL31については、誘電体基板50(基板サイズ:30 mm×30 mm×0.65 mm)表面側に銅の信号線(信号線サイズ:2mm×1 mm×0.02 mm)、裏面側にグラウンド60を配したものとした。半導体素子30の信号源は、このMSL31で簡略化し両端を信号の入出力端に設定している。また、基板に、一部が基板上へ露出したグラウンド60(基板下のグラウンドのサイズ:30mm×30mm×0.02mm、基板上に露出したグラウンドのサイズ:内径20mm×20mm、外径22mm×22mm、厚み0.02mm)を設けた。なお、上述の半導体素子30の本体(樹脂でモールドした部分)は、比誘電率4、誘電正接0.01の誘電体とした。なお、半導体素子30の本体の大きさは16mm×16mm×0.7mmとした。
(2)また、比較例として、図8(a)に示すように、基板上にグラウンド60設けておらず、導電性熱伝導部材10がグラウンド60と接続していないこと以外は、上述した実施例の半導体装置と同様である解析モデルを作製した。
図6では、導電性熱伝導部材10として、0.15Ω・m、0.015Ω・m、0.0015Ω・mの導電性熱伝導部材10を用いた際の電界強度算出結果を、本発明例及び比較例のそれぞれについて示している。
さらに、本発明例の解析モデルでは、導電性熱伝導部材10の抵抗率がより低い、0.015Ω・m、0. 0015Ω・mの導電性熱伝導部材10を使用した解析モデルが、より優れた電磁波抑制効果を確認できた。
(1)実施例2では、実施例1の本発明例の半導体装置のモデルと同様の条件で、前記3次元電磁界シミュレータを用いて、図5(a)及び(b)に示すような半導体装置の解析モデルを作製し、電磁波抑制効果の評価を行った。
なお、本発明例の半導体装置のモデルに用いた導電性熱伝導部材10の抵抗率は、0.015Ω・mとした。
(2)また、実施例1の本発明例の半導体装置のモデルに用いた導電性熱伝導部材10として、磁性粉(Fe-Si-B-Crアモルファス磁性粒子)を含有させ、比透磁率の虚部μr’’が3となるように磁気特性を付与したこと以外は、全て同じ条件(寸法、厚さ、熱伝導率、抵抗率が全て同じ)のモデルを作成した。
(3)さらに、実施例1の比較例の解析モデルについても、用いた導電性熱伝導部材10として、磁性粉(Fe-Si-B-Crアモルファス磁性粒子)を含有させ、比透磁率虚部μr’’が5となるように磁気特性を付与したこと以外は、全て同じ条件(寸法、厚さ、熱伝導率、抵抗率が全て同じ)のモデルを作成した。
図7では、導電性熱伝導部材10中に磁性粉を含む場合の、半導体装置の解析モデルから得られた電界強度を「磁性粉含有あり本発明例(0.015Ω・m)」、「磁性粉含有あり比較例(0.015Ω・m)」として示し、導電性熱伝導部材10中に磁性粉を含まない場合の、半導体装置の解析モデルから得られた電界強度を「磁性粉含有なし本発明例(0.015Ω・m)」として示した。
10 導電性熱伝導部材
20 導電シールドカン
30 半導体素子
30a 半導体素子の側面
30a 半導体素子の上面
31 MSL
40 冷却部材
50 基板
51 ランド
60 グラウンド
100 従来の半導体装置
A 電気的に閉じた空間
T 導電性熱伝導シートの厚さ
Claims (12)
- 基板上に形成された半導体素子と、
前記半導体素子の上部に設けられた、導電性の冷却部材と、
前記半導体装置と前記冷却部材との間に設けられた、樹脂の硬化物を含有する導電性熱伝導部材と、を備え、
前記導電性熱伝導部材が、前記基板中のグラウンドに接続し、前記冷却部材と前記グラウンドとを電気的に接続していることを特徴とする、半導体装置。 - 前記導電性熱伝導部材が、前記半導体素子を覆うように設けられ、前記半導体素子の上面及び側面の少なくとも一部と当接していることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記導電性熱伝導部材が、前記半導体素子の上面及び側面を封止していることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記導電性熱伝導シートの抵抗率が、0.15Ω・m以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記導電性熱伝導シートの抵抗率が、0.00001Ω・m以上であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記導電性熱伝導シートが、磁気特性を有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記導電性熱伝導シートが、表面に粘着性又は接着性を有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記導電性熱伝導シートが、柔軟性を有することを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記電磁波吸収熱伝導シートが、導電性の充填剤を含むことを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記導電性の充填剤が、炭素繊維であることを特徴とする、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記基板中の前記グラウンド以外の部分が、絶縁処理されていることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法であって、
半導体素子上に、樹脂の硬化物を含有するシート状の導電性熱伝導部材を圧着させることで、前記半導体素子と前記導電性熱伝導部材とを接合するとともに、前記導電性熱伝導部材とグラウンドとを接合する工程を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018118082A JP7265321B2 (ja) | 2018-06-21 | 2018-06-21 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US16/973,035 US11929303B2 (en) | 2018-06-21 | 2019-06-19 | Semiconductor device and method of producing the same |
CN201980037471.0A CN112243534A (zh) | 2018-06-21 | 2019-06-19 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
PCT/JP2019/024366 WO2019244953A1 (ja) | 2018-06-21 | 2019-06-19 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
KR1020207036261A KR102445111B1 (ko) | 2018-06-21 | 2019-06-19 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018118082A JP7265321B2 (ja) | 2018-06-21 | 2018-06-21 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019220615A true JP2019220615A (ja) | 2019-12-26 |
JP2019220615A5 JP2019220615A5 (ja) | 2021-05-27 |
JP7265321B2 JP7265321B2 (ja) | 2023-04-26 |
Family
ID=68983910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018118082A Active JP7265321B2 (ja) | 2018-06-21 | 2018-06-21 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11929303B2 (ja) |
JP (1) | JP7265321B2 (ja) |
KR (1) | KR102445111B1 (ja) |
CN (1) | CN112243534A (ja) |
WO (1) | WO2019244953A1 (ja) |
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JP2012164852A (ja) | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体パッケージのシールド構造 |
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WO2016190258A1 (ja) | 2015-05-28 | 2016-12-01 | ポリマテック・ジャパン株式会社 | 熱伝導性シート |
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JP6704229B2 (ja) | 2015-09-14 | 2020-06-03 | リンテック オブ アメリカ インコーポレーテッドLintec of America, Inc. | 柔軟性シート、熱伝導部材、導電性部材、帯電防止部材、発熱体、電磁波遮蔽体、及び柔軟性シートの製造方法 |
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2018
- 2018-06-21 JP JP2018118082A patent/JP7265321B2/ja active Active
-
2019
- 2019-06-19 WO PCT/JP2019/024366 patent/WO2019244953A1/ja active Application Filing
- 2019-06-19 CN CN201980037471.0A patent/CN112243534A/zh active Pending
- 2019-06-19 KR KR1020207036261A patent/KR102445111B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-19 US US16/973,035 patent/US11929303B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210272879A1 (en) | 2021-09-02 |
US11929303B2 (en) | 2024-03-12 |
KR20210010554A (ko) | 2021-01-27 |
CN112243534A (zh) | 2021-01-19 |
JP7265321B2 (ja) | 2023-04-26 |
WO2019244953A1 (ja) | 2019-12-26 |
KR102445111B1 (ko) | 2022-09-21 |
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