JP2019212892A - 配線構造体及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
前記第2の金属元素はAl及びSbからなる群から選択される1種以上である、(9)または(10)に記載の半導体装置。
絶縁体層としては、絶縁性を有するものであれば特に限定されなく、広く無機酸化物、無機窒化物、無機酸窒化物等を用いることができる。例えばSiO2、SiOCH、SiNx、SiON、シリコンを含む樹脂等を用いることができる。その中でも、SiO2やSiOCH等のSi−O結合を有する絶縁体を用いることが好ましい。SiO2及びSiOCHを用いた場合、当該絶縁体層が、絶縁性、機械的強度、弾性率、及び耐熱性のいずれにも優れるものである。
本実施形態に係る半導体装置は、半導体素子と、配線構造体とを含む半導体装置であって、配線構造体は、Al、Fe、Co、Ni及びZnからなる群から選択される2種以上の金属元素を含む金属間化合物により構成される導電体と、絶縁体層とを有し、半導体素子と外部回路とを接続する。なお、配線構造体の特徴は上述したとおりであるため、ここでの記載は省略する。
以上のような半導体装置の製造方法の一例をより具体的に説明する。まず、シリコン基板の一部にリン(P)又はホウ素(B)を添加してキャリア濃度を調整し、チャネル領域を形成する。次に、チャネル領域の周辺にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を形成し、トランジスタ構造を作る。
(実施例1−1)未加熱処理AlNi薄膜試料
シリコンウェハー基板上に、絶縁体として厚さが100nmのSiO2膜を、プラズマ支援化学気相蒸着法(PE−CVD)を用いて成膜した。
実施例1−1と同様にして得られたAlNi薄膜をさらに250℃で30分加熱してAlNi薄膜試料を作製した。
実施例1−1と同様にして得られたAlNi薄膜をさらに400℃で30分加熱してAlNi薄膜試料を作製した。
実施例1−1と同様にして得られたAlNi薄膜をさらに500℃で30分加熱してAlNi薄膜試料を作製した。
AlNi薄膜がSiO2膜に対して拡散バリア層を不要とすることを示すために、MOS構造を有するC―V(電気容量―電圧)測定用の試料を作製し、高温かつ高電界下に保持した後のフラットバンド電圧の変化を測定した。測定用の試料は次の手順で作製した。
Si基板はp型シリコンウェハーを用いて、その片側の面上にSiO2膜を成膜した。ウェハーのSiO2膜が形成されていない裏面にAlを蒸着して250℃で10分の熱処理を行い、オーミック電極を形成した。その後、厚さが20nmのSiO2膜上にフォトレジスト膜を形成し、リフトオフ法によってAlNi膜の電極パターンを形成した。AlNi電極試料のサイズは一辺200μmの正方形とした。
実施例2−1と同様にして得られたAlNi薄膜をさらに300℃で30分加熱してAlNi薄膜試料を作製した。
実施例2−1と同様にして得られたAlNi電極試料(MOSサンプル)においてBTS(バイアス・温度ストレス)試験を行った。具体的には、表裏の電極間に6Vの電圧(3MV/cmの電界強度)を印加し、250℃でそれぞれ10分(実施例2−3)、30分(実施例2−4)、60分(実施例2−5)保持した。
(実施例3−1)未加熱処理AlNi薄膜試料
それぞれの金属をスパッタする際のスパッタ電圧を変化させることにより、Ni原子とAl原子の全量に対するNiの原子比、すなわちNi濃度を48.5原子%から53.0原子%となるように制御した以外、実施例1−1と同様にしてAlNi薄膜試料を作製した。なお、AlNi薄膜の厚さは260nmであった。
それぞれの金属をスパッタする際のスパッタ電圧を変化させることにより、Ni濃度が48.5原子%から53.0原子%となるように制御した以外、実施例1−2と同様にしてAlNi薄膜試料を作製した。なお、AlNi薄膜の厚さは260nmであった。
それぞれの金属をスパッタする際のスパッタ電圧を変化させることにより、Ni濃度が48.5原子%から53.0原子%となるように制御した以外、実施例1−3と同様にしてAlNi薄膜試料を作製した。なお、AlNi薄膜の厚さは260nmであった。
それぞれの金属をスパッタする際のスパッタ電圧を変化させることにより、Ni濃度が48.5原子%から53.0原子%となるように制御した以外、実施例1−4と同様にしてAlNi薄膜試料を作製した。なお、AlNi薄膜の厚さは260nmであった。
(実施例4−1)未加熱処理AlNi薄膜試料
それぞれの金属をスパッタする際の時間を変化させることにより、薄膜の厚さを制御した以外、実施例1−1と同様にしてAlNi薄膜試料を作製した。なお、Ni濃度は50原子%とした。
それぞれの金属をスパッタする際の時間を変化させることにより、薄膜の厚さを制御した以外、実施例1−2と同様にしてAlNi薄膜試料を作製した。なお、Ni濃度は50原子%とした。
それぞれの金属をスパッタする際の時間を変化させることにより、薄膜の厚さを制御した以外、実施例1−3と同様にしてAlNi薄膜試料を作製した。なお、Ni濃度は50原子%とした。
それぞれの金属をスパッタする際の時間を変化させることにより、薄膜の厚さを制御した以外、実施例1−4と同様にしてAlNi薄膜試料を作製した。なお、Ni濃度は50原子%とした。
AlNi薄膜とSiO2膜との密着強度を評価した。具体的に、実施例4−1〜4−4の試料のうち、それぞれ膜厚が150nm及び100nmのものを用い、ASTM D 3359−79にしたがってテープテストを行った。また、比較のためにSiO2上に150nmのCu薄膜を形成したサンプルも同様のテストを行った。その結果、実施例4−1〜4−4の試料はいずれもテープテストによっても全く剥離が無かったが、Cu薄膜は全て剥離した。実施例4−1〜4−4の試料についてX線光電子分光法によって界面近傍のAlの結合状態を調べた結果、いずれの試料においても、Alが酸化した状態になっており、酸化物形成傾向の強いAlがSiO2の酸素と結合して強固な密着性を保持しているものと考える。
(実施例5)
シリコン基板上に、テトラエチルオルソシラン(TEOS)を原料とするプラズマ支援化学気相成長法により、SiO2からなる絶縁体層を形成した。フォトリソグラフィー法によってSiO2膜に配線形状を有する溝を形成した。その後、基板を100〜500℃の温度範囲に加熱した。ここでは250℃に加熱した例を示す。配線を形成する金属はCu及びAlを選択した。ここで、Cuの酸化物形成標準自由エネルギー(ΔG0)は−40〜−59kJ/molであり、Siの酸化物形成標準自由エネルギー(ΔG0=−192kJ/mol)より絶対値が小さい。一方で、Alの酸化物形成標準自由エネルギーは−235kJ/molであり、Siの酸化物形成標準自由エネルギーより絶対値が大きい。基板を加熱した状態でCuとAlの純金属ターゲットを直流スパッタ法で蒸着した。このとき組成比がCu:Al=1:2となるようにスパッタパワーを調整した。
p型シリコンウェハーを基板としてその片側の面上にSiO2膜を成膜した。その上に、等モル比(第1の元素:第2の元素)の2種類の元素からなるAlFe、AlCo、CoFe、CuAl2、NiZn及び、NiSbの薄膜をスパッタ法で作製した。これらの薄膜において、未加熱処理のもの、30分の250℃加熱処理、30分の400℃加熱処理、30分の500℃加熱処理を施したものをそれぞれ試料として、AlNi薄膜試料と同様の分析評価を行った。
Claims (14)
- 金属間化合物からなる導電体と、絶縁体層とを有する、配線構造体。
- 前記金属間化合物は、Al、Fe、Co、Ni及びZnからなる群から選択される2種以上の金属元素を含む、請求項1に記載の配線構造体。
- 前記金属間化合物は、Co及びAlからなる金属間化合物、Fe及びAlからなる金属間化合物、Ni及びAlからなる金属間化合物、Fe及びCoからなる金属間化合物、並びにNi及びZnからなる金属間化合物から選択される1種以上である、請求項1又は2に記載の配線構造体。
- 前記絶縁体層が無機酸化物によって構成され、前記金属間化合物は、第1の金属元素及び第2の金属元素を含み、該絶縁体層の酸化物形成標準自由エネルギーの絶対値に対して、前記第1の金属元素の酸化物形成標準自由エネルギーの絶対値が小さく、且つ前記第2の金属元素の酸化物形成標準自由エネルギーの絶対値が大きい、請求項1に記載の配線構造体。
- 前記金属間化合物は、第1の金属元素及び第2の金属元素を含み、
前記第1の金属元素は、Fe、Co、Ni、Cu及びZnからなる群から選択される1種以上であり、
前記第2の金属元素はAl及びSbからなる群から選択される1種以上である、請求項1又は4に記載の配線構造体。 - 前記導電体及び前記絶縁体層の間に、少なくとも前記第2の金属元素及び酸素が結合して構成される金属酸化物層が介在する、請求項1、4及び5のいずれか1項に記載の配線構造体。
- 前記金属間化合物は、Co及びAlからなる金属間化合物、Fe及びAlからなる金属間化合物、Ni及びAlからなる金属間化合物、Cu及びAlからなる金属間化合物、並びにNi及びSbからなる金属間化合物からなる群から選択される1種以上である、請求項1及び4〜6のいずれか1項に記載の配線構造体。
- 半導体装置において、半導体素子と外部回路とを接続するための、請求項1〜7のいずれか1項に記載の配線構造体。
- 半導体素子と、配線構造体とを含む半導体装置であって、
前記配線構造体は、金属間化合物により構成される導電体と、絶縁体層とを有し、前記半導体素子と外部回路とを接続する、半導体装置。 - 前記絶縁体層が無機酸化物によって構成され、前記金属間化合物は、第1の金属元素及び第2の金属元素を含み、該絶縁体層の酸化物形成標準自由エネルギーの絶対値に対して、前記第1の金属元素の酸化物形成標準自由エネルギーの絶対値が小さく、且つ前記第2の金属元素の酸化物形成標準自由エネルギーの絶対値が大きい、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記金属間化合物は、第1の金属元素及び第2の金属元素を含み、
前記第1の金属元素は、Fe、Co、Ni、Cu及びZnからなる群から選択される1種以上であり、
前記第2の金属元素はAl及びSbからなる群から選択される1種以上である、請求項9又は10に記載の半導体装置。 - 前記導電体及び前記絶縁体層の間に、少なくとも前記第2の金属元素及び酸素が結合して構成される金属酸化物層が介在する、請求項9〜11のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記金属間化合物は、Co及びAlからなる金属間化合物、Fe及びAlからなる金属間化合物、Ni及びAlからなる金属間化合物、Cu及びAlからなる金属間化合物、並びにNi及びSbからなる金属間化合物からなる群から選択される1種以上である、請求項9〜12のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の配線構造体を製造する方法であって、
酸化物からなる絶縁体層を有する基板を、100℃以上500℃以下に加熱し、該基板上に2種の金属元素を蒸着して金属間化合物からなる導電体を形成する、配線構造体の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021111757A (ja) * | 2020-01-15 | 2021-08-02 | 株式会社アルバック | 金属配線の形成方法 |
WO2021230060A1 (ja) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | 株式会社荏原製作所 | バリアメタルフリー金属配線構造の製造方法、およびバリアメタルフリー金属配線構造 |
WO2023162327A1 (ja) | 2022-02-25 | 2023-08-31 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP7449790B2 (ja) | 2020-06-24 | 2024-03-14 | 株式会社アルバック | 金属配線の形成方法及び金属配線の構造体 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01102940A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の配線方法 |
JPH05299636A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-11-12 | Sharp Corp | 化合物金属細線構造及びその作製方法 |
JP2000252466A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-14 | Toshiba Corp | パワー半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2008270545A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Denso Corp | 半導体装置の配線及び半導体装置の配線形成方法 |
JP2009008770A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Kobe Steel Ltd | 積層構造およびその製造方法 |
JP2010065317A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 |
JP2010536175A (ja) * | 2007-08-03 | 2010-11-25 | マイクロン テクノロジー, インク. | 金属間化合物導体 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01102940A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の配線方法 |
JPH05299636A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-11-12 | Sharp Corp | 化合物金属細線構造及びその作製方法 |
JP2000252466A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-09-14 | Toshiba Corp | パワー半導体デバイス及びその製造方法 |
JP2008270545A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Denso Corp | 半導体装置の配線及び半導体装置の配線形成方法 |
JP2009008770A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Kobe Steel Ltd | 積層構造およびその製造方法 |
JP2010536175A (ja) * | 2007-08-03 | 2010-11-25 | マイクロン テクノロジー, インク. | 金属間化合物導体 |
JP2010065317A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021111757A (ja) * | 2020-01-15 | 2021-08-02 | 株式会社アルバック | 金属配線の形成方法 |
JP7388932B2 (ja) | 2020-01-15 | 2023-11-29 | 株式会社アルバック | 金属配線の形成方法 |
WO2021230060A1 (ja) * | 2020-05-14 | 2021-11-18 | 株式会社荏原製作所 | バリアメタルフリー金属配線構造の製造方法、およびバリアメタルフリー金属配線構造 |
JP7449790B2 (ja) | 2020-06-24 | 2024-03-14 | 株式会社アルバック | 金属配線の形成方法及び金属配線の構造体 |
WO2023162327A1 (ja) | 2022-02-25 | 2023-08-31 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
KR20230129054A (ko) | 2022-02-25 | 2023-09-05 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 |
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