JP2019204951A - 赤外線発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 102
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 79
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 285
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/26—Materials of the light emitting region
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- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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Abstract
【課題】1,000nm中心波長を有する赤外線発光ダイオードにおいて、量子井戸層と基板の格子不整合による効率低下を改善することができる方法を提供する。【解決手段】本発明に係る赤外線発光ダイオード10は、圧縮歪みを有するInGaAs量子井戸層21と、引っ張り歪みを有するGaAsP量子障壁層22と、量子障壁層に比べて圧縮歪みが小さなGaInP歪み補正層23及びGaAsバッファ層24を含む活性層20と、を備えることを特徴とする。【選択図】図2
Description
本発明は、赤外線発光ダイオード及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、歪みの補正により発光効率が向上した1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオード及びその製造方法に関する。
赤外線発光ダイオードは、高品質成長が可能なMOCVD(有機金属化学気相成長法、metalorganic chemical vapor deposition)を用いて製造される。900nm以上の波長を発光する赤外線ダイオードには、図1に示すように、高い格子整合率と高い費用節減(経済性)を奏するGaAs基板(substrate)8を用いている。GaAs基板8上に格子定数がほぼ同一のn型AlzGa1-zAs(0.1<z<0.7)下部閉じ込め層(N-Confinement)7、活性層(U-MQW)4、及びp型AlzGa1-zAs(0.1<z<0.7)上部閉じ込め層(P-Confinement)3を成長させる。また、光効率を極大化するために、上部閉じ込め層3上に電流拡散のためのp型ウインドウ層(P-Window)2を3μm以上成長させる。p型ウインドウ層2の上部には、上部電極(P-electrode)1を形成し、GaAs基板8の下部には、下部電極(N-electrode)9を形成する。n型下部閉じ込め層7とp型上部閉じ込め層3との間に積層された活性層4は、交互に繰り返して積層された量子障壁層5と量子井戸層6からなる。量子井戸層6の構成物質と組成変化によって放出される赤外線の波長が調節される。例えば、940nmの中心波長(ピーク波長が940±10nmに位置する波長)をもつ赤外線ダイオードの場合、In0.07Ga0.93As量子井戸層とGaAs量子障壁層が繰り返して積層される。
このような赤外線発光ダイオードの場合、特定波長を発光するために用いた量子井戸層をなす物質の格子定数と、基板の格子定数が異なると、積層過程で引っ張りまたは圧縮歪み(compressive strain)が発生し、繰り返し積層する過程で累積した歪みは、発光ダイオードの発光効率の低下につながる。
特許文献1では、本発明者が、量子井戸の圧縮歪みを改善するために、940nm中心波長をもつ発光ダイオードにおいて、In0.07Ga0.93As量子井戸とGaAs量子障壁からなる活性層の下部にGaInP引っ張り歪み(tensile strain)補償層を挿入する方法を開示している。
また、特許文献2では、本発明者が、量子井戸の圧縮歪みを改善するために、GaAs量子障壁の代わりに、GaAsP量子障壁をIn0.07Ga0.93As量子井戸と一緒に用いる方法を開示している。
さらに、特許文献2では、本発明者が、量子井戸の圧縮歪みを改善するために、In0.07Ga0.93As量子井戸とGaAsP量子障壁を用いるときに発生する高い歪み不均一の差を補正するために、AlGaAsバッファ層を一緒に用いる方法を開示している。
しかしながら、これらの方式は、In0.07Ga0.93As量子井戸を用いる940nm中心波長の赤外線発光ダイオードでは効果的であるが、1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオードでは効果的ではない。これは、1,000nm中心波長をもつ発光ダイオードの場合、940nm中心波長をもつ発光ダイオードに比べて、量子井戸においてInの比率がさらに高く、基板に比べて高い圧縮歪み率(例えば、10,000ppm以上の圧縮歪み率、一例として、In0.15Ga0.85Asの圧縮歪み:約+11,000ppm)を有するからである。
これにより、1,000nm中心波長の発光ダイオードで用いられるInGaAs量子井戸層の高い圧縮歪み特性を改善することができる新たな方法についての要求が続いている。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、1,000nm中心波長を有する赤外線発光ダイオードにおいて、量子井戸層と基板の格子不整合による効率低下を改善することができる方法を提供することを目的とする。
また、1,000nm中心波長を有する赤外線発光ダイオードにおいて、量子井戸層と基板の格子不整合を解消し、効率が改善された発光ダイオードを提供することを他の目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る赤外線発光ダイオードは、圧縮歪みを有するInxGa1-xAs(0.13≦x≦0.17)量子井戸層と、引っ張り歪みを有するGaAs1-yPy(0.07≦y≦0.11)量子障壁層と、量子障壁層に比べて圧縮歪みが小さなGaInP歪み補正層及びGaAsバッファ層を含む活性層と、を備えることを特徴とする。
本発明において、用語「1,000nm中心波長」は、ピーク波長が1,000±20nm、より厳密には、1,000±10nmの範囲にあることを意味する。
本発明において、用語「InGaAs」は、実質的にIn、Ga及びAsからなる層を意味するものと理解される。
本発明において、用語「InGaAs量子井戸層」は、InxGa1-xAs(0.13≦x≦0.17)量子井戸層を意味する。
本発明において、用語「GaAsP」は、実質的にGa、As及びPからなる層を意味するものと理解される。
本発明において、用語「GaAsP量子障壁層」は、GaAs1-yPy(0.07≦y≦0.11)量子障壁層を意味する。
本発明において、用語「GaInP」は、実質的にIn、Ga及びPからなる層を意味するものと理解される。
本発明において、用語「圧縮歪み」は、GaAs基板のarcsecよりも低いarcsecを有することを意味する。
本発明において、用語「引っ張り歪み」は、GaAs基板のarcsecよりも高いarcsecを有することを意味する。
本発明において、赤外線発光ダイオードは、1,000nm中心波長を有する発光ダイオードであってもよい。
理論的に限定するものではないが、n型閉じ込め層、p型閉じ込め層、及びウインドウ層は、GaAs基板と格子定数がほぼ一致するのに対して(例えば、Al0.3Ga0.7As/GaAs:△a/a≦+400ppm[圧縮歪み];格子定数に対する変化率)、1,000nm中心波長のためのInGaAs量子井戸層は、GaAs基板との格子定数の差が大きいので(例えば、In0.15Ga0.85As/GaAs:△a/a≧+11,000ppm[圧縮歪み];格子定数に対する変化率)、InGaAs量子井戸層の圧縮歪みを補償可能に引っ張り歪みを有するGaAsP量子障壁層を積層するが、逆極性を有するGaAsP量子障壁層の導入により発生する欠陥を改善して発光効率を高めるように、InGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層との間にGaAsP量子障壁層に比べて小さな引っ張り歪みを有するGaInP歪み補正層を導入して発光ダイオードの活性層の効率を改善するものである。GaInP歪み補正層の導入時に、GaInP歪み補正層が、成長過程で、InGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層に影響することを防ぐために、GaInP歪み補正層とInGaAs量子井戸層との間及び/またはGaInP歪み補正層とGaAsP量子障壁層との間にGaAsバッファ層を積層することにより、発光効率を改善するものである。
本発明において、InGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層は交互に積層され、GaInP歪み補正層は、交互に積層されるInGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層との間の急激な歪み変化を緩和するために、InGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層との間に位置することが好ましい。
本発明において、GaAsバッファ層は、GaInP歪み補正層が、成長過程で、InGaAs量子井戸層及び/またはGaAsP量子障壁層に影響することを防ぐために、InGaAs量子井戸層とGaInP歪み補正層との間及び/またはGaAsP量子障壁層とGaInP歪み補正層との間に積層されることが好ましい。
本発明において、1,000nm中心波長をもつ赤外線発光ダイオードは、InGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層が交互に2回以上、好ましくは、5回以上積層され、交互に積層されるInGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層との間にGaAsバッファ層/GaInP歪み補正層/GaAsバッファ層を順次MOCVDで成長させて積層させたダイオードであってもよい。
本発明において、1,000nm中心波長をもつ赤外線発光ダイオードは、GaAs基板と、GaAs基板に成長させた第1型AlGaAs下部閉じ込め層と、第1型AlGaAs下部閉じ込め層上に成長させた活性層と、活性層上に成長させた第2型AlGaAs上部閉じ込め層と、p型ウインドウ層と、p型ウインドウ層の上面に接する上部電極と、GaAs基板の下面に接する下部電極と、を備える。ここで、活性層は、InGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層が交互に5回以上積層され、交互に積層されたInGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層との間にGaAsバッファ層/GaInP歪み補正層/GaAsバッファ層を順次MOCVDで成長させて積層させた活性層であってもよい。
本発明において、GaAs基板は、下部閉じ込め層が成長する基板であって、基板の下面に、下部電極が形成されていてもよい。本発明において、GaAs基板は、第1型AlGaAs下部閉じ込め層と同型、好ましくは、n型GaAs基板であってもよい。一例として、n型GaAs基板は、32.9arcsecの値を有してもよい。
本発明において、AlGaAs下部閉じ込め層は、GaAs基板と同型を用いることが好ましく、n型基板と実質的に同レベルのarcsecの値、n型基板のarcsecの値±0.5を有することが好ましい。好適には、AlGaAsは、arcsecの値がn型基板と実質的に同レベルを有するように、AlとGaの比率を調節することができる。一例として、AlGaAsは、AlzGa1-zAsで表されてもよく、zは、0.3であってもよい。
本発明において、InGaAs量子井戸層は、1,000nmの中心波長で放出するように、InxGa1-xAsにおいて、0.13≦x≦0.17、より好ましくは0.14≦x≦0.16の範囲を用いてもよく、さらに好ましくは、In0.15Ga0.85Asであってもよく、厚さによって少し調整されてもよい。
本発明において、GaAsP量子障壁層は、InGaAs量子井戸層の圧縮歪みを補償するように引っ張り歪みを有し、好ましくは、歪み補償及び所定の光効率改善効果を示すように、GaAs1-yPyにおいて、0.07≦y≦0.11、より好ましくは、0.08≦y≦0.10の範囲を用いてもよく、さらに好ましくは、GaAs0.91P0.09であってもよく、厚さによって少し調整されてもよい。
本発明において、GaInP歪み補正層は、InGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層との間において、逆極性による欠陥を解消して、向上した発光効率を有するように、GaAsP量子障壁層よりも小さな引っ張り歪みを有する補正層であってもよく、好ましくは、GazIn1-zP、ここで、0.50≦z≦0.59であってもよく、より好ましくは、0.51≦z≦0.55、最も好ましくは、Ga0.53In0.47Pであってもよい。
本発明において、GaAs層は、量子井戸層、量子障壁層、及び歪み補正層の相互作用を解消するために用いられる。このため、量子井戸層、量子障壁層、及び歪み補正層が直接接しないように、一つの量子井戸層、量子障壁層、または歪み補正層が成長する度にその上に成長させることが好ましい。GaAs層は、アンドープGaAs層であることが好ましい。
本発明において、活性層におけるInGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層は、2回以上、好ましくは、3回以上、より好ましくは、4回以上、最も好ましくは、5回以上交互に繰り返して積層されてもよい。
本発明において、AlGaAs上部閉じ込め層は、p型AlGaAs下部閉じ込め層であってもよく、n型AlGaAs下部閉じ込め層と同一の組成を有することが好ましい。
本発明において、活性層におけるInGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層は、5nm及び10nmの厚さを有していてもよく、実質的に同一の厚さを有していてもよい。また、活性層において、AlGaAs歪み補正層とGaAsバッファ層は、それぞれ5nm及び2nmの厚さを有することが好ましい。
本発明の一側面において、基板、下部閉じ込め層、量子障壁層と量子井戸層を含む活性層、上部閉じ込め層、及びウインドウ層を備える発光ダイオードであって、量子井戸層は、圧縮歪みを有し、量子障壁層は、引っ張り歪みを有し、量子井戸層と量子障壁層との間には、量子障壁層の引っ張り歪みよりも小さな引っ張り歪みを有する歪み補正層を有し、歪み補正層の上下面には、GaAsバッファ層を有することを特徴とする。
本発明の一側面において、基板、下部閉じ込め層、量子障壁層と量子井戸層を含む活性層、上部閉じ込め層、及びウインドウ層を備える発光ダイオードの製造方法であって、圧縮歪みを有する量子井戸層と引っ張り歪みを有する量子障壁層とを繰り返して形成し、量子井戸層と量子障壁層との間に量子障壁層の引っ張り歪みよりも小さな引っ張り歪みを有する歪み補正層を形成し、歪み補正層の上下面には、GaAs層を形成する方法を提供する。
本発明において、歪み補正層の引っ張り歪みは、量子障壁層の引っ張り歪みの1〜50%、好ましくは2〜40%、より好ましくは3〜30%、最も好ましくは5〜20%であってもよい。
本発明によれば、高い格子整合率と高い費用節減(経済性)を奏するGaAs基板を用いる1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオードの量子井戸層の歪みによる問題が解決され、これにより発光効率が向上した赤外線ダイオードを提供することができる。
本発明においては、歪み補償が行われた1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオードの活性層は、圧縮歪みを有するInGaAs量子井戸層と引っ張り歪みを有するGaAsP量子障壁層の高い不均一歪み条件を、GaInP歪み補正層と、GaInP歪み補正層の上下面に形成されたバッファ層とによって改善することにより、効率が相対的に20%増加した高効率1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオードを提供することができる。
本発明により、基板に対して大きな圧縮歪みを有する量子井戸層の圧縮歪みによる欠陥を解決することができる。
以下、実施例に基づき、本発明について詳述する。
実施例1
図2は、MOCVDシステムによりInGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層が交互に積層され、交互に積層された量子井戸層と量子障壁層との間にGaAsバッファ層/InGaP歪み補正層/GaAs構造からなるバッファ層が存する活性層を有する1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオードの構造を図式化した図である。
図2は、MOCVDシステムによりInGaAs量子井戸層とGaAsP量子障壁層が交互に積層され、交互に積層された量子井戸層と量子障壁層との間にGaAsバッファ層/InGaP歪み補正層/GaAs構造からなるバッファ層が存する活性層を有する1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオードの構造を図式化した図である。
図2に示すように、1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオード10は、下部のn型GaAs基板(substrate)18と、n型GaAs基板上に成長させたAl0.3Ga0.7Asからなるn型下部閉じ込め層(N-Confinement)17と、n型下部閉じ込め層17上に成長させた活性層(U-MQW)20と、活性層20上にAl0.3Ga0.7Asを成長させたp型上部閉じ込め層(P-Confinement)13と、赤外線発光ダイオードの電流拡散効果と放出コーン領域の拡大効果に、p型上部閉じ込め層13上に5μm厚さに成長させたAl0.2Ga0.8Asからなるウインドウ層(P-Window)12と、を備えている。n型GaAs基板18の下部にAuGeNiからなる下部電極(N-electrode)19を形成し、ウインドウ層12上にAuZnからなる上部電極(P-electrode)11を形成した。
活性層20は、In0.15Ga0.85As量子井戸層21とGaAs0.91P0.09量子障壁層22を交互に5回繰り返して成長させ、量子井戸層21と量子障壁層22との間には、GaAsバッファ層24/Ga0.53In0.47P歪み補正層23/GaAsバッファ層24を成長させる。Ga0.53In0.47P歪み補正層23は、1,000ppmの引っ張り歪みを有する。図2の層構造を有する1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオード10のPL強度を測定した。結果を図7に示した(InGaAs/GaInP/GaAsP0.09MQWs)。
比較実施例1
活性層20の構造が、図3の(a)に示すように、In0.15Ga0.85As量子井戸層とGaAs量子障壁層が交互に5回積層されていることを除いては、実施例1のダイオード10と同一の構造を有する発光ダイオードを製造し、PL強度を測定した。結果を図5の(a)に示した。
活性層20の構造が、図3の(a)に示すように、In0.15Ga0.85As量子井戸層とGaAs量子障壁層が交互に5回積層されていることを除いては、実施例1のダイオード10と同一の構造を有する発光ダイオードを製造し、PL強度を測定した。結果を図5の(a)に示した。
比較実施例2−1
活性層20の構造が、図3の(b)に示すように、In0.15Ga0.85As量子井戸層とGaAs0.97P0.03量子障壁層が交互に5回積層されていることを除いては、実施例1のダイオード10と同一の構造を有する発光ダイオードを製造し、PL強度を測定した。結果を図5の(b)に示した。
活性層20の構造が、図3の(b)に示すように、In0.15Ga0.85As量子井戸層とGaAs0.97P0.03量子障壁層が交互に5回積層されていることを除いては、実施例1のダイオード10と同一の構造を有する発光ダイオードを製造し、PL強度を測定した。結果を図5の(b)に示した。
比較実施例2−2
活性層20の構造が、図3の(b)に示すように、In0.15Ga0.85As量子井戸層とGaAs0.94P0.06量子障壁層が交互に5回積層されていることを除いては、実施例1のダイオード10と同一の構造を有する発光ダイオードを製造し、PL強度を測定した。結果を図5の(b)に示した。
活性層20の構造が、図3の(b)に示すように、In0.15Ga0.85As量子井戸層とGaAs0.94P0.06量子障壁層が交互に5回積層されていることを除いては、実施例1のダイオード10と同一の構造を有する発光ダイオードを製造し、PL強度を測定した。結果を図5の(b)に示した。
比較実施例2−3
活性層20の構造が、図3の(b)に示すように、In0.15Ga0.85As量子井戸層とGaAs0.91P0.09量子障壁層が交互に5回積層されたことを除いては、実施例1のダイオード10と同一の構造を有する発光ダイオードを製造し、PL強度を測定した。結果を図5の(b)に示した。
活性層20の構造が、図3の(b)に示すように、In0.15Ga0.85As量子井戸層とGaAs0.91P0.09量子障壁層が交互に5回積層されたことを除いては、実施例1のダイオード10と同一の構造を有する発光ダイオードを製造し、PL強度を測定した。結果を図5の(b)に示した。
実施例2
実施例1において、活性層20として、In0.15Ga0.85As量子井戸層21とGaAs0.91P0.09量子障壁層22を交互に5回繰り返して成長させ、量子井戸層21と量子障壁層22との間には、GaAsバッファ層24/Ga0.50In0.50P歪み補正層23/GaAsバッファ層24を成長させた。ここで、Ga0.50In0.50P歪み補正層は、引っ張り歪みを有さない。図2の層構造を有する1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオード10のPL強度を測定した。結果を図6に示した。
実施例1において、活性層20として、In0.15Ga0.85As量子井戸層21とGaAs0.91P0.09量子障壁層22を交互に5回繰り返して成長させ、量子井戸層21と量子障壁層22との間には、GaAsバッファ層24/Ga0.50In0.50P歪み補正層23/GaAsバッファ層24を成長させた。ここで、Ga0.50In0.50P歪み補正層は、引っ張り歪みを有さない。図2の層構造を有する1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオード10のPL強度を測定した。結果を図6に示した。
比較実施例3
実施例1において、活性層20として、In0.15Ga0.85As量子井戸層21とGaAs0.91P0.09量子障壁層22を交互に5回繰り返して成長させ、量子井戸層21と量子障壁層22との間には、GaAsバッファ層24/Ga0.47In0.53P歪み補正層23/GaAsバッファ層24を成長させた。ここで、Ga0.47In0.53P歪み補正層は、3,000ppmの圧縮歪みを有する。1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオード10のPL強度を測定した。結果を図6に示した。
実施例1において、活性層20として、In0.15Ga0.85As量子井戸層21とGaAs0.91P0.09量子障壁層22を交互に5回繰り返して成長させ、量子井戸層21と量子障壁層22との間には、GaAsバッファ層24/Ga0.47In0.53P歪み補正層23/GaAsバッファ層24を成長させた。ここで、Ga0.47In0.53P歪み補正層は、3,000ppmの圧縮歪みを有する。1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオード10のPL強度を測定した。結果を図6に示した。
考察
図4は、(a)In0.15Ga0.85As量子井戸層と(b)GaAs1-yPy歪み調整層に対するXRD特性を示すグラフである。全ての層は、GaAs基板上に単一層として成長され、オメガ−2シータの条件でスキャンされた。GaAs基板(32.9 arcsec)を基準として、さらに低いarcsec方向へ移動する時には圧縮歪み特性を有し、さらに高いarcsec方向へ移動する時には引っ張り歪み特性を有する。
図4は、(a)In0.15Ga0.85As量子井戸層と(b)GaAs1-yPy歪み調整層に対するXRD特性を示すグラフである。全ての層は、GaAs基板上に単一層として成長され、オメガ−2シータの条件でスキャンされた。GaAs基板(32.9 arcsec)を基準として、さらに低いarcsec方向へ移動する時には圧縮歪み特性を有し、さらに高いarcsec方向へ移動する時には引っ張り歪み特性を有する。
図4に示すように、1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオードの光放出量子井戸として用いられたIn0.15Ga0.85Asの場合、32.05arcsecであって、GaAs基準(32.9arcsec)に対して極めて高い圧縮歪み(+11,000ppm)を有しており、GaAs1-yPyは、引っ張り歪みを有する。GaAs1-yPyは、y値が大きくなるとともに、引っ張り歪みの程度が大きくなる傾向を示し、GaAs0.97P0.03(−1,500ppm)、GaAs0.94P0.06(−3,000ppm)、GaAs0.91P0.09(−4,500ppm)の引っ張り歪みを有することが分かる。
比較実施例1のように、高い圧縮歪みを有する量子井戸層が、圧縮歪みのないGaAs量子障壁層と交互に積層される場合、1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオードは、量子井戸層による圧縮歪みが改善されないとともに、図5の(a)に示すように、4ユニットの低いPL強度を有するようになる。
比較実施例2−1、2−2、2−3のように、高い圧縮歪みを有する量子井戸層が引っ張り歪みを有するGaAs1-yPy量子障壁層と交互に積層される場合、1,000nm中心波長の赤外線発光ダイオードは、量子井戸層による圧縮歪みが、引っ張り歪みを有する量子障壁層により一部改善され、図5の(b)に示すように、5〜6ユニットの改善されたPL強度を有するようになる。高い引っ張り変形を有する量子障壁層が、低い引っ張り変形を有する量子障壁層に比べて相対的に高いPL強度を示す。
実施例1及び実施例2、比較実施例3のように、In0.15Ga0.85As量子井戸層とGaAs0.91P0.09量子障壁層が交互に積層された状態で、量子井戸層と量子障壁層との間に、歪み補正層であるGazIn1-zPとバッファ層であるGaAsが、GaAs/GazIn1-zP/GaAs複合層の形態で位置する場合、PL特性は、歪み補正層であるGazIn1-zPの特性から影響を受ける。
比較実施例3のように、GazIn1-zP歪み調整層がGa0.53In0.47Pの形態で圧縮歪み(z=0.53)を有する場合、PL強度は、6.2ユニットであり、量子井戸層と量子障壁層との間に、GaAsが、GaAs/GazIn1-zP/GaAs層がない場合(比較実施例2−3)よりも少し低くなりまたはほぼ同じであった。
これに対して、実施例1のように、GazIn1-zP歪み調整層がGa0.47In0.53Pの形態で引っ張り歪み(z=0.53)を有する場合、PL強度は、7.9ユニットと著しく増加した。
また、実施例2のように、GazIn1-zP歪み調整層が、Ga0.50In0.50Pの形態で、ゼロ歪み(Zero strain)(x=0.5)を有する場合も、PL強度は、7.2と著しく増加した。このような結果は、GazIn1-zP歪み調整層の引っ張り歪み特性が、In0.15Ga0.85As/GaAs0.91P0.09MQW(多重量子井戸、multiquantum well)で発生した歪み不均一条件(compensation strain condition:+6500ppm)をさらに均衡的に調整したことを示し、これに対して、GazIn1-zP歪み調整層の圧縮歪み特性は、このような不均一条件に著しく影響を及ぼし、または悪い影響を及ぼすとみなされる。また、GazIn1-zP歪み条件がゼロ圧縮である場合も、相当改善された特性が確認されたが、このような結果は、GazIn1-zP歪み調整層の適用時、境界面に必須に挿入されるGaAsバッファ層により、In0.15Ga0.85As/GaAs0.91P0.09MQW層の不均一性が改善されたことである。
10 発光ダイオード
11 上部電極
12 ウインドウ層
13 p型上部閉じ込め層
17 n型下部閉じ込め層
18 基板
19 下部電極
20 活性層
21 量子井戸層
22 量子障壁層
23 歪み補正層
24 バッファ層
11 上部電極
12 ウインドウ層
13 p型上部閉じ込め層
17 n型下部閉じ込め層
18 基板
19 下部電極
20 活性層
21 量子井戸層
22 量子障壁層
23 歪み補正層
24 バッファ層
Claims (10)
- 圧縮歪みを有するInxGa1-xAs(0.13≦x≦0.15)量子井戸層と、
引っ張り歪みを有するGaAs1-yPy(0.07≦y≦0.11)量子障壁層と、
前記量子障壁層に比べて圧縮歪みが小さなGaInP歪み補正層及びGaAsバッファ層を含む活性層と、を備えることを特徴とする赤外線発光ダイオード。 - 前記InGaAs量子井戸層と前記GaAsP量子障壁層は交互に積層され、
前記GaInP歪み補正層は、交互に積層される前記InGaAs量子井戸層と前記GaAsP量子障壁層との間に位置することを特徴とする請求項1に記載の赤外線発光ダイオード。 - 前記GaAsバッファ層は、
前記InGaAs量子井戸層と前記GaInP歪み補正層との間と、
前記GaAsP量子障壁層と前記GaInP歪み補正層との間に積層されることを特徴とする請求項1に記載の赤外線発光ダイオード。 - 前記InGaAs量子井戸層と前記GaAsP量子障壁層が交互に積層され、
交互に積層される前記InGaAs量子井戸層と前記GaAsP量子障壁層との間に、前記GaAsバッファ層/GaInP歪み補正層/GaAsバッファ層が成長されて積層されていることを特徴とする請求項1に記載の赤外線発光ダイオード。 - 1,000nm中心波長を有する赤外線発光ダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の赤外線発光ダイオード。
- GaAs基板と、
前記GaAs基板で成長させた第1型AlGaAs下部閉じ込め層と、
前記第1型AlGaAs下部閉じ込め層上に成長させた活性層と、
前記活性層上に成長させた第2型AlGaAs上部閉じ込め層と、
前記第2型AlGaAs上部閉じ込め層上に形成されたp型ウインドウ層と、
前記p型ウインドウ層の上面に接する上部電極と、
前記GaAs基板の下面に接する下部電極と、を備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の赤外線発光ダイオード。 - 前記量子井戸層は、In0.15Ga0.85Asであり、
前記量子障壁層は、GaAs0.91P0.09であることを特徴とする請求項1に記載の赤外線発光ダイオード。 - 前記GaInP歪み補正層は、ゼロ歪みのGaInPであることを特徴とする請求項1に記載の赤外線発光ダイオード。
- 前記GaInP歪み補正層は、GazIn1-zPであり、ここで、0.50<z<0.59であることを特徴とする請求項1に記載の赤外線発光ダイオード。
- 前記GaAs層は、アンドープGaAs層であることを特徴とする請求項1に記載の赤外線発光ダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180057922A KR101988932B1 (ko) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | 고효율 1000 nm 적외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
KR10-2018-0057922 | 2018-05-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019204951A true JP2019204951A (ja) | 2019-11-28 |
Family
ID=66847505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019095010A Pending JP2019204951A (ja) | 2018-05-21 | 2019-05-21 | 赤外線発光ダイオード及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190355871A1 (ja) |
JP (1) | JP2019204951A (ja) |
KR (1) | KR101988932B1 (ja) |
CN (1) | CN110518104A (ja) |
TW (1) | TW202005108A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022032541A (ja) * | 2020-08-12 | 2022-02-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP7458332B2 (ja) | 2021-01-15 | 2024-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116960248B (zh) * | 2023-09-15 | 2024-01-19 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管外延片及制备方法 |
CN117976791A (zh) * | 2024-03-28 | 2024-05-03 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 | 一种940nm反极性红外LED外延片及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101610440B1 (ko) * | 2013-11-27 | 2016-04-20 | 광전자 주식회사 | 다이아몬드 상 카본 보호필름을 가지는 적외선 발광다이오드 및 그 제조방법 |
-
2018
- 2018-05-21 KR KR1020180057922A patent/KR101988932B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-05-13 US US16/411,101 patent/US20190355871A1/en not_active Abandoned
- 2019-05-14 TW TW108116618A patent/TW202005108A/zh unknown
- 2019-05-21 JP JP2019095010A patent/JP2019204951A/ja active Pending
- 2019-05-21 CN CN201910424575.9A patent/CN110518104A/zh active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022032541A (ja) * | 2020-08-12 | 2022-02-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP7319618B2 (ja) | 2020-08-12 | 2023-08-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP7458332B2 (ja) | 2021-01-15 | 2024-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101988932B1 (ko) | 2019-06-13 |
TW202005108A (zh) | 2020-01-16 |
US20190355871A1 (en) | 2019-11-21 |
CN110518104A (zh) | 2019-11-29 |
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