JP2019202143A - 所定のアブレーション電流プロファイルの使用 - Google Patents
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Abstract
Description
電流の印加中、及び振幅が最大値に増加した後で、組織の表面温度を示す信号を受信することと、
信号に応答して、電流の振幅を調整することと、を行うように構成されている。
カテーテルの遠位先端部の組織内への推定貫通深さを計算することと、
推定貫通深さに応答して、複数の所定の時間の関数から所定の時間の関数を選択することと、を行うように更に構成される。
電流は、シミュレートされた電流であり、
振幅は、シミュレートされた振幅であり、
システムは、電流源発生器を更に含み、
プロセッサは、電流源発生器を駆動して、アブレーション処置中に時間の関数に従って変化する実際の振幅を有する実際の電流を供給するように更に構成されている。
一般に、アブレーション処置は可能な限り迅速に進行することが望ましい。しかしながら、短い時間間隔の間に組織に大量の電力を印加することにより、組織の表面下温度が過度に高くなる場合があり、その結果、組織中に危険なスチームポップが生じる場合がある。1つの解決策は、例えば、前述の米国特許第9,241,756号及び同第9,265,574号に記載されているように、処置中に表面下温度を推定することである。しかしながら、場合によっては、この解決策を効果的に実施することは困難であり得る。
最初に図1を参照すると、図1は、本発明のいくつかの実施形態による被験者26の組織をアブレーションするためのシステム20の概略図である。
ここで図2を参照すると、図2は、本発明のいくつかの実施形態による、2つの電流プロファイル42の概略図である。
ここで図3を参照すると、図3は本発明のいくつかの実施形態による、電流プロファイルを生成するのに用いられるシミュレートされたアブレーションの概略図である。
(1) 電流源発生器と、
前記電流源発生器を駆動して、被験者の組織に印加するために、所定の時間の関数に従って変化する振幅を有する電流を供給させ、その結果、初期は前記振幅が最大値まで単調に増加するように構成された、プロセッサと、を含む、システム。
(2) 前記所定の時間の関数が、値の時系列を含む、実施態様1に記載のシステム。
(3) 前記所定の時間の関数が、任意の時間値tに対し、定数a、b、c、d、e、f、及びgに対して(a+tb)/(c+d*te+f*tg)を返す、実施態様1に記載のシステム。
(4) 前記振幅が二乗平均平方根(RMS)振幅であり、前記RMS振幅の最大値が0.8〜1.2Aである、実施態様1に記載のシステム。
(5) 前記プロセッサが、0.5秒未満で前記振幅を前記最大値まで単調に増加させるように構成されている、実施態様1に記載のシステム。
前記電流の印加中、及び前記振幅が前記最大値に増加した後で、前記組織の表面温度を示す信号を受信することと、
前記信号に応答して、前記電流の前記振幅を調整することと、を行うように更に構成されている、実施態様1に記載のシステム。
(7) 前記プロセッサが、前記表面温度から前記組織の推定最大表面下温度を計算するように更に構成され、前記プロセッサが、前記推定最大表面下温度に応答して前記電流の前記振幅を調節するように構成されている、実施態様6に記載のシステム。
(8) 前記電流が、カテーテルの遠位先端部によって前記組織に印加され、前記プロセッサが、
カテーテルの前記遠位先端部の前記組織内への推定貫通深さを計算することと、
前記推定貫通深さに応答して、複数の所定の時間の関数から前記所定の時間の関数を選択することと、を行うように更に構成されている、実施態様1に記載のシステム。
(9) コンピュータメモリから所定の時間の関数をロードすることと、
電流源発生器を駆動して、被験者の組織に印加するために、前記所定の時間の関数に従って変化する振幅を有する電流を供給させ、その結果、初期は前記振幅が最大値まで単調に増加することと、を含む、方法。
(10) 前記所定の時間の関数が、値の時系列を含む、実施態様9に記載の方法。
(12) 前記振幅が二乗平均平方根(RMS)振幅であり、前記RMS振幅の最大値が0.8〜1.2Aである、実施態様9に記載の方法。
(13) 前記電流の前記振幅が、0.5秒未満で前記最大値まで単調に増加する、実施態様9に記載の方法。
(14) 前記電流の印加中、及び前記振幅が前記最大値に増加した後で、前記組織の表面温度を示す信号を受信することと、
前記信号に応答して、前記電流の前記振幅を調整することと、を更に含む、実施態様9に記載の方法。
(15) 前記表面温度から前記組織の推定最大表面下温度を計算することを更に含み、前記電流の前記振幅を調整することが、前記推定最大表面下温度に応答して前記電流の前記振幅を調節することを含む、実施態様14に記載の方法。
カテーテルの前記遠位先端部の前記組織内への推定貫通深さを計算することと、
前記推定貫通深さに応答して、複数の所定の時間の関数から前記所定の時間の関数を選択することと、を更に含む、実施態様9に記載の方法。
(17) コンピュータメモリと、
プロセッサであって、
シミュレートされた組織への電流の印加をシミュレートする間に、前記シミュレートされた組織の最大表面下温度が所定の閾値に向かって増加しながらも前記所定の閾値を超えることがないように、前記電流の振幅を制御することと、
前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値から時間の関数を導出することと、
前記時間の関数をアブレーション処置における後続の使用のために前記コンピュータメモリに記憶することと、を行うように構成された、プロセッサと、を含む、システム。
(18) 前記プロセッサが、前記振幅を制御することによって、初期は前記振幅を最大値まで単調に増加させるように構成されている、実施態様17に記載のシステム。
(19) 前記振幅が二乗平均平方根(RMS)振幅であり、前記RMS振幅の最大値が0.8〜1.2Aである、実施態様18に記載のシステム。
(20) 前記プロセッサが、0.5秒未満で前記振幅を前記最大値まで単調に増加させるように構成されている、実施態様18に記載のシステム。
(22) 前記プロセッサが、前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値の少なくとも一部を選択することによって前記時間の関数を導出することと、前記選択された値を記憶することによって前記時間の関数を記憶することと、を行うように構成されている、実施態様17に記載のシステム。
(23) 前記プロセッサが、所定の関数テンプレートを前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値に適合させることによって、前記時間の関数を導出するように構成されている、実施態様17に記載のシステム。
(24) 前記時間の関数が、任意の時間値tに対し、定数a、b、c、d、e、f、及びgに対して(a+tb)/(c+d*te+f*tg)を返す、実施態様23に記載のシステム。
(25) 前記プロセッサが、前記振幅の現在の振幅値A、及び前記最大表面下温度の現在の温度値Tを所与として、前記振幅の次の値をmin(A,max(Amin,|Amin−C*(T−Tlim)|))に設定することによって前記振幅を制御するように構成され、式中、Aminは所定の最小振幅値であり、Cは所定の定数であり、Tlimは前記所定の閾値である、実施態様17に記載のシステム。
(27) 前記電流が、シミュレートされた電流であり、
前記振幅が、シミュレートされた振幅であり、
前記システムが、電流源発生器を更に含み、
前記プロセッサが、前記電流源発生器を駆動して、前記アブレーション処置中に前記時間の関数に従って変化する実際の振幅を有する実際の電流を供給するように更に構成されている、実施態様17に記載のシステム。
(28) 前記所定の閾値が、120〜130℃である、実施態様17に記載のシステム。
(29) プロセッサを用いて、シミュレートされた組織への電流の印加をシミュレートする間に、前記シミュレートされた組織の最大表面下温度が所定の閾値に向かって増加しながらも前記所定の閾値を超えることがないように、前記電流の振幅を制御することと、
前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値から時間の関数を導出することと、
前記時間の関数をアブレーション処置における後続の使用のために記憶することと、を含む、方法。
(30) 前記振幅を制御することが、初期は前記振幅を最大値まで単調に増加させることを含む、実施態様29に記載の方法。
(32) 前記振幅を前記最大値まで単調に増加させることが、0.5秒未満で前記振幅を前記最大値まで単調に増加させることを含む、実施態様30に記載の方法。
(33) 前記振幅を制御することが、前記シミュレートされた印加の開始から1.5秒未満で前記最大表面下温度が前記所定の閾値の5℃以内まで増加し、続いて、前記シミュレートされた印加の終了まで前記所定の閾値の5℃以内に留まるように、前記振幅を制御することを含む、実施態様29に記載の方法。
(34) 前記時間の関数を導出することが、前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値の少なくとも一部を選択することによって、前記時間の関数を導出することを含み、前記時間の関数を記憶することが、前記選択された値を記憶することによって前記時間の関数を記憶することを含む、実施態様29に記載の方法。
(35) 前記時間の関数を導出することが、所定の関数テンプレートを前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値に適合させることによって、前記時間の関数を導出することを含む、実施態様29に記載の方法。
(37) 前記振幅を制御することが、前記振幅の現在の振幅値A、及び前記最大表面下温度の現在の温度値Tを所与として、前記振幅の次の値を(i)A、並びに(ii)Amin及び|Amin−C*(T−Tlim)|の最大値、の最小値に設定することによって前記振幅を制御することを含み、式中、Aminは所定の最小振幅値であり、Cは所定の定数であり、Tlimは前記所定の閾値である、実施態様29に記載の方法。
(38) 前記振幅を制御することが、前記最大表面下温度が前記所定の閾値に向かって漸近的に増加するように前記振幅を制御することを含む、実施態様29に記載の方法。
(39) 前記電流が、シミュレートされた電流であり、
前記振幅が、シミュレートされた振幅であり、
前記方法が、電流源発生器を駆動して、前記アブレーション処置中に前記時間の関数に従って変化する実際の振幅を有する実際の電流を供給することを更に含む、実施態様29に記載の方法。
(40) 前記所定の閾値が、120〜130℃である、実施態様29に記載の方法。
Claims (32)
- 電流源発生器と、
前記電流源発生器を駆動して、被験者の組織に印加するために、所定の時間の関数に従って変化する振幅を有する電流を供給させ、その結果、初期は前記振幅が最大値まで単調に増加するように構成された、プロセッサと、を含む、システム。 - 前記所定の時間の関数が、値の時系列を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記所定の時間の関数が、任意の時間値tに対し、定数a、b、c、d、e、f、及びgに対して(a+tb)/(c+d*te+f*tg)を返す、請求項1に記載のシステム。
- 前記振幅が二乗平均平方根(RMS)振幅であり、前記RMS振幅の最大値が0.8〜1.2Aである、請求項1に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、0.5秒未満で前記振幅を前記最大値まで単調に増加させるように構成されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、
前記電流の印加中、及び前記振幅が前記最大値に増加した後で、前記組織の表面温度を示す信号を受信することと、
前記信号に応答して、前記電流の前記振幅を調整することと、を行うように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。 - 前記プロセッサが、前記表面温度から前記組織の推定最大表面下温度を計算するように更に構成され、前記プロセッサが、前記推定最大表面下温度に応答して前記電流の前記振幅を調節するように構成されている、請求項6に記載のシステム。
- 前記電流が、カテーテルの遠位先端部によって前記組織に印加され、前記プロセッサが、
カテーテルの前記遠位先端部の前記組織内への推定貫通深さを計算することと、
前記推定貫通深さに応答して、複数の所定の時間の関数から前記所定の時間の関数を選択することと、を行うように更に構成されている、請求項1に記載のシステム。 - コンピュータメモリと、
プロセッサであって、
シミュレートされた組織への電流の印加をシミュレートする間に、前記シミュレートされた組織の最大表面下温度が所定の閾値に向かって増加しながらも前記所定の閾値を超えることがないように、前記電流の振幅を制御することと、
前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値から時間の関数を導出することと、
前記時間の関数をアブレーション処置における後続の使用のために前記コンピュータメモリに記憶することと、を行うように構成された、プロセッサと、を含む、システム。 - 前記プロセッサが、前記振幅を制御することによって、初期は前記振幅を最大値まで単調に増加させるように構成されている、請求項9に記載のシステム。
- 前記振幅が二乗平均平方根(RMS)振幅であり、前記RMS振幅の最大値が0.8〜1.2Aである、請求項10に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、0.5秒未満で前記振幅を前記最大値まで単調に増加させるように構成されている、請求項10に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、前記振幅を制御することによって、前記シミュレートされた印加の開始から1.5秒未満で前記最大表面下温度を前記所定の閾値の5℃以内まで増加させ、続いて、前記シミュレートされた印加の終了まで前記所定の閾値の5℃以内に留まらせるように構成されている、請求項9に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値の少なくとも一部を選択することによって前記時間の関数を導出することと、前記選択された値を記憶することによって前記時間の関数を記憶することと、を行うように構成されている、請求項9に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、所定の関数テンプレートを前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値に適合させることによって、前記時間の関数を導出するように構成されている、請求項9に記載のシステム。
- 前記時間の関数が、任意の時間値tに対し、定数a、b、c、d、e、f、及びgに対して(a+tb)/(c+d*te+f*tg)を返す、請求項15に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、前記振幅の現在の振幅値A、及び前記最大表面下温度の現在の温度値Tを所与として、前記振幅の次の値をmin(A,max(Amin,|Amin−C*(T−Tlim)|))に設定することによって前記振幅を制御するように構成され、式中、Aminは所定の最小振幅値であり、Cは所定の定数であり、Tlimは前記所定の閾値である、請求項9に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、前記振幅を制御することによって、前記最大表面下温度を前記所定の閾値に向かって漸近的に増加させるように構成されている、請求項9に記載のシステム。
- 前記電流が、シミュレートされた電流であり、
前記振幅が、シミュレートされた振幅であり、
前記システムが、電流源発生器を更に含み、
前記プロセッサが、前記電流源発生器を駆動して、前記アブレーション処置中に前記時間の関数に従って変化する実際の振幅を有する実際の電流を供給するように更に構成されている、請求項9に記載のシステム。 - 前記所定の閾値が、120〜130℃である、請求項9に記載のシステム。
- プロセッサを用いて、シミュレートされた組織への電流の印加をシミュレートする間に、前記シミュレートされた組織の最大表面下温度が所定の閾値に向かって増加しながらも前記所定の閾値を超えることがないように、前記電流の振幅を制御することと、
前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値から時間の関数を導出することと、
前記時間の関数をアブレーション処置における後続の使用のために記憶することと、を含む、方法。 - 前記振幅を制御することが、初期は前記振幅を最大値まで単調に増加させることを含む、請求項21に記載の方法。
- 前記振幅が二乗平均平方根(RMS)振幅であり、前記最大値が0.8〜1.2Aである、請求項22に記載の方法。
- 前記振幅を前記最大値まで単調に増加させることが、0.5秒未満で前記振幅を前記最大値まで単調に増加させることを含む、請求項22に記載の方法。
- 前記振幅を制御することが、前記シミュレートされた印加の開始から1.5秒未満で前記最大表面下温度が前記所定の閾値の5℃以内まで増加し、続いて、前記シミュレートされた印加の終了まで前記所定の閾値の5℃以内に留まるように、前記振幅を制御することを含む、請求項21に記載の方法。
- 前記時間の関数を導出することが、前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値の少なくとも一部を選択することによって、前記時間の関数を導出することを含み、前記時間の関数を記憶することが、前記選択された値を記憶することによって前記時間の関数を記憶することを含む、請求項21に記載の方法。
- 前記時間の関数を導出することが、所定の関数テンプレートを前記シミュレートされた印加にわたる前記振幅の値に適合させることによって、前記時間の関数を導出することを含む、請求項21に記載の方法。
- 前記時間の関数が、任意の時間値tに対し、定数a、b、c、d、e、f、及びgに対して(a+tb)/(c+d*te+f*tg)を返す、請求項27に記載の方法。
- 前記振幅を制御することが、前記振幅の現在の振幅値A、及び前記最大表面下温度の現在の温度値Tを所与として、前記振幅の次の値を(i)A、並びに(ii)Amin及び|Amin−C*(T−Tlim)|の最大値、の最小値に設定することによって前記振幅を制御することを含み、式中、Aminは所定の最小振幅値であり、Cは所定の定数であり、Tlimは前記所定の閾値である、請求項21に記載の方法。
- 前記振幅を制御することが、前記最大表面下温度が前記所定の閾値に向かって漸近的に増加するように前記振幅を制御することを含む、請求項21に記載の方法。
- 前記電流が、シミュレートされた電流であり、
前記振幅が、シミュレートされた振幅であり、
前記方法が、電流源発生器を駆動して、前記アブレーション処置中に前記時間の関数に従って変化する実際の振幅を有する実際の電流を供給することを更に含む、請求項21に記載の方法。 - 前記所定の閾値が、120〜130℃である、請求項21に記載の方法。
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