JP2019201473A - インバータ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】従来技術に比較して効率化でき、小型化及びコストを低減できるインバータ装置を提供する。【解決手段】入力両端に入力される直流電圧を、第1及び第2の中間点及びフィルタ部を介して交流電圧に変換するインバータ装置であって、それぞれ少なくとも4個のスイッチング素子の第1及び第2の直列回路と、第1の中間点に接続された2個のスイッチング素子と並列に接続される第1のフライングキャパシタと、第2の中間点に接続された2個のスイッチング素子と並列に接続される第2のフライングキャパシタと、第1及び第2の直列回路のスイッチング素子をオン・オフ制御するための制御信号を発生する制御信号発生回路とを備える。一相の回路当たりのフライングキャパシタの数をkとしたときに、制御信号発生回路は、第1及び第2のフライングキャパシタに印加される電圧が直流電圧の(k+1)よりも低くなるように制御信号を発生する。【選択図】図1

Description

本発明は、フライングキャパシタを用いたインバータ装置に関する。
近年、種々のマルチレベルインバータ装置のトポロジーが提案検討されている(例えば、特許文献1、非特許文献1参照)。レベル数が3以上のマルチレベルインバータ装置は、従来の2レベルの電力変換器に比較して、レベル数nに対してスイッチング素子の耐圧をn−1分の1に低減でき、複数レベルの電圧を出力するので高調波を低減できるという、利点があった。
特開2016−059132号公報(図1)
持館沙英ほか,「フライングキャパシタマルチレベル変換器を用いたモータドライブシステムの総合損失の低減に関する実験的検証」,平成29年電気学会産業応用部門大会講演論文集,I−105,pp.I473〜I478,2017年8月(図1)
しかしながら、従来は、インバータ装置の相間レベル数が2ないし3レベルであったため、スイッチング損が大きく、そのため、インバータ装置の効率が低く、小型化できないという課題があった。また、5レベル以上のインバータ装置のトポロジーも提案されているが、スイッチング素子数が増えることで、導通損が増え、コスト増に対して効率向上が限定的であるという課題があった。
本発明の目的は以上の課題を解決し、従来技術に比較して効率化でき、小型化及びコストを低減できるインバータ装置を提供することにある。
本発明の一態様にかかるインバータ装置は、
入力両端に入力される直流電圧を、第1及び第2の中間点及びフィルタ部を介して交流電圧に変換するインバータ装置であって、
前記入力両端の間に接続される、少なくとも4個のスイッチング素子の第1の直列回路と、
前記入力両端の間に接続される、少なくとも4個のスイッチング素子の第2の直列回路と、
前記第1の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子のうち、前記第1の中間点に接続された2個のスイッチング素子と並列に接続される第1のフライングキャパシタと、
前記第2の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子のうち、前記第2の中間点に接続された2個のスイッチング素子と並列に接続される第2のフライングキャパシタと、
前記第1の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子及び前記第2の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子をオン・オフ制御するための制御信号をそれぞれ発生して出力する制御信号発生回路とを備え、
前記第1の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子のうち、前記入力両端に直接に接続されず前記第1のフライングキャパシタに並列に接続される少なくとも2個のスイッチング素子の耐圧を、前記入力両端に直接に接続される少なくとも2個のスイッチング素子の耐圧よりも低くなるように設定し、
前記第2の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子のうち、前記入力両端に直接に接続されず前記第2のフライングキャパシタに並列に接続される少なくとも2個のスイッチング素子の耐圧を、前記入力両端に直接に接続される少なくとも2個のスイッチング素子の耐圧よりも低くなるように設定し、
一相の回路当たりのフライングキャパシタの数をkとしたときに、前記制御信号発生回路は、前記第1及び第2のフライングキャパシタに印加される電圧が前記直流電圧の(k+1)分の1よりも低くなるように前記制御信号を発生することを特徴とする。
前記インバータ装置において、
前記制御信号発生回路は、前記交流電圧がその最大値を含む正の期間において、前記第1の中間点と前記第2の中間点との間の中間点間電圧が第1の基準電圧から、第1の基準電圧よりも高い第2の基準電圧を経て最大電圧に上昇した後、当該最大電圧から第2の基準電圧を経て第1の基準電圧に下降して階段形状で変化するように、前記制御信号を発生し、
前記制御信号発生回路は、前記交流電圧がその最小値を含む負の期間において、前記中間点間電圧が第3の基準電圧から、第3の基準電圧よりも低い第4の基準電圧を経て最小電圧に下降した後、当該最小電圧から第4の基準電圧を経て第3の基準電圧に上昇して階段形状で変化するように、前記制御信号を発生し、
第1及び第3の基準電圧は、前記第1及び第2のフライングキャパシタの耐圧以下となるように設定され、
第2の基準電圧は、前記直流電圧から第1の基準電圧を減算した絶対電圧が設定され、
第4の基準電圧は、前記直流電圧から第3の基準電圧を減算した絶対電圧が設定されることを特徴とする。
また、前記インバータ装置において、
前記第1の直列回路は第1〜第4のスイッチング素子を含み、
前記第2の直列回路は第5〜第8のスイッチング素子を含み、
前記制御信号発生回路は、前記交流電圧がその最大値を含む正の期間において、
(1)第2のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第1の基準電圧となり、
(2)第1のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第2のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第2の基準電圧となり、
(3)第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が最大電圧となり、
前記制御信号発生回路は、前記交流電圧がその最小値を含む負の期間において、
(4)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第6のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第7のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第3の基準電圧となり、
(5)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第7のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第6のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第4の基準電圧となり、
(6)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が最小電圧となることを特徴とする。
さらに、前記インバータ装置において、
前記制御信号発生回路はさらに、前記交流電圧が最大値を含む期間以外の正の期間において、前記中間点間電圧が0から第1の基準電圧を経て第2の基準電圧に上昇した後、当該第2の基準電圧から第1の基準電圧を経て0に下降して階段形状で変化するように、前記制御信号を発生し、
前記制御信号発生回路はさらに、前記交流電圧が最大値を含む期間以外の負の期間において、前記中間点間電圧が0から第3の基準電圧を経て第4の基準電圧に下降した後、当該第4の基準電圧から第3の基準電圧を経て0に上昇して階段形状で変化するように、前記制御信号を発生することを特徴とする。
またさらに、前記インバータ装置において、
前記制御信号発生回路は、前記交流電圧が最大値を含む期間以外の正の期間において、
(1)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が0となり、
(2)第2のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第1の基準電圧となり、
(3)第1のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第2のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第2の基準電圧となり、
前記制御信号発生回路は、前記交流電圧が最小値を含む期間以外の負の期間において、
(4)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が0となり、
(5)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第6のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第7のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第3の基準電圧となり、
(6)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第7のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第6のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第4の基準電圧となることを特徴とする。
従って、本発明に係るインバータ装置によれば、従来技術に比較して効率化でき、小型化及びコストを低減できる。
実施形態1に係る、フライングキャパシタを用いたインバータ装置20を含む電力システム100の構成例を示す回路図である。 比較例に係る、フライングキャパシタを用いたインバータ装置20の構成を示す回路図である。 図1のインバータ装置20の中点間電圧Vn及び出力電圧Voを示すタイミングチャートである。 図1のインバータ装置20の期間T1,T3におけるインバータ制御信号S1〜S8及び中点間電圧Vnを示すタイミングチャートである。 図4Aの期間T11,T15におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図4Aの期間T12,T14におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図4Aの期間T13におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図1のインバータ装置20の期間T2におけるインバータ制御信号S1〜S8及び中点間電圧Vnを示すタイミングチャートである。 図5Aの期間T21,T25におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図5Aの期間T22,T24におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図5Aの期間T23におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図1のインバータ装置20の期間T4,T6におけるインバータ制御信号S1〜S8及び中点間電圧Vnを示すタイミングチャートである。 図6Aの期間T31,T35におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図6Aの期間T32,T34におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図6Aの期間T33におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図1のインバータ装置20の期間T5におけるインバータ制御信号S1〜S8及び中点間電圧Vnを示すタイミングチャートである。 図7Aの期間T41,T45におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図7Aの期間T42,T44におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 図7Aの期間T43におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。 比較例及び実施形態1のシミュレーション結果であって、損失電力を示すグラフである。 実施形態2に係る、フライングキャパシタを用いたインバータ装置20Aを含む電力システム100Aの構成例を示す回路図である。
以下、比較例及び本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。
(比較例)
図2は、非特許文献1の図1において開示された、比較例に係る、フライングキャパシタを用いたインバータ装置20Bの構成を示す回路図である。
図2において、スイッチング素子SS1〜SS(n−1),SS(n−1)p〜SS1pが互いに直列に接続され、当該直列接続され直列回路の両端に、それぞれ電圧E/2である2個の直流電源の直列回路が接続される。ここで、2個の直流電源の接続点は接地される。スイッチング素子SS1とSS2との接続点と、スイッチング素子SS1pとSS2pとの接続点との間にフライングキャパシタFCC1が接続される。また、スイッチング素子SS2とSS3との接続点と、スイッチング素子SS2pとSS3pとの接続点との間にフライングキャパシタFCC2が接続される。以下同様にフライングキャパシタFCC3〜FCC(n−3)が接続され、さらに、スイッチング素子SS(n−2)とSS(n−1)との接続点と、スイッチング素子SS(n−1)pとSS(n−2)pとの接続点との間にフライングキャパシタFCC(n−2)が接続される。そして、スイッチング素子SS(n−1)とSS(n−1)pとの接続点がインバータ装置20Bの出力端子となる。
以上のように構成されたインバータ装置20Bにおいて、図2の上下方向に対応するスイッチング素子対(SS1とSS1p;SS2とSS2p;…;SS(n−1)とSS(n−1)p)は相補的にオン・オフ動作を行うように制御される。ここで、マルチレベルインバータ装置20Bのレベル数をnとすると、当該インバータ装置20B内でフローティングした(n−2)個のフライングキャパシタFCC1〜FCC(n−2)は、それぞれ電圧E(n−1)ずつ異なる電圧を保持し、当該インバータ装置20Bは、それらの電圧と入力電圧との加減算によりマルチレベルの出力電圧を得ることができる。
(実施形態1)
図1は、実施形態1に係る、フライングキャパシタを用いたインバータ装置20を含む電力システム100の構成例を示す回路図である。
図1の電力システム100において、例えば太陽電池発電装置である発電装置1は、所定の直流電圧を発電した後、電圧変換等を行うDCDC変換器2及び平滑用キャパシタ6を介してインバータ装置20のインバータ部3に出力する。インバータ部3は、DCDC変換器2から入力両端を介して入力される直流電圧Vdcを、スイッチング素子Q1〜Q8を用いてスイッチングすることで交流電圧の中点間電圧Vnを発生してフィルタ部4を介して出力する。フィルタ部4は、2個のインダクタL1,L2とキャパシタC1とを備えて構成され、入力される中点間電圧Vnを低域通過ろ波することで、出力交流電圧の高調波を低減し、当該交流の出力電圧Voを、例えば電力系統などの交流負荷である負荷5に出力する。ここで、インバータ部3とフィルタ部4とを備えて、インバータ装置20を構成する。
インバータ部3は、
(1)キャパシタ6の両端間に接続された回路であって、4個のスイッチング素子Q1〜Q4が互いに直接に接続された第1の直列回路と、
(2)キャパシタ6の両端間に接続された回路であって、4個のスイッチング素子Q5〜Q8が互いに直接に接続された第2の直列回路と、
(3)スイッチング素子Q1のソースとスイッチング素子Q2のドレインとの間の接続点P1と、スイッチング素子Q3のソースとスイッチング素子Q4のドレインとの間の接続点P3との間に接続された(DCDC変換器2の出力両端及び中間点P2,P5に直接に接続されない)フライングキャパシタFC1と、
(4)スイッチング素子Q5のソースとスイッチング素子Q6のドレインとの間の接続点P4と、スイッチング素子Q7のソースとスイッチング素子Q8のドレインとの間の接続点P6との間に接続された(DCDC変換器2の出力両端及び中間点P2,P5に直接に接続されない)フライングキャパシタFC2と、
(5)ドライバ回路を含み、スイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフを制御するためのインバータ制御信号S1〜S8を発生してスイッチング素子Q1〜Q8の各ゲートに出力するインバータ制御信号発生回路10と
を備えて構成される。
なお、接続点P1〜P6のうち特にP2,P5を中間点という。ここで、DCDC変換器2の出力両端に接続されるスイッチング素子Q1,Q4,Q5,Q8は例えば、高耐圧のSiC電界効果トランジスタを用いる。また、DCDC変換器2の出力両端に接続されず、中間点P2,P5に接続されるスイッチング素子Q2,Q3,Q6,Q7は例えば、SiC電界効果トランジスタよりも低い耐圧である低耐圧のMOS電界効果トランジスタを用いる。
スイッチング素子Q2のソースとスイッチング素子Q3のドレインとの間に接続点P2と、スイッチング素子Q6のソースとスイッチング素子Q7のドレインとの間に接続点P5との間の中点間電圧Vnはフィルタ部4を介して負荷5に出力される。
図3は図1のインバータ装置20の中点間電圧Vn及び出力電圧Voを示すタイミングチャートである。図3に示すように、出力電圧Voの正の期間を期間T1,T2,T3に分割し、出力電圧Voの負の期間を期間T4,T5,T6に分割する。ここで、期間T1,T3,T4,T6とは互いに時間が同一である。なお、図3の例では、直流電圧Vdc=320Vである。
(1)インバータ制御信号発生回路10は、期間T1,T3において、中点間電圧Vnが、0Vと、第1の基準電圧VR1(図3の例では、100V)と、第2の基準電圧VR2(図3の例では、220V)との間で大きな変化なしに(すなわち、直流電圧Vdcの変化なしに)階段形状で変化する(直流電圧Vdcをパルス変調する)ように、インバータ制御信号S1〜S8を発生する。
(2)インバータ制御信号発生回路10は、期間T2において、中点間電圧Vnが、第1の基準電圧VR1(図3の例では、100V)と、第2の基準電圧VR2(図3の例では、220V)と、最大電圧Vmax(図3の例では、320V)との間で大きな変化なしに(すなわち、直流電圧Vdcの変化なしに)階段形状で変化する(直流電圧Vdcをパルス変調する)ように、インバータ制御信号S1〜S8を発生する。
(3)インバータ制御信号発生回路10は、期間T4,T6において、中点間電圧Vnが、0Vと、第3の基準電圧VR3(図3の例では、−100V)と、第4の基準電圧VR4(図3の例では、−220V)との間で大きな変化なしに(すなわち、直流電圧Vdcの変化なしに)階段形状で変化する(直流電圧Vdcをパルス変調する)ように、インバータ制御信号S1〜S8を発生する。
(4)インバータ制御信号発生回路10は、期間T5において、中点間電圧Vnが、第3の基準電圧VR3(図3の例では、−100V)と、第4の基準電圧VR4(図3の例では、−220V)と、最小電圧Vmin(図3の例では、−320V)との間で大きな変化なしに(すなわち、直流電圧Vdcの変化なしに)階段形状で変化する(直流電圧Vdcをパルス変調する)ように、インバータ制御信号S1〜S8を発生する。
比較例及び従来技術では、フライングキャパシタFC1,FC2に印加される電圧は、Vdc/2程度であるが、本実施形態では、Vdc/2よりも低い電圧(図3の例では、160V以下の110V程度)で印加されるように、スイッチング素子Q1〜Q8をオン・オフ制御することを特徴としている。これにより、中間点P2、P5に接続されるスイッチング素子Q2、Q3,Q6,Q7として例えば耐圧150Vのデバイスを用いることで、当該デバイスのオン抵抗を大きく低減することができ、後述するようにスイッチング損失及び導通損等を大幅に低減できる。
ここで、一相の回路に設けられたフライングキャパシタの数をk(実施形態1ではk=1)とすると、中間点P2、P5に接続されるスイッチング素子Q2、Q3,Q6,Q7(低耐圧スイッチング素子)の耐圧を、Vdc/(k+1)よりも低くなるように設定されたデバイスを用いる。また、フライングキャパシタFC1,FC2の耐圧もVdc/(k+1)よりも低くなるように設定されたキャパシタを用いる。言い換えれば、フライングキャパシタFC1,FC2に印加される電圧がVdc/(k+1)よりも低くなるように制御される。
図3において、各期間T1〜T6は、時間経過に従って期間T1,T2,T3,T4,T5,T6の順序で符号付けされ、以下のように定義される。なお、出力電圧Voの繰り返しにより、期間T1〜T6が繰り返される。
(1)期間T1は出力電圧Voが0Vから上昇する期間である。期間T1と期間T2と境界時点は、出力電圧Voが概ねVdcの2分の1となるタイミングである。
(2)期間T2は出力電圧Voの最大値を含む期間である。期間T2と期間T3と境界時点は、出力電圧Voが概ねVdcの2分の1となるタイミングである。
(3)期間T3は出力電圧Voが0Vに下降する期間である。期間T3と期間T4と境界時点は、出力電圧Voが概ね0Vとなるタイミングである。
(4)期間T4は出力電圧Voが0Vから下降する期間である。期間T4と期間T5と境界時点は、出力電圧Voが概ね−Vdcの2分の1となるタイミングである。
(5)期間T5は出力電圧Voの最小値を含む期間である。期間T5と期間T6と境界時点は、出力電圧Voが概ね−Vdcの2分の1となるタイミングである。
(6)期間T6は出力電圧Voが0Vに上昇する期間である。期間T6と次の期間T1と境界時点は、出力電圧Voが概ね0Vとなるタイミングである。
次いで、各期間T1〜T6におけるインバータ装置20の動作について以下に説明する。
(期間T1,T3)
図4Aは図1のインバータ装置20の期間T1,T3におけるインバータ制御信号S1〜S8及び中点間電圧Vnを示すタイミングチャートである。期間T1,T3においては、各期間T11〜T15が時間経過に従って期間T11,T12,T13,T14,T15の順序で符号付けされる。
図4Bは図4Aの期間T11,T15におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T11,T15においては、図4A及び図4Bに示すように、スイッチング素子Q3,Q4,Q7,Q8がオンされる一方、スイッチング素子Q1,Q2,Q5,Q6がオフされる。従って、中間点P2とP5は短絡されるので、中間点間電圧Vnは0Vとなる。
図4Cは図4Aの期間T12,T14におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T12,T14においては、図4A及び図4Cに示すように、スイッチング素子Q2,Q4,Q7,Q8がオンされる一方、スイッチング素子Q1,Q3,Q5,Q6がオフされる。従って、フライングキャパシタFC1に蓄積された電荷は、出力電流Voが図4Cのように流れることで放電されるので、中間点間電圧Vnは100Vとなる。
図4Dは図4Aの期間T13におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T13においては、図4A及び図4Dに示すように、スイッチング素子Q1,Q3,Q7,Q8がオンされる一方、スイッチング素子Q2,Q4,Q5,Q6がオフされる。ここで、フライングキャパシタFC1に印加される電圧が100Vになるように制御をしているため、中間点間電圧Vnが220Vになる。すなわち、フライングキャパシタFC1に印加される電圧はフライングキャパシタFC1の耐圧以下となる。
以上説明したように、期間T1,T3においては、スイッチング素子Q1〜Q8を上述のようにオン・オフ制御することで、中間点間電圧Vnを0Vから100Vを経て220Vに昇圧した後、100Vを経て0Vに降圧することを所定期間繰り返す。
(期間T2)
図5Aは図1のインバータ装置20の期間T2におけるインバータ制御信号S1〜S8及び中点間電圧Vnを示すタイミングチャートである。期間T2においては、各期間T21〜T25が時間経過に従って期間T21,T22,T23,T24,T25の順序で符号付けされる。
図5Bは図5Aの期間T21,T25におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T21,T25においては、図5A及び図5Bに示すように、スイッチング素子Q2,Q4,Q7,Q8がオンされる一方、スイッチング素子Q1,Q3,Q5,Q6がオフされる。従って、フライングキャパシタFC1に蓄積された電荷は、出力電流Voが図5Bのように流れることで放電されるので、中間点間電圧Vnは100Vとなる。
図5Cは図5Aの期間T22,T24におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T22,T24においては、図5A及び図5Cに示すように、スイッチング素子Q1,Q3,Q7,Q8がオンされる一方、スイッチング素子Q2,Q4,Q5,Q6がオフされる。ここで、フライングキャパシタFC1に印加される電圧が100Vになるように制御をしているため、中間点間電圧Vnが220Vになる。すなわち、フライングキャパシタFC1に印加される電圧は、フライングキャパシタFC1の耐圧以下となる。
図5Dは図5Aの期間T23におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T23においては、図5A及び図5Dに示すように、スイッチング素子Q1,Q2,Q7,Q8がオンされる一方、スイッチング素子Q3,Q4,Q5,Q6がオフされる。従って、DCDC変換器2からの直流電圧Vdcにより、出力電流Voが図5Dのように負荷5を介して流れるので、中間点間電圧Vnは320Vとなる。
以上説明したように、期間T2においては、スイッチング素子Q1〜Q8を上述のようにオン・オフ制御することで、中間点間電圧Vnを100Vから220Vを経て320Vに昇圧した後、220Vを経て100Vに降圧することを所定期間繰り返す。
(期間T4,T6)
図6Aは図1のインバータ装置20の期間T4,T6におけるインバータ制御信号S1〜S8及び中点間電圧Vnを示すタイミングチャートである。期間T4,T6においては、各期間T31〜T35が時間経過に従って期間T31,T32,T33,T34,T35の順序で符号付けされる。
図6Bは図6Aの期間T31,T35におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T31、T35において、図6A及び図6Bに示すように、スイッチング素子Q3,Q4,Q7,Q8がオンされる一方、スイッチング素子Q1,Q2,Q5,Q6がオフされる。従って、中間点P2とP5は短絡されるので、中間点間電圧Vnは0Vとなる。
図6Cは図6Aの期間T32,T34におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T32,T34においては、図6A及び図6Cに示すように、スイッチング素子Q3,Q4,Q6,Q8がオンされる一方、スイッチング素子Q1,Q2,Q5,Q7がオフされる。従って、フライングキャパシタFC2に蓄積された電荷は、出力電流Voが図6Cのように流れることで放電されるので、中間点間電圧Vnは−100Vとなる。
図6Dは図6Aの期間T33におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T33においては、図6A及び図6Dに示すように、スイッチング素子Q3,Q4,Q5,Q7がオンされる一方、スイッチング素子Q1,Q2,Q6,Q8がオフされる。ここで、フライングキャパシタFC2に印加される電圧が100Vになるように制御をしているため、中間点間電圧Vnが−220Vになる。すなわち、フライングキャパシタFC2に印加される電圧は、フライングキャパシタFC2の耐圧以下となる。
以上説明したように、期間T4,T5においては、スイッチング素子Q1〜Q8を上述のようにオン・オフ制御することで、中間点間電圧Vnを0Vから−100Vを経て−220Vに降圧した後、−100Vを経て0Vに昇圧することを所定期間繰り返す。
(期間T5)
図7Aは図1のインバータ装置20の期間T5におけるインバータ制御信号S1〜S8及び中点間電圧Vnを示すタイミングチャートである。期間T5においては、各期間T41〜T45が時間経過に従って期間T41,T42,T43,T44,T45の順序で符号付けされる。
図7Bは図7Aの期間T41,T45におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T41,T45においては、図7A及び図7Bに示すように、スイッチング素子Q3,Q4,Q6,Q8がオンされる一方、スイッチング素子Q1,Q2,Q5,Q7がオフされる。従って、フライングキャパシタFC2に蓄積された電荷は、出力電流Voが図7Bのように流れることで放電されるので、中間点間電圧Vnは−100Vとなる。
図7Cは図7Aの期間T42,T44におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T42,T44においては、図7A及び図7Cに示すように、スイッチング素子Q3,Q4,Q5,Q7がオンされる一方、スイッチング素子Q1,Q2,Q6,Q8がオフされる。ここで、フライングキャパシタFC2に印加される電圧が100Vになるように制御をしているため、中間点間電圧Vnが−220Vになる。すなわち、フライングキャパシタFC2に印加される電圧は、フライングキャパシタFC2の耐圧以下となる。
図7Dは図7Aの期間T43におけるスイッチング素子Q1〜Q8のオン・オフ状態及び負荷5に流れる出力電流Ioの流れを示す回路図である。期間T43においては、図7A及び図7Dに示すように、スイッチング素子Q3,Q4,Q5,Q6がオンされる一方、スイッチング素子Q1,Q2,Q7,Q8がオフされる。従って、DCDC変換器2からの直流電圧Vdcにより、出力電流Voが図7Dのように負荷5を介して流れるので、中間点間電圧Vnは−320Vとなる。
以上説明したように、期間T5においては、スイッチング素子Q1〜Q8を上述のようにオン・オフ制御することで、中間点間電圧Vnを−100Vから−220Vを経て−320Vに降圧した後、−220Vを経て−100Vに昇圧することを所定期間繰り返す。
以上説明したように、本実施形態に係るインバータ装置20によれば、DCDC変換器2からの直流電圧Vdcを、各期間T1〜T6においてパルス変調することで、図3に示す交流の出力電流Voを得ることができる。
図8は図2の比較例及び図1の実施形態1のシミュレーション結果であって、損失電力を示すグラフである。ここで、比較例及び実施形態1で用いた素子等の仕様は表1の通りである。
[表1]
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従来例:
Q1,Q4,Q5,Q8:
ローム製SCT3017AL型MOS電界効果トランジスタ(650V耐圧);
Q2,Q3,Q6,Q7:
インフィネオン製IPB407N30N型
MOS電界効果トランジスタ(300V耐圧);
出力電力:5.5kW;
スイッチング周波数:80kHz;
フライングキャパシタの電圧:160V。
――――――――――――――――――――――――――――――――――――――
実施形態1:
Q1,Q4,Q5,Q8:
ローム製SCT3017AL型MOS電界効果トランジスタ(650V耐圧);
Q2,Q3,Q6,Q7:
インフィネオン製IPB048N15N型
MOS電界効果トランジスタ(150V耐圧);
出力電力:5.5kW;
スイッチング周波数:80kHz;
フライングキャパシタFC1,FC2の電圧:100V。
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本実施形態のシミュレーションでは、直流電圧Vdcが300〜450Vの動作範囲となり、フライングキャパシタFC1,FC2に印加される電圧は100V一定となるように制御する。インフィネオン製IPB048N15N型MOS電界効果トランジスタ(150V耐圧)のオン抵抗は4.8mΩであり、ローム製SCT3017AL型MOS電界効果トランジスタ(650V耐圧)のオン抵抗は40.7mΩである。従って、スイッチング素子Q2,Q3,Q6,Q7の耐圧を、スイッチング素子Q1,Q4,Q5,Q8の耐圧の半分以下にすることで、オン抵抗は約8.5分の1に低下するので、導通損を大幅に低減することが可能である。
図8から明らかなように、実施形態1によれば、比較例に比べて、23.1Wだけ損失を低減することが可能であることが分かる。また、一般的に耐圧が低いデバイスの方がコストも低いので、ローコスト化にも寄与する。
以上説明したように、本実施形態に係るインバータ装置20によれば、比較例に比較して効率化でき、小型化及びコストを低減できる。
以上の実施形態1では、正の出力電圧Voの期間で期間T2と、期間T1,T3に分割して制御し、負の出力電圧Voの期間で期間T5と、期間T4,T6に分割して制御している。しかし、本発明はこれに限られず、正の出力電圧Voの期間で期間T1,T3なしに期間T2(実施形態1の期間T2の時間以上で半周期の時間以下の時間期間としてもよい)と同様に制御し、負の出力電圧Voの期間で期間T4,T6なしに期間T5(実施形態1の期間T5の時間以上で半周期の時間以下の時間期間としてもよい)と同様に制御してもよい。
(実施形態2)
図9は実施形態2に係る、フライングキャパシタを用いたインバータ装置20Aを含む電力システム100Aの構成例を示す回路図である。図9のインバータ装置20Aは、図1のインバータ装置20に比較して以下の点が異なる。
(1)インバータ装置20Aは、インバータ部3Aとフィルタ部4とを備えて構成される。
(2)スイッチング素子Q1〜Q4に代えて、スイッチング素子Q11〜Q16を備える。
(3)スイッチング素子Q5〜Q8に代えて、スイッチング素子Q17〜Q22を備える。
(4)フライングキャパシタFC1に代えて、フライングキャパシタFC11,FC12を備える。
(5)フライングキャパシタFC2に代えて、フライングキャパシタFC13,FC14を備える。
(6)インバータ制御信号発生回路10に代えて、スイッチング素子Q11〜Q22にそれぞれ印加するインバータ制御信号S11〜S22を発生するインバータ制御信号発生回路10Aを備える。
以下、相違点について説明する。
図9において、DCDC変換器2の出力両端に、平滑用キャパシタ6が接続されるとともに、スイッチング素子Q11〜Q16の直列回路と、スイッチング素子Q17〜Q22の直列回路とが接続される。
(1)スイッチング素子Q11のソースとスイッチング素子Q12のドレインとの接続点をP11とする。
(2)スイッチング素子Q12のソースとスイッチング素子Q13のドレインとの接続点をP12とする。
(3)スイッチング素子Q13のソースとスイッチング素子Q14のドレインとの接続点をP13(特に、中間点ともいう)とする。
(4)スイッチング素子Q14のソースとスイッチング素子Q15のドレインとの接続点をP14とする。
(5)スイッチング素子Q15のソースとスイッチング素子Q16のドレインとの接続点をP15とする。
(6)スイッチング素子Q17のソースとスイッチング素子Q18のドレインとの接続点をP16とする。
(7)スイッチング素子Q18のソースとスイッチング素子Q19のドレインとの接続点をP17とする。
(8)スイッチング素子Q19のソースとスイッチング素子Q20のドレインとの接続点をP18(特に、中間点ともいう)とする。
(9)スイッチング素子Q20のソースとスイッチング素子Q21のドレインとの接続点をP19とする。
(10)スイッチング素子Q21のソースとスイッチング素子Q22のドレインとの接続点をP20とする。
フライングキャパシタFC11は接続点P11と接続点P15との間に接続され、DCDC変換器2の出力両端及び中間点P13,P18に直接に接続されない。フライングキャパシタFC12は接続点P12と接続点P14との間に接続され、DCDC変換器2の出力両端及び中間点P13,P18に直接に接続されない。フライングキャパシタFC13は接続点P16と接続点P20との間に接続され、DCDC変換器2の出力両端及び中間点P13,P18に直接に接続されない。フライングキャパシタFC14は接続点P17と接続点P19との間に接続され、DCDC変換器2の出力両端及び中間点P13,P18に直接に接続されない。
本実施形態では、Vdc/3よりも低い電圧(図9の例では、80V以下程度)で印加されるように、スイッチング素子Q11〜Q22をオン・オフ制御することを特徴としている。これにより、中間点P13,P18に接続されるスイッチング素子Q13,Q14,Q19,Q20、並びに中間点P13,P18から各スイッチング素子を介して接続される(DCDC変換器2の出力両端に接続されない)スイッチング素子Q12,Q15,Q18,Q21として例えば耐圧60Vのデバイスを用いることで、当該デバイスのオン抵抗を大きく低減することができ、後述するようにスイッチング損失及び導通損等を大幅に低減できる。
ここで、一相の回路に設けられたフライングキャパシタの数をkとすると、DCDC変換器2の出力両端に接続されないスイッチング素子Q12〜Q15,Q18〜Q21(低耐圧スイッチング素子)の耐圧を、Vdc/(k+1)よりも低くなるように設定されたデバイスを用いる。また、フライングキャパシタFC11〜FC14の耐圧もVdc/(k+1)よりも低くなるように設定されたキャパシタを用いる。言い換えれば、フライングキャパシタFC11〜FC14に印加される電圧がVdc/(k+1)よりも低くなるように制御される。
インバータ制御信号発生回路10Aは、図1のインバータ制御信号発生回路10と同様に、インバータ制御信号S11〜S22を発生してそれぞれ対応するスイッチング素子Q11〜Q22の各ゲートに印加する。実施形態2では、正の出力電圧Voの期間を5つの期間(各期間で三段階で階段形状で変化)に分割して3個の基準電圧を用いて制御し、負の出力電圧Voの期間を5つの期間(各期間で三段階で階段形状で変化)に分割して3個の基準電圧を用いて制御する。
ここで、実施形態2で用いた素子等の仕様は表2の通りである。なお、直流電圧Vdcの動作範囲を300〜450Vとし、例えばVdc=320Vとする。
[表2]
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実施形態2:
Q11,Q16,Q17,Q22:
ローム製SCT3017AL型MOS電界効果トランジスタ(650V耐圧);
Q12〜Q15,Q18〜Q21:
インフィネオン製IPB010N06N型
MOS電界効果トランジスタ(60V耐圧);
スイッチング周波数:80kHz;
フライングキャパシタFC11、FC13の電圧:80V;
フライングキャパシタFC12、FC14の電圧:40V。
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実施形態2において、インフィネオン製IPB010N06N型MOS電界効果トランジスタ(60V耐圧)のオン抵抗は1.0mΩであり、実施形態1で使用していたMOSトランジスタ(150V耐圧)のオン抵抗4.8mΩに比べて、耐圧を2.5分の1にすることで低耐圧MOSトランジスタのオン抵抗の合計値が2.4分の1に低下するので、インバータ装置の導通損を大幅に低減することが可能である。
以上説明したように、本実施形態に係るインバータ装置20Aによれば、比較例及び実施形態1に比較して効率化でき、小型化及びコストを低減できる。
以上実施形態1及び2では、k=1、2の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、kを3以上の整数に設定するようにインバータ装置を構成してもよい。ここで、k=1以上の場合において、インバータ装置は、少なくとも4個のスイッチング素子Q1〜Q4の第1の直列回路と、少なくとも4個のスイッチング素子Q5〜Q8の第2の直列回路とを備えて構成される。
本発明に係るインバータ装置は、パワーコントローラ、UPS(Uninterruptible Power Supply)、モータ用インバータ装置、車載用インバータ装置などDCAC変換装置を含む電力システムに用いられる電力変換器等において利用できる。
1 発電装置
2 DCDC変換器
3 インバータ部
4 フィルタ部
5 負荷
6 キャパシタ
10 インバータ制御信号発生回路
20,20A,20B インバータ装置
100,100A 電力システム
C1 キャパシタ
FC1〜FC14 フライングキャパシタ
FCC1〜FCC(n−2) フライングキャパシタ
L1,L2 インダクタ
P1〜P20 接続点
Q1〜Q22 スイッチング素子
S1〜S22 インバータ制御信号
SS1〜SS(n−1),SS1p〜SS(n−1)p スイッチング素子

Claims (5)

  1. 入力両端に入力される直流電圧を、第1及び第2の中間点及びフィルタ部を介して交流電圧に変換するインバータ装置であって、
    前記入力両端の間に接続される、少なくとも4個のスイッチング素子の第1の直列回路と、
    前記入力両端の間に接続される、少なくとも4個のスイッチング素子の第2の直列回路と、
    前記第1の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子のうち、前記第1の中間点に接続された2個のスイッチング素子と並列に接続される第1のフライングキャパシタと、
    前記第2の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子のうち、前記第2の中間点に接続された2個のスイッチング素子と並列に接続される第2のフライングキャパシタと、
    前記第1の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子及び前記第2の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子をオン・オフ制御するための制御信号をそれぞれ発生して出力する制御信号発生回路とを備え、
    前記第1の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子のうち、前記入力両端に直接に接続されず前記第1のフライングキャパシタに並列に接続される少なくとも2個のスイッチング素子の耐圧を、前記入力両端に直接に接続される少なくとも2個のスイッチング素子の耐圧よりも低くなるように設定し、
    前記第2の直列回路の少なくとも4個のスイッチング素子のうち、前記入力両端に直接に接続されず前記第2のフライングキャパシタに並列に接続される少なくとも2個のスイッチング素子の耐圧を、前記入力両端に直接に接続される少なくとも2個のスイッチング素子の耐圧よりも低くなるように設定し、
    一相の回路当たりのフライングキャパシタの数をkとしたときに、前記制御信号発生回路は、前記第1及び第2のフライングキャパシタに印加される電圧が前記直流電圧の(k+1)よりも低くなるように前記制御信号を発生することを特徴とするインバータ装置。
  2. 前記制御信号発生回路は、前記交流電圧がその最大値を含む正の期間において、前記第1の中間点と前記第2の中間点との間の中間点間電圧が第1の基準電圧から、第1の基準電圧よりも高い第2の基準電圧を経て最大電圧に上昇した後、当該最大電圧から第2の基準電圧を経て第1の基準電圧に下降して階段形状で変化するように、前記制御信号を発生し、
    前記制御信号発生回路は、前記交流電圧がその最小値を含む負の期間において、前記中間点間電圧が第3の基準電圧から、第3の基準電圧よりも低い第4の基準電圧を経て最小電圧に下降した後、当該最小電圧から第4の基準電圧を経て第3の基準電圧に上昇して階段形状で変化するように、前記制御信号を発生し、
    第1及び第3の基準電圧は、前記第1及び第2のフライングキャパシタの耐圧以下となるように設定され、
    第2の基準電圧は、前記直流電圧から第1の基準電圧を減算した絶対電圧が設定され、
    第4の基準電圧は、前記直流電圧から第3の基準電圧を減算した絶対電圧が設定されることを特徴とする請求項1記載のインバータ装置。
  3. 前記第1の直列回路は第1〜第4のスイッチング素子を含み、
    前記第2の直列回路は第5〜第8のスイッチング素子を含み、
    前記制御信号発生回路は、前記交流電圧がその最大値を含む正の期間において、
    (1)第2のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第1の基準電圧となり、
    (2)第1のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第2のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第2の基準電圧となり、
    (3)第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が最大電圧となり、
    前記制御信号発生回路は、前記交流電圧がその最小値を含む負の期間において、
    (4)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第6のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第7のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第3の基準電圧となり、
    (5)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第7のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第6のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第4の基準電圧となり、
    (6)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が最小電圧となることを特徴とする請求項2記載のインバータ装置。
  4. 前記制御信号発生回路はさらに、前記交流電圧が最大値を含む期間以外の正の期間において、前記中間点間電圧が0から第1の基準電圧を経て第2の基準電圧に上昇した後、当該第2の基準電圧から第1の基準電圧を経て0に下降して階段形状で変化するように、前記制御信号を発生し、
    前記制御信号発生回路はさらに、前記交流電圧が最大値を含む期間以外の負の期間において、前記中間点間電圧が0から第3の基準電圧を経て第4の基準電圧に下降した後、当該第4の基準電圧から第3の基準電圧を経て0に上昇して階段形状で変化するように、前記制御信号を発生することを特徴とする請求項2又は3記載のインバータ装置。
  5. 前記制御信号発生回路は、前記交流電圧が最大値を含む期間以外の正の期間において、
    (1)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が0となり、
    (2)第2のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第1の基準電圧となり、
    (3)第1のスイッチング素子、第3のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第2のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第2の基準電圧となり、
    前記制御信号発生回路は、前記交流電圧が最小値を含む期間以外の負の期間において、
    (4)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第7のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第6のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が0となり、
    (5)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第6のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第7のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第3の基準電圧となり、
    (6)第3のスイッチング素子、第4のスイッチング素子、第5のスイッチング素子及び第7のスイッチング素子をオンする一方、第1のスイッチング素子、第2のスイッチング素子、第6のスイッチング素子及び第8のスイッチング素子をオフすることで、前記中間点間電圧が第4の基準電圧となることを特徴とする請求項4記載のインバータ装置。
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