JP2019185861A - 二次電池システム - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態に係る二次電池10の一例として双極型リチウムイオン二次電池について説明する。なお、以下の説明では、双極型リチウムイオン二次電池を単に「二次電池」と称する。
集電体31(正極集電箔31aおよび負極集電箔31b)は、正極活物質層32aと接する一方の面から、負極活物質層32bと接する他方の面へと電子の移動を媒介する機能を有する。正極集電箔31aおよび負極集電箔31bを構成する材料は、特に限定されないが、例えば、導電性を有する樹脂、樹脂を含む導電材料、または金属が用いられうる。
電極活物質層32(正極活物質層32a、負極活物質層32b)は、電極活物質(正極活物質または負極活物質)および電解液を含む。また、電極活物質層32は、必要に応じて、導電助剤、導電部材、被覆用樹脂等を含んでもよい。さらに、電極活物質層32は、必要に応じてイオン伝導性ポリマー、リチウム塩等を含んでもよい。
正極活物質としては、例えば、LiMn2O4、LiCoO2、LiNiO2、Li(Ni−Mn−Co)O2およびこれらの遷移金属の一部が他の元素により置換されたもの等のリチウム−遷移金属複合酸化物、リチウム−遷移金属リン酸化合物、リチウム−遷移金属硫酸化合物等が挙げられる。
負極活物質としては、例えば、グラファイト(黒鉛)、ソフトカーボン、ハードカーボン等の炭素材料、リチウム−遷移金属複合酸化物(例えば、Li4Ti5O12)、金属材料(スズ、シリコン)、リチウム合金系負極材料(例えばリチウム−スズ合金、リチウム−シリコン合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム−マンガン合金等)等が挙げられる。
導電助剤は、電極活物質層32中で電子伝導パスを形成し、電極活物質層32の電子移動抵抗を低減することで、二次電池10の高レートでの出力特性向上に寄与し得る。
導電部材は、電極活物質層32中で電子伝導パスを形成する機能を有する。特に、導電部材の少なくとも一部が、電極活物質層32の2つの主面同士を電気的に接続する導電通路を形成していることが好ましい。このような形態を有することで、電極活物質層32中の厚さ方向の電子移動抵抗がさらに低減されるため、二次電池10の高レートでの出力特性をより一層向上しうる。
セパレータ40は、電解質を保持し、正極活物質層32aと負極活物質層32bとの間にあって両者が直接に接触することを防止する。本実施形態のセパレータ40に使用される電解質は、特に制限はなく、例えば、電解液またはゲルポリマー電解質等が挙げられる。これらの電解質を用いることで、高いリチウムイオン伝導性が確保されうる。なお、電解液は、上記の電極活物質層32に使用される電解液と同様のものが用いられうる。
集電板34(正極集電板34aと負極集電板34bの総称)を構成する材料は、特に制限されず、二次電池用の集電板34として従来用いられている公知の高導電性材料が用いられうる。集電板34の構成材料としては、例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、ステンレス、これらの合金等の金属材料が好ましい。軽量、耐食性、高導電性の観点から、より好ましくはアルミニウム、銅であり、特に好ましくはアルミニウムである。なお、正極集電板34aと負極集電板34bとでは、同一の材料が用いられてもよいし、異なる材料が用いられてもよい。
シール部50は、発電要素20を構成する集電体31同士の接触や発電要素20の端部における短絡を防止する機能を有する。シール部50を構成する材料としては、絶縁性、シール性(液密性)、電池動作温度下での耐熱性等を有するものであればよい。
図1に示す本実施形態では、外装体12は、ラミネートフィルムによって袋状に構成されているが、これに限定されず、例えば、公知の金属缶ケース等を用いてもよい。高出力化や冷却性能に優れ、EV、HEV用の大型機器用の二次電池に好適に利用することができるという観点からは、外装体12は、ラミネートフィルムによって構成することが好ましい。ラミネートフィルムには、例えば、ポリプロピレン(PP)、アルミニウム、ナイロンをこの順に積層してなる3層構造のラミネートフィルム等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。また、外部から掛かる積層体11への群圧を、容易に調整できることから、外装体12はアルミネートラミネートフィルムを用いることがより好ましい。
図2は、本実施形態に係る二次電池システム100の概略構成図である。二次電池システム100は、積層体11(図1参照)、インピーダンス計測部120、電解液漏洩判断部140、および警報部200を有する。図2では、積層体11の一部として、積層された2つの発電要素20を示した。インピーダンス計測部120および電解液漏洩判断部140は、便宜上2つのブロックに分けて記載しているが、これらの部分は、通常RAM、ROM等の半導体メモリとCPU(中央処理装置)とを備えた1つのコンピュータによって構成される。
図4Aは、電解液が漏洩していない場合の集電体31の状態を示す図であり、図4Bは、電解液が漏洩していない場合の等価回路図である。また、図5Aは、電解液が漏洩している場合の集電体31の状態を示す図であり、図5Bは、電解液が漏洩している場合の等価回路図である。
図6は、本実施形態に係る二次電池システム100の動作フローチャートである。以下に、図2から図9を参照して、二次電池システム100の動作を詳細に説明する。
11 積層体、
12 外装体、
20 発電要素、
31 集電体、
31a 正極集電箔、
31b 負極集電箔、
32 電極活物質層、
32a 正極活物質層、
32b 負極活物質層、
34a 正極集電板、
34b 負極集電板、
35 双極電極、
40 セパレータ、
50 シール部、
60 電解液、
100 二次電池システム、
120 インピーダンス計測部、
122 高周波電圧出力部、
124 低周波電圧出力部、
125a、125b セル電圧検出線、
126 虚数成分値計測部、
128 実数成分値計測部、
140 電解液漏洩判断部、
142 虚数成分値
146 比較判断部、
200 警報部。
Claims (7)
- 正極集電箔と負極集電箔とが積層された集電体の、正極側に正極活物質層、負極側に負極活物質層が形成された双極電極を、電解液が含まれるセパレータを介して直列に接続した積層体と、
前記双極電極の前記正極集電箔と前記負極集電箔との間のインピーダンスを計測するインピーダンス計測部と、
計測された前記インピーダンスを用いて前記電解液の漏洩を判断する電解液漏洩判断部と、
を有する、二次電池システム。 - 前記正極集電箔は、樹脂または樹脂を含む導電材料で形成されている、請求項1に記載の二次電池システム。
- 前記負極集電箔は、樹脂または樹脂を含む導電材料で形成されている、請求項1または2に記載の二次電池システム。
- 前記インピーダンス計測部は、
前記双極電極の前記正極集電箔と前記負極集電箔との間に、高周波電圧を印加または高周波電流を流したときの高周波インピーダンスの虚数成分値と低周波電圧を印加または低周波電流を流したときの低周波インピーダンスの虚数成分値とを計測し、
前記電解液漏洩判断部は、
計測された前記高周波インピーダンスの虚数成分値が前記低周波インピーダンスの虚数成分値未満であれば前記電解液が漏洩していると判断する一方、前記高周波インピーダンスの虚数成分値が前記低周波インピーダンスの虚数成分値よりも大きいか等しければ前記電解液が漏洩していないと判断する、請求項1から3のいずれかに記載の二次電池システム。 - 前記インピーダンス計測部は、
前記双極電極の前記正極集電箔と前記負極集電箔との間に、高周波電圧を印加または高周波電流を流したときの高周波インピーダンスの実数成分値と低周波電圧を印加または低周波電流を流したときの低周波インピーダンスの実数成分値とを計測し、
前記電解液漏洩判断部は、
計測された前記高周波インピーダンスの実数成分値が前記低周波インピーダンスの実数成分値未満であれば前記電解液が漏洩していると判断する一方、前記高周波インピーダンスの実数成分値が前記低周波インピーダンスの実数成分値よりも大きいか等しければ前記電解液が漏洩していないと判断する、請求項1から3のいずれかに記載の二次電池システム。 - 前記インピーダンス計測部は、
前記双極電極の前記正極集電箔と前記負極集電箔との間に、高周波電圧を印加または高周波電流を流したときの高周波インピーダンスの虚数成分値と実数成分値を計測するとともに、低周波電圧を印加または低周波電流を流したときの低周波インピーダンスの虚数成分値と実数成分値とを計測し、
前記電解液漏洩判断部は、
計測された前記高周波インピーダンスの虚数成分値または実数成分値のいずれかが前記低周波インピーダンスの虚数成分値または実数成分値未満であれば前記電解液が漏洩していると判断する一方、前記高周波インピーダンスの虚数成分値または実数成分値のいずれかが前記低周波インピーダンスの虚数成分値または実数成分値よりも大きいか等しければ前記電解液が漏洩していないと判断する、請求項1から3のいずれかに記載の二次電池システム。 - 前記インピーダンス計測部は、
前記双極電極の前記正極集電箔および前記負極集電箔にそれぞれ接続されている、セル電圧検出線を用いて、前記正極集電箔と前記負極集電箔との間に、高周波電圧を印加または高周波電流を流し、低周波電圧を印加または低周波電流を流す、請求項4から6のいずれかに記載の二次電池システム。
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