JP2019178029A - 単結晶体の製造方法および単結晶体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】面方位(結晶方位)が高精度に調整された単結晶体の製造方法の提供。【解決手段】単結晶体5の原料を坩堝1に充填し加熱溶融させる工程と、坩堝1内に配置されたダイ2上に保持された溶融液に種結晶6を接触させ溶融液から引き上げながら単結晶体5を育成する工程と、を含み、種結晶6を溶融液から引き上げるに際して、事前に、水平方向にダイ2および種結晶6を相対的に微動回転させて、ダイ2と種結晶6との位置関係を微調整し、単結晶体5の面方位を調整する、EFG法による単結晶体5の製造方法。【選択図】図2
Description
本開示は、サファイア単結晶体等の単結晶体の製造方法および単結晶体製造装置に関する。
従来から、単結晶体を育成する方法として、エッジ‐デファインド・フィルムフェッド・グロース法(edge defined film fed growth法、以下、EFG法と略称することがある。)が知られている。この方法は、坩堝に充填した単結晶体の原料を加熱溶融し、坩堝内に設置したダイ(金型)内のスリットを毛細管現象によってダイ上面まで上昇した溶融液に種結晶(シード)を接触させ、上方に引き上げることで、棒状、板(リボン)状、管状の単結晶を成長させるものである。このようなEFG法による単結晶体の製造は、例えば特許文献1に開示されている。
EFG法によれば、種結晶の面方位を維持したまま単結晶体を製造することができ、所望の面方位を有する単結晶体、例えば主面が所望の面方位を有する板状単結晶体が得られる。その際、面方位の調整を高精度に行うことが必要であった。
本開示の課題は、面方位(結晶方位)が高精度に調整された単結晶体を育成することができる単結晶体の製造方法および単結晶体製造装置を提供することである。
本開示に係る単結晶体の製造方法は、EFG法により単結晶体を育成するものであって、前記単結晶体の原料を坩堝に充填し加熱溶融させる工程と、前記坩堝内に配置されたダイ上に保持された前記原料の溶融液に種結晶を接触させ前記溶融液から鉛直方向に引き上げながら前記単結晶体を育成する工程と、を含み、前記種結晶を前記溶融液から引き上げるに際して、事前に、水平方向に前記ダイおよび前記種結晶を相対的に微動回転させて、前記ダイと前記種結晶との位置関係を微調整し、前記単結晶体の面方位を調整することを特徴とする。
本開示の単結晶体製造装置は、単結晶体の原料が充填される坩堝と、前記坩堝内の原料を加熱して前記坩堝内に溶融液を形成する加熱手段と、前記坩堝内に配置され上面に前記溶融液を保持する保持面を有するダイと、少なくとも下端に種結晶を保持し該種結晶を前記溶融液から鉛直方向に引き上げながら所定の面方位を有する前記単結晶体を育成する引き上げ手段と、水平方向に前記ダイおよび前記引き上げ手段を相対的に回転させ前記種結晶と前記ダイの位置関係を調整する回転手段と、前記回転手段を微動回転させ前記種結晶と前記ダイの位置関係を微調整する微動回転手段と、を備える。
本開示によれば、種結晶とダイの位置関係を精密に微調整することができるので、単結晶体の面方位の調整を高精度で行うことができる。
本開示に係る単結晶体(5、105)は、EFG法により製造される。EFG法では、図1に概念的に示すように、坩堝100内に、スリット(間隙)101を有するダイ(金型)102が設置されている。坩堝100に充填した単結晶体105の原料を、坩堝100の外周に配置した加熱コイル103により加熱溶融させる。得られた溶融液104は、スリット101内を毛細管現象によってダイ102の上面まで上昇する。この溶融駅104の液面に、後述する種結晶6を接触させて、上方に引き上げることで単結晶体105が育成される。図1において、符号106は、溶融液104と単結晶体105との固液界面を示している。
図1では、板(リボン)状の単結晶体105を示しているが、ダイ102の上端面の形状により、棒状、管状等の単結晶体105を得ることができる。
図1では、板(リボン)状の単結晶体105を示しているが、ダイ102の上端面の形状により、棒状、管状等の単結晶体105を得ることができる。
図2は、本開示の一実施形態に係る単結晶体製造装置を示しており、複数の単結晶体5を同時に育成している様子を示している。図2に示すように、単結晶体5の原料が供給される坩堝1は育成室10内の下部に設置され、架台11によって保持されている。育成室10は、断面が円環状の容器であり、例えばMo、W、W−Mo合金、カーボン、ジルコニア(ZrO2)、アルミナ等の耐火物材料からなる。また、坩堝1は、モリブデン(Mo),タングステン(W)、タングステンモリブテン合金(W−Mo)、イリジウム(Ir)等からなる。
育成室10は密閉構造となっており、図示しないガス供給口およびガス排出口が備わっている。酸化を防止するために、ガス供給口からアルゴン等の不活性ガスが育成室10内に供給され、不活性ガス雰囲気下で単結晶体5の育成が行われる。
育成室10の外周には坩堝1を囲むように加熱コイル3がらせん状に巻回される。加熱コイル3は、高周波電圧が印加されて高周波電流が流れる誘導コイルである。すなわち、加熱コイル3に高周波電流が流れると、坩堝1を中心に磁界が形成され、この磁界により坩堝1の表面に渦電流が発生して坩堝1が発熱する。
坩堝1には、ダイ2が設置されている。ダイ2には、図3に示すように、複数のスリット12が一方向に並設されている。坩堝1内に充填されている単結晶体5の原料は、加熱コイル3によって加熱溶融され、得られた溶融液は、毛細管現象によってスリット12の上面まで上昇する。原料としては、例えばサファイア単結晶体5を製造する場合には、アルミナ(Al2O3)が使用される。
図2に戻って、ダイ2の上方には、種結晶(シード)6を下端に保持したシードホルダー7が設置されている。シードホルダー7は軸体からなり、図示しない制御手段により鉛直方向に昇降可能であり、かつ軸心の周りを回転可能に構成されている。種結晶6の形状に特に制限はないが、例えば、板状、または棒状の形状を有する(図3)。
ダイ2のスリット12は、図3に示すように、相対向する2つの板材13,13によって形成されている。2つの板材13,13の上端面は、スリット12から広がるように斜面状に形成されている。スリット12を通って上面まで上昇した溶融液4の液面に、種結晶6の先端6aが接触し、この状態でシードホルダー7を上昇させる。
図4(a)は、種結晶6の先端6aが溶融液4の液面に接触した状態を示している。この状態から、図4(b)に示すように、種結晶6を所定の一定速度で上昇させながら溶融液4を引き上げる。なお、図4(b)において、符号17は、溶融液4と単結晶体5との固液界面を示している。
図5は単結晶体5が引き上げられる様子を示している。溶融液4は引き上げられる過程で冷却され、板(リボン)状の単結晶体5が得られる。
図5は単結晶体5が引き上げられる様子を示している。溶融液4は引き上げられる過程で冷却され、板(リボン)状の単結晶体5が得られる。
EFG法では、種結晶6の面方位(結晶方位)と同じ面方位をとって単結晶体5が成長するので、種結晶6とダイ2の位置関係を精密に調整する必要がある。すなわち、図6に示すように、単結晶である種結晶6において、c軸は当該種結晶6の面(c面)に垂直な水平方向にある。そして、種結晶6を用いて得られる単結晶体5は、種結晶6と同じ面方位を有する。そのため、種結晶6の面の向きが僅かにずれていると(図6に破線で示す)、得られる単結晶体5のc軸は、単結晶体5の面に垂直な方向とならず、品質にばらつきが生じる。
本実施形態では、図2に示すように、育成室10の上部に、微動回転手段8を収容した微動回転調整室9が設けられている。微動回転手段8は、微動回転調整室9を貫通したシードホルダー7に取付けられており、微動回転手段8を操作して、シードホルダー7を水平方向に微動回転させる。これにより、種結晶6とダイ2の位置関係を微調整することができ、結晶の面方位の精度を上げることができる。
微動回転手段8としては、例えばゴニオメータが挙げられ、特に種結晶6とダイ2の位置関係(角度)を0.01度単位以下の精度、例えば0.001度単位で微調整できるものが好ましい。本実施形態において使用可能なゴニオメータとしては、例えば中央精機株式会社製の透過型回転ステージ、シグマ光機株式会社製のθ軸透過用薄型粗微動ステージなどが挙げられる。更に0.001度単位で微調整する場合は、ステッピングモータと減速機を用いて高分解能の制御を行う事が可能である
ゴニオメータに代表される微動回転手段8は、図7に拡大して示すように、微動回転調整室9内の上面に取付けられており、中心の貫通孔(図示せず)を軸状のシードホルダー7が挿通している。本実施形態における微動回転手段8は、手動で角度調整を行うものであって、本体部分8aに固定ねじ8bが設けられ、固定ねじ8bを締めこむことにより、シードホルダー7に固定され、シードホルダー7の微動回転を可能とする。一方、固定ねじ8bを緩めることにより、シードホルダー7は微動回転手段8から開放され、任意に回転可能となる。従って、シードホルダー7は、図示しない回転手段によりおおよその角度に調整される。
微動回転手段8により微調整する場合は、前記した固定ねじ8bを締めこみ、微動回転手段8をシードホルダー7に固定した後、操作ねじ8cを左右いずれかに1目盛り回転させると、例えば0.01度単位で微調整することが可能となる。角度調整は、本体部分8aの下部の目盛にて確認することができる。
以上の操作を行うために、微動回転調整室9の前面には蓋が開閉可能に取付けられている。
以上の操作を行うために、微動回転調整室9の前面には蓋が開閉可能に取付けられている。
次に、本開示における単結晶体5の製造方法を図8に基づいて説明する。図8は、単結晶体5の製造工程を示している。まず、最初の工程(S201)では単結晶体5の原料を坩堝1に充填する。サファイアの場合は、原料として高純度アルミナ(純度99.9%以上)を使用する。そして、育成室10内をアルゴンガスで置換する。なお、アルゴンガスに代えて他の不活性ガスを使用してもよい。
次に、加熱コイル3に高周波を印加して、坩堝1内の原料を加熱溶融させる(S202)。アルミナの融点(約2050℃)以上の温度で原料を加熱する。得られた溶融液4は、坩堝1内のダイ2に形成された複数のスリット12を毛細管現象によって上昇し、ダイ2の上面に保持される。
シードホルダー7をその軸心を中心に回転させて、シードホルダー7下端の種結晶6とダイ2の位置関係を調整する(S203)。すなわち、種結晶6の面がダイ2のスリット12の長手方向とおおよそ平行になるように調整する。このとき、シードホルダー7には複数の種結晶6が同方向に取り付けられているので、これらの種結晶6は同時に調整される。
シードホルダー7の回転は、手動でもよく、または制御手段によりモータを駆動させて行うことができる。
シードホルダー7の回転は、手動でもよく、または制御手段によりモータを駆動させて行うことができる。
種結晶6とダイ2の位置関係を調整後、シードホルダー7を下降させて、ダイ2上に保持された原料の溶融液4に種結晶6を接触させる(S204)。接触は、種結晶6の先端を、ダイ2の上面に保持された溶融液4の少なくとも液面に接触させればよい。ついで、シードホルダー7を所定の速度で上昇させて、単結晶体5を引き上げる(S205)。このとき、溶融液4が単結晶体5に接触した位置からダイ2の上面の全長にわたって広がり、単結晶体5の引き上げとともに固化することで、図5に示すような板状の単結晶体5a(以下、これを第1の単結晶体5aという)が育成される。
得られた第1の単結晶体5aは、種結晶6から所定長さで切断するなどして分離した後、主面の面方位を測定する。面方位の測定は、通常、X線回折法により行うことができる。EFG法では、種結晶6の面方位を維持しつつ結晶が育成されるので、種結晶6とダイ2の位置関係が精密に調整されていることが必要である。これに対して、手動やモータ制御によるシードホルダー7の回転により単結晶体5の面方位を調整するだけでは、0.01度単位ないしはそれ以下の精度で精密な調整を行うのは困難である。
第1の単結晶体5aの主面の面方位を測定した結果、所望の面方位(例えばc面)から僅かにずれている場合は、種結晶6とダイ2の位置関係を微調整する必要がある。このような位置関係のずれは、例えば、装置へのわずかな振動などによってひき起こされる。
本実施形態では、シードホルダー7の上部に取り付けた微動回転手段8により微調整を行う(S207)。このとき、シードホルダー7には複数の種結晶6が同方向に取り付けられているので、これらの種結晶6は同時に微調整される。そして、前記と同様にして、溶融液4から種結晶6を引き上げながら、冷却して単結晶体5b(以下、これを第2の単結晶体5bという)を育成する(S208)。ついで、得られた第2の単結晶体5bの主面の面方位を前記と同様にして測定する(S209)。
第2の単結晶体5bの育成に使用する種結晶6は、第1の単結晶体5aの育成に使用したものと同じものを使用する。
第2の単結晶体5bの育成に使用する種結晶6は、第1の単結晶体5aの育成に使用したものと同じものを使用する。
測定結果から、第2の単結晶体5bの面方位は適切か、すなわち、主面の面方位が所望の面方位(例えばc面)からずれていないか否かを確認し、否(NO)であれば、再度、位置関係を微調整し、単結晶体5を育成し、面方位を測定して、単結晶体5の面方位が適切か確認する。
一方、第2の単結晶体5bの面方位が適切(YES)であれば、同じ種結晶6を用いて位置調整を行わずに単結晶体5の生産を継続する。その場合でも、振動などによって種結晶6とダイ2の位置関係がずれるおそれがあるので、前記と同様にして、面方位を測定し、確認するのが望ましい。
一方、第2の単結晶体5bの面方位が適切(YES)であれば、同じ種結晶6を用いて位置調整を行わずに単結晶体5の生産を継続する。その場合でも、振動などによって種結晶6とダイ2の位置関係がずれるおそれがあるので、前記と同様にして、面方位を測定し、確認するのが望ましい。
このようにして、種結晶6とダイ2の位置関係がずれることなく、精密に微調整されているので、単結晶体5の面方位の調整を高精度で行うことができる。そのため、例えばサファイア単結晶体5を窒化ガリウム(GaN)の結晶成長に使用されるLEDウェハ(サファイアウェハ)や、SOSウェハ(シリコン・オン・サファイア・ウェハ)等の用途に使用するときは、これらのウェアの品質を向上させ、品質のバラツキ低減を図ることができる。
なお、本開示の単結晶体の製造方法および製造装置は、サファイア単結晶体5に限定されるものではなく、例えば、シリコン(Si)、酸化ガリウム(Ga2O3)、ルチル(TiO2)などの単結晶体5の製造にも同様にして適用される。
また、上記の実施形態では、ダイ2に対して種結晶6の角度を微調整したが、これとは逆に種結晶6に対してダイ2の角度を微調整するようにしてもよい。この場合は、ダイ2が保持された坩堝1を支持する架台11に微動回転手段8を取り付ければよい。その他は、上記実施形態と同様である。
1、100 坩堝
2、102 ダイ
3、103 加熱コイル
4、104 溶融液
5、105 単結晶体
5a 第1の単結晶体
5b 第2の単結晶体
6 種結晶
7 シードホルダー
8 微動回転手段
8a 本体部分
8b 固定ねじ
8c 操作ねじ
9 微動回転調整室
10 育成室
11 架台
12、101 スリット
13 板材
17、106 固液界面
2、102 ダイ
3、103 加熱コイル
4、104 溶融液
5、105 単結晶体
5a 第1の単結晶体
5b 第2の単結晶体
6 種結晶
7 シードホルダー
8 微動回転手段
8a 本体部分
8b 固定ねじ
8c 操作ねじ
9 微動回転調整室
10 育成室
11 架台
12、101 スリット
13 板材
17、106 固液界面
Claims (13)
- エッジ‐デファインド・フィルムフェッド・グロース法により単結晶体を育成する単結晶体の製造方法であって、
前記単結晶体の原料を坩堝に充填し、加熱溶融させる工程と、
前記坩堝内に配置されたダイ上に保持された前記原料の溶融液に種結晶を接触させ、前記溶融液から鉛直方向に引き上げながら前記単結晶体を育成する工程と、を含み、
前記種結晶を前記溶融液から引き上げるに際して、事前に、水平方向に前記ダイおよび前記種結晶を相対的に微動回転させて、前記ダイと前記種結晶との位置関係を微調整し、前記単結晶体の面方位を調整することを特徴とする単結晶体の製造方法。 - 前記ダイ上に保持された前記溶融液に対して前記種結晶を接触させ、前記溶融液から鉛直方向に引き上げながら第1の単結晶体を育成する工程と、
育成した前記第1の単結晶体の面方位を測定する工程と、
前記第1の単結晶体の面方位の測定結果に基づき、前記種結晶と前記ダイの位置関係を微調整する工程と、
微調整した前記種結晶と前記ダイの位置関係で、前記第1の単結晶体の育成に用いた前記種結晶を用いて第2の単結晶体を育成する工程と、
を含む請求項1に記載の単結晶体の製造方法。 - 前記ダイおよび前記種結晶を相対的に水平方向に微動回転させて、前記単結晶体の面方位を0.01度単位以下の精度で微調整する請求項1または2に記載の単結晶体の製造方法。
- 前記単結晶体の面方位を0.001度単位の精度で微調整する請求項3に記載の単結晶体の製造方法。
- 前記単結晶体が平板形状である請求項1〜4のいずれかに記載の単結晶体の製造方法。
- 前記ダイ上に保持された前溶融液が一方向に複数配列され、かつ複数の前記溶融液と同方向に複数の前記種結晶が配置されており、
複数の前記種結晶を同時に前記ダイに対して相対的に微動回転させ、複数の前記単結晶体の面方位を同時に調整する請求項1〜5のいずれかに記載の単結晶体の製造方法。 - 前記種結晶および前記単結晶体がそれぞれサファイア種結晶およびサファイア単結晶体である請求項1〜6のいずれかに記載の単結晶体の製造方法。
- 単結晶体の原料が充填される坩堝と、
前記坩堝内の原料を加熱して、前記坩堝内に溶融液を形成する加熱手段と、
前記坩堝内に配置され、上面に前記溶融液を保持する保持面を有するダイと、
少なくとも下端に種結晶を保持し、該種結晶を前記溶融液から鉛直方向に引き上げながら単結晶体を育成する引き上げ手段と、
水平方向に前記ダイおよび前記引き上げ手段を相対的に回転させ、前記ダイと前記種結晶の位置関係を調整する回転手段と、
前記回転手段を微動回転させ前記ダイと前記種結晶の位置関係を微調整する微動回転手段と、
を備えたことを特徴とする単結晶体製造装置。 - 前記微動回転手段は、前記ダイおよび前記種結晶を相対的に水平方向に0.01度単位以下の精度で微動回転させる請求項8に記載の単結晶体製造装置。
- 前記微動回転手段は、前記ダイおよび前記種結晶を相対的に水平方向に0.001度単位の精度で微動回転させる請求項9に記載の単結晶体製造装置。
- 前記微動回転手段がゴニオメータである請求項8〜10のいずれかに記載の単結晶体製造装置。
- 前記ダイの回転は、前記坩堝を回転させて行う請求項8〜11のいずれかに記載の単結晶体製造装置。
- 前記ダイは一方向に複数のスリットが配列され、各前記スリットの上部には、前記スリット内を上昇した前記溶融液が保持される保持面がそれぞれ形成されており、前記引き上げ手段には、複数の前記保持面と同方向に複数の前記種結晶が保持されており、
前記回転手段は、複数の前記種結晶と前記ダイの位置関係を同時に調整し、前記微動回転手段は、複数の前記種結晶と前記ダイの位置関係を同時に微調整するように構成されている請求項8〜12のいずれかに記載の単結晶体製造装置。
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Citations (4)
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CN104278331A (zh) * | 2014-09-23 | 2015-01-14 | 上海朗兆机电设备有限公司 | 旋转微调机构 |
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