JP2019176055A - 量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたled素子、量子ドット薄膜を用いたel素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯 - Google Patents
量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたled素子、量子ドット薄膜を用いたel素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019176055A JP2019176055A JP2018064090A JP2018064090A JP2019176055A JP 2019176055 A JP2019176055 A JP 2019176055A JP 2018064090 A JP2018064090 A JP 2018064090A JP 2018064090 A JP2018064090 A JP 2018064090A JP 2019176055 A JP2019176055 A JP 2019176055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum dot
- thin film
- constituting
- inorganic halide
- discharge lamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 226
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 159
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229910001502 inorganic halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 13
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 8
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 5
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 3
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 abstract description 5
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 abstract description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
【課題】毒性の問題のない材料系でもって、薄膜形成が容易に可能で且つ安定性の高い量子ドット材料、量子ドット薄膜及びその形成方法が求められている。用途としては、量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いたEL素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯などの用途に於いて、有効な照明装置を実現することが求められている。【解決手段】量子ドットを構成する薄膜を、該薄膜中に存在する量子ドットは無機ハライドペロブスカイトにより構成され、且つ、該薄膜は二酸化珪素を含んでなり、二酸化珪素により量子ドットが安定に担持されるようにした。【選択図】図1
Description
本発明は、短波長の光を可視光に変換する機能材料としての量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯に関するものである。
量子ドット技術は、LEDを含む多くの発光デバイスで必要な紫外域を主とする短波長の光を可視光に変換する機能材料として、本質的に非常な高効率が期待され、活発な研究が行われている。
また、蛍光灯をはじめとする放電灯は非常に成熟した技術であり、各種照明ランプ等に広範に用いられている。特に、無電極放電灯はLEDを凌駕する長寿命を有し、高天井やトンネル内などメンテナンスが困難な用途に於いては非常に有効である。
量子ドット技術は非常に高効率の波長変換を可能とする技術であり、上記の放電灯及び無電極放電灯に用いることによりさらに高効率の照明装置を得られる可能性があった。量子ドット技術はドットマトリクスを含むLEDへの応用等が検討されている。
しかしながら、量子ドットは従来カドミウム及びセレンを含む材料系が主に用いられており、特にカドミウムの毒性が普及の障害になっていた。
また、量子ドットはその製造工程及び材料系から薄膜形成が困難であり、さらに水及び/又は極性溶媒により分解してしまうといった課題があった。
また、実際の使用に於いても耐熱性が低いという課題があり、普及の妨げとなっていた。
このため、毒性の問題のない材料系でもって、薄膜形成が容易に可能で且つ安定性の高い量子ドット材料、量子ドット薄膜及びその形成方法が求められている。用途としては、量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いたEL素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯などの用途に於いて、有効な照明装置を実現することが求められている。
本発明は、量子ドットを構成する薄膜に於いて、該薄膜中に存在する量子ドットは無機ハライドペロブスカイトにより構成され、且つ、該薄膜は二酸化珪素を含んでなり、二酸化珪素により量子ドットが安定に担持されていることを特徴とする、量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いたEL素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯である。
また本発明は、該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトが、少なくともセシウム及び/又は鉛を含んで構成されていることを特徴とする。
また本発明は、該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトが、少なくともセシウム、錫、ビスマス及び/又はアンチモンを含んで構成されていることを特徴とする。
また本発明は、該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトに含まれるハロゲンが、塩素、臭素或いは沃素の何れか一又はその複数によることを特徴とする。
また本発明は、該量子ドットを構成する薄膜が、3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて構成されたことを特徴とする。
また本発明は、該量子ドットを構成する薄膜が3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて成膜され、該成膜は有機溶媒中で該材料を混合した後、水を用いて反応させて得られたことを特徴とする。
また本発明は、量子ドットを構成する薄膜の形成方法に於いて、量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトと、これを担持する薄膜を構成する珪素化合物を用意する工程と、該材料を混合する工程と、該混合された材料を反応させる工程と、該反応済みの材料を成膜する工程とを経て形成されたことにより、二酸化珪素により量子ドットが安定に担持されていることを特徴とする、量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いたEL素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯である。
また本発明は、該材料を混合する工程がトルエンを主成分とする液相中で行われることを特徴とする。
また本発明は、該混合された材料を反応させる工程が水を用いて反応させることにより行われることを特徴とする。
また本発明は、該反応済みの材料を成膜する工程がスプレー法或いは印刷法により行われることを特徴とする。
本発明の量子ドット薄膜及び量子ドット薄膜の形成方法は、非常に高効率であり、励起波長及び/又は発光波長を制御可能で、シャープな発光ピークを有することから波長変換材料として嘱望されている量子ドットを、毒性の問題のない材料系でもって、室温での合成が可能で、成膜性に優れ、水や有機溶媒に対しても安定な薄膜として形成することを可能とした。これにより、量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いたEL素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯が実現され、これら発光素子の高性能化に非常に有効である。
本発明は、量子ドットを構成する薄膜に於いて、該薄膜中に存在する量子ドットは無機ハライドペロブスカイトにより構成され、且つ、該薄膜は二酸化珪素を含んでなり、二酸化珪素により量子ドットが安定に担持されていることを特徴とする、量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いたEL素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯である。
また本発明は、該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトが、少なくともセシウム及び/又は鉛を含んで構成されていることを特徴とする。
また本発明は、該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトが、少なくともセシウム、錫、ビスマス及び/又はアンチモンを含んで構成されていることを特徴とする。
また本発明は、該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトに含まれるハロゲンが、塩素、臭素或いは沃素の何れか一又はその複数によることを特徴とする。
また本発明は、該量子ドットを構成する薄膜が、3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて構成されたことを特徴とする。
また本発明は、該量子ドットを構成する薄膜が3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて成膜され、該成膜は有機溶媒中で該材料を混合した後、水を用いて反応させて得られたことを特徴とする。
また本発明は、量子ドットを構成する薄膜の形成方法に於いて、量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトと、これを担持する薄膜を構成する珪素化合物を用意する工程と、該材料を混合する工程と、該混合された材料を反応させる工程と、該反応済みの材料を成膜する工程とを経て形成されたことにより、二酸化珪素により量子ドットが安定に担持されていることを特徴とする、量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いたEL素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯である。
また本発明は、該材料を混合する工程がトルエンを主成分とする液相中で行われることを特徴とする。
また本発明は、該混合された材料を反応させる工程が水を用いて反応させることにより行われることを特徴とする。
また本発明は、該反応済みの材料を成膜する工程がスプレー法或いは印刷法により行われることを特徴とする。
図1は、本発明に係る量子ドット薄膜の形成方法の一例を示すチャートである。本発明の工程により、非常に高効率であり、励起波長及び/又は発光波長を制御可能で、シャープな発光ピークを有することから波長変換材料として嘱望されている量子ドットを、毒性の問題のない材料系でもって、室温での合成が可能で、成膜性に優れ、水や有機溶媒に対しても安定な薄膜として形成することを可能とした。これにより、量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いたEL素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯が実現され、これら発光素子の高性能化に非常に有効であった。
本実施例に於いては、量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトの構成元素としてセシウム、鉛及びハロゲンとして塩素を用いた。なお、本発明はこれらの材料系に限定されるものではなく、錫、ビスマス及び/又はアンチモンを含んで構成されてもよく、ハロゲンとしては臭素或いは沃素を用いても良い。
これらの材料から量子ドットのベースを構成し、これと珪素化合物として3ーアミノプロピルトリメトキシシランを用いて有機溶媒中に分散させた。有機溶媒としてはトルエンを用いたが、他の溶媒も好適に用いられる。
さらにこの材料に水を反応させることにより、3ーアミノプロピルトリメトキシシラン由来の二酸化珪素が量子ドット材料を担持した状態が得られ、これにより水や有機溶媒に対する耐性が良好で、耐熱性も高く、水或いは有機溶媒及びそれらの混合溶媒中で安定であり、スプレー法或いは印刷法により容易に薄膜を成膜可能な量子ドット材料を得ることができた。
以下、本発明に係る量子ドット材料を発光素子に応用した一例として無電極放電灯の例を示す。なお、本発明に係る量子ドット薄膜及び量子ドット薄膜の形成方法は様々な発光素子への応用が可能であり、本実施例に限定されることなく量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いたEL素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯などが実現される。
図2は、本発明に係る無電極放電灯の一例を示した概念図である。図2に示されているのはリング状の放電管1と放電管外部に配設された電界印加用コイル2を有し、上部に反射板3を備えたものである。ここで、本発明にかかる放電灯としては無電極放電灯に限定されるものではなく、放電管内に電極を有する通常の蛍光灯と同様の構造を持つものでも問題ない。また、反射板の有無は全く問題なく、セード型の反射板や拡散板などを備えた形態でも全く問題ない。或いは、放電管は電球型のものでも問題なく、無電極放電管の場合は電界印加用コイルを内側に備えたものでも良い。
本実施例において、リング形状の放電管を有する無電極放電灯の放電管1は外部に電界印加用コイル2を備えており、これから生ずる電界により放電管内にプラズマを励起する。このプラズマにより内部に封入されたガスが励起されて主として紫外域にピークを持つ励起光が放出され、これが本発明に係る量子ドット層に入射して可視光に波長変換されて発光素子として機能する。
図3は、本発明に係る量子ドットを用いた放電灯及び無電極放電灯の製造工程の一例を示すフローチャートである。本実施例に於いては、リング状の放電管を有する無電極放電灯に量子ドットを用いた。放電管に於いて生起される紫外光を可視光に変換する機能材料として量子ドットを用いている。ここで、本発明にかかる放電灯としては無電極放電灯に限定されるものではなく、放電管内に電極を有する通常の蛍光灯と同様の構造を持つものでも問題ない。また、反射板の有無は全く問題なく、セード型の反射板や拡散板などを備えた形態でも全く問題ない。或いは、放電管は電球型のものでも問題なく、無電極放電管の場合は電界印加用コイルを内側に備えたものでも良い。
本実施例に係る量子ドットを用いた放電灯及び無電極放電灯の製造工程に於いては、まずリングを二つに分割した形状のガラス管を用意した。この管の内面に量子ドット層を形成するため、前処理を行った。本実施例では前処理として親水化処理を行った。本実施例では、親水化処理は過酸化水素により管内面を洗浄することにより行ったが、処理はアンモニアの水溶液により行ってもよい。さらに、オゾン或いはプラズマによる処理によっても問題ない。
続いて、管内面に量子ドット層を形成した。本発明に係る量子ドット薄膜及び量子ドット薄膜の形成方法は、簡便に安定な量子ドット薄膜が得られるため、その効果は大である。なお、本実施例に於いては薄膜形成にスプレー法を用いたが、印刷法も同様に好適に用いられる。。
本実施例に於いては、量子ドット材料が複数の波長にピークを有する材料を混合して用いた。これにより、発光スペクトルがよりブロードになり、演色性や発光効率が向上した。
本実施例に於いては、前記の工程を経て管内面に量子ドット層及び保護層を形成したリングを二つに分割した形状のガラス管を融着してリング状に形成し、内部を減圧したのちプラズマ励起のためのガスを注入して封止し、放電管を形成した。
ここで、リングを二つに分割した形状のガラス管の接続はセラミックセメント等を用いる等の他の方法によっても問題ない。封入するガスは通常の水銀を含むものでも良いが、硫黄系等の水銀を用いない他の励起ガスであっても問題ない。
本実施例に於いては、無電極放電管に近接して配置される誘導コイルとして2個のリングコイルを配設した。かかる構成により、本発明の放電灯及び無電極放電灯は、放電灯及び無電極放電灯のプラズマ励起による紫外光を可視光に変換する波長変換材料として量子ドット材料を応用し、高効率の波長変換を可能として、高天井やトンネル内などメンテナンスが困難な用途に於いて有効な照明装置を実現することができた。
以下、本発明に係る量子ドット材料を発光素子に応用した一例として無電極放電灯の他の例を示す。図4は、本発明にかかる無電極放電灯の他の例を示した概念図である。本実施例では、電球形状の無電極放電管を使用し、誘導コイルは管球の内部に設置されている。
本実施例に於いては、量子ドット材料を放電管の外面に形成した。さらにその表面に保護層を形成している。なお、管球を形成する材料は紫外線の吸収が少ないものが求められ、本実施例に於いては石英ガラスを用いたが、高耐久性の樹脂等の他の材料を用いても問題ない。
量子ドット材料、成膜方法、保護層材料、成膜方法及び減圧加熱による後処理方法は実施例1に記載の方法と同様のものを用いた。かかる構成により、管内面に量子ドット層を形成したものに較べて製造工程が簡易化され、より低コストで高効率な照明装置を実現することができた。
以上述べてきたように本発明の量子ドット薄膜及び量子ドット薄膜の形成方法は、非常に高効率であり、励起波長及び/又は発光波長を制御可能で、シャープな発光ピークを有することから波長変換材料として嘱望されている量子ドットを、毒性の問題のない材料系でもって、室温での合成が可能で、成膜性に優れ、水や有機溶媒に対しても安定な薄膜として形成することを可能とした。これにより、量子ドット薄膜を用いたLED素子、量子ドット薄膜を用いたEL素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯が実現され、これら発光素子の高性能化に非常に有効であり、産業上の利用可能性は大であると言える。
1 無電極放電灯の放電管
2 電界印加用コイル
3 反射板
2 電界印加用コイル
3 反射板
Claims (37)
- 量子ドットを構成する薄膜であって、
該薄膜中に存在する量子ドットは無機ハライドペロブスカイトにより構成され、
且つ、該薄膜は二酸化珪素を含んでなり、
二酸化珪素により量子ドットが安定に担持されていることを特徴とする、
量子ドット薄膜。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトは、
少なくともセシウム及び/又は鉛を含んで構成されていることを特徴とする、
請求項1記載の量子ドット薄膜。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトは、
少なくともセシウム、錫、ビスマス及び/又はアンチモンを含んで構成されていることを特徴とする、
請求項1記載の量子ドット薄膜。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトに含まれるハロゲンは、
塩素、臭素或いは沃素の何れか一又はその複数によることを特徴とする、
請求項1乃至3の何れか一に記載の量子ドット薄膜。 - 該量子ドットを構成する薄膜は、
3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて構成されたことを特徴とする、
請求項1乃至4の何れか一に記載の量子ドット薄膜。 - 該量子ドットを構成する薄膜は、3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて成膜され、
該成膜は有機溶媒中で該材料を混合した後、水を用いて反応させて得られたことを特徴とする、
請求項5記載の量子ドット薄膜。 - 量子ドットを構成する薄膜の形成方法であって、
量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトと、これを担持する薄膜を構成する珪素化合物を用意する工程と、
該材料を混合する工程と、
該混合された材料を反応させる工程と、
該反応済みの材料を成膜する工程とを経て形成されたことにより、
二酸化珪素により量子ドットが安定に担持されていることを特徴とする、
量子ドット薄膜の形成方法。 - 該材料を混合する工程は、
トルエンを主成分とする液相中で行われることを特徴とする、
請求項7記載の量子ドット薄膜の形成方法。 - 該混合された材料を反応させる工程は、
水を用いて反応させることにより行われることを特徴とする、
請求項7又は8記載の量子ドット薄膜の形成方法。 - 該反応済みの材料を成膜する工程は、
スプレー法或いは印刷法により行われることを特徴とする、
請求項7乃至9の何れか一に記載の量子ドット薄膜の形成方法。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトは、
少なくともセシウム及び/又は鉛を含んで構成されていることを特徴とする、
請求項7乃至10の何れか一に記載の量子ドット薄膜の形成方法。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトは、
少なくともセシウム、錫、ビスマス及び/又はアンチモンを含んで構成されていることを特徴とする、
請求項7乃至10の何れか一に記載の量子ドット薄膜の形成方法。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトに含まれるハロゲンは、
塩素、臭素或いは沃素の何れか一又はその複数によることを特徴とする、
請求項7乃至12の何れか一に記載の量子ドット薄膜の形成方法。 - 該量子ドットを構成する薄膜は、
3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて構成されたことを特徴とする、
請求項7乃至13の何れか一に記載の量子ドット薄膜の形成方法。 - 波長変換材料として量子ドットを用いたLED素子であって、
用いられる量子ドットを構成する薄膜は、
該薄膜中に存在する量子ドットは無機ハライドペロブスカイトにより構成され、
且つ、該薄膜は二酸化珪素を含んでなり、
二酸化珪素により量子ドットが安定に担持されていることを特徴とする、
量子ドット薄膜を用いたLED素子。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトは、
少なくともセシウム及び/又は鉛を含んで構成されていることを特徴とする、
請求項15記載の量子ドット薄膜を用いたLED素子。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトは、
少なくともセシウム、錫、ビスマス及び/又はアンチモンを含んで構成されていることを特徴とする、
請求項15記載の量子ドット薄膜を用いたLED素子。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトに含まれるハロゲンは、
塩素、臭素或いは沃素の何れか一又はその複数によることを特徴とする、
請求項15乃至17の何れか一に記載の量子ドット薄膜を用いたLED素子。 - 該量子ドットを構成する薄膜は、
3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて構成されたことを特徴とする、
請求項15乃至18の何れか一に記載の量子ドット薄膜を用いたLED素子。 - 該量子ドットを構成する薄膜は、3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて成膜され、
該成膜は有機溶媒中で該材料を混合した後、水を用いて反応させて得られたことを特徴とする、
請求項19記載の量子ドット薄膜を用いたLED素子。 - 波長変換材料として量子ドットを用いた有機或いは無機EL素子であって、
用いられる量子ドットを構成する薄膜は、
該薄膜中に存在する量子ドットは無機ハライドペロブスカイトにより構成され、
且つ、該薄膜は二酸化珪素を含んでなり、
二酸化珪素により量子ドットが安定に担持されていることを特徴とする、
量子ドット薄膜を用いたEL素子。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトは、
少なくともセシウム及び/又は鉛を含んで構成されていることを特徴とする、
請求項21記載の量子ドット薄膜を用いたEL素子。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトは、
少なくともセシウム、錫、ビスマス及び/又はアンチモンを含んで構成されていることを特徴とする、
請求項21記載の量子ドット薄膜を用いたEL素子。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトに含まれるハロゲンは、
塩素、臭素或いは沃素の何れか一又はその複数によることを特徴とする、
請求項21乃至23の何れか一に記載の量子ドット薄膜を用いたEL素子。 - 該量子ドットを構成する薄膜は、
3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて構成されたことを特徴とする、
請求項21乃至24の何れか一に記載の量子ドット薄膜を用いたEL素子。 - 該量子ドットを構成する薄膜は、3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて成膜され、
該成膜は有機溶媒中で該材料を混合した後、水を用いて反応させて得られたことを特徴とする、
請求項25記載の量子ドット薄膜を用いたEL素子。 - 内部にガスを封入した放電管を備えた放電灯であって、
波長変換材料として量子ドットを構成する薄膜を用い、
該薄膜中に存在する量子ドットは無機ハライドペロブスカイトにより構成され、
且つ、該薄膜は二酸化珪素を含んでなり、
二酸化珪素により量子ドットが安定に担持されていることを特徴とする、
量子ドット薄膜を用いた放電灯。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトは、
少なくともセシウム及び/又は鉛を含んで構成されていることを特徴とする、
請求項27記載の量子ドット薄膜を用いたEL素子。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトは、
少なくともセシウム、錫、ビスマス及び/又はアンチモンを含んで構成されていることを特徴とする、
請求項27記載の量子ドット薄膜を用いた放電灯。 - 該量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトに含まれるハロゲンは、
塩素、臭素或いは沃素の何れか一又はその複数によることを特徴とする、
請求項27乃至29の何れか一に記載の量子ドット薄膜を用いた放電灯。 - 該量子ドットを構成する薄膜は、
3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて構成されたことを特徴とする、
請求項27乃至30の何れか一に記載の量子ドット薄膜を用いた放電灯。 - 該量子ドットを構成する薄膜は、3ーアミノプロピルトリメトキシシランと量子ドットを構成する無機ハライドペロブスカイトを用いて成膜され、
該成膜は有機溶媒中で該材料を混合した後、水を用いて反応させて得られたことを特徴とする、
請求項31記載の量子ドット薄膜を用いた放電灯。 - 該放電灯は、
放電管内部に電極を持たない構成であることを特徴とする、
請求項27乃至32の何れか一に記載の量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯。 - 該量子ドット薄膜は、
該放電管の内面に形成されていることを特徴とする、
請求項27乃至33の何れか一に記載の量子ドット薄膜を用いた放電灯或いは無電極放電灯。 - 該量子ドット薄膜は、
該放電管の内面に形成され、
且つ、該量子ドット材料表面に保護層が形成されていることを特徴とする、
請求項34記載の量子ドット薄膜を用いた放電灯或いは無電極放電灯。 - 該量子ドット薄膜は、
該放電管の外面に形成されていることを特徴とする、
請求項27乃至33の何れか一に記載の量子ドット薄膜を用いた放電灯或いは無電極放電灯。 - 該量子ドット薄膜は、
該放電管の内面に形成され、
且つ、該量子ドット材料表面に保護層が形成されていることを特徴とする、
請求項36記載の量子ドット薄膜を用いた放電灯或いは無電極放電灯。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018064090A JP2019176055A (ja) | 2018-03-29 | 2018-03-29 | 量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたled素子、量子ドット薄膜を用いたel素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018064090A JP2019176055A (ja) | 2018-03-29 | 2018-03-29 | 量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたled素子、量子ドット薄膜を用いたel素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019176055A true JP2019176055A (ja) | 2019-10-10 |
Family
ID=68167565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018064090A Pending JP2019176055A (ja) | 2018-03-29 | 2018-03-29 | 量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたled素子、量子ドット薄膜を用いたel素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019176055A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110886017A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-17 | 上海应用技术大学 | 一种全无机铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法 |
KR20230049024A (ko) | 2021-10-05 | 2023-04-12 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 발광 입자, 발광 입자 함유 조성물, 광학 필름, 컬러 필터, 적층 구조체, 발광 디바이스 및 디스플레이 디바이스 |
-
2018
- 2018-03-29 JP JP2018064090A patent/JP2019176055A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110886017A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-17 | 上海应用技术大学 | 一种全无机铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法 |
KR20230049024A (ko) | 2021-10-05 | 2023-04-12 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 발광 입자, 발광 입자 함유 조성물, 광학 필름, 컬러 필터, 적층 구조체, 발광 디바이스 및 디스플레이 디바이스 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2417219B1 (en) | Luminescent converter for a phosphor- enhanced light source comprising organic and inorganic phosphors | |
Wang et al. | A bright and stable violet carbon dot light‐emitting diode | |
WO2012008132A1 (ja) | 光源装置 | |
JPH02199767A (ja) | 高出力ビーム発生器 | |
JP2019176055A (ja) | 量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたled素子、量子ドット薄膜を用いたel素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯 | |
WO2011080679A2 (en) | Dielectric barrier discharge lamp | |
CN103930517B (zh) | 具有有机磷光体的发光装置 | |
JP2020122901A (ja) | コロイダル量子ドット、コロイダル量子ドットの製造方法及びコロイダル量子ドットの使用方法 | |
JP2019215516A (ja) | 量子ドット薄膜、量子ドット薄膜の形成方法、量子ドット薄膜を用いたled素子、量子ドット薄膜を用いたel素子、量子ドット薄膜を用いた放電灯及び量子ドット薄膜を用いた無電極放電灯 | |
JP2014503981A5 (ja) | ||
JP2013545263A (ja) | 発光装置 | |
JP6137333B2 (ja) | 光照射装置及びそれを用いた光反応方法並びにラクタムの製造方法 | |
WO2005122646A1 (ja) | 線状発光体、線状発光装置及び線状発光体の製造方法 | |
JP2013149546A (ja) | エキシマランプ | |
JP2018129296A (ja) | 放電灯及び無電極放電灯 | |
JP6419083B2 (ja) | 光化学反応装置及びそれを用いた光化学反応方法とその方法を用いたラクタムの製造方法 | |
JP2002093367A5 (ja) | ||
JP6398839B2 (ja) | 光源装置 | |
CN111161999A (zh) | 一种三管式准分子灯 | |
JP2013098015A (ja) | 紫外線照射装置 | |
JP2022129793A (ja) | オゾン発生照明器具 | |
JP2021139974A (ja) | 量子ドット、量子ドットの処理方法及び量子ドットの使用方法 | |
JP2014186987A (ja) | 紫外線ランプ及び照射装置 | |
CN211858582U (zh) | 一种三管式准分子灯 | |
Holtrup et al. | Radio Frequency (RF) Discharge Lamps |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A917 | Reason for reinstatement of right to file examination request |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A917 Effective date: 20231231 |