JP2019167612A - Cu−Ni−Si系銅合金条 - Google Patents
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Abstract
Description
ここで、リードフレームを形成する際には、リードフレーム材料にエッチング加工を施す必要がある。そして、リードフレームの生産性を向上させるため、材料となる銅合金条の材料幅を大きくすることが要求されている。このようなことから、リードフレーム用の銅合金条には幅が広く平坦性に優れた材料が要求され、特にエッチング後の平坦性が要求される。
また、これらの銅合金には高い強度及び導電率も求められており、リードフレーム用材料として時効析出型のCu-Ni-Si系銅合金が用いられている(特許文献1)。
すなわち、本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、強度を向上させると共に、平坦性の高いCu−Ni−Si系銅合金条の提供を目的とする。
<Ni及びSi>
Ni及びSiは、時効処理を行うことによりNiとSiが微細なNi2Siを主とした金属間化合物の析出粒子を形成し、合金の強度を著しく増加させる。また、時効処理でのNi2Siの析出に伴い、導電性が向上する。
ただし、Ni濃度が1.5%未満の場合、またはSi濃度が0.4%未満の場合は、他方の成分を添加しても所望とする強度が得られない。また、Ni濃度が4.5%を超える場合、またはSi濃度が1.1%を超える場合は十分な強度が得られるものの、導電性の低下を招く。よって、Niの含有量を1.5〜4.5%とし、Siの含有量を0.4〜1.1%とする。好ましくは、Niの含有量を1.6〜3.0%とし、Siの含有量を0.4〜0.7%とする。
さらに、上記合金には、合金の強度、耐熱性、耐応力緩和性等を改善する目的で、Mg、Fe、P、Mn、Co及びCrの群から選ばれる一種以上を合計で0.005〜0.8%含有することができる。これら元素の合計量が0.005%未満であると、上記効果が生じず、0.8%を超えると所望の特性は得られるものの、導電性が低下することがある。
本発明の実施形態に係るCu−Ni−Si系銅合金条は、導電率が30%IACS以上、引張強さTSが800MPa以上である。
半導体素子の高機能化に伴う処理能力の増大等により、リードフレーム等の回路の通電発熱が増大するので、銅合金条の導電率を30%IACS以上とする。
又、ワイヤボンディングする際のリードフレームの変形等を防止し、形状を維持するため、引張強さTSを800MPa以上とする。
本発明の実施形態に係るCu−Ni−Si系銅合金条の圧延方向の急峻度の平均値Avが0.5以下であり、かつ(急峻度の偏差D/急峻度の平均値Av)×100で表される急峻度の偏差率DRが12%以下である。
急峻度は、JCBA-T326-2014に規定されており、図1に示すように、Cu−Ni−Si系銅合金条の表面の圧延方向及び圧延直角方向の高さの変化(うねり)を測定して求める。
具体的には、図2に示すように、圧延方向の高さプロファイル2の波の谷から谷までの距離を波の長さLとし、谷から谷の間にひいた直線と波の山までの距離を波の高さhとし、
急峻度=(h/L)×100(%)で表される。
又、圧延方向の高さプロファイル2を、図1に示すように圧延直角方向に25mm以下のピッチPで5点以上の測定点S1,S2・・・で測定し、その平均を急峻度の平均値Avとして採用する。
又、上記したようにして5点以上測定した急峻度の偏差Dを求め、(急峻度の偏差D/急峻度の平均値Av)×100(%)で急峻度の偏差率DRを求める。
急峻度の偏差率が12%以下であると、Cu−Ni−Si系銅合金条の端伸びや中伸び形状が抑えられていることを表し、材料が広い幅であっても平坦性が高くなる。
本発明の実施形態に係るCu−Ni−Si系銅合金条は、通常、インゴットを熱間圧延、冷間圧延、溶体化処理、時効処理、時効後冷間圧延、歪取焼鈍、スキンパス圧延の順で行って製造することができる。溶体化処理前の冷間圧延は必須ではなく、必要に応じて実施してもよい。また、溶体化処理後で時効処理前に冷間圧延を必要に応じて実施してもよい。上記各工程の間に、表面の酸化スケール除去のための研削、研磨、ショットブラスト、酸洗等を適宜行うことができる。
時効処理は、溶体化処理で固溶させたシリサイドを、Ni2Siを主とした金属間化合物の微細粒子として析出させる。この時効処理で強度と導電率が上昇する。時効処理は、例えば375〜625℃、1〜50時間の条件で行うことができ、これにより強度を向上させことができる。
時効処理の温度や時間が上記範囲未満であると、Ni2Siの析出量が少なく十分な強度が得られないことがある。時効処理の温度や時間が上記範囲を超えると、析出物の粗大化や再固溶が起こり、強度や導電率が十分に向上しないことがある。
次に、時効処理の後に冷間圧延(時効後冷間圧延)を加工度40%以上で行うとよい。時効後冷間圧延によって材料に加工歪を与え、強度を向上させることができる。
時効後冷間圧延の加工度が40%未満であると、強度を十分に向上させることが困難な場合がある。時効後冷間圧延の加工度は40〜90%が好ましい。加工度が90%を超えると、強加工の加工歪により導電率が低下する場合がある。
時効後冷間圧延の加工度は、時効後冷間圧延の直前の材料厚みに対する、時効後冷間圧延による厚みの変化率である。
本発明のCu−Ni−Si系銅合金条の厚みは特に限定されないが、例えば0.03〜0.6mmとすることができる。
時効後冷間圧延の後に歪取焼鈍を行う。歪取焼鈍は一般的な条件で行えばよく、例えば300℃〜550℃、保持時間を5秒〜300秒で行うことができる。これにより材料内部の転位の一部を取り除くことで延性を回復させてスキンパス圧延による形状矯正を十分に行うことができる。特に歪取焼鈍後のΔTSが10〜30MPaとするのが望ましい。ΔTSが10MPa未満だと延性が十分に回復せずスキンパス圧延による形状矯正が不十分になる。ΔTSが30MPaを超える場合は加工性は良好だが、焼き鈍しによる強度低下によりTSが800MPa未満となる場合がある。
なお、ΔTS(MPa)は、(歪取焼鈍直前の材料の引張強さTS(MPa))−(歪取焼鈍直後の材料の引張強さTS(MPa))で表され、通常、ΔTS>0である。
歪取焼鈍後に加工度0.4〜1.6%のスキンパス圧延を行うことで、材料の形状を矯正する。スキンパス圧延の加工度が0.4%未満であると、十分な形状矯正が行われず、圧延歪が残り、平坦性が向上しないことがある。加工度が1.6%を超えると、高圧下により材料に新たに歪みが生じるため、平坦性が向上しないことがある。
スキンパス圧延の後、最終歪取焼鈍を行ってもよい。最終歪取焼鈍は、上述のスキンパス圧延前の歪取焼鈍と同等の条件で行うことができ、これによりスキンパス圧延にて低下した材料のばね性を回復させることができる。
電気銅を原料とし、大気溶解炉を用いて表1に示す組成の銅合金を溶製、鋳造した。このインゴットを950℃で板厚10mmまで熱間圧延を行った。熱間圧延後、研削して幅600mmの材料を得た後、冷間圧延、溶体化処理、時効処理をこの順に行った。
次に、表1に示す加工度で、板厚0.152mmになるまで時効後冷間圧延を行った。さらに表1に示す条件(ΔTS)で歪取焼鈍を行い、次いで表1に示す加工度でスキンパス圧延をした後、最終歪取焼鈍を行って試料を得た。
得られた試料につき、JIS H0505に基づいて4端子法により、25℃の導電率(%IACS)を測定した。
得られた試料につき、引張試験機により、JIS−Z2241に従い、圧延方向と平行な方向における引張強さ(TS)をそれぞれ測定した。まず、各試料から、引張方向が圧延方向になるように、プレス機を用いてJIS13B号試験片を作製した。引張試験の条件は、試験片幅12.7mm、室温(15〜35℃)、引張速度5mm/min、ゲージ長さ50mmとした。
得られた試料(圧延直角方向の幅600mm、圧延方向の長さ1000mm)につき、JCBA-T326-2014に従って、非接触式の3次元測定機を用い、圧延方向の急峻度を、圧延直角方向の中央部を中心として25mmピッチで合計5点測定した。
そして、上記したように、急峻度の平均値Avと急峻度の偏差Dを求め、急峻度の偏差率DR=(急峻度の偏差D/)×100(%)を算出した。
得られた試料(圧延直角方向の幅600mm、圧延方向の長さ20mm)を用い、図3に示すように、リード長さ8mm、幅0.25mm、リードピッチ0.5mmのスリットパターンを、47ボーメ、40℃のエッチング液を試料の片面にスプレーエッチングすることにより形成した。このスリットパターンは、櫛状に多数のリードLEが圧延直角方向に隣接して並び、リードフレームの内部リード部を模擬している。
次に、図4に示すように、エッチング加工後のリードフレームをエッチングスプレー面を上にして定盤Tに載置し、リードLEが伸びる方向から見て各リードLEの定盤Tからの高さHLを測定した。リードLEの厚みtの150%を基準高さHSに定め、各高さHLが連続してHS以下である領域のリードLE間の圧延直角方向の長さLRが550mm以上である場合、リードフレームに加工してもリードフレームの平坦性が優れるとみなした。
歪取焼鈍時のΔTSが30MPaを超えた比較例2の場合、引張強さが800MPa未満となった。
スキンパス圧延の加工度が0.4%未満の比較例4の場合、スキンパス圧延で十分な形状矯正が行われなかったため、急峻度が0.5を超え、急峻度の偏差率が12%を超えた。そのため、リードフレーム加工時の平坦性が劣った。
Ni及びSiの含有量が規定範囲を超えた比較例6の場合、導電率が30%IACS未満になった。
Ni及びSiの含有量が規定範囲未満の比較例7の場合、引張強さが800MPa未満となった。
添加元素の合計含有量が0.8質量%を超えた比較例8の場合、導電率が30%IACS未満になった。
Claims (2)
- Ni:1.5〜4.5質量%、Si:0.4〜1.1質量%を含有し、残部Cu及び不可避的不純物からなるCu−Ni−Si系銅合金条であって、
導電率が30%IACS以上、引張強さが800MPa以上であり、
JCBA-T326-2014に従い、圧延方向の急峻度を、該圧延方向に直交する圧延直角方向に25mm以下のピッチで5点以上測定したとき、前記急峻度の平均値が0.5以下であり、
かつ(前記急峻度の偏差/前記急峻度の平均値)×100で表される急峻度の偏差率が12%以下であるCu−Ni−Si系銅合金条。 - さらに、Mg、Fe、P、Mn、Co及びCrの群から選ばれる一種以上を合計で0.005〜0.8質量%含有する請求項1記載のCu−Ni−Si系銅合金条。
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