JP2019155487A - 研削盤 - Google Patents

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【課題】砥石の摩耗を考慮してウェハを高精度に研削する研削盤を提供する。【解決手段】研削盤1は、砥石21を下端に取り付けて回転可能なスピンドル23と、スピンドル23をコラム22に対して鉛直方向Vに送るスピンドル送り機構25と、砥石21がウェハWに切り込んで砥石21に作用する摩擦力が所定値より高い場合にスピンドル23及びスピンドル送り機構25を鉛直方向Vに上昇させる定圧シリンダ26と、砥石21がウェハWを研削した研削量Δtを測定するインプロセスゲージ4と、スピンドル23が降下した変位量Δvを測定するリニアエンコーダ5と、変位量Δv及び研削量Δtに基づいて算出される砥石21の実摩耗速度と予め記憶された砥石21の適正摩耗速度範囲と比較する制御装置6と、を備えている。【選択図】図5

Description

本発明は、ウェハの裏面を研削する研削盤に関し、特に、脆いウェハにダメージを与えることなく研削可能な研削盤に関する。
半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)を薄膜に形成するために、ウェハの裏面を研削する裏面研削が行われている。
ウェハの裏面研削を行う研削盤として、特許文献1に示すように、下端に砥石が取り付けられたスピンドル送り機構が定圧シリンダに吊設され、ウェハに切り込ませた砥石に作用する摩擦力が所定値より高い場合に、定圧シリンダが、スピンドル及びスピンドル送り機構を鉛直方向に上昇させるものが知られている。
このような研削盤では、砥石に作用する摩擦力が過大となる場合に、定圧シリンダが、スピンドルとスピンドル送り機構とを一時的に上昇させるため、砥石とウェハとが過度に接触しない状態でウェハが延性モード研削されるため、ウェハにダメージを与えることなく安定して研削することができる。
特許第6030265号公報
上述したような特許文献1記載の研削盤では、研削加工を繰り返すことによって砥石が摩耗するため、砥石をウェハに切り込ませる送り量は砥石の摩耗量に応じて適宜調整する必要がある。しかしながら、延性モード研削では、スピンドル送り機構が定圧シリンダによって引き上げられるため、砥石がウェハにどの程度切り込んでいるかが正確に把握できず、砥石の摩耗量に応じた送り量の調整ができないという問題があった。
そこで、砥石の摩耗を考慮してウェハを高精度に研削するという解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は、この課題を解決することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1記載の発明は、砥石でウェハを研削する研削盤であって、前記砥石を下端に取り付けて回転可能なスピンドルと、前記スピンドルをコラムに対して鉛直方向に送るスピンドル送り機構と、前記スピンドル送り機構と前記コラムとの間に介装され、前記砥石が前記ウェハに切り込んで前記砥石に作用する摩擦力が所定値より高い場合に前記スピンドル及びスピンドル送り機構を鉛直方向に上昇させる定圧シリンダと、前記砥石が前記ウェハを研削した研削量を測定する研削量測定手段と、前記スピンドルが降下した変位量を測定する変位量測定手段と、前記スピンドルの変位量及び前記ウェハの研削量に基づいて算出される前記砥石の実摩耗速度と予め記憶された前記砥石の適正摩耗速度範囲と比較する制御装置と、を備えている。
この構成によれば、砥石の研削量及びスピンドルの変位量を測定することにより、研削加工中に砥石の実摩耗速度が算出可能であり、砥石の実摩耗速度を適正摩耗速度範囲と比較することにより、砥石の摩耗を考慮してウェハを所望の仕上げ厚みに精度良く研削することができる。
また、本発明に係る研削盤は、前記制御装置は、前記実摩耗速度が前記適正摩耗速度範囲内に収まるように前記スピンドル送り機構の送り速度を調整することが好ましい。
この構成によれば、砥石の実摩耗速度が適正摩耗速度範囲から外れている場合に、砥石の摩耗量が適正範囲内に収まるようにスピンドル送り機構の送り速度を調整することにより、砥石の摩耗を考慮してウェハを所望の仕上げ厚みに精度良く研削することができる。
また、本発明に係る研削盤は、前記制御装置は、前記実摩耗速度が前記適正摩耗速度範囲内に収まるように前記定圧シリンダの駆動圧を調整することが好ましい。
この構成によれば、砥石の実摩耗速度が適正摩耗速度範囲から外れている場合に、砥石の摩耗量が適正範囲内に収まるように定圧シリンダの駆動圧を調整することにより、砥石の摩耗を考慮してウェハを所望の仕上げ厚みに精度良く研削することができる。
また、本発明に係る研削盤は、前記実摩耗速度が前記適正摩耗速度範囲から外れている場合に、前記砥石の研削面をドレッシングするドレス手段をさらに備えていることが好ましい。
この構成によれば、砥石の目詰まりを早期に解消することにより、砥石の目詰まりに起因してウェハに過度な摩擦力が作用してダメージを与えることを抑制することができる。
また、本発明に係る研削盤は、前記砥石が前記ウェハを研削する加工点を挟み込むように前記スピンドルの外周に配置されて、前記スピンドルを前記コラムに対して鉛直方向に摺動可能に支持する少なくとも3つのリニアガイドをさらに備え、前記スピンドルの重心は、平面視で前記リニアガイドにより形成される多角形内に配置されていることが好ましい。
この構成によれば、スピンドルの外周に配置されたリニアガイドがスピンドルの姿勢を規制することにより、スピンドルがコラムに対してヨーイング、チッピング又はローリングすることが規制され、砥石の表面が水平にウェハに押し当てられるため、ウェハを精度良く研削することができる。
本発明は、砥石の研削量及びスピンドルの変位量を測定することにより、研削加工中に砥石の実摩耗速度が算出可能であり、砥石の実摩耗速度を適正摩耗速度範囲と比較することにより、砥石の摩耗を考慮してウェハを所望の仕上げ厚みに精度良く研削することができる。
本発明の一実施例に係る研削盤を示す斜視図。 図1に示すメインユニットの平面図。 図1に示すメインユニットの側面図。 研削加工によってウェハ厚み及び砥石位置が変化する様子を示す図。 砥石が摩耗する様子及び各部材が上昇又は降下する様子を示す模式図。
本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。
また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。
また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。なお、本実施形態において、「上」、「下」の語は、鉛直方向における上方、下方に対応するものとする。
図1は、研削盤1を示す斜視図である。図2は、図1に示すメインユニット2の平面図である。図3は、メインユニット2の側面図である。
研削盤1は、ウェハWを裏面研削して薄膜に形成する。研削盤1を用いて研削加工が施されるウェハWは、シリコンウェハ、シリコンカーバイドウェハ等の高硬度・高脆性を示すものが好適であるが、これらに限定されるものではない。研削盤1は、砥石21を備えるメインユニット2と、メインユニット2の下方に配置された搬送ユニット3と、を備えている。
メインユニット2は、アーチ状のコラム22と、砥石21が取り付けられたスピンドル23と、スピンドル23を鉛直方向Vに摺動可能に支持する3つのリニアガイド24と、スピンドル23を鉛直方向Vに昇降させるスピンドル送り機構25と、を備えている。
搬送ユニット3は、ウェハWを吸着保持可能なチャック31と、チャック31を載置するスライダ32と、を備えている。
チャック31は、図示しない真空源に接続されており、ウェハWをチャック31の表面に真空吸着可能である。また、チャック31は、図示しないモータによってチャック31の中心を通る鉛直軸回りに回動可能である。
スライダ32は、図示しないスライダ駆動機構によってレール33上を摺動可能であり、これにより、チャック31とスライダ32とは、ウェハ搬送方向D1に一体になってスライドするようになっている。
このようにして、チャック31上に真空吸着されたウェハWは、研削加工前に、スライダ32によって砥石21の下方まで搬入され、研削加工後に、砥石21の下方からメインユニット2の後方まで搬出される。
次に、研削盤1の具体的構成について説明する。
スピンドル23は、コラム22の前面22aに鉛直方向Vに亘って凹設された溝22b内に収容されている。スピンドル23は、砥石21を下端に取り付けたサドル23aと、サドル23a内に設けられて砥石21を回転させる図示しないモータと、を備えている。
リニアガイド24は、鉛直方向Vに沿って昇降するサドル23aの案内レールであり、2つの前方リニアガイド24aと、1つの後方リニアガイド24bと、で構成される。
前方リニアガイド24aは、コラム22の前方で溝22bの縁部に配置され、鉛直方向Vに沿って互いに平行に設けられている。また、前方リニアガイド24aには、サドル23aが直接取り付けられている。
後方リニアガイド24bは、溝22bの底部に鉛直方向Vに沿って互いに平行に設けられている。また、後方リニアガイド24bには、後述するナット25aを介して、サドル23aが取り付けられている。
前方リニアガイド24aと後方リニアガイド24bとは、図3に示すように、平面視でスピンドル23の重心Gが前方リニアガイド24a及び後方リニアガイド24bで形成される三角形T内に配置されるように、互いに離間して配置されている。
スピンドル送り機構25は、サドル23aと後方リニアガイド24bとを連結するナット25aと、ナット25aを昇降させるボールネジ25bと、ボールネジ25bを回転させるモータ25cと、を備えている。
モータ25cが駆動してボールネジ25bが回転すると、ナット25aが鉛直方向Vと平行なボールネジ25bの送り込み方向D2にスライドすることにより、サドル23aが下降する。送り込み方向D2は、砥石21がウェハWを加工する加工点Pを通って鉛直方向Vに平行な直線上にある。換言すると、ボールネジ25bの回転軸Oと砥石21の加工点Pとは、鉛直方向Vにおいて同一直線上に配置されている。
メインユニット2には、定圧シリンダ26が設けられている。定圧シリンダ26は、スピンドル送り機構25を挟んで水平方向Hの両側に1つずつ設けられている。定圧シリンダ26は、図示しないシリンダ、ピストン、ピストンロッド、コンプレッサ等から成る公知の構成を採用したエアシリンダである。定圧シリンダ26は、スピンドル23及びスピンドル送り機構25を溝22b内で吊設しており、定圧シリンダ26のピストンロッドが、モータ25cに連結されている。
定圧シリンダ26の駆動圧は、砥石21がウェハWの臨界切り込み深さ(Dc値)だけ切り込んだ際に砥石21に作用する摩擦力に対応した値以下に設定される。Dc値は、ウェハWの材料毎に異なり、例えば、シリコンウェハで0.09μm、シリコンカーバイドウェハで0.15μmである。
研削盤1には、ウェハWの厚みを計測するインプロセスゲージ4が設けられている。インプロセスゲージ4は、後述するように、ウェハ表面の外周縁に接触する内周側ゲージ41と、チャック31の表面に接触する外周側ゲージ42と、を備えている。内周側ゲージ41が測定した高さから外周側ゲージ42が測定した高さを減じることにより、ウェハWの厚みを計測することができる。
研削盤1には、スピンドル23の鉛直方向Vの変位量を測定するリニアエンコーダ5が設けられている。リニアエンコーダ5は、スケール51と、測定ヘッド52と、を備えている。スケール51は、前方リニアガイド24aのスライダの側面に鉛直方向Vに沿って取り付けられ、スピンドル23と一体となって昇降する。測定ヘッド52は、スケール51と対向するようにコラム22の前面22aに固定されている。なお、スピンドル23の変位量を測定可能であれば、リニアエンコーダ5の設置位置は何れであっても構わない。
研削盤1の動作は、制御装置6によって制御される。制御装置6は、研削盤1を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御装置6は、例えば、CPU、メモリ等により構成される。なお、制御装置6の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。
制御装置6には、加工時間に応じた砥石21の摩耗量の推移、換言すれば砥石21の適正摩耗速度範囲が予め記憶されている。砥石21の適正摩耗速度範囲は、例えばサンプルウェハを研削して砥石21が適正に摩耗した場合の摩耗量から算出される。適正摩耗速度範囲は、砥石21の番手、ウェハWの材質等によって変動する。
次に、研削盤1の作用についてSiC基板を研削加工する場合を例に説明する。図4は、研削加工が進むにつれてウェハ厚み及び砥石位置が変化する様子を示す図であり、横軸が時間、左縦軸がウェハWの厚み(μm)、右縦軸がインプロセスゲージ4で測定したスピンドル23の高さ(μm)である。なお、図4中の実線は、リニアエンコーダ5で測定するスピンドル23の位置を示し、図4中の破線は、インプロセスゲージ4で測定するウェハWの厚みを示す。図5(a)は、研削加工前のウェハW及び研削盤1の様子を示す模式図であり、図5(b)は、研削加工中のウェハW及び研削盤1の様子を示す模式図である。
[加工準備]
まず、ウェハWをチャック31に吸着保持させる。また、ボールネジ25bを正回転させ、ナット25a及びサドル23aを送り込み方向D2にスライドさせて、砥石21をウェハWの近傍まで下降させる(図4中の符号A)。次に、砥石21及びチャック31をそれぞれ回転させる。例えば、スピンドル23の回転速度は2000rpm、チャック31の回転速度は300rpmに設定される。砥石21の番手は、例えば#8000である。
内周側ゲージ41をウェハWの表面に着地させ、外周側ゲージ42をチャック31の表面に着地させる。制御装置6には、研削加工開始前の内周側ゲージ41と外周側ゲージ42の差、すなわちウェハWの初期厚み(例えば、775μm)が記憶される。
リニアエンコーダ5を起動させ、研削加工開始前のスピンドル23の鉛直方向Vの初期高さ(例えば、795μm)が制御装置6に記憶される。
[研削加工]
スピンドル送り機構25がスピンドル23をウェハWに接近させ(図4中の符号B)、砥石21がウェハWに着座した状態から(図4中の符号C)、研削加工を開始する。例えば、スピンドル送り機構25の送り速度は0.4μm/sに設定される。
研削加工は、砥石21の砥粒が研削加工中にウェハWに過剰に接触しない、いわゆるフローティングした状態でウェハWを延性モード研削することで行われる(図4中の符号D)。
具体的には、スピンドル23が自重(例えば、20kg)で砥石21をウェハWに押し付けながら研削加工を行い、砥石21に作用する摩擦力がピストンロッドに伝わると、定圧シリンダ26のシリンダ内に充填された圧縮空気を押し戻すようにピストンを上昇させる。したがって、砥石21が所望の研削量(例えば、Dc値)より深く切り込もうとして、砥石21に作用する摩擦力が過大になる場合、スピンドル23及びスピンドル送り機構25が一時的に上昇する。これにより、砥石21がDc値以上に切り込むことが抑制される。
また、送り込み方向D2が鉛直方向Vに沿って平行で砥石21の加工点Pを通る直線上に配置されていることにより、砥石21がウェハWに接触する際の反力を抑えるようにスピンドル送り機構25がスピンドル23を送り出すため、スピンドル23がフローティングした状態での延性モード研削を安定して行うことができる。
また、定圧シリンダ26がスピンドル送り機構25を挟んで水平方向Hの両側に設けられることにより、スピンドル送り機構25が上昇する際にスピンドル送り機構25が水平方向Hに傾くことが抑制される。
そして、インプロセスゲージ4の測定値がウェハWの仕上げ厚み(例えば、80μm)に達すると、ボールネジ25bを逆回転させて、ナット25a及びサドル23aを上昇させることにより、砥石21をウェハWから離間させて、研削加工を終了する(図4中の符号E)。
[砥石の摩耗に応じた制御]
図5(b)に示すように、研削加工が進むにつれて、ウェハWの厚み及び砥石21の厚みは徐々に薄くなる。また、スピンドル23は、スピンドル送り機構25による降下と定圧シリンダ26による上昇によって上下動する。
そこで、制御装置6は、研削加工中に、砥石21の実摩耗量及び実摩耗速度を適宜算出する。具体的には、スピンドル23の変位量Δvから砥石21がウェハWを研削した研削量Δtを減じることにより、砥石21の実摩耗量を算出する。そして、砥石21の実摩耗量を加工時間で除することにより、砥石21の実摩耗速度が得られる。
そして、制御装置6は、砥石21の実摩耗速度と予め記憶された適正摩耗速度範囲とを比較して、砥石21の実摩耗速度が適正摩耗速度範囲から外れている場合には、実摩耗速度が適正摩耗速度範囲内に収まるように所定の制御を行う。このような制御は、砥石21の送り速度のフィードバッグ制御、砥石21の押圧力のフィードバッグ制御、又は砥石21のドレッシングのうち少なくとも1つ以上を行う。
砥石21の送り速度のフィードバッグ制御とは、実摩耗速度が適正摩耗速度範囲の上限値を上回っている場合には、モータ25cの回転速度を下げて、スピンドル23の下降速度を遅くし、実摩耗速度が適正摩耗速度範囲の下限値を下回っている場合には、モータ25cの回転速度を上げて、スピンドル23の下降速度を早くするものである。
また、砥石21の押圧力のフィードバッグ制御とは、実摩耗速度が適正摩耗速度範囲の上限値を上回っている場合には、砥石21がウェハWを押圧する圧力が低下するように、定圧シリンダ26のコンプレッサを制御して定圧シリンダ26の駆動圧を下げ、実摩耗速度が適正摩耗速度範囲の下限値を下回っている場合には、砥石21がウェハWを押圧する圧力が上昇するように、定圧シリンダ26のコンプレッサを制御して定圧シリンダ26の駆動圧を上げるものである。
また、砥石21のドレッシングとは、実摩耗速度が適正摩耗速度範囲から外れている場合に、図示しないドレスユニットによって砥石21の表面をドレッシングすることにより、砥石21の目詰まりを解消するものである。なお、砥石21のドレッシングは、一旦加工を中断して実施するもの又は加工を継続しながら実施するものの何れであっても構わない。
このようにして、上述した研削盤1は、砥石21の研削量Δt及びスピンドル23の変位量Δvに基づいて砥石21の実摩耗速度を研削加工中に算出し、砥石21の実摩耗速度を適正摩耗速度範囲と比較することにより、砥石21の摩耗を考慮してウェハWを所望の仕上げ厚みに精度良く研削することができる。
なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変をなすことができ、そして、本発明が該改変されたものにも及ぶことは当然である。
1 ・・・研削盤
2 ・・・メインユニット
21 ・・・砥石
22 ・・・コラム
22a ・・・前面
22b ・・・溝
23 ・・・スピンドル
23a ・・・サドル
24 ・・・リニアガイド
24a ・・・前方リニアガイド
24b ・・・後方リニアガイド
25 ・・・スピンドル送り機構
25a ・・・ナット
25b ・・・ボールネジ
25c ・・・モータ
26 ・・・定圧シリンダ
3 ・・・搬送ユニット
31 ・・・チャック
32 ・・・スライダ
33 ・・・レール
4 ・・・インプロセスゲージ(研削量測定手段)
41 ・・・内周側ゲージ
42 ・・・外周側ゲージ
5 ・・・リニアエンコーダ(変位量測定手段)
51 ・・・スケール
52 ・・・測定ヘッド
6 ・・・制御装置
D1 ・・・ウェハ搬送方向
D2 ・・・送り込み方向
H ・・・水平方向
V ・・・鉛直方向
W ・・・ウェハ

Claims (5)

  1. 砥石でウェハを研削する研削盤であって、
    前記砥石を下端に取り付けて回転可能なスピンドルと、
    前記スピンドルをコラムに対して鉛直方向に送るスピンドル送り機構と、
    前記スピンドル送り機構と前記コラムとの間に介装され、前記砥石が前記ウェハに切り込んで前記砥石に作用する摩擦力が所定値より高い場合に前記スピンドル及びスピンドル送り機構を鉛直方向に上昇させる定圧シリンダと、
    前記砥石が前記ウェハを研削した研削量を測定する研削量測定手段と、
    前記スピンドルが降下した変位量を測定する変位量測定手段と、
    前記スピンドルの変位量及び前記ウェハの研削量に基づいて算出される前記砥石の実摩耗速度と予め記憶された前記砥石の適正摩耗速度範囲と比較する制御装置と、
    を備えていることを特徴とする研削盤。
  2. 前記制御装置は、前記実摩耗速度が前記適正摩耗速度範囲内に収まるように前記スピンドル送り機構の送り速度を調整することを特徴とする請求項1記載の研削盤。
  3. 前記制御装置は、前記実摩耗速度が前記適正摩耗速度範囲内に収まるように前記定圧シリンダの駆動圧を調整することを特徴とする請求項1又は2項記載の研削盤。
  4. 前記実摩耗速度が前記適正摩耗速度範囲から外れている場合に、前記砥石の研削面をドレッシングするドレス手段をさらに備えていることを特徴とする請求項1から3の何れか1項記載の研削盤。
  5. 前記砥石が前記ウェハを研削する加工点を挟み込むように前記スピンドルの外周に配置されて、前記スピンドルを前記コラムに対して鉛直方向に摺動可能に支持する少なくとも3つのリニアガイドをさらに備え、
    前記スピンドルの重心は、平面視で前記リニアガイドにより形成される多角形内に配置されていることを特徴とする請求項1から4の何れか1項記載の研削盤。
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