JP2019149577A5

JP2019149577A5 -

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Publication number: JP2019149577A5
Application number: JP2019101529A
Authority: JP
Filing date: 2019-05-30
Publication date: 2020-04-30
Anticipated expiration: 2035-08-19

Description

実施形態に係る基板処理装置は、
大気圧よりも減圧された雰囲気において、平面形状が四角形の基板にプラズマ処理を施す処理部と、
前記処理を施す際の圧力よりも高い圧力の環境において、前記基板を搬送する搬送部と、
前記処理部と、前記搬送部と、の間に設けられたロードロック部と、
前記ロードロック部と、前記処理部と、の間に設けられた受け渡し部と、
を備え、
前記ロードロック部は、
前記基板を支持する支持部と、
前記支持部の回転方向における位置を移動させる駆動部と、
を有し、
前記処理部は、
内部にプラズマ発生領域を有する処理容器と、前記プラズマ発生領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記プラズマ発生領域に電磁エネルギーを供給するプラズマ発生部と、処理容器内に配置された載置部を有し、前記載置部に載置され、前記プラズマ発生領域に一方の面が対向した基板に対して前記プラズマ発生領域で生成されたプラズマ生成物によってプラズマ処理を行い、
前記受け渡し部は、前記処理部におけるプラズマ処理の途中において、前記処理部から前記支持部に前記基板を受け渡し、
前記駆動部は、前記受け渡された基板の回転方向における位置を移動させ、かつ、前記基板の辺が延びる方向が、前記受け渡し部の中心と、前記支持部が設けられる領域の中心と、を結ぶ線と平行または垂直となるように、前記受け渡された基板の回転方向における位置を移動させ、
前記受け渡し部は、回転方向における位置を移動させた前記基板を前記ロードロック部から取り出して前記処理部に受け渡し、
前記処理部は、回転方向における位置を移動させた前記基板に残りのプラズマ処理を施すことを特徴とする。

Claims

大気圧よりも減圧された雰囲気において、平面形状が四角形の基板にプラズマ処理を施す処理部と、
前記処理を施す際の圧力よりも高い圧力の環境において、前記基板を搬送する搬送部と、
前記処理部と、前記搬送部と、の間に設けられたロードロック部と、
前記ロードロック部と、前記処理部と、の間に設けられた受け渡し部と、
を備え、
前記ロードロック部は、
前記基板を支持する支持部と、
前記支持部の回転方向における位置を移動させる駆動部と、
を有し、
前記処理部は、
内部にプラズマ発生領域を有する処理容器と、前記プラズマ発生領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記プラズマ発生領域に電磁エネルギーを供給するプラズマ発生部と、処理容器内に配置された載置部を有し、前記載置部に載置され、前記プラズマ発生領域に一方の面が対向した基板に対して前記プラズマ発生領域で生成されたプラズマ生成物によってプラズマ処理を行い、
前記受け渡し部は、前記処理部におけるプラズマ処理の途中において、前記処理部から前記支持部に前記基板を受け渡し、
前記駆動部は、前記受け渡された基板の回転方向における位置を移動させ、かつ、前記基板の辺が延びる方向が、前記受け渡し部の中心と、前記支持部が設けられる領域の中心と、を結ぶ線と平行または垂直となるように、前記受け渡された基板の回転方向における位置を移動させ、
前記受け渡し部は、回転方向における位置を移動させた前記基板を前記ロードロック部から取り出して前記処理部に受け渡し、
前記処理部は、回転方向における位置を移動させた前記基板に残りのプラズマ処理を施す基板処理装置。
前記駆動部は、前記受け渡された基板の回転方向における位置を９０°×ｎ（ｎは自然数）移動させる請求項１記載の基板処理装置。
前記ｎは３以下であることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
前記駆動部は、前記搬送部と、前記支持部と、の間で前記基板を受け渡す際には、前記支持部に受け渡された前記基板の辺が延びる方向が、前記搬送部による搬送方向と平行または垂直となるように、前記受け渡された基板の回転方向における位置を移動させる請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
前記受け渡し部は旋回軸を有する移載部を有し、
前記ロードロック部は、ロードロック室と、前記ロードロック室の対向する壁にそれぞれ設けられた開口部を有し、
一方の壁に設けられた前記開口部を介して前記搬送部が前記ロードロック室に侵入し、他方の壁に設けられた前記開口を介して前記受け渡し部の移載部が前記ロードロック室に侵入し、
前記ロードロック室を平面視したとき、前記搬送部が侵入する開口部の中心よりも、前記前記移載部が侵入する開口部の中心の方が前記旋回軸側に寄るように、それぞれの開口部がロードロック室に設けられている請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
大気圧よりも減圧された第１の環境において、プラズマ発生領域にプロセスガスと電磁エネルギーを供給することで生成されたプラズマ生成物によって、前記プラズマ発生領域に一方の面が対向し、平面形状が四角形である基板にプラズマ処理を施す工程と、
前記基板にプラズマ処理を施す工程における処理の途中において、前記基板を、前記第１の環境から、前記第１の環境から離隔した第２の環境に移動させる工程と、
前記第２の環境において、前記基板の回転方向における位置を移動させ、かつ、前記基板の辺が延びる方向が、前記受け渡し部の中心と、前記支持部が設けられる領域の中心と、を結ぶ線と平行または垂直となるように、前記受け渡された基板の回転方向における位置を移動させる工程と、
回転方向における位置を移動させた前記基板を前記第２の環境から前記第１の環境に移動させて残りのプラズマ処理を施す工程と、
を備える基板処理方法。
前記基板の回転方向における位置を移動させる工程において、前記基板の回転方向における位置を９０°×ｎ（ｎは自然数）移動させる請求項６記載の基板処理方法。
前記ｎは３以下である請求項７記載の基板処理方法。