JP2019132735A - 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 - Google Patents

物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 Download PDF

Info

Publication number
JP2019132735A
JP2019132735A JP2018015762A JP2018015762A JP2019132735A JP 2019132735 A JP2019132735 A JP 2019132735A JP 2018015762 A JP2018015762 A JP 2018015762A JP 2018015762 A JP2018015762 A JP 2018015762A JP 2019132735 A JP2019132735 A JP 2019132735A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
physical quantity
quantity sensor
substrate
movable
movable portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018015762A
Other languages
English (en)
Inventor
竜児 木原
Tatsuji Kihara
竜児 木原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2018015762A priority Critical patent/JP2019132735A/ja
Priority to US16/261,765 priority patent/US20190234990A1/en
Publication of JP2019132735A publication Critical patent/JP2019132735A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0035Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
    • B81B3/0051For defining the movement, i.e. structures that guide or limit the movement of an element
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/18Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0228Inertial sensors
    • B81B2201/0235Accelerometers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/05Type of movement
    • B81B2203/055Translation in a plane parallel to the substrate, i.e. enabling movement along any direction in the plane
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/05Type of movement
    • B81B2203/056Rotation in a plane parallel to the substrate
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0831Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type having the pivot axis between the longitudinal ends of the mass, e.g. see-saw configuration
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0862Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system
    • G01P2015/0871Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with particular means being integrated into a MEMS accelerometer structure for providing particular additional functionalities to those of a spring mass system using stopper structures for limiting the travel of the seismic mass

Abstract

【課題】検出振動とは異なる変位を抑制することができると共に、製造負荷の低減を図ることのできる物理量センサー、電子機器および移動体を提供する。【解決手段】物理量センサーは、基板と、基板に固定された固定部、固定部に対して変位可能な可動部、および固定部と可動部とを接続する梁部を有する素子部と、基板の法線方向からの平面視で可動部の周囲に位置する構造体と、を有する。構造体は、可動部と第1方向に並び、可動部と第1ギャップを介して基板に設けられた第1構造体と、可動部と第1方向に直交する第2方向に並び、可動部と第1ギャップよりも小さい第2ギャップを介して基板に設けられた第2構造体と、を有する。可動部が第1方向および第2方向に直交する第3方向に沿う軸まわりに変位する際の梁部のばね定数は、可動部が第1方向に変位する際の梁部のばね定数よりも小さい。【選択図】図1

Description

本発明は、物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体に関するものである。
例えば、特許文献1に記載された加速度センサーは、基板と、基板に固定された固定部と、固定部に梁部を介して接続された可動部と、可動部に設けられた可動検出電極と、基板に固定され、可動検出電極との間に静電容量を形成する固定検出電極と、を有している。このような構成では、加速度が加わると可動部が梁部を弾性変形させながら基板に対して変位し、それに伴って可動検出電極と固定検出電極との間の静電容量が変位する。そのため、静電容量の変化に基づいて加速度を検出することができる。
また、特許文献1に記載された加速度センサーは、可動部の過度な変位を規制するためのストッパーを有しており、可動部(梁部)がストッパーに接触することにより、それ以上の可動部の変位が防止されるようになっている。また、ストッパーを可動部と同電位とすることにより、接触時に、可動部がストッパーに貼り付いてしまうこと(スティッキングの発生)を抑制している。
特開平11−230985号公報
しかしながら、特許文献1に記載された加速度センサーでは、ストッパーによって可動部の検出軸方向への過度な変位(すなわち過度な振幅の検出振動)しか規制することができない。可動部は、検出軸方向以外の方向にも変位するおそれがあり、このような不要な変位が生じると、加速度の検出精度が低下するおそれがある。また、ストッパーと可動部との間のギャップは、可動部の変位を阻害しない範囲において狭い程好ましいが、ギャップを狭くすることにより、製造(エッチングプロセス)時の負担が増してしまう。
本発明の目的は、検出振動とは異なる変位を抑制することができると共に、製造負荷の低減を図ることのできる物理量センサー、電子機器および移動体を提供することにある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の発明として実現することが可能である。
本発明の物理量センサーは、基板と、
前記基板に固定されている固定部、前記固定部に対して変位可能な可動部、および前記固定部と前記可動部とを接続している梁部を有する素子部と、
前記基板の法線方向からの平面視で、前記可動部の周囲に位置する構造体と、
を有し、
前記構造体は、
前記平面視で、前記可動部と第1方向に並び、前記可動部と第1ギャップを介して前記基板に設けられている第1構造体と、
前記平面視で、前記可動部と前記第1方向に直交する第2方向に並び、前記可動部と前記第1ギャップよりも小さい第2ギャップを介して前記基板に設けられている第2構造体と、
を有し、
前記可動部が前記第1方向および前記第2方向に直交する第3方向に沿う軸まわりに変位する際の前記梁部のばね定数は、前記可動部が前記第1方向に変位する際の前記梁部のばね定数よりも小さいことを特徴とする。
これにより、検出振動とは異なる変位を抑制することができると共に、製造負荷の低減を図ることのできる物理量センサーとなる。
本発明の物理量センサーは、基板と、
前記基板に固定されている固定部、前記固定部に対して変位可能な可動部、および前記固定部と前記可動部とを接続している梁部を有する素子部と、
前記基板の法線方向からの平面視で、前記可動部の周囲に位置する構造体と、
を有し、
前記構造体は、
前記平面視で、前記可動部と第1方向に並び、前記可動部と第1ギャップを介して前記基板に設けられている第1構造体と、
前記平面視で、前記可動部と前記第1方向に直交する第2方向に並び、前記可動部と前記第1ギャップよりも小さい第2ギャップを介して前記基板に設けられている第2構造体と、
を有し、
前記素子部は、
前記第1方向および前記第2方向に直交する第3方向に沿う軸まわりに振動する第1振動モードと、
前記第1方向に振動し、前記第1振動モードよりも高い共振周波数を有する第2振動モードと、を有することを特徴とする。
これにより、検出振動とは異なる変位を抑制することができると共に、製造負荷の低減を図ることのできる物理量センサーとなる。
本発明の物理量センサーでは、可動部は、揺動軸を介してその一方側に位置する第1可動部と、他方側に位置し、前記揺動軸まわりの回転モーメントが前記第1可動部と異なる第2可動部と、を有し、
前記基板に配置され、前記第1可動部と対向している第1固定電極と、
前記基板に配置され、前記第2可動部と対向している第2固定電極と、を有し、
前記基板の法線方向の加速度が加わると、前記梁部を捩り変形させつつ前記可動部が前記揺動軸まわりに揺動するように構成されていることが好ましい。
これにより、第1可動部と第1固定電極との間の静電容量および第2可動部と第2固定電極との間の静電容量の変化に基づいて第3方向の加速度を検出することができる。また、このような構成とすると、検出振動が可動部の面外への振動であるのに対して、第1振動モードおよび第2振動モードが可動部の面内への振動となる。したがって、可動部の周囲に配置された第1構造体および第2構造体によって、検出振動を阻害することなく、不要振動のみを効果的に規制することができる。
本発明の物理量センサーでは、前記第1構造体は、前記可動部に対して前記第1方向の両側に設けられていることが好ましい。
これにより、可動部の第1方向両側への変位を共に規制することができ、効果的に第2振動モードによる可動部の変位を規制することができる。
本発明の物理量センサーでは、前記第2構造体は、前記可動部に対して前記第2方向の両側に設けられていることが好ましい。
これにより、可動部の軸まわりの両側への変位を共に規制することができ、効果的に第1振動モードによる可動部の変位を規制することができる。
本発明の物理量センサーでは、前記第1構造体および前記第2構造体の少なくとも一方は、前記可動部と同電位であることが好ましい。
これにより、可動部と第1構造体との間および可動部と第2構造体との間に静電引力が生じ、可動部が不本意に変位してしまうことを抑制することができる。そのため、より精度よく、物理量を検出することができる。
本発明の物理量センサーデバイスは、本発明の物理量センサーと、
前記物理量センサーと電気的に接続されている回路素子と、を有することを特徴とする。
これにより、本発明の物理量センサーの効果を享受でき、信頼性の高い物理量センサーデバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーと、
前記物理量センサーから出力された検出信号に基づいて制御を行う制御部と、を有することを特徴とする。
これにより、本発明の物理量センサーの効果を享受でき、信頼性の高い電子機器が得られる。
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーと、
前記物理量センサーから出力された検出信号に基づいて制御を行う制御部と、を有することを特徴とする。
これにより、本発明の物理量センサーの効果を享受でき、信頼性の高い移動体が得られる。
本発明の第1実施形態に係る物理量センサーを示す平面図である。 図1中のA−A線断面図である。 図1に示す物理量センサーに印加する電圧を示す図である。 図1に示す素子部の捩り振動モードを示す平面図である。 図1に示す素子部のX軸振動モードを示す平面図である。 変位規制部の変形例を示す平面図である。 変位規制部の変形例を示す平面図である。 図1に示す素子部の製造方法を示す断面図である。 図1に示す素子部の製造方法を示す断面図である。 図1に示す素子部の製造方法を示す断面図である。 本発明の第2実施形態に係る物理量センサーデバイスを示す断面図である。 本発明の第3実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。 本発明の第4実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。 本発明の第5実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。 本発明の第6実施形態に係る移動体を示す斜視図である。
以下、本発明の物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の第1実施形態に係る物理量センサーについて説明する。
図1は、本発明の第1実施形態に係る物理量センサーを示す平面図である。図2は、図1中のA−A線断面図である。図3は、図1に示す物理量センサーに印加する電圧を示す図である。図4は、図1に示す素子部の捩り振動モードを示す平面図である。図5は、図1に示す素子部のX軸振動モードを示す平面図である。図6および図7は、それぞれ、変位規制部の変形例を示す平面図である。図8ないし図10は、それぞれ、図1に示す素子部の製造方法を示す断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、互いに直交する3つの軸をX軸、Y軸およびZ軸とし、X軸に平行な方向を「X軸方向」、Y軸に平行な方向を「Y軸方向」、Z軸に平行な方向を「Z軸方向」とも言う。また、各軸の矢印方向先端側を「プラス側」とも言い、反対側を「マイナス側」とも言う。また、Z軸方向プラス側を「上」とも言い、Z軸方向マイナス側を「下」とも言う。
また、本願明細書において、「直交」とは、90°で交わっている場合の他、90°から若干傾いた角度(例えば、90°±10°程度)で交わっている場合も含むものである。具体的には、X軸がYZ平面の法線方向に対して±10°程度傾いている場合、Y軸がXZ平面の法線方向に対して±10°程度傾いている場合、Z軸がXY平面の法線方向に対して±10°程度傾いている場合、についても「直交」に含まれるものとする。
図1に示す物理量センサー1は、Z軸方向の加速度Azを測定することのできる加速度センサーである。このような物理量センサー1は、基板2と、基板2上に配置された素子部3および変位規制部4と、素子部3および変位規制部4を覆うように基板2に接合された蓋体5と、を有している。以下、これら各部について、順に詳細に説明する。
(基板)
図1に示すように、基板2は、矩形の平面視形状を有する板状をなしている。また、基板2は、上面側に開放する凹部21を有している。また、Z軸方向(基板2の法線方向)からの平面視で、凹部21は、素子部3を内側に内包するように、素子部3よりも大きく形成されている。このような凹部21は、素子部3と基板2との接触を防止(抑制)するための逃げ部として機能する。
また、基板2は、凹部21の底面211に設けられた突起状のマウント部22を有している。そして、マウント部22の上面には、素子部3が接合されている。これにより、素子部3を、凹部21の底面211と離間させた状態で基板2に固定することができる。また、図1に示すように、基板2は、上面側に開放する溝部25、26、27を有している。
基板2としては、例えば、アルカリ金属イオン(Na等の可動イオン)を含むガラス材料(例えば、パイレックスガラス(登録商標)、テンパックスガラス(登録商標)のような硼珪酸ガラス)で構成されたガラス基板を用いることができる。ただし、基板2としては、特に限定されず、例えば、シリコン基板やセラミックス基板を用いてもよい。なお、基板2としてシリコン基板を用いる場合は、短絡を防止する観点から、高抵抗のシリコン基板を用いるか、表面に熱酸化等によってシリコン酸化膜(絶縁性酸化物)を形成したシリコン基板を用いることが好ましい。
また、図1および図2に示すように、凹部21の底面211には、電極8として、第1固定電極81、第2固定電極82およびダミー電極83が互いに離間して配置されている。
また、図1に示すように、溝部25、26、27には、配線75、76、77が設けられている。配線75、76、77の一端部は、それぞれ、蓋体5の外側に露出し、外部装置との電気的な接続を行う電極パッドPとして機能する。また、図2に示すように、配線75は、マウント部22まで引き回されており、マウント部22上で素子部3(固定部31)と電気的に接続されている。また、配線75は、ダミー電極83にも電気的に接続されている。また、配線76は、第1固定電極81と電気的に接続され、配線77は、第2固定電極82と電気的に接続されている。
(蓋体)
図1に示すように、蓋体5は、矩形の平面視形状を有する板状をなしている。また、図2に示すように、蓋体5は、下面側(基板2側)に開放する凹部51を有している。このような蓋体5は、凹部51内に素子部3および変位規制部4を収納するようにして、基板2の上面に接合されている。そして、蓋体5および基板2によって、その内側に、素子部3および変位規制部4を収納する収納空間Sが形成されている。
収納空間Sは、気密空間である。また、収納空間Sは、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガスが封入されて、使用温度(−40℃〜120℃程度)で、ほぼ大気圧となっていることが好ましい。収納空間Sを大気圧とすることで、粘性抵抗が増してダンピング効果が発揮され、素子部3の振動を速やかに収束させることができる。そのため、物理量センサー1の加速度の検出精度が向上する。ただし、収納空間Sの雰囲気としては、特に限定されず、例えば、負圧状態(減圧状態)であってもよいし、陽圧状態(加圧状態)であってもよい。
蓋体5としては、例えば、シリコン基板を用いることができる。ただし、蓋体5としては、特に限定されず、例えば、ガラス基板やセラミックス基板を用いてもよい。また、基板2と蓋体5との接合方法としては、特に限定されず、基板2や蓋体5の材料によって適宜選択すればよく、例えば、陽極接合、プラズマ照射によって活性化させた接合面同士を接合させる活性化接合、ガラスフリット等の接合材による接合、基板2の上面および蓋体5の下面に成膜した金属膜同士を接合する拡散接合等を用いることができる。本実施形態では、ガラスフリット59(低融点ガラス)を介して基板2と蓋体5とが接合されている。
(素子部)
図1に示すように、素子部3は、マウント部22の上面に接合された固定部31と、固定部31に対して変位可能な可動部32と、固定部31と可動部32とを接続する梁部33と、を有している。そして、加速度Azが作用すると、可動部32が梁部33を揺動軸Jとして、梁部33を捩り変形させつつ固定部31に対してシーソー揺動する。
このような素子部3は、例えば、リン(P)、ボロン(B)、砒素(As)等の不純物がドープされた導電性のシリコン基板をエッチング(特にドライエッチング)によってパターニングすることで形成することができる。また、素子部3は、陽極接合によって基板2の上面に接合されている。ただし、素子部3の材料や、素子部3と基板2との接合方法は、特に限定されない。
可動部32は、X方向に延びる長手形状(長方形状)をなしている。そして、揺動軸Jに対してX軸方向マイナス側(一方側)の部分が第1可動部321となり、揺動軸Jに対してX軸方向プラス側(他方側)の部分が第2可動部322となっている。また、第2可動部322は、第1可動部321よりもX軸方向に長く(質量が大きく)、加速度Azが加わったときの回転モーメント(トルク)が第1可動部321よりも大きい。この回転モーメントの差によって、加速度Azが加わると、可動部32が揺動軸Jまわりにシーソー揺動する。
また、可動部32は、第1可動部321と第2可動部322との間に開口323を有しており、この開口323内に固定部31および梁部33が配置されている。このような形状とすることにより、素子部3の小型化を図ることができる。また、梁部33は、Y軸方向に沿って延在しており、揺動軸Jを形成している。ただし、固定部31や梁部33の配置は、特に限定されず、例えば、可動部32の外側に位置していてもよい。
ここで、電極8の説明に戻ると、Z軸方向からの平面視(基板2の法線方向からの平面視)で、第1固定電極81は、第1可動部321と対向して配置され、第2固定電極82は、第2可動部322と対向して配置されている。物理量センサー1の駆動時には、例えば、図3に示す電圧V1が素子部3に印加され、第1固定電極81および第2固定電極82は、それぞれ、QVアンプ(電荷電圧変換回路)に接続される。そのため、第1固定電極81と第1可動部321との間には静電容量Caが形成され、第2固定電極82と第2可動部322との間には静電容量Cbが形成される。
物理量センサー1に加速度Azが加わると、第1、第2可動部321、322の回転モーメントの異なりから、可動部32が梁部33を捩り変形させながら揺動軸Jを中心にしてシーソー揺動する。このような可動部32のシーソー揺動により、第1可動部321と第1固定電極81のギャップおよび第2可動部322と第2固定電極82のギャップが変化し、これに応じて静電容量Ca、Cbがそれぞれ変化する。そのため、物理量センサー1によれば、これら静電容量Ca、Cbの変化量に基づいて加速度Azを検出することができる。
図1および図2に示すように、ダミー電極83は、Z軸方向からの平面視で、第2可動部322の先端側(揺動軸Jから遠い側)の部分と対向して配置されている。前述したように、ダミー電極83は、配線75と電気的に接続されており、可動部32と同電位である。ダミー電極83は、凹部21の底面211と第2可動部322との間に不本意な静電引力が生じ、この静電引力によって可動部32が揺動することにより生じる出力ドリフトを低減するために設けられている。
以上、素子部3の構成について説明した。素子部3は、揺動軸Jまわりにシーソー揺動する振動モード(以下、この振動を「検出振動モード」とも言う)の他にも、複数の振動モード(検出振動モード以外の不要振動モード)を有している。このような検出振動モード以外の振動モードとしては、例えば、図4に示すように、梁部33を弾性変形させつつ可動部32が固定部31を中心としてZ軸まわりに回転振動する捩り振動モード(第1振動モード)や、図5に示すように、梁部33を弾性変形させつつ可動部32がX軸方向に振動するX軸振動モード(第2振動モード)がある。
例えば、物理量センサーの自由落下(経時的に変化する外力が働く環境)時には、様々な周波数の振動が加わるため、検出振動モードと共に、捩り振動モードやX軸振動モードが励振される。捩り振動モードやX軸振動モード等による可動部32の不要な振動(揺動軸Jまわりの振動以外の振動)が生じると、それがノイズとなって加速度Azの検出精度が低下する。
検出振動モード、捩り振動モードおよびX軸振動モードの共振周波数の関係は、特に限定されないが、本実施形態では、検出振動モードの共振周波数をf1とし、捩り振動モードの共振周波数をf2とし、X軸振動モードの共振周波数をf3としたとき、f1<f2<f3の関係となっている。ここで、共振周波数は、梁部33のばね定数が大きい程高くなるため、本実施形態では、検出振動モードにおける梁部33のばね定数をk1とし、ねじり振動モードにおける梁部33のばね定数をk2とし、X軸振動モードにおける梁部33のばね定数をk3としたとき、k1<k2<k3を満足しているとも言える。
また、梁部33のばね定数が小さい程、梁部33が柔らかく変形し易くなるため、可動部32の変位量(振幅)が大きくなる。すなわち、本実施形態の場合には、不要振動モードのうち、捩り振動モードの方がX軸振動モードよりも可動部32の変位量(振幅)が大きくなる。
(変位規制部)
変位規制部4(構造体)は、素子部3の周囲に位置しており、前述した素子部3の過度な変位を規制することにより、素子部3の破損を抑制する機能を有している。このような変位規制部4は、図1に示すように、基板2に固定された第1規制部41(第1構造体)および第2規制部42(第2構造体)を有している。
第1規制部41は、可動部32に対してX軸方向の両側に位置し、可動部32を間に挟んで一対設けられている。また、自然状態(加速度が加わっていない状態)において、一対の第1規制部41は、それぞれ、第1ギャップG1を介して可動部32と対向配置されている。また、一対の第1規制部41は、それぞれ、可動部32のX軸方向の端部に位置する外縁32a、32bに沿うように、Y軸方向に沿って延在する長手形状となっている。このような第1規制部41は、可動部32と接触することにより、前述したX軸振動モードでの可動部32の変位を規制するストッパーとして機能する(図5参照)。
第2規制部42は、可動部32に対してY軸方向の両側に位置し、可動部32を間に挟んで一対設けられている。また、自然状態(加速度が加わっていない状態)において、一対の第2規制部42は、それぞれ、第2ギャップG2を介して可動部32と対向配置されている。また、一対の第2規制部42は、それぞれ、可動部32のY軸方向の端部に位置する外縁32c、32dに沿うように、X軸方向に沿って延在する長手形状となっている。このような第2規制部42は、可動部32と接触することにより、前述した捩り振動モードでの可動部32の変位を規制するストッパーとして機能する(図4参照)。
このような第1規制部41および第2規制部42は、例えば、リン(P)、ボロン(B)、砒素(As)等の不純物がドープされた導電性のシリコン基板をエッチング(特にドライエッチング)によってパターニングすることで形成することができる。また、第1規制部41および第2規制部42は、陽極接合によって基板2の上面に接合されている。特に、本実施形態では、基板2に接合された導電性のシリコン基板をエッチングすることにより、当該シリコン基板から素子部3と変位規制部4とを一括して形成している。これにより、物理量センサー1の製造工程の削減を図ることができる。ただし、第1規制部41および第2規制部42の材料や、第1規制部41および第2規制部42と基板2との接合方法は、特に限定されない。
なお、本実施形態では、第1規制部41および第2規制部42が分離して配置されているが、これに限定されず、例えば、図6に示すように、これらは一体となっていてもよい。すなわち、変位規制部4は、素子部3を囲む枠状をなしていてもよい。また、第1規制部41は、可動部32の幅(Y軸方向長さ)とほぼ同じ長さを有し、可動部32の外縁32a、32bの全域と対向しているが、これに限定されず、例えば、図7に示すように、可動部32の幅よりも短く、可動部32の外縁32a、32bの一部(図7では中央部)と対向していてもよい。同様に、第2規制部42は、可動部32の長さ(X軸方向長さ)とほぼ同じ長さを有し、可動部32の外縁32a、32bの全域と対向しているが、これに限定されず、例えば、図7に示すように、可動部32の長さよりも短く、可動部32の外縁32c、32dの一部(捩り振動モードのときに最もY軸方向への変位量が大きいX軸方向マイナス側の端部)と対向していてもよい。また、一対の第1規制部41の一方を省略してもよいし、一対の第2規制部42の一方を省略してもよい。
また、第1規制部41および第2規制部42は、それぞれ、配線75と電気的に接続されており、可動部32と同電位となっている。これにより、可動部32と第1規制部41との間および可動部32と第2規制部42との間に静電引力が生じ、可動部32が不本意に変位してしまうことを抑制することができる。そのため、より精度よく、加速度Azを検出することができる物理量センサー1となる。ただし、これに限定されず、例えば、第1規制部41および第2規制部42は、GND(グランド)に接続されていてもよい。これにより、第1規制部41および第2規制部42がシールド電極として機能し、外乱ノイズを効果的に遮断することができる。そのため、より精度よく、加速度Azを検出することができる物理量センサー1となる。
ここで、前述したように、本実施形態では、捩り振動モードの共振周波数f2がX軸振動モードの共振周波数f3よりも低い(f2<f3)ため、捩り振動モードの方がX軸振動モードよりも可動部32が可動し易く、その変位量(振幅)も大きい。したがって、可動部32は、X軸方向よりも、Z軸回り(すなわちY軸方向)に変位し易いと言える。そこで、物理量センサー1では、捩り振動モードでの可動部32の変位を規制するための第2規制部42を可動部32のより近くに配置し、捩り振動モードよりも可動し難いX軸振動モードを規制するための第1規制部41については、第2規制部42よりも可動部32から遠ざけて配置している。すなわち、捩り振動モードの規制を優先し、第2規制部42と可動部32とのギャップである第2ギャップG2を、第1規制部41と可動部32とのギャップである第1ギャップG1よりも小さくしている。なお、可動部32の不要な振動を規制する目的からすれば、第1ギャップG1についても、第2ギャップG2と同等程度に小さくすることが好ましいが、本実施形態では以下に述べる理由から、あえてG2<G1の関係を満足するように設計されている。
このようにG2<G1の関係とすることにより、可動部32の検出振動モードとは異なる振動モードでの変位を抑制することができ、優れた加速度検出特性を発揮することができる。具体的には、前述したように、可動部32は、X軸方向よりもZ軸回り(すなわちY軸方向)に変位し易いため、G2<G1とすることにより、可動し易い可動部32のY軸方向への変位を効果的に抑制することができる。そのため、捩り振動モードを効果的に抑制することができ、ノイズが低減され、より高精度に加速度Azを検出することができる。
また、G2<G1の関係とすることにより、素子部3の製造負荷を低減することができる。ここで、素子部3の製造方法について簡単に説明する。まず、図8に示すように、基板2の上面にシリコン基板30を接合する。次に、図9に示すように、シリコン基板30の上面に、素子部3および変位規制部4の形状に対応したマスクM(ハードマスク)を配置する。次に、図10に示すように、マスクMを介してシリコン基板30をドライエッチング(特にボッシュプロセス)することにより、シリコン基板30から素子部3および変位規制部4が一括して形成される。
ここで、ドライエッチングでは、マスクMの開口が狭い程、反応性ガスが侵入し難くなり、エッチング速度が低下する。そのため、マスクMの開口が狭いと、エッチング時間が長くなって製造負荷が大きくなるし、他の部分が必要以上にエッチングされてしまい、所望形状からの形状ずれを招くおそれもある。そこで、マスクMの開口が狭い部分がなるべく少なくなるように、可動し難いX軸方向への可動部32の変位を規制する第1規制部41については、可動部32とのギャップ(第1ギャップG1)を第2ギャップG2と同じ程度まで小さくせずに、第2ギャップG2よりも大きくしている。これにより、G1≦G2の場合と比べてマスクMの開口が狭い部分が少なくなり、その分、素子部3の製造負荷を低減することができる。
すなわち、物理量センサー1は、第2規制部42をなるべく可動部32に近づけて配置することにより、可動し易い可動部32のY軸方向への変位をより効果的に規制して加速度Azの検出精度を高め、第1規制部41をその機能を果たすことができる範囲において可動部32から遠ざけて配置することにより、可動部32のX軸方向への変位を規制しつつ素子部3の製造負荷の低減を図っている。このような物理量センサー1によれば、可動部32の検出振動とは異なる変位を抑制することができると共に、製造負荷の低減を図ることができる。なお、G2<G1の関係を満足していればよいが、5G2≦G1≦20G2であることが好ましく、10G2≦G1≦20G2であることがより好ましい。これにより、上述した効果をより顕著に発揮することができる。
第2ギャップG2としては、特に限定されず、例えば、素子部3の厚さによっても異なるが、例えば、素子部3の厚さが30μm程度の場合には、0.5μm以上2μm以下であることが好ましい。これにより、第2ギャップG2を可動部32のZ軸まわりの変位を規制するのに十分な狭ギャップとすることができる共に、第2ギャップG2を形成するためのエッチング時間が過度に長くなってしまうことを抑制することができる。なお、本実施形態では、第2規制部42が可動部32に沿ってX軸方向に延在しており、第2ギャップG2がX軸方向に沿って一定となっているが、これに限定されず、第2ギャップG2は、X軸方向に沿って変化していてもよい。この場合、第2ギャップG2とは、例えば、可動部32のZ軸まわりの変位量が最も大きい箇所(本実施形態では、X軸方向プラス側に位置する両角部)と第2規制部42とのギャップ(Y軸方向の離間距離)を言う。
また、第1ギャップG1としては、特に限定されず、可動部32のサイズによっても異なるが、例えば、長さ(X軸方向の長さ)が800μm程度で、幅(Y軸方向の長さ)が450μm程度の場合には、8μm以上12μm以下であることが好ましい。これにより、第1ギャップG1を可動部32のX軸方向への変位を規制するのに十分なギャップとしつつ、第1ギャップG1をより大きくすることができる。なお、本実施形態では、第1規制部41が可動部32に沿ってY軸方向に延在しており、第1ギャップG1がY軸方向に沿って一定となっているが、これに限定されず、第1ギャップG1は、Y軸方向に沿って変化していてもよい。この場合、第1ギャップG1とは、例えば、第1ギャップG1の最小値を言う。
以上、物理量センサー1について説明した。このような物理量センサー1は、前述したように、基板2と、基板2に固定されている固定部31、固定部31に対して変位可能な可動部32、および固定部31と可動部32とを接続している梁部33を有する素子部3と、Z軸方向(基板の法線方向)からの平面視で、可動部32の周囲に位置する変位規制部4(構造体)と、を有している。また、変位規制部4は、Z軸方向からの平面視で、可動部32とX軸方向(第1方向)に並び、可動部32と第1ギャップG1を介して基板2に設けられている第1規制部41(第1構造体)と、Z軸方向からの平面視で、可動部32とX軸方向に直交するY軸方向(第2方向)に並び、可動部32と第1ギャップG1よりも小さい第2ギャップG2を介して基板2に設けられている第2規制部42(第2構造体)と、を有している。そして、可動部32がZ軸(X軸方向およびY軸方向に直交するZ軸方向(第3方向)に沿う軸)まわりに変位する際の梁部33のばね定数k2は、可動部32がX軸方向に変位する際の梁部33のばね定数k3よりも小さい。そのため、前述したように、第1規制部41および第2規制部42によって、可動部32の検出振動モードとは異なる振動モードでの変位を抑制することができ、優れた加速度検出特性を発揮することができる物理量センサー1となる。また、エッチングを行うためのマスクMの開口が狭い部分が少なくなり、その分、素子部3の製造負荷を低減することもできる。
また、言い換えると、物理量センサー1は、基板2と、基板2に固定されている固定部31、固定部31に対して変位可能な可動部32、および固定部31と可動部32とを接続している梁部33を有する素子部3と、Z軸方向(基板2の法線方向)からの平面視で、可動部32の周囲に位置する変位規制部4(構造体)と、を有している。また、変位規制部4は、Z軸方向からの平面視で、可動部32とX軸方向に並び、可動部32と第1ギャップG1を介して基板2に設けられている第1規制部41(第1構造体)と、Z軸方向からの平面視で、可動部32とX軸方向に直交するY軸方向(第2方向)に並び、可動部32と第1ギャップG1よりも小さい第2ギャップG2を介して基板2に設けられている第2規制部42(第2構造体)と、を有している。そして、素子部3は、Z軸(X軸方向およびY軸方向に直交するZ軸方向に沿う軸)まわりに振動する捩り振動モード(第1振動モード)と、X軸方向に振動し、捩り振動モードよりも高い共振周波数を有するX軸振動モード(第2振動モード)と、を有している。そのため、前述したように、第1規制部41および第2規制部42によって、可動部32の検出振動モードとは異なる振動モードでの変位を抑制することができ、優れた加速度検出特性を発揮することができる物理量センサー1となる。また、エッチングを行うためのマスクMの開口が狭い部分が少なくなり、その分、素子部3の製造負荷を低減することもできる。
また、前述したように、可動部32は、揺動軸Jを介してその一方側に位置する第1可動部321と、他方側に位置し、揺動軸Jまわりの回転モーメントが第1可動部321と異なる第2可動部322と、を有している。また、物理量センサー1は、基板2に配置され、第1可動部321と対向している第1固定電極81と、基板2に配置され、第2可動部322と対向している第2固定電極82と、を有している。そして、Z軸方向(基板2の法線方向)の加速度Azが加わると、梁部33を捩り変形させつつ可動部32が揺動軸Jまわりに揺動するように構成されている。これにより、第1可動部321と第1固定電極81との間の静電容量および第2可動部322と第2固定電極82との間の静電容量の変化に基づいて加速度Azを検出することができる。また、このような構成とすると、検出振動が可動部32の面外への振動であるのに対して、検出振動外の不要な振動(捩り振動モードおよびX軸振動モード)が可動部32の面内への振動となる。したがって、可動部32の周囲に配置された第1規制部41および第2規制部42によって、検出振動を阻害することなく、不要振動のみを効果的に規制することができる。
また、前述したように、第1規制部41は、可動部32に対してX軸方向の両側(プラス側およびマイナス側)に設けられている。すなわち、一対の第1規制部41が可動部32を間に挟むようにして配置されている。これにより、可動部32のX軸方向プラス側への変位およびX軸方向マイナス側への変位を共に規制することができ、効果的にX軸振動モードによる可動部32の変位を規制することができる。
また、前述したように、第2規制部42は、可動部32に対してY軸方向の両側に設けられている。すなわち、一対の第2規制部42が可動部32を間に挟むようにして配置されている。これにより、可動部32のZ軸回りの一方側への変位およびZ軸回りの他方側への変位を共に規制することができ、効果的に捩り振動モードによる可動部32の変位を規制することができる。
また、前述したように、第1規制部41および第2規制部42の少なくとも一方(本実施形態では両方)は、可動部32と同電位である。これにより、可動部32と第1規制部41との間および可動部32と第2規制部42との間に静電引力が生じ、可動部32が不本意に変位してしまうことを抑制することができる。そのため、より精度よく、加速度Azを検出することができる物理量センサー1となる。
<第2実施形態>
次に、本発明の第2実施形態に係る物理量センサーデバイスについて説明する。
図11は、本発明の第2実施形態に係る物理量センサーデバイスを示す断面図である。
図11に示すように、物理量センサーデバイス5000は、物理量センサー1と、半導体素子5900(回路素子)と、物理量センサー1および半導体素子5900を収納するパッケージ5100と、を有している。なお、物理量センサー1としては、例えば、前述した第1実施形態のいずれのものも用いることができる。
パッケージ5100は、キャビティ状のベース5200と、ベース5200の上面に接合された蓋体5300と、を有している。ベース5200は、その上面に開口する凹部5210を有している。また、凹部5210は、ベース5200の上面に開口する第1凹部5211と、第1凹部5211の底面に開口する第2凹部5212と、を有している。
一方、蓋体5300は、板状であり、凹部5210の開口を塞ぐようにしてベース5200の上面に接合されている。このように、蓋体5300によって凹部5210の開口を塞ぐことで、パッケージ5100内に収納空間S’が形成され、この収納空間S’に物理量センサー1および半導体素子5900が収納されている。なお、ベース5200と蓋体5300との接合方法としては、特に限定されず、本実施形態では、シームリング5400を介したシーム溶接を用いている。
収納空間S’は、気密封止されている。収納空間S’の雰囲気としては、特に限定されないが、例えば、物理量センサー1の収納空間Sと同じ雰囲気となっていることが好ましい。これにより、仮に収納空間Sの気密性が崩壊し、収納空間S、S’が連通してしまっても、収納空間Sの雰囲気をそのまま維持することができる。そのため、収納空間Sの雰囲気が変化することによる物理量センサー1の検出特性の変化を抑制することができ、安定した検出特性を発揮することができる。
ベース5200の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の各種セラミックスを用いることができる。また、蓋体5300の構成材料としては、特に限定されないが、ベース5200の構成材料と線膨張係数が近似する部材であると良い。例えば、ベース5200の構成材料を前述のようなセラミックスとした場合には、コバール等の合金を用いることが好ましい。
ベース5200は、収納空間S’内(第1凹部5211の底面)に配置された複数の内部端子5230と、底面に配置された複数の外部端子5240と、を有している。各内部端子5230は、ベース5200内に配置された図示しない内部配線を介して、所定の外部端子5240と電気的に接続されている。
そして、凹部5210の底面に、ダイアタッチ材DA(接合部材)を介して物理量センサー1が固定されており、さらに、物理量センサー1の上面に、ダイアタッチ材DAを介して半導体素子5900が配置されている。そして、ボンディングワイヤーBW1を介して物理量センサー1と半導体素子5900とが電気的に接続されており、ボンディングワイヤーBW2を介して半導体素子5900と内部端子5230とが電気的に接続されている。
また、半導体素子5900には、例えば、物理量センサー1に駆動電圧を印加する駆動回路や、物理量センサー1からの出力に基づいて加速度Azを検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が必要に応じて含まれている。
以上、物理量センサーデバイス5000について説明した。このような物理量センサーデバイス5000は、物理量センサー1と、物理量センサー1と電気的に接続されている半導体素子5900(回路素子)と、を有している。そのため、物理量センサー1の効果を享受でき、信頼性の高い物理量センサーデバイス5000が得られる。
<第3実施形態>
次に、本発明の第3実施形態に係る電子機器について説明する。
図12は、本発明の第3実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図12に示すモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューター1100は、本発明の電子機器を適用したものである。パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を備えた表示ユニット1106と、により構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。また、パーソナルコンピューター1100には、物理量センサー1と、物理量センサー1から出力された検出信号に基づいて制御を行う制御回路1110(制御部)と、が内蔵されている。物理量センサー1としては、例えば、前述した各実施形態のもののいずれかを用いることができる。
このようなパーソナルコンピューター1100(電子機器)は、物理量センサー1と、物理量センサー1から出力された検出信号に基づいて制御を行う制御回路1110(制御部)と、を有している。そのため、前述した物理量センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
<第4実施形態>
次に、本発明の第4実施形態に係る電子機器について説明する。
図13は、本発明の第4実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図13に示す携帯電話機1200(PHSも含む)は、本発明の電子機器を適用したものである。携帯電話機1200は、アンテナ(図示せず)、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。また、携帯電話機1200には、物理量センサー1と、物理量センサー1から出力された検出信号に基づいて制御を行う制御回路1210(制御部)と、が内蔵されている。
このような携帯電話機1200(電子機器)は、物理量センサー1と、物理量センサー1から出力された検出信号に基づいて制御を行う制御回路1210(制御部)と、を有している。そのため、前述した物理量センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
<第5実施形態>
次に、本発明の第5実施形態に係る電子機器について説明する。
図14は、本発明の第5実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
図14に示すデジタルスチールカメラ1300は、本発明の電子機器を適用したものである。デジタルスチールカメラ1300は、ケース1302を備え、このケース1302の背面には表示部1310が設けられている。表示部1310は、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。そして、撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押すと、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。また、デジタルスチールカメラ1300には、物理量センサー1と、物理量センサー1から出力された検出信号に基づいて制御を行う制御回路1320(制御部)と、が内蔵されている。物理量センサー1は、例えば、手振れ補正に用いられる。
このようなデジタルスチールカメラ1300(電子機器)は、物理量センサー1と、物理量センサー1から出力された検出信号に基づいて制御を行う制御回路1320(制御部)と、を有している。そのため、前述した物理量センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、本発明の電子機器は、前述した実施形態のパーソナルコンピューターおよび携帯電話機、本実施形態のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計(スマートウォッチを含む)、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンタ)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、HMD(ヘッドマウントディスプレイ)等のウェアラブル端末、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、移動体端末基地局用機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター、ネットワークサーバー等に適用することができる。
<第6実施形態>
次に、本発明の第6実施形態に係る移動体について説明する。
図15は、本発明の第6実施形態に係る移動体を示す斜視図である。
図15に示す自動車1500は、本発明の移動体を適用した自動車である。この図において、自動車1500は、エンジンシステム、ブレーキシステムおよびキーレスエントリーシステムの少なくとも何れかのシステム1510を含んでいる。また、自動車1500には、物理量センサー1が内蔵されており、物理量センサー1の検出信号は、制御装置1502に供給され、制御装置1502は、その信号に基づいてシステム1510を制御することができる。
このような自動車1500(移動体)は、物理量センサー1と、物理量センサー1から出力された検出信号に基づいて制御を行う制御装置1502(制御部)と、を有している。そのため、前述した物理量センサー1の効果を享受でき、高い信頼性を発揮することができる。
なお、物理量センサー1は、他にも、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム(ABS)、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(TPMS:Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター等の電子制御ユニット(ECU:electronic control unit)に広く適用できる。
また、移動体としては、自動車1500に限定されず、例えば、飛行機、ロケット、人工衛星、船舶、AGV(無人搬送車)、二足歩行ロボット、ドローン等の無人飛行機等にも適用することができる。
以上、本発明の物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した実施形態を適宜組み合わせてもよい。
また、前述した実施形態では、物理量センサーがZ軸方向の加速度を検出する構成について説明したが、これに限定されず、X軸方向の加速度を検出する構成であってもよいし、Y軸方向の加速度を検出する構成であってもよい。また、前述した実施形態では、物理量センサーが加速度を検出する構成について説明したが、物理量センサーが検出する物理量としては、特に限定されず、例えば、角速度であってもよい。すなわち、物理量センサーは、ジャイロセンサーであってもよい。また、物理量センサーが複数の物理量を検出できるようになっていてもよい。なお、複数の物理量とは、検出軸が異なる同種の物理量(例えば、X軸方向の加速度、Y軸方向の加速度およびZ軸方向の加速度や、X軸まわりの角速度、Y軸まわりの角速度およびZ軸まわりの角速度)であってもよいし、異なる物理量(例えば、X軸まわりの角速度およびX軸方向の加速度)であってもよい。
1…物理量センサー、2…基板、21…凹部、211…底面、22…マウント部、25、26、27…溝部、3…素子部、30…シリコン基板、31…固定部、32…可動部、32a、32b、32c、32d…外縁、321…第1可動部、322…第2可動部、323…開口、33…梁部、4…変位規制部、41…第1規制部、42…第2規制部、5…蓋体、51…凹部、59…ガラスフリット、75、76、77…配線、8…電極、81…第1固定電極、82…第2固定電極、83…ダミー電極、1100…パーソナルコンピューター、1102…キーボード、1104…本体部、1106…表示ユニット、1108…表示部、1110…制御回路、1200…携帯電話機、1202…操作ボタン、1204…受話口、1206…送話口、1208…表示部、1210…制御回路、1300…デジタルスチールカメラ、1302…ケース、1304…受光ユニット、1306…シャッターボタン、1308…メモリー、1310…表示部、1320…制御回路、1500…自動車、1502…制御装置、1510…システム、5000…物理量センサーデバイス、5100…パッケージ、5200…ベース、5210…凹部、5211…第1凹部、5212…第2凹部、5230…内部端子、5240…外部端子、5300…蓋体、5400…シームリング、5900…半導体素子、Az…加速度、BW1、BW2…ボンディングワイヤー、DA…ダイアタッチ材、G1…第1ギャップ、G2…第2ギャップ、J…揺動軸、M…マスク、P…電極パッド、S…収納空間、S’…収納空間、V1…電圧

Claims (9)

  1. 基板と、
    前記基板に固定されている固定部、前記固定部に対して変位可能な可動部、および前記固定部と前記可動部とを接続している梁部を有する素子部と、
    前記基板の法線方向からの平面視で、前記可動部の周囲に位置する構造体と、
    を有し、
    前記構造体は、
    前記平面視で、前記可動部と第1方向に並び、前記可動部と第1ギャップを介して前記基板に設けられている第1構造体と、
    前記平面視で、前記可動部と前記第1方向に直交する第2方向に並び、前記可動部と前記第1ギャップよりも小さい第2ギャップを介して前記基板に設けられている第2構造体と、
    を有し、
    前記可動部が前記第1方向および前記第2方向に直交する第3方向に沿う軸まわりに変位する際の前記梁部のばね定数は、前記可動部が前記第1方向に変位する際の前記梁部のばね定数よりも小さいことを特徴とする物理量センサー。
  2. 基板と、
    前記基板に固定されている固定部、前記固定部に対して変位可能な可動部、および前記固定部と前記可動部とを接続している梁部を有する素子部と、
    前記基板の法線方向からの平面視で、前記可動部の周囲に位置する構造体と、
    を有し、
    前記構造体は、
    前記平面視で、前記可動部と第1方向に並び、前記可動部と第1ギャップを介して前記基板に設けられている第1構造体と、
    前記平面視で、前記可動部と前記第1方向に直交する第2方向に並び、前記可動部と前記第1ギャップよりも小さい第2ギャップを介して前記基板に設けられている第2構造体と、
    を有し、
    前記素子部は、
    前記第1方向および前記第2方向に直交する第3方向に沿う軸まわりに振動する第1振動モードと、
    前記第1方向に振動し、前記第1振動モードよりも高い共振周波数を有する第2振動モードと、を有することを特徴とする物理量センサー。
  3. 可動部は、揺動軸を介してその一方側に位置する第1可動部と、他方側に位置し、前記揺動軸まわりの回転モーメントが前記第1可動部と異なる第2可動部と、を有し、
    前記基板に配置され、前記第1可動部と対向している第1固定電極と、
    前記基板に配置され、前記第2可動部と対向している第2固定電極と、を有し、
    前記基板の法線方向の加速度が加わると、前記梁部を捩り変形させつつ前記可動部が前記揺動軸まわりに揺動するように構成されている請求項1または2に記載の物理量センサー。
  4. 前記第1構造体は、前記可動部に対して前記第1方向の両側に設けられている請求項1ないし3のいずれか1項に記載の物理量センサー。
  5. 前記第2構造体は、前記可動部に対して前記第2方向の両側に設けられている請求項1ないし4のいずれか1項に記載の物理量センサー。
  6. 前記第1構造体および前記第2構造体の少なくとも一方は、前記可動部と同電位である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の物理量センサー。
  7. 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の物理量センサーと、
    前記物理量センサーと電気的に接続されている回路素子と、を有することを特徴とする物理量センサーデバイス。
  8. 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の物理量センサーと、
    前記物理量センサーから出力された検出信号に基づいて制御を行う制御部と、を有することを特徴とする電子機器。
  9. 請求項1ないし6のいずれか1項に記載の物理量センサーと、
    前記物理量センサーから出力された検出信号に基づいて制御を行う制御部と、を有することを特徴とする移動体。
JP2018015762A 2018-01-31 2018-01-31 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体 Pending JP2019132735A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018015762A JP2019132735A (ja) 2018-01-31 2018-01-31 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
US16/261,765 US20190234990A1 (en) 2018-01-31 2019-01-30 Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic device, and vehicle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018015762A JP2019132735A (ja) 2018-01-31 2018-01-31 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019132735A true JP2019132735A (ja) 2019-08-08

Family

ID=67393292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018015762A Pending JP2019132735A (ja) 2018-01-31 2018-01-31 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20190234990A1 (ja)
JP (1) JP2019132735A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019132736A (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
FR3094708B1 (fr) * 2019-04-08 2022-12-02 Commissariat Energie Atomique Charniere hors-plan pour structure micromecanique et/ou nanomecanique a sensibilite aux contraintes internes reduite
JP2021021676A (ja) * 2019-07-30 2021-02-18 セイコーエプソン株式会社 慣性センサー、電子機器および移動体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4736629A (en) * 1985-12-20 1988-04-12 Silicon Designs, Inc. Micro-miniature accelerometer
JPH09318649A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Texas Instr Japan Ltd 複合センサ
US6223598B1 (en) * 1997-06-18 2001-05-01 Analog Devices, Inc. Suspension arrangement for semiconductor accelerometer
US8079262B2 (en) * 2007-10-26 2011-12-20 Rosemount Aerospace Inc. Pendulous accelerometer with balanced gas damping
US9360496B2 (en) * 2014-10-03 2016-06-07 Freescale Semiconductor, Inc. Three-axis microelectromechanical systems device with single proof mass
JP2019132736A (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体

Also Published As

Publication number Publication date
US20190234990A1 (en) 2019-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11022625B2 (en) Physical quantity sensor having a movable portion including a frame surrounding a fixed portion fixed to a substrate
US20190234991A1 (en) Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic device, and vehicle
JP6943122B2 (ja) 物理量センサー、慣性計測装置、移動体測位装置、電子機器および移動体
EP3192771A1 (en) Electronic device, electronic apparatus, and moving object
US11650054B2 (en) Vibrator device, electronic apparatus, and vehicle
JP6866624B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
US20190234990A1 (en) Physical quantity sensor, physical quantity sensor device, electronic device, and vehicle
JP2023155492A (ja) 静電容量型memsセンサー、電子機器および移動体
US20220236058A1 (en) Vibrator Device, Electronic Apparatus, And Vehicle
CN109425756B (zh) 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体
JP6544157B2 (ja) 物理量センサー、センサーデバイス、電子機器および移動体
JP6922562B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、携帯型電子機器、電子機器および移動体
US10384931B2 (en) Electronic device having a bonding wire connected to a terminal at an alloyed portion
JP6822200B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
JP2018132492A (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
US11326882B2 (en) Vibrator device, electronic apparatus, and vehicle
JP2019007855A (ja) 振動デバイス、振動デバイスモジュール、電子機器および移動体
JP2019056658A (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器、携帯型電子機器および移動体
JP6922325B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
JP2018163137A (ja) 物理量センサー、電子機器および移動体
JP2018173288A (ja) 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、振動デバイスモジュール、電子機器および移動体
JP6855853B2 (ja) 物理量センサー、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体
US20180369863A1 (en) Vibration device, vibration device module, electronic device, and vehicle
JP2018173289A (ja) 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、振動デバイスモジュール、電子機器および移動体
JP2019120559A (ja) 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、物理量センサーデバイス、電子機器および移動体