JP2019128487A - 撮像装置及びハイブリッドファインダ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＯＶＦでの表示に十分な光量を得ることができると共にＥＶＦによる表示を行う際に撮像素子に入射するゴースト像の影響を軽減することができるハイブリッドファインダを提供する。【解決手段】カメラ本体１は、ピント板８と、ローリングシャッタ型のシャッタ走査を行う撮像素子と、入射光を反射してピント板８へ導くと共に入射光を透過させて撮像素子へ導くハーフミラー５と、ハーフミラー５を透過させてピント板８に像を投影する走査型のＭＥＭＳ投影ユニット２５と、ＭＥＭＳ投影ユニット２５によるピント板８に対する像の走査位置に応じて撮像素子に発生するゴーストの位置と撮像素子のシャッタ走査の位置とを異ならせ、且つ、ＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の走査方向と撮像素子によるシャッタ走査の走査方向とを一致させる制御部５０を備える。【選択図】図１

Description

本発明は、光学ファインダと電子ファインダの機能を併せ持つハイブリッドファインダ装置を備える撮影装置に関する。

デジタル一眼レフカメラ等の撮像装置での撮影範囲を示すファインダには、一般的に、光学ファインダ（ＯＶＦ）又は電子ファインダ（ＥＶＦ）が用いられている。ＯＶＦは、撮像装置へ入射した被写体光を光学系を通して撮影者に見せるものであり、被写体光を直接観察することができるためにタイムラグがないという利点がある。ＥＶＦは、撮像装置に入射した被写体光を撮像素子により画像信号に変換した後、生成された画像信号に基づく映像を表示素子に表示して撮影者に見せるものであり、表示の際に増幅率を上げることで暗い被写体を見やすくすることができるという利点がある。

近年、切り替え操作を行うことなく、ＯＶＦでの光学像とＥＶＦでの画像を重ね合わせて表示することが可能なハイブリッドファインダ装置が提案されている。例えば、特許文献１には、デジタル一眼レフカメラにおいて、ファインダ内のハーフミラーによりＯＶＦとＥＶＦの光路合成を行うハイブリッドファインダ装置が提案されている。また、特許文献２には、デジタル一眼レフカメラにおいて、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）により光束をコントロールしてピント板上に像を走査する技術が開示されている。

特開２０１４−４８４９２号公報 特開２００６−２５９０７８号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載されている技術では、ファインダ光路内に配置したハーフミラーを用いて光路合成を行っているため、ＯＶＦの光量が減少するという問題がある。また、上記特許文献２には、動画撮影中やミラーアップ連写中にＭＥＭＳ走査によるファインダ表示を行ったときの動作や、ＭＥＭＳ走査に伴って撮像素子に入射する光がゴースト像となってしまうことに対する対策について開示されていない。

本発明は、ＯＶＦでの表示に十分な光量を得ることができると共にＥＶＦによる表示では像の投影に伴って撮像素子に入射するゴースト像の影響を軽減することができる撮像装置を提供することを目的とする。

本発明に係る撮像装置は、ピント板と、ローリングシャッタ型のシャッタ走査を行う撮像素子と、入射光を反射して前記ピント板へ導くと共に前記入射光を透過させて前記撮像素子へ導くハーフミラーと、前記ハーフミラーを透過させて前記ピント板に像を投影する走査型の投影手段と、前記投影手段による前記ピント板に対する像の走査位置に応じて前記撮像素子に発生するゴーストの位置と前記撮像素子のシャッタ走査の位置とを異ならせ、且つ、前記投影手段による像の走査方向と前記撮像素子によるシャッタ走査の走査方向とを一致させる制御手段と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、ＯＶＦでの表示では十分な光量が得られ、ＥＶＦによる表示では像の投影に伴って撮像素子に入射するゴースト像の影響を軽減することが可能な撮像装置を実現することができる。

ファインダ観察時における撮像装置本体の状態を説明する断面図である。 撮影時における撮像装置本体の状態を説明する断面図である。 被写体像、投影像、ファインダ像を説明する図である。 撮像素子ユニットに結像する像を説明する図である。 ＭＥＭＳ投影ユニットによる投影走査と撮像素子ユニットでのシャッタ走査との第１実施形態に係る関係を説明する図である。 ＭＥＭＳ投影ユニットによる投影走査と撮像素子ユニットでのシャッタ走査との第２実施形態に係る関係を説明する図である。

以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、撮像装置本体１（以下「カメラ本体１」と記す）の断面図であり、ファインダ観察時の状態を説明する図である。図２は、カメラ本体１の断面図であり、撮影時の状態を説明する図である。以下、図１及び図２に示すカメラ本体１の姿勢を基準として、適宜、図１及び図２での左右上下の各方向を用いて、カメラ本体１の構成について説明する。

カメラ本体１は、マウント２、ミラーボックス３、撮像素子ユニット４、ハーフミラー５、ミラーホルダ６、ペンタホルダ７、ピント板８、ペンタプリズム９、ファインダレンズ１０，１１，１２，１３、ＭＥＭＳ投影ユニット２５及び制御部５０を備える。

制御部５０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を有しており、ＲＯＭに格納されたプログラムをＲＡＭに展開してカメラ本体１を構成する各部の動作を制御することにより、カメラ本体１の全体的な動作を制御する。後述する撮像素子ユニット４によるシャッタ制御やＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の投影制御は、制御部５０によって行われる。

不図示のレンズ鏡筒（交換レンズ）は、カメラ本体１の左端に配置されたマウント２に対して着脱可能である。レンズ鏡筒を通過した入射光は、ミラーボックス３へ入射する。ミラーボックス３は、中空状の形状を有し、不図示のビスによりマウント２の右側に固定されている。撮像素子ユニット４は、撮像素子を有し、ミラーボックス３を挟んでマウント２の光軸方向反対側（ミラーボックス３の右側）において、撮像素子の撮像面（結像面）が撮影レンズ光軸２９と直交するように配置されている。

ハーフミラー５は、ミラーホルダ６に固定されている。ミラーホルダ６は、ミラーボックス３に対してミラーホルダ軸６ａを回転中心として保持されている。ミラーホルダ６は、一般的な一眼レフカメラと同様に、ファインダ観察時（図１）には撮影レンズ光軸２９に対して４５°の角度でミラーボックス３の内部に保持され、撮影時（図２）には上方（ピント板８側）に退避する。ミラーホルダ６には開口部６ｂが設けられており、ハーフミラー５を通して光束の出入射が可能となっている。

ペンタホルダ７は、中空状の形状を有し、不図示のビスでミラーボックス３の上側に固定されている。ピント板８は、ペンタホルダ７の下部に固定されている。ピント板８は、下面側にフレネルレンズ８ａを備え、上面側に拡散マット８ｂを備えており、これらは一体的に構成されている。拡散マット８ｂは、マウント２から拡散マット８ｂまでの光路長がマウント２から撮像素子ユニット４（撮像素子）の撮像面までの光路長と等価となる位置に配置されている。ファインダ観察状態では、交換レンズ（不図示の）からの光束は、ハーフミラー５によって分割され、撮像素子ユニット４とピント板８に同時に結像する。ペンタプリズム９は、ペンタホルダ７の上部に固定されている。ピント板８の拡散マット８ｂに結像した像は、ペンタプリズム９、ファインダレンズ１０〜１３を通して、ファインダ像として観察される。なお、不図示であるが、カメラ本体１にはファインダレンズ１３に対応する位置にファインダ窓が形成されており、撮影者はファインダ窓を通して外部からピント板８に結像している像を観察することができる。

ＭＥＭＳ投影ユニット２５は、ＭＥＭＳミラーユニット２０、青色レーザ２１、緑色レーザ２２、赤色レーザ２３及び合成プリズム２４を有する。ＭＥＭＳミラーユニット２０は、半導体上に２次元走査可能な鏡が形成された構造を有する。青色レーザ２１、緑色レーザ２２及び赤色レーザ２３のそれぞれから出力されたレーザ光は合成プリズム２４で合成され、ＲＧＢレーザ光としてＭＥＭＳミラーユニット２０に照射され、ＭＥＭＳミラーユニットの２次元走査により光路がコントロールされる。このように、ＭＥＭＳ投影ユニット２５では、青色レーザ２１、緑色レーザ２２、赤色レーザ２３及び合成プリズム２４により、レーザ光走査系（走査型投影手段）が構成されている。ＲＧＢレーザを走査してピント板８に像を描画することが可能な領域（ＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の投影可能領域）は、走査中心軸２８を中心とした走査端２６，２７の間の領域となる。

ＭＥＭＳ投影ユニット２５を構成する各種の部品は、走査中心軸２８が撮影レンズ光軸２９をハーフミラー５で反射させたファインダ光軸３０から前側（マウント２側）にオフセットした位置に来るように、ミラーボックス３の底面部に収納されている。このようなレイアウトを取ると、ファインダ光軸３０と走査中心軸２８とは角度を持つ（所定の角度で交差する）ため、走査中心軸２８とピント板８での結像面とが直交しない。しかし、本実施形態では、ＲＧＢレーザ光を走査することによりＥＶＦ像を形成しているため、走査中心軸２８がファインダ光軸３０に対して傾いていたとしても、ＥＶＦ像に、所謂、ピンボケ現象は起こらない。

図１において走査中心軸２８ａを中心として走査端２６ａ，２７ａで示される範囲は、ＭＥＭＳ投影ユニット２５からの投影光がハーフミラー５で反射した範囲を示している。一方、本実施形態では、ハーフミラー５がファインダ観察状態にある場合でも、ハーフミラー５を透過した光束が撮像素子ユニット４に結像しているので、常時、撮像素子ユニット４から被写体像を取り出すことが可能となっている。よって、撮像素子ユニット４から被写体像を取り出す処理と、ＭＥＭＳ投影ユニット２５によるピント板８への像の投影処理とを同時に行うと、ＭＥＭＳ投影ユニット２５からの投影像が被写体像と重なって撮像素子ユニット４に結像する。この状態で撮像素子ユニット４において電荷を蓄積して読み出すと、ＭＥＭＳ投影ユニット２５から投影されてハーフミラー５で反射した像が被写体像と重なって読み出されることにより、正しい（明瞭な）被写体像が得られない。

そこで、次に、撮像素子ユニット４から正確な被写体像を取得する方法について説明する。図３（ａ）は、不図示のレンズ鏡筒を通して光学的に取得される被写体像３１を示している。図３（ｂ）は、ＭＥＭＳ投影ユニット２５から投影される投影像３３を示している。図３（ｃ）は、ファインダ像として観察される像を示しており、ファインダ像は被写体像３１に投影像３３が重畳された像となる。

図４は、撮像素子ユニット４に結像する像を示しており、投影像３３がハーフミラー５で反射した像がゴースト像３２となって、被写体像３１とゴースト像３２が重畳した状態で結像している。図１に示すファインダ観察状態で撮像素子ユニット４から出力された被写体像に基づいて測光や測距を行った場合に、図４のように投影像３３がハーフミラー５で反射した像がゴースト像３２として被写体像に含まれていると、測光や測距の精度が低下してしまう。

＜第１実施形態＞
図５は、ＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の投影制御と撮像素子ユニット４によるシャッタ制御の第１実施形態に係る方法を模式的に説明する図である。実線の四角枠で示す撮像範囲４０は、撮像素子ユニット４による実際の撮像範囲（撮像素子において電荷の蓄積と読み出しが可能な領域）を示している。図５に示す被写体像３１とゴースト像３２はそれぞれ、図３（ａ）と図４を参照して説明したものと同じである。撮像範囲４０とゴースト像３２の発生範囲は重なっている。

撮像素子ユニット４では、画面の下部から、順次、電荷の蓄積と読み出しを行うローリング型のシャッタ走査（以下、単に「シャッタ走査」と記す）が行われ、図５では、シャッタ走査を実線の矢印４２で模式的に示している。また、ＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の投影走査（ＲＧＢレーザの走査）を破線の矢印４５で模式的に示している。本実施形態では、撮像素子ユニット４によるシャッタ走査とＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の投影走査は、同期して実行される。シャッタ制御は、図５に示されているように、画面の右下端から開始され、１ライン毎に上に移り、最上ラインまで到達した時点で１画面の画面取り込み動作が終了する。一方、ＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の投影走査は画面の上下方向の略中間地点の右端から開始され、１ライン毎に上に移り、最上ラインに到達した後に画面の再下端から再開される。その際、ＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の投影像３３の走査方向と撮像素子ユニット４によるシャッタ走査の走査方向とを一致させる。このような制御により、ゴースト像３２が発生している領域で電荷蓄積が行われるタイミングでは、ゴースト像３２の発生源である投影走査は別の位置に移動しているため、ゴースト像３２は撮像素子での電荷蓄積に影響しない。例えば、撮像素子ユニット４での１画面分のシャッタ走査を１／６０秒で行う場合、これに同期してＭＥＭＳ投影ユニット２５による１画面分の投影走査も１／６０秒で行われる。

図５には、電荷リセットタイミング４６が丸印で、電荷読み出しタイミング４７が星印で、投影表示位置４８が三角印でそれぞれ示されている。画素毎の電荷リセットタイミング４６から電荷読み出しタイミング４７までの時間（つまり、丸印と星印の間隔）が撮像素子ユニット４によるシャッタ走査のシャッタ速度である。

電荷リセットタイミング４６による電荷の蓄積開始から電荷読み出しタイミング４７までの露光時間中に、ＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の投影走査は行われている。電荷の蓄積開始と投影走査が同一位置で行われるタイミングが画面上下方向の半分の投影走査にかかる時間だけずれるように、電荷の蓄積開始と投影走査の時間をずらす走査方式を「先行表示走査」と定義する。また、露光時間の中間位置と投影走査が同一位置で行われるタイミングが画面上下方向の半分の投影走査にかかる時間だけずれるように、露光時間の中間位置と投影走査の時間をずらす走査方式を「先行量可変表示走査」と定義する。先行量可変表示走査では、露光時間により電荷の蓄積開始タイミングと投影走査の間隔が変化する。本実施形態では、電荷リセットタイミング４６（丸印）と投影表示位置４８（三角印）の間隔を、画面の高さで５０％となる位置を初期位置に設定した５０％先行表示走査を行っている。

ところで、シャッタ走査での電荷リセット後にＭＥＭＳ投影ユニット２５からの投影光に起因するゴースト光が撮像素子ユニット４に入射すると、その影響により、測距精度や測光精度が低下してしまう。そのため、電荷リセットは、投影表示位置４８より後に実行される必要がある。図５に四角印で示されている位置４９は、電荷リセットのタイミングが最大先行した位置である。電荷リセットのタイミングの最大先行量ΔＴを時間に直すと、１／１２０秒（１／６０秒の１／２）である。よって、シャッタ速度が１／１２０秒より速ければ（露光時間が１／１２０秒より短ければ）、ゴースト光の影響を受けずに、被写体像３１を取り込むことができる。ゴースト光の影響の受けないシャッタ速度域は電荷リセットのタイミングの最大先行量ΔＴが大きくなるにしたがって広くなるため、シャッタ走査に先行する投影走査をシャッタ走査での電荷読み出し直後に設定することが望ましい。

また、ゴーストには、上述したゴースト像３２（直接ゴースト）の他に、乱反射ゴーストが存在する。乱反射ゴーストを軽減するためには、シャッタ走査と投影走査の物理的位置をできるだけ離すことが効果的である。よって、本実施形態では、乱反射ゴーストの影響を最小限に抑えるために、シャッタ走査と投影走査を画面の高さで５０％離して行っている。これは、シャッタ走査と投影走査を画面の高さで５０％より大きく離した場合、投影走査が上端に達した後の下端から行われる際に、投影走査がシャッタ走査に近付いてしまうからである。

この５０％という値は、シャッタ速度に応じて変えることが望ましい。シャッタ走査時の電荷蓄積時間が１ラインを超える場合には、上述した先行量可変表示走査を行うことにより、乱反射ゴーストとのバランスを取ることができる。また、先行量可変表示走査では、投影走査が行われたラインについては投影走査直後のタイミングで電荷の蓄積を開始し、次のフレームでの投影走査が同一ラインに対して行われるまでの間、露光が可能である。よって、１画面分の投影走査時間（例えば、１／６０秒）から投影走査ライン分の時間を引いたシャッタ速度までであれば、直接ゴースト（ゴースト像３２）は発生しないので、このシャッタ速度より速いシャッタ速度であれば、対応可能である。但し、乱反射ゴーストの影響を回避する観点からは、シャッタ速度はできる限り速くすることが望ましい。

次に、カメラ本体１での撮影時の動作について、図２等を参照して説明する。撮影時には、ハーフミラー５がミラーアップされ、撮影光束は撮像素子ユニット４に、直接、結像する。カメラ本体１がファインダ観察時の状態（図１）となっているときにも、撮像素子ユニット４には撮影光束が結像しているが、ハーフミラー５による光量減少と収差の影響が大きくなるため、撮像はハーフミラー５をミラーアップさせた状態で行われる。

一般的なデジタル一眼レフカメラの場合、ハーフミラー５のミラーアップに伴ってファインダ像は消失する。本実施形態では、ミラーアップにより撮影光束がピント板８に到達しなくなったときに、撮像素子ユニット４から得られる画像信号からＥＶＦ像が生成される。ＥＶＦ像はＭＥＭＳ投影ユニット２５からピント板８に投影され、ファインダレンズ１０〜１３を通してＥＶＦ像として観察可能な構成を取っている。ＭＥＭＳ投影ユニット２５は、走査中心軸６２を中心とした走査端６０，６１の間でＲＧＢレーザ光を走査して、ピント板８に像を描画することができる。

ハーフミラー５の角度は、撮影時とファインダ観察時とで異なるため、ＭＥＭＳミラーユニット２０の中心とピント板８を結ぶ光路の方向は、ハーフミラー５の角度差の分だけ変化する。そのため、ハーフミラー５の角度差の分だけ変化する。そこで、撮影時におけるＭＥＭＳ投影ユニット２５によるＲＧＢレーザ光の走査角度範囲は、ハーフミラー５の角度差の分だけ、ファインダ観察時のＲＧＢレーザ光の走査角度範囲とは異なる角度範囲に設定されている。但し、ハーフミラー５の角度による変化は微少であるため、ＲＧＢレーザ光の走査角度範囲をファインダ観察時と撮影時とで同じとする構成としてもよい。

ファインダ光軸３０に対して走査中心軸６２は角度θで交差している。ＭＥＭＳ投影ユニット２５からの投影光は、ミラーアップ位置にあるハーフミラー５で反射すると、走査中心軸６２ａを中心として走査端６０ａ，６１ａ間の範囲に進む。ミラーアップ位置にあるハーフミラー５からの反射光が進む方向は撮像素子ユニット４に影響を及ぼす方向に向いていないため、撮影画像はこの反射光の影響を受けない。しかし、角度θの値によって、ミラーアップ位置にあるハーフミラー５からの反射光が撮像素子ユニット４に入射する構成となる場合がある。この場合には、ファインダ観察時と同様に、ミラーアップ位置にあるハーフミラー５からの反射光に起因するゴースト像の発生位置と電荷蓄積を行う走査位置とをずらすことで、ゴースト像の影響を回避することができる。

以上に説明した構成とすることで、ファインダ観察時と撮影時の両方でゴースト像の影響を受けないハイブリッドファインダ装置を実現することができる。そして、像の投影にＲＧＢレーザ光を用いることで、投影像を明瞭に描画するために十分な光量を確保することができる。また、ハイブリッドファインダ装置を実現するために必要な光路合成手段を、従来のデジタル一眼レフカメラのクリックリターンミラーを使用して実現している。これにより、従来のデジタル一眼レフカメラの構成に新たに光路合成手段を付加するという手法を採る必要がなくなることで、ファインダ観察時の光量減少や装置の大型化を回避することができる。

＜第２実施形態＞
次に、図１に示したファインダ観察時にのみゴースト像が発生する可能性がある構成であることを前提として、ファインダ観察時におけるシャッタ走査と投影走査の別の実施形態について説明する。なお、カメラ本体１での機械的な構成は、図１及び図２に示した通りである。先に、図５を参照して説明した第１実施形態に係る方法では、１画面のシャッタ走査と投影走査をそれぞれ１／６０秒で同期させて行った。これに対して、本実施形態では、１画面の投影走査を全体では１／６０秒のままとするが、シャッタ走査と投影走査をそれぞれ、４本に１本ずつ、４回に分けて走査するインタレース走査を行う。なお、インタレース走査を４本に１本ずつ４回とするのは一例であって、別の本数（回数）で分けることも可能である。

図６は、ゴースト像３２を解消させるための、ＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の投影走査と撮像素子ユニット４によるシャッタ走査の第２実施形態に係る方法を模式的に説明する図である。図６に示す被写体像３１、ゴースト像３２及び撮像範囲４０は、図４又は図５を参照して説明したものと同じである。ＭＥＭＳ投影ユニット２５による情報表示のゴースト像３２の発生範囲は、図４及び図５と同じで、画面全体となっているものとする。

インタレース走査では、撮像素子ユニット４によるシャッタ走査（ローリングシャッタ型の電荷の蓄積と読み出しの走査）は、第１走査８３、第２走査８４、第３走査８５、第４走査８６の順に行われる。また、ＭＥＭＳ投影ユニット２５による像の投影走査は、第１投影走査８９、第２投影走査９０、第３投影走査９１、第４投影走査９２の順に行われる。この場合、縦方向の時間的な解像度は１／４に低下するが、近接領域の時間的な解像度は向上しており、表示のチラツキを低下させることができるという効果が得られる。

なお、このようなインタレース走査を行う場合に選択可能なシャッタ速度は、第１実施形態でのシャッタ速度の４倍の速度となる。例えば、第１実施形態では１画面のシャッタ速度を６０とした。これに対して、本実施形態では、ファインダ観察時において５０％先行表示走査を行う場合には１／４８０秒より速いシャッタ速度（１／４８０秒よりも短い露光時間）とし、先行量可変表示走査では１／２４０秒より速いシャッタ速度とする必要がある。

本実施形態によれば、ファインダ観察時と撮影時の両方でゴーストの影響を受けないハイブリッドファインダ装置を実現することができ、ファインダ観察時に表示のチラツキを軽減することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１ カメラ本体
４ 撮像素子ユニット
５ ハーフミラー
８ ピント板
２０ ミラーユニット
２５ ＭＥＭＳ投影ユニット
２８ 走査中心軸
３０ ファインダ光軸

Claims (7)

1. ピント板と、
   ローリングシャッタ型のシャッタ走査を行う撮像素子と、
   入射光を反射して前記ピント板へ導くと共に前記入射光を透過させて前記撮像素子へ導くハーフミラーと、
   前記ハーフミラーを透過させて前記ピント板に像を投影する走査型の投影手段と、
   前記投影手段による前記ピント板に対する像の走査位置に応じて前記撮像素子に発生するゴーストの位置と前記撮像素子のシャッタ走査の位置とを異ならせ、且つ、前記投影手段による像の走査方向と前記撮像素子によるシャッタ走査の走査方向とを一致させる制御手段と、を備えることを特徴する撮像装置。
2. 前記制御手段は、前記投影手段による投影走査と、前記撮像素子でのシャッタ走査での電荷の蓄積および読み出しとを、同一の走査時間で同期させて行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
3. 前記制御手段は、前記投影手段による投影走査と、前記撮像素子でのシャッタ走査での電荷の蓄積および読み出しとを、同期したインタレース走査とすることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
4. 前記投影手段が前記ピント板へ像を投影する際の走査中心軸は、前記ハーフミラーから前記ピント板へ光学像を結像させるファインダ光軸と所定の角度で交差していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
5. 前記投影手段は、前記ピント板への像の投影をレーザ光の走査により行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
6. ピント板に結像した光学像と前記ピント板に投影された像とをファインダ窓を通して観察可能なハイブリッドファインダ装置であって、
   入射光を反射して前記ピント板へ導くと共に前記入射光を透過させて撮像素子へ導くハーフミラーを透過させて前記ピント板に像を投影する走査型の投影手段を備え、
   前記投影手段が前記ピント板へ像を投影する際の走査中心軸は、前記ハーフミラーから前記ピント板へ光学像を結像させるファインダ光軸と所定の角度で交差していることを特徴とするハイブリッドファインダ装置。
7. 前記投影手段は、前記ピント板への像の投影をレーザ光の走査により行うことを特徴とする請求項６に記載のハイブリッドファインダ装置。

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