JP2019125624A - 電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】筐体内に収容された回路基板が樹脂封止されてなる電子装置において、防水性および放熱性を両立する電子装置を提供する。【解決手段】電子装置１００は、実装面１０ａに電子部品１１が実装された回路基板１０と、回路基板が収容される筐体２０と、筐体における回路基板の収容空間に充填され、回路基板を封止するように形成された封止樹脂体３０と、を備える。封止樹脂体は、筐体の底面に接しつつ、回路基板の少なくとも一部を封止するものであって、無機フィラを含む第１樹脂層３１と、回路基板の実装面に平行な面が界面Ｓとなるように、第１樹脂層を覆って形成された第２樹脂層３２と、を有する。第１樹脂層は、界面において、界面に直交して形成されたトレンチ３３を有し、第２樹脂層はトレンチ内を充填するように第１樹脂層に積層される。【選択図】図１

Description

この明細書の開示は、筐体内に収容された回路基板が樹脂封止されてなる電子装置に関する。

電子部品が搭載された回路基板を、防水および放熱の目的でエポキシ樹脂を主成分とする封止樹脂体で封止する技術がある。回路基板が収容された筐体内に液状の封止樹脂体を注ぐように充填し、硬化して封止するものであるが、回路基板のうち筐体の底面に面する部分や、電子部品と基板との間で空気を巻き込むことでボイドを生じることが多い。ボイドを含む封止樹脂体に温度変化などのストレスがかかると、ボイドを起点にクラックを生じ、防水性や放熱性が低下する虞がある。

そこで、特許文献１に開示されるように、封止樹脂体を上下の２層構造にする技術がある。下層を第１層といい、上層を第２層ということにすると、回路基板に接触する第１層には上記の通りボイドが発生する虞があるが、回路基板に接触しない第２層ではボイドが発生しにくい。すなわち、ボイドは、封止樹脂体の空気に接触する表面付近には発生しにくいことになり、クラックが封止樹脂体の表面から広がってしまうことを抑制できる。つまり、防水性を向上することができる。

特開２０１５−１２６１３８号公報

ところで、特許文献１に開示される技術でも、第１層の表層付近にはボイドが残存することは解決されていないのであり、これは、第１層と第２層との界面付近にボイドが残存することを意味している。とくに、放熱性を向上させるために無機フィラを混合した封止樹脂体では、フィラが鉛直方向の下方に沈降してフィラの密度に粗密が生じることが知られている。つまり、封止樹脂体の層のうち、鉛直方向上方の部分ではフィラの密度は低くなる。クラックは、フィラの密度が低い部分で進展しやすいため、第１層において、脱泡できなかったボイドが表面付近に残存すると、フィラの密度が低い第１層の表面付近でクラックが水平方向に進展する。すなわち、第１層と第２層との界面付近で、界面に沿ってクラックが発生してしまう虞がある。クラックにより生じる空隙は、第１層から第２層への伝熱を阻害するものであり、封止樹脂体による放熱性を低下させる虞がある。

そこで、この明細書の開示は、筐体内に収容された回路基板が樹脂封止されてなる電子装置において、防水性および放熱性を両立する電子装置を提供することを目的とする。

この明細書の開示は、上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。なお、特許請求の範囲およびこの項に記載した括弧内の符号は、ひとつの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、技術的範囲を限定するものではない。

上記目的を達成するために、この明細書に開示される電子装置は、実装面（１０ａ）に電子部品（１１，１１ａ）が実装された回路基板（１０）と、回路基板が収容される筐体（２０）と、筐体における回路基板の収容空間に充填され、回路基板を封止するように形成された封止樹脂体（３０）と、を備え、封止樹脂体は、筐体の底面（２０ａ）に接しつつ、回路基板の少なくとも一部を封止するものであって、無機フィラを含む第１樹脂層（３１）と、回路基板の実装面に平行な面が界面となるように、第１樹脂層を覆って形成された第２樹脂層（３２）と、を有し、第１樹脂層は、界面において、界面に直交して形成されたトレンチ（３３）を有し、第２樹脂層はトレンチ内を充填するように第１樹脂層に積層される。

これによれば、第１樹脂層の表層付近にボイドが発生したとしても、ボイドを起点として発生したクラックは、トレンチによりその進展を阻害されるので、クラックが発生したとしても、その発生を第１樹脂層と第２樹脂層との界面の一部に留めることができる。よって、第１樹脂層と第２樹脂層との接触を維持できるので、封止樹脂体の放熱性を維持することができる。また、上記のとおり、第２樹脂層にはボイドが発生しにくいので、封止樹脂体の露出面におけるボイド起因のクラックの発生を抑制でき、防水性を確保することもできる。すなわち、防水性および放熱性を両立することができる。

第１実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。 図１に示す領域IIを拡大した断面図である。 筐体に回路基板を収容する工程を示す断面図である。 第１樹脂層の形成工程を示す断面図である。 トレンチの形成工程を示す断面図である。 第２樹脂層の形成工程を示す断面図である。 第２実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。 第３実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。 第４実施形態における電子装置の概略構成を示す断面図である。 変形例における電子装置の概略構成を示す断面図である。

以下に、図面を参照しながら本開示を実施するための複数の形態を説明する。各形態において先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を適用することができる。各形態で具体的に組み合わせが可能であることを明示している部分同士の組み合わせばかりではなく、特に組み合わせに支障が生じなければ、明示していなくても形態同士を部分的に組み合せることも可能である。

（第１実施形態）
最初に、図１および図２を参照して、本実施形態に係る電子装置の概略構成について説明する。

図１に示すように、電子装置１００は、回路基板１０と、筐体２０と、封止樹脂体３０と、を備えている。

回路基板１０は、例えばプリント基板であり、本実施形態では円盤状を成し、電子部品１１が実装されている。回路基板１０は、電子部品１１が実装される面である実装面１０ａと、実装面１０ａの反対側の面である裏面１０ｂとを有する板状である。回路基板１０は、裏面１０ｂが後述する筐体２０の底面２０ａに対向するように筐体２０の収容空間に収容され、後述する封止樹脂体３０により封止されている。回路基板１０は実装された電子部品１１を含めて封止樹脂体３０に覆われることにより、外部から露出しないようになっている。

なお、電子部品１１は、実装面１０ａに設けられたランドにはんだ等の導電性接着材１２を介して電気的に接続されている。封止樹脂体３０が注入される前の段階では、回路基板１０の実装面１０ａと電子部品１１との間には空隙１３が形成される。空隙１３は封止樹脂体３０の形成時に封止樹脂体３０によって埋められるか、あるいは一部がボイドとして残存する場合もある。

筐体２０は、回路基板１０を収容するものであり、本実施形態では有底円筒状を成す樹脂製の部材である。筐体２０は、底面２０ａと内壁面２０ｂとを有し、底面２０ａと内壁面２０ｂとに囲まれた空間が回路基板１０の収容空間となる。図１においては、円筒の一方が開口した形状をしているが、開口を閉じる蓋部を有しても良い。収容される回路基板１０は、その実装面が底面２０ａと平行になるように配置される。換言すれば、回路基板１０の裏面１０ｂが底面２０ａに対向するように配置される。

封止樹脂体３０は、電子部品１１が実装された回路基板１０を保護するとともに、放熱および防水を目的に回路基板１０を封止する部材である。本実施形態における封止樹脂体３０は、エポキシ樹脂を主体として無機フィラが混合された混合体である。本実施形態における封止樹脂体３０は、例えば摂氏２５度における比重が１．５ｇ／ｃｍ^３以上２．５ｇ／ｃｍ^３以下とされた樹脂であり、具体的には例えば、無機フィラを含めた平均した比重が２．０ｇ／ｃｍ^３である。封止樹脂体３０は、回路基板１０を筐体２０の収容空間内に配置した後に、液状の樹脂を注入して硬化することで形成される。樹脂は電子部品１１がすべて隠れるまで注がれ、硬化されることで封止樹脂体３０を形成する。

本実施形態における封止樹脂体３０は、回路基板１０の実装面１０ａに直交する方向、すなわち、筐体２０の底面２０ａに直交する方向において２層構造を成している。つまり、封止樹脂体３０は、第１樹脂層３１と第２樹脂層３２とを有している。第１樹脂層３１は筐体２０の収容空間内における奥側に位置しており、底面２０ａに接触しつつ回路基板１０、導電性接着材１２、および電子部品１１の一部を封止している。第２樹脂層３２は、第１樹脂層３１に積層されるように形成されており、第１樹脂層３１を覆うとともに電子部品１１が外部に露出しないように封止している。

上記したように、封止樹脂体３０を構成する第１樹脂層３１および第２樹脂層３２は、いずれもエポキシ樹脂を主体とした無機フィラを含んだ樹脂である。無機フィラを含んだ樹脂では、硬化前の流動性を有する状態において、無機フィラが重力によって沈降し、樹脂層のなかでも無機フィラの密度に粗密ができる。よって、第１樹脂層３１は、無機フィラの密度が高い第１リッチ層３１ｒと、無機フィラの密度が低い第１プア層３１ｐとを有している。同様に、第２樹脂層３２は、無機フィラの密度が高い第２リッチ層３２ｒと、無機フィラの密度が低い第２プア層３２ｐとを有している。図１において、リッチ層とプア層との境界は破線で示している。なお、本実施形態において、プア層は、摂氏２５度における比重が１．５ｇ／ｃｍ^３未満の層として定義する。よって、リッチ層は摂氏２５度における比重が１．５ｇ／ｃｍ^３以上である。

第１樹脂層３１と第２樹脂層３２との界面Ｓは、第１プア層３１ｐと第２リッチ層３２ｒとが隣接する接触面でもあり、この界面Ｓを境に物性が異なる。すなわち、第２リッチ層３２ｒは第１プア層３１ｐに較べて無機フィラの密度が高く、硬い性質を有している。

第１樹脂層３１は、第２樹脂層３２との界面Ｓから、界面Ｓに直交する方向に掘られたトレンチ３３を有している。図１のＡ−Ａ断面図に示すように、本実施形態におけるトレンチ３３は枡状に形成されている。すなわち、界面Ｓを正面視したとき、トレンチ３３が閉じた形状を成しており、トレンチ３３により閉じた領域が形成されている。また、トレンチ３３は、界面Ｓから第１プア層３１ｐを貫通して第１リッチ層３１ｒに至るように形成されている。

第２樹脂層３２は、第１樹脂層３１に形成されたトレンチ３３の内部に進入して充填される。すなわち、図２に示すように、トレンチ３３の内部に存在する第２樹脂層３２は第２リッチ層３２ｒである。トレンチ３３は、第１樹脂層３１における第１リッチ層３１ｒに至るように形成されているので、トレンチ３３により形成される枡の内部は、無機フィラの密度が高いリッチ層３１ｒ，３２ｒに３次元的に囲まれている。

トレンチ３３により囲まれる閉領域の形成位置は、第１樹脂層３１においてボイドが分布しやすい位置に形成することが好ましい。ボイドが分布しやすい位置は、回路基板１０における電子部品１１の実装位置や、回路基板１０の収容配置、第１樹脂層３１の充填量などの要素が決まれば予測することができるので、予めボイドの発生が予測される位置をトレンチ３３が囲むように、トレンチ３３を形成すると良い。

次に、図３〜図６を参照して、本実施形態にかかる電子装置１００の製造方法について説明する。

まず、実装面１０ａに電子部品１１を実装した回路基板１０を準備する。電子部品１１は導電性接着材１２を介して実装面１０ａに実装され、実装面１０ａと電子部品１１の間には空隙１３が生じる。

また、回路基板１０を収容可能な程度の空間を有する有底円筒状の筐体２０を準備する。

その後、図３に示すように、筐体２０内部の収容空間に回路基板１０を収容する。筐体２０は、回路基板１０を収容する収容空間について、底面２０ａが鉛直方向下方に位置するように置く。回路基板１０は、実装面１０ａの反対の面である裏面１０ｂが筐体２０の底面２０ａに対向するように配置する。また、電子部品１１が筐体２０の収容空間内にすべてが収まるように収容する。回路基板１０は筐体２０にねじ固定等の方法により固定する。

次いで、図４に示すように、第１樹脂層３１となる樹脂体を収容空間内に流し込む。具体的には、実装面１０ａと電子部品１１との間にできた空隙１３を覆い隠し、また、電子部品１１の下半分程度が隠れる程度に、液状の樹脂体を収容空間内に充填する。このとき、空隙１３や裏面１０ｂ近傍で巻き込まれた空気がボイドとなる。脱泡の工程によりボイドは可能な限り除去するが、図４に示すように、一部のボイドが表面付近に残留する。加えて、流し込まれた樹脂体中では無機フィラが沈降して、無機フィラの密度に粗密が生じている。液状の樹脂体を硬化することで第１樹脂層３１を形成する。

次いで、図５に示すように、第１樹脂層３１の表面にトレンチ３３を形成する。トレンチ３３は予め決められた箇所を掘削して形成するが、本実施形態では、図１に示すように所定の領域を取り囲むように枡状に形成する。取り囲む領域は、ボイドが残留しやすい場所を予め把握しておき、その部分を指定すると良い。これにより、図５に示すように、ボイドはトレンチ３３で形成された閉領域に閉じ込められた状態となる。

次いで、図６に示すように、第２樹脂層３２となる樹脂体を収容空間内に流し込む。具体的には、第１樹脂層３１から露出した電子部品１１の上半分をすべて覆い隠すように液状の樹脂体を収容空間内に充填する。このとき、第１樹脂層３１との間の界面Ｓにはトレンチ３３が形成されているので、樹脂体はトレンチ３３内にも充填される。この工程では、回路基板１０や空隙１３はすでに第１樹脂層３１に封止されて露出していないので、空気の巻き込みによるボイドは少ない。なお、第１樹脂層３１と同様に、流し込まれた樹脂体中では無機フィラが沈降して、無機フィラの密度に粗密が生じている。液状の樹脂体を硬化することで第２樹脂層３２を形成する。

以上の工程を経て、電子装置１００を製造する。

次いで、図２を参照しつつ、本実施形態に係る電子装置１００を採用することによる作用効果について説明する。

本実施形態における電子装置１００では、回路基板１０を封止する封止樹脂体３０として、第１樹脂層３１と第２樹脂層３２とを有している。第１樹脂層３１が、空隙１３を覆うように形成されているので、第２樹脂層３２は収容空間への注入時に空隙１３や回路基板１０の裏面１０ｂでの空気の巻き込みが無く、ボイドの発生を抑制することができる。これによれば、外部に触れる封止樹脂体の表面においてボイドの残留を抑制できるので、ボイドを起点とするクラックの発生も抑制でき、封止樹脂体表面に付着する水分がクラックを通して回路基板１０に到達する頻度を低減することができる。すなわち、防水性を確保することができる。

また、本実施形態における電子装置１００では、第１樹脂層３１が、第１樹脂層３１と第２樹脂層３２との界面Ｓから延びたトレンチ３３を有している。そして、トレンチ３３内には第２樹脂層３２が充填されており、実装面１０ａに平行な、トレンチ３３を含む面内において、第１樹脂層３１とトレンチ３３内の第２樹脂層３２とで材質に差が生じる。これにより、第１樹脂層３１の表層に残留したボイドを起点に生じたクラックは、図２に示すようにトレンチ３３にその進展を阻害される。すなわち、界面Ｓの近傍の表層において、界面Ｓ全体に亘ってクラックが進展することを抑制することができる。

とくに、本実施形態では、第１樹脂層３１における界面Ｓ近傍の表層は無機フィラの密度が低い第１プア層３１ｐでありクラックが進展しやすい物性である。一方、トレンチ３３内は第２樹脂層３２において無機フィラの密度が高い第２リッチ層３２ｒであり、プア層に較べて硬い性質を有し、クラックが進展しにくい物性である。よって、トレンチ３３によりクラックの進展が阻害され、界面Ｓ全体に亘ってクラックが進展することを抑制することができる。

さらに、本実施形態における電子装置１００では、トレンチ３３が第１樹脂層３１において無機フィラの密度の高い第１リッチ層３１ｒに到達する程度の深さに形成されているので、クラックがトレンチ３３の下部に回り込んで進展することを抑制することができる。

さらに、本実施形態における電子装置１００では、トレンチ３３が枡状に形成されることによって、ボイドがトレンチ３３によって取り囲まれるようになっているので、クラックが発生したとしても、その進展をトレンチ３３に囲まれた閉領域の内部のみに留まらせることができる。

（第２実施形態）
第１実施形態では、界面Ｓを正面視したとき、トレンチ３３が枡状に形成されることで閉領域を形成する例について説明した。これは、第１樹脂層３１におけるボイドの発生位置がある程度予測できる場合に有効である。これに対して、本実施形態における電子装置１１０は、図７に示すように、界面Ｓを正面視したとき、トレンチ３３が格子状に形成されている。

トレンチ３３が格子状に形成されることにより、第１樹脂層３１の表層、とくに第１プア層３１ｐが複数の閉領域に分割される。これにより、ボイドが第１樹脂層３１の表層の任意の箇所に発生しても、ボイドに起因するクラックの進展をトレンチ３３により阻害することができるので、界面Ｓ全体に亘ってクラックが進展することを抑制することができる。

第１実施形態および本実施形態では、閉領域が矩形となる例を説明したが、この例に限定されるものではない。

（第３実施形態）
第１実施形態および第２実施形態では、トレンチ３３の断面形状については詳述していないが、例えば図８に示すように、トレンチ３３が第１樹脂層３１の界面Ｓから深い側に向かうほど幅が縮小するようにテーパを設けるようにしても良い。

これによれば、第２樹脂層３２を形成する樹脂体を注入する際に、トレンチ３３内に進入するための間口を広く確保することができ、第２樹脂層３２の充填性を向上させることができる。

（第４実施形態）
上記した各実施形態では、電子部品１１の種類について限定しなかったが、特に発熱する部品（発熱部品１１ａ）を含む電子部品１１が実装された回路基板１０を封止する場合についての好適な例を説明する。

図９に示すように、本実施形態における電子装置１２０は、回路基板１０の実装面１０ａに発熱部品１１ａが実装されている。そして、トレンチ３３は、その底部３３ａが発熱部品１１ａに対向するような位置に形成されている。すなわち、発熱部品１１ａが実装された箇所では、他の箇所に較べて第２樹脂層３２から回路基板１０、ひいては発熱部品１１ａまでの距離が近くされている。

これによれば、発熱部品１１ａの上部にはクラックが進展することがないので、第１樹脂層３１と第２樹脂層３２との間に空気層を挟むことなく伝熱することができる。すなわち、放熱性を確保することができる。

また、第２樹脂層３２が無機フィラを含む樹脂層である場合には、トレンチ３３の内部に第２リッチ層３２ｒが存在する。無機フィラは樹脂よりも伝熱効率が高く、無機フィラを多く含む第２リッチ層３２ｒが充填されたトレンチ３３が発熱部品１１ａに近接しているため、発熱部品１１ａが生じた熱を効率よく第２樹脂層３２に伝熱し、放熱することができる。すなわち、放熱性を向上させることができる。

（変形例）
第４実施形態で説明したように、回路基板１０に発熱部品１１ａが実装されている場合には、トレンチ３３の底部３３ａが発熱部品１１ａに対向して近接していることが好ましい。そこで、例えば図１０に示すように、回路基板１０に実装される電子部品のほとんどが発熱部品１１ａである場合には、トレンチ３３の幅を拡張し、第１樹脂層３１の表面のほとんどを掘削し、幅広のトレンチ３３としても良い。これによれば、第２樹脂層３２における第２リッチ層３２ｒが発熱部品１１ａに近接して存在するので、放熱性を向上させることができる。

（その他の実施形態）
この明細書および図面等における開示は、例示された実施形態に制限されない。開示は、例示された実施形態と、それらに基づく当業者による変形態様を包含する。例えば、開示は、実施形態において示された部品および／または要素の組み合わせに限定されない。開示は、多様な組み合わせによって実施可能である。開示は、実施形態に追加可能な追加的な部分をもつことができる。開示は、実施形態の部品および／または要素が省略されたものを包含する。開示は、ひとつの実施形態と他の実施形態との間における部品および／または要素の置き換え、または組み合わせを包含する。開示される技術的範囲は、実施形態の記載に限定されない。開示されるいくつかの技術的範囲は、請求の範囲の記載によって示され、さらに請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むものと解されるべきである。

第１実施形態および第２実施形態では、トレンチ３３が所定の領域を取り囲んで閉領域を形成するように、トレンチ３３が形成される例について説明したが、例えば図９に示すように、トレンチ３３が単独で存在し、閉領域を形成しない構成であっても良い。

また、上記した各実施形態では、トレンチ３３が第１プア層３１ｐを貫通して第１リッチ層３１ｒに達するように形成される例について説明したが、必ずしもトレンチ３３が第１プア層３１ｐを貫通していなくとも良い。わずかな深さでもトレンチ３３が存在すれば、クラックの進展を阻害する効果を奏することができる。ただし、トレンチ３３が第１プア層３１ｐを貫通して第１リッチ層３１ｒに達するように形成されることにより、リッチ層に三次元的に囲まれた領域を形成できるので、クラックの進展を効果的に阻害できる。

上記した各実施形態では、第２樹脂層３２の樹脂成分として、第１樹脂層３１と同様にエポキシ樹脂を採用する例について説明した。上記の例は、トレンチ３３内に無機フィラを多く含んだ第２リッチ層３２ｒが存在することにより、トレンチ３３内を硬い材質とすることでクラックの進展を阻害する例である。一方、第２樹脂層３２の樹脂成分として、ウレタン樹脂あるいはシリコーン樹脂を採用しても良い。ウレタン樹脂およびシリコーン樹脂はエポキシ樹脂よりも柔らかい樹脂であり、クラックの発生原因となる応力の緩衝材として機能する。この効果を発揮するウレタン樹脂およびシリコーン樹脂がトレンチ３３内部に存在することにより、第１樹脂層３１の表層のボイドを起点とするクラックの進展を阻害することができる。

１０…回路基板，１１…電子部品，１１ａ…発熱部品，２０…筐体，２０ａ…底面，３０…封止樹脂体，３１…第１樹脂層，３１ｐ…第１プア層，３１ｒ…第１リッチ層，３２…第２樹脂層，３２ｐ…第２プア層，３２ｒ…第２リッチ層，３３…トレンチ

Claims (8)

1. 実装面（１０ａ）に電子部品（１１，１１ａ）が実装された回路基板（１０）と、
   前記回路基板が収容される筐体（２０）と、
   前記筐体における前記回路基板の収容空間に充填され、前記回路基板を封止するように形成された封止樹脂体（３０）と、を備え、
   前記封止樹脂体は、
   前記筐体の底面（２０ａ）に接しつつ、前記回路基板の少なくとも一部を封止するものであって、無機フィラを含む第１樹脂層（３１）と、
   前記回路基板の前記実装面に平行な面が界面となるように、前記第１樹脂層を覆って形成された第２樹脂層（３２）と、を有し、
   前記第１樹脂層は、前記界面において、前記界面に直交して形成されたトレンチ（３３）を有し、前記第２樹脂層は前記トレンチ内を充填するように前記第１樹脂層に積層される、電子装置。
2. 前記第１樹脂層は、前記界面に直交する方向において、前記筐体の底面側に形成され前記無機フィラの密度の高いリッチ層（３１ｒ）と、前記界面側に形成され前記無機フィラの密度の低いプア層（３１ｐ）と、を有し、
   前記トレンチは、前記プア層を貫通して前記リッチ層に至る、請求項１に記載の電子装置。
3. 前記封止樹脂体は、摂氏２５度における比重が１．５ｇ／ｃｍ^３以上２．５ｇ／ｃｍ^３以下であり、前記第１樹脂層における前記プア層は、摂氏２５度における比重が１．５ｇ／ｃｍ^３未満である、請求項２に記載の電子装置。
4. 前記第１樹脂層は、前記回路基板における前記実装面と前記電子部品との間の空隙（１３）を覆うように前記筐体に充填される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子装置。
5. 前記界面を正面視するとき、前記トレンチは、前記トレンチが閉じた領域を形成するように形成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子装置。
6. 前記界面を正面視するとき、前記トレンチは、格子状に形成される、請求項５に記載の電子装置。
7. 前記電子部品が発熱部品（１１ａ）を有するとき、
   前記トレンチは、その底部（３３ａ）が前記発熱部品に対向するように形成される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子装置。
8. 前記第１樹脂層は、エポキシ樹脂を主成分として無機フィラを含む樹脂層であり、前記第２樹脂層は、エポキシ樹脂あるいはウレタン樹脂あるいはシリコーン樹脂もしくはこれらの混合物である樹脂を主成分として無機フィラを含む樹脂層である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子装置。

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