JP2019121862A - 原子発振器および周波数信号生成システム - Google Patents
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Abstract
【課題】磁場に対する遮蔽性能が高いシールドを提供する。【解決手段】光を出射する光源と、アルカリ金属原子が収容され、前記光源から出射された光が入射する原子セルと、基部および蓋部を有し、前記光源および前記原子セルを収容し、磁場を遮蔽するシールドケースと、を含み、前記基部の側壁は、前記蓋部の側壁に囲まれ、前記基部の側壁と前記蓋部の側壁との間には、軟磁性部材が配置されている、原子発振器。【選択図】図4
Description
本発明は、原子発振器および周波数信号生成システムに関する。
外部から進入する磁場によって、例えば原子発振器などが受ける影響を低減させるために、磁気シールドが用いられている。
例えば特許文献1には、本体およびふたを備え、本体の側壁を囲むようにふたの側壁が配置された茶筒形磁気シールドケースを有する原子発振器が記載されている。
しかしながら、上記のような原子発振器では、製造ばらつきなどにより、シールドケースの本体の側壁とふたの側壁との間に隙間ができる可能性がある。このような隙間ができると、シールドケースの磁場に対する遮蔽性能が低下する。
本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、磁場に対する遮蔽性能が高い原子発振器を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、磁場に対する遮蔽性能が高い周波数信号生成システムを提供することにある。
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
[適用例1]
本適用例に係る原子発振器は、光を出射する光源と、アルカリ金属原子が収容され、前記光源から出射された光が入射する原子セルと、基部および蓋部を有し、前記光源および前記原子セルを収容し、磁場を遮蔽するシールドケースと、を含み、前記基部の側壁は、前記蓋部の側壁に囲まれ、前記基部の側壁と前記蓋部の側壁との間には、軟磁性部材が配置されている。
本適用例に係る原子発振器は、光を出射する光源と、アルカリ金属原子が収容され、前記光源から出射された光が入射する原子セルと、基部および蓋部を有し、前記光源および前記原子セルを収容し、磁場を遮蔽するシールドケースと、を含み、前記基部の側壁は、前記蓋部の側壁に囲まれ、前記基部の側壁と前記蓋部の側壁との間には、軟磁性部材が配置されている。
このような原子発振器では、基部の側壁と蓋部の側壁との間には、軟磁性部材が配置されているため、基部の側壁と蓋部の側壁との間に軟磁性部材が配置されていない場合に比べて、磁場に対する遮蔽性能が高い。
[適用例2]
本適用例に係る原子発振器において、前記軟磁性部材は、前記基部の側壁と前記蓋部の側壁との間の隙間よりも薄い薄片であってもよい。
本適用例に係る原子発振器において、前記軟磁性部材は、前記基部の側壁と前記蓋部の側壁との間の隙間よりも薄い薄片であってもよい。
このような原子発振器では、軟磁性部材は、基部の側壁と蓋部の側壁との間の隙間よりも薄い薄片であるため、隙間の大きさに応じて、基部の側壁と蓋部の側壁との間に軟磁性部材を挿入し易く、例えば、シールドケースに外部から衝撃が加わった場合に、基部が蓋部に対して変位し難い。
[適用例3]
本適用例に係る原子発振器において、前記基部の側壁は、複数の第1壁部によって構成され、複数の前記第1壁部は、隣り合う前記第1壁部によって複数の第1角を構成し、前記蓋部の側壁は、複数の第2壁部によって構成され、複数の前記第2壁部は、隣り合う前記第2壁部によって複数の第2角を構成し、平面視において、複数の前記第2角のうち1つの第2角を通り、複数の前記第1壁部のうち前記1つの第2角に距離が最も近い第1壁部に垂直な仮想直線は、前記基部の側壁の内側を通ってもよい。
本適用例に係る原子発振器において、前記基部の側壁は、複数の第1壁部によって構成され、複数の前記第1壁部は、隣り合う前記第1壁部によって複数の第1角を構成し、前記蓋部の側壁は、複数の第2壁部によって構成され、複数の前記第2壁部は、隣り合う前記第2壁部によって複数の第2角を構成し、平面視において、複数の前記第2角のうち1つの第2角を通り、複数の前記第1壁部のうち前記1つの第2角に距離が最も近い第1壁部に垂直な仮想直線は、前記基部の側壁の内側を通ってもよい。
このような原子発振器では、平面視において、複数の前記第2角のうち1つの第2角を通り、複数の前記第1壁部のうち前記1つの第2角に距離が最も近い第1壁部に垂直な仮想直線は、前記基部の側壁の内側を通るため、1つの第2角と通った磁束が基部の側壁の内側に進入し難い。
[適用例4]
本適用例に係る周波数信号生成システムは、原子発振器を含む周波数信号生成システムであって、前記原子発振器は、光を出射する光源と、アルカリ金属原子が収容され、前記光源から出射された光が入射する原子セルと、基部および蓋部を有し、前記光源および前記原子セルを収容し、磁場を遮蔽するシールドケースと、を含み、前記基部の側壁は、前記蓋部の側壁に囲まれ、前記基部の側壁と前記蓋部の側壁との間には、軟磁性部材が配置されている。
本適用例に係る周波数信号生成システムは、原子発振器を含む周波数信号生成システムであって、前記原子発振器は、光を出射する光源と、アルカリ金属原子が収容され、前記光源から出射された光が入射する原子セルと、基部および蓋部を有し、前記光源および前記原子セルを収容し、磁場を遮蔽するシールドケースと、を含み、前記基部の側壁は、前記蓋部の側壁に囲まれ、前記基部の側壁と前記蓋部の側壁との間には、軟磁性部材が配置されている。
このような周波数信号生成システムでは、基部の側壁と蓋部の側壁との間には、軟磁性部材が配置されているため、基部の側壁と蓋部の側壁との間に軟磁性部材が配置されていない場合に比べて、磁場に対する遮蔽性能が高い。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
1. 原子発振器
1.1. 概略
次に、本実施形態に係る原子発振器について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る原子発振器100を示す概略図である。
1.1. 概略
次に、本実施形態に係る原子発振器について、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る原子発振器100を示す概略図である。
原子発振器100は、アルカリ金属原子に対して特定の異なる波長の2つの共鳴光を同時に照射したときに当該2つの共鳴光がアルカリ金属原子に吸収されずに透過する現象が
生じる量子干渉効果(CPT:Coherent Population Trapping)を利用した原子発振器である。なお、この量子干渉効果による現象は、電磁誘起透明化(EIT:Electromagnetically Induced Transparency)現象とも言う。また、本発明に係る原子発振器は、光およびマイクロ波による二重共鳴現象を利用した原子発振器であってもよい。
生じる量子干渉効果(CPT:Coherent Population Trapping)を利用した原子発振器である。なお、この量子干渉効果による現象は、電磁誘起透明化(EIT:Electromagnetically Induced Transparency)現象とも言う。また、本発明に係る原子発振器は、光およびマイクロ波による二重共鳴現象を利用した原子発振器であってもよい。
原子発振器100は、図1に示すように、光源ユニット500と、光学系ユニット600と、原子セルユニット700と、光源ユニット500および原子セルユニット700を制御する制御ユニット900と、を含む。以下、まず、原子発振器100の概略について説明する。
光源ユニット500は、ペルチェ素子510と、光源520と、温度センサー530と、を有している。
光源520は、周波数の異なる2種の光を含んでいる直線偏光の光LLを出射する。光源520は、垂直共振器面発光レーザー(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)などの発光素子である。温度センサー530は、光源520の温度を検出する。ペルチェ素子510は、光源520の温度を第1の温度に制御する第1温度制御素子である。具体的には、ペルチェ素子510は、光源520を加温または冷却する。第1の温度は、例えば、25℃以上35℃以下である。
光学系ユニット600は、光源ユニット500と原子セルユニット700との間に配置されている。光学系ユニット600は、減光フィルター610と、レンズ620と、1/4波長板630と、を有している。
減光フィルター610は、光源520から出射された光LLの強度を減少させる。レンズ620は、光LLの放射角度を調整する。具体的には、レンズ620は、光LLを平行光にする。1/4波長板630は、光LLに含まれる周波数の異なる2種の光を、直線偏光から円偏光に変換する。
原子セルユニット700は、原子セル710と、受光素子720と、ヒーターユニット780と、温度センサー722と、コイル724と、を有している。
原子セル710は、光源520から出射される光LLを透過させる。原子セル710には、アルカリ金属原子が収容されている。アルカリ金属原子は、互いに異なる2つの基底準位と励起準位とからなる3準位系のエネルギー準位を有する。原子セル710には、光源520から出射された光LLが減光フィルター610、レンズ620、および1/4波長板630を介して入射する。
受光素子720は、原子セル710を通過した光LLを受光し、検出する。受光素子720は、例えば、フォトダイオードである。
ヒーターユニット780は、原子セル710を、第1の温度とは異なる第2の温度に制御する第2温度制御素子である。ヒーターユニット780は、原子セル710に収容されたアルカリ金属原子を加熱し、アルカリ金属原子の少なくとも一部をガス状態にする。第2の温度は、例えば、60℃以上70℃以下である。
温度センサー722は、原子セル710の温度を検出する。コイル724は、原子セル710に収容されたアルカリ金属原子に所定方向の磁場を印加し、アルカリ金属原子のエネルギー準位をゼーマン分裂させる。
アルカリ金属原子がゼーマン分裂した状態において、円偏光した共鳴光対がアルカリ金属原子に照射されると、アルカリ金属原子がゼーマン分裂した複数の準位のうち、所望のエネルギー準位のアルカリ金属原子の数を他のエネルギー準位のアルカリ金属原子の数に対して相対的に多くなる。そのため、所望のEIT現象を発現する原子数が増大し、所望のEIT信号が大きくなる。その結果、原子発振器100の発振特性を向上させることができる。
制御ユニット900は、温度制御部910と、光源制御部920と、磁場制御部930と、温度制御部940と、を有している。
温度制御部910は、温度センサー722の検出結果に基づいて、原子セル710の内部が所望の温度となるように、ヒーターユニット780への通電を制御する。磁場制御部930は、コイル724が発生する磁場が一定となるように、コイル724への通電を制御する。温度制御部940は、温度センサー530の検出結果に基づいて、光源520の温度が所望の温度となるように、ペルチェ素子510への通電を制御する。
光源制御部920は、受光素子720の検出結果に基づいて、EIT現象が生じるように、光源520から出射された光LLに含まれる2種の光の周波数を制御する。ここで、これら2種の光が原子セル710に収容されたアルカリ金属原子の2つの基底準位間のエネルギー差に相当する周波数差の共鳴光対となったとき、EIT現象が生じる。光源制御部920は、2種の光の周波数の制御に同期して安定化するように発振周波数が制御される電圧制御型発振器(図示せず)を備えており、この電圧制御型発振器(VCO:Voltage Controlled Oscillator)の出力信号を原子発振器100の出力信号(クロック信号)として出力する。
1.2. 具体的な構成
次に、原子発振器100の具体的な構成について説明する。図2および図3は、原子発振器100を模式的に示す断面図である。なお、図2は、図3のII−II線断面図である。また、図2,3および後述する図4,5では、互いに直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
次に、原子発振器100の具体的な構成について説明する。図2および図3は、原子発振器100を模式的に示す断面図である。なお、図2は、図3のII−II線断面図である。また、図2,3および後述する図4,5では、互いに直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
原子発振器100は、図2および図3に示すように、光源ユニット500と、光学系ユニット600と、原子セルユニット700と、支持部材800と、制御ユニット900と、シールドケース10と、を含む。
ここで、Z軸は、シールドケース10の基部20の第1面20aの垂線Pに沿う軸であり、+Z軸方向は、基部20の第1面20aから第1面20a上に配置されている部品へ向かう方向である。X軸は、光源ユニット500から出射される光LLに沿う軸であり、+X軸方向は、光LLの進む方向である。Y軸は、X軸およびZ軸に垂直な軸であり、+Y軸方向は、+Z軸方向を上、+X軸方向を右に向けた時に、手前から奥へ向かう方向である。
光源ユニット500は、支持部材800に配置されている。光源ユニット500は、ペルチェ素子510と、光源520と、温度センサー530と、これらを収容している光源容器540と、光源容器540が配置される光源基板550と、を有している。光源基板550は、例えば、ねじ(図示せず)によって支持部材800に固定されている。ペルチェ素子510、光源520、および温度センサー530は、制御ユニット900と電気的に接続されている。
光学系ユニット600は、支持部材800に配置されている。光学系ユニット600は
、減光フィルター610と、レンズ620と、1/4波長板630と、これらを保持しているホルダー640と、を有している。ホルダー640は、例えば、ねじ(図示せず)によって支持部材800に固定されている。
、減光フィルター610と、レンズ620と、1/4波長板630と、これらを保持しているホルダー640と、を有している。ホルダー640は、例えば、ねじ(図示せず)によって支持部材800に固定されている。
ホルダー640には、貫通孔650が設けられている。貫通孔650は、光LLの通過領域である。貫通孔650には、減光フィルター610、レンズ620、および1/4波長板630が光源ユニット500側からこの順で配置されている。
原子セルユニット700は、原子セル710と、受光素子720と、保持部材730と、第1原子セル容器740と、第2原子セル容器770と、ヒーターユニット780と、を含む。
原子セル710には、気体のルビジウム、セシウム、ナトリウム等のアルカリ金属が収容されている。原子セル710には、必要に応じて、アルゴン、ネオン等の希ガス、窒素等の不活性ガスが緩衝ガスとしてアルカリ金属原子とともに収容されていてもよい。
原子セル710には、光源520から出射された光LLが入射する。原子セル710の壁部の材質は、例えば、ガラスなどである。
受光素子720は、原子セル710の光源520側とは反対側に配置されている。図示の例では、受光素子720は、第1原子セル容器740に配置されている。受光素子720は、制御ユニット900と電気的に接続されている。
保持部材730は、第1原子セル容器740内において、原子セル710を保持している。図示の例では、保持部材730は、ねじ731によって、第1原子セル容器740に固定されている。保持部材730は、光源520から出射された光LLを通過させる構造を有している。保持部材730の材質は、例えば、アルミニウム、チタン、銅、真鍮などである。
第1原子セル容器740は、原子セル710、受光素子720、および保持部材730を収容している。第1原子セル容器740は、略直方体の外形形状を有している。第1原子セル容器740には、光LLが通過する貫通孔740aが設けられている。第1原子セル容器740の材質は、例えば、パーマロイ、ケイ素鉄などである。このような材料を用いることにより、第1原子セル容器740は、外部からの磁場を遮蔽することができる。これにより、外部からの磁場によって原子セル710内のアルカリ金属原子が影響を受けることを抑え、原子発振器100の発振特性の安定化を図ることができる。
第1原子セル容器740の外表面には、例えば、伝熱部材746が配置されている。伝熱部材746は、第1原子セル容器740とヒーターユニット780との間に配置されている。伝熱部材746は、ヒーターユニット780の熱を原子セル710内のアルカリ金属原子に伝える。伝熱部材746の材質は、例えば、アルミニウム、銅などである。
第2原子セル容器770は、第1原子セル容器740を収容している。第2原子セル容器770は、例えば、ねじ774によって支持部材800に固定されている。第2原子セル容器770は、光LLが通過する貫通孔770aが設けられている。
第2原子セル容器770の材質は、例えば、第1原子セル容器740と同じである。第2原子セル容器770は、外部からの磁場を遮蔽することができる。第1原子セル容器740および第2原子セル容器770は、例えば、互いに離間している。そのため、例えば第1原子セル容器740と第2原子セル容器770とが接触している場合に比べて、外部
からの磁場を遮蔽する機能を高めることができる。
からの磁場を遮蔽する機能を高めることができる。
ヒーターユニット780は、例えば、伝熱部材746に接している。ヒーターユニット780は、加熱素子781を有している。加熱素子781は、原子セル710内のアルカリ金属原子を加熱するための素子である。加熱素子781は、例えば、発熱抵抗体などである。なお、加熱素子781として、発熱抵抗体に代えて、あるいは発熱抵抗体と併用して、ペルチェ素子を用いてもよい。
なお、温度センサー722は、図2および図3では図示していないが、原子セル710の近傍に配置されている。温度センサー722は、例えば、サーミスタ、熱電対等の各種温度センサーである。
また、コイル724は、図2および図3では図示していないが、例えば、原子セル710の外周に沿って巻回して設けられているソレノイド型のコイル、または、原子セル710を介して対向するヘルムホルツ型の1対のコイルである。コイル724は、原子セル710の内部に光LLの光軸Aに沿った方向の磁場を発生させる。これにより、原子セル710に収容されたアルカリ金属原子の縮退している異なるエネルギー準位間のギャップをゼーマン分裂により拡げて、分解能を向上させ、EIT信号の線幅を小さくすることができる。
支持部材800は、図2に示すように、シールドケース10の基部20に片持ちで固定されている。支持部材800は、例えば、基部20の台座部21に、図3に示すように、2つのねじ952によって固定されている。支持部材800の材質は、例えば、アルミニウム、銅である。支持部材800は、炭素繊維を用いたカーボンシートであってもよい。なお、支持部材800は、接着剤によって、基部20に固定されていてもよい。
支持部材800には、例えば、貫通孔812が設けられている。図2に示す例では、貫通孔812は、支持部材800をZ軸方向に貫通している。Z軸方向からみて、原子セルユニット700は、貫通孔812と重なる様に配置されている。
制御ユニット900は、回路基板902を有している。回路基板902は、複数のリードピン904を介して、シールドケース10の基部20に固定されている。回路基板902は、図示しないIC(Integrated Circuit)チップが配置されており、ICチップは、温度制御部910、光源制御部920、磁場制御部930、および温度制御部940として機能する。ICチップは、光源ユニット500および原子セルユニット700と電気的に接続されている。回路基板902には、支持部材800が挿通されている貫通孔903が設けられている。
シールドケース10は、光源ユニット500、光学系ユニット600、原子セルユニット700、支持部材800、および制御ユニット900を収容している。シールドケース10は、基部20と、基部20とは別体の蓋部30と、を有している。シールドケース10は、第1面20aを有している。図示の例では、第1面20aは、基部20の+Z軸方向を向く面であり、第1面20aの垂線P方向は、Z軸方向である。
シールドケース10の材質は、例えば、第1原子セル容器740と同じである。シールドケース10は、磁束を通し易い材料で構成されているため、シールドケース10が磁束を通すことにより、磁束がシールドケース10の内部に進入し難くなる。そのため、シールドケース10は、外部からの磁場を遮蔽することができる。例えば、シールドケース10に用いられるパーマロイは、圧延した後に水素雰囲気で焼鈍すると透磁率が高くなる。
ここで、図4は、原子発振器100を模式的に示す図2のIV−IV線断面図である。なお、便宜上、図4では、シールドケース10、軟磁性部材40、および原子セル710、以外の部材の図示を省略している。
シールドケース10は、図4に示すように、基部20と、蓋部30と、を有している。蓋部30は、図2に示すように、基部20の凹部の開口23を塞ぐように配置されている。蓋部30は、基部20の第1面20aと対向する第2面30aを有している。
基部20は、図4に示すように、側壁22を有している。側壁22は、例えば、複数の第1壁部24によって構成されている。図示の例では、第1壁部24は、板状の部材であり、4つ設けられている(第1壁部24a,24b,24c,24d)。複数の第1壁部24は、隣り合う第1壁部24によって、複数の第1角26を構成している。図示の例では、第1角26は、4つ設けられている。第1角26は、側壁22の内面における角である。
蓋部30は、側壁32を有している。側壁32は、例えば、複数の第2壁部34によって構成されている。図示の例では、第2壁部34は、板状の部材であり、4つ設けられている(第2壁部34a,34b,34c,34d)。複数の第2壁部34は、隣り合う第2壁部34によって、複数の第2角36を構成している。図示の例では、第2角36は、4つ設けられている。第2角36は、側壁32の内面における角である。
図示の例では、壁部24a,34aは、互いに離間して、対向配置されている。壁部24b,34bは、互いに離間して、対向配置されている。壁部24c,34cは、互いに接して、対向配置されている。壁部24d,34dは、互いに接して、対向配置されている。
基部20の側壁22は、Z軸方向からみて、蓋部30の側壁32に囲まれている。側壁22と側壁32との間には、図2および図4に示すように、軟磁性部材40が配置されている。図4に示す例では、軟磁性部材40は、壁部24a,34a間、および壁部24b,34b間に配置されている。
軟磁性部材40は、例えば、板状の部材である。軟磁性部材40は、基部20の側壁22と蓋部30の側壁32との間の隙間Gよりも薄い薄片である。図示の例では、壁部24a,34a間に設けられた軟磁性部材40の厚さ(Y軸方向の大きさ)は、壁部24a,34a間の距離よりも小さい。壁部24b,34b間に設けられた軟磁性部材40の厚さ(X軸方向の大きさ)は、壁部24b,34b間の距離よりも小さい。
軟磁性部材40は、例えば、壁部24a,34a間、および壁部24b,34b間に複数設けられている。図示の例では、軟磁性部材40は、壁部24a,34a間に2つ配置され、2つの軟磁性部材40は、積層されている。壁部24a,34a間の配置された複数の軟磁性部材40からなる積層体42は、壁部24a,34aに接している。軟磁性部材40は、壁部24b,34b間に2つ配置され、2つの軟磁性部材40は、積層されている。壁部24b,34b間に配置された複数の軟磁性部材40からなる積層体42は、壁部24b,34bに接している。積層された軟磁性部材40は、壁部24a,34a間の隙間、および壁部24b,34b間の隙間を埋めるように配置されている。図2に示す例では、軟磁性部材40は、蓋部30の第2面30aと接している。複数の軟磁性部材40の大きさは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
軟磁性部材40の材質は、例えば、例えば、パーマロイ、ケイ素鉄などである。軟磁性部材40は、例えば、レーザー加工など軟磁性部材40に応力がかかりにくい加工方法で
作製される。これにより、応力によって軟磁性部材40の透磁率が低下することを抑えることができる。
作製される。これにより、応力によって軟磁性部材40の透磁率が低下することを抑えることができる。
原子発振器100は、例えば、以下の特徴を有する。
原子発振器100では、基部20の側壁22と蓋部30の側壁32との間には、軟磁性部材40が配置されている。そのため、原子発振器100では、基部20の側壁22と蓋部30の側壁32との間に軟磁性部材40が配置されていない場合に比べて、磁場に対する遮蔽性能が高い(詳細は後述する「実験例」参照)。
原子発振器100では、軟磁性部材40は、基部20の側壁22と蓋部30の側壁32との間の隙間Gよりも薄い薄片である。そのため、原子発振器100では、隙間Gの大きさに応じて、側壁22,32間に軟磁性部材40を挿入し易く、例えば、シールドケース10に外部から衝撃が加わった場合に、基部20が蓋部30に対して変位し難い。
2. 原子発振器の変形例
次に、本実施形態の変形例に係る原子発振器について、図面を参照しながら説明する。図5は、本実施形態の変形例に係る原子発振器101を模式的に示す断面図である。なお、便宜上、図5では、シールドケース10、軟磁性部材40、および原子セル710以外の部材の図示を省略している。
次に、本実施形態の変形例に係る原子発振器について、図面を参照しながら説明する。図5は、本実施形態の変形例に係る原子発振器101を模式的に示す断面図である。なお、便宜上、図5では、シールドケース10、軟磁性部材40、および原子セル710以外の部材の図示を省略している。
以下、本実施形態の変形例に係る原子発振器101において、上述した本実施形態に係る原子発振器100の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
原子発振器101では、図5に示すように、基部20の第1角26は、蓋部30の第2角36に対して、ずれている点において、上述した原子発振器100と異なる。
平面視において(Z軸方向からみて)、複数の第2角36のうち1つの第2角36aを通り、複数の第1壁部24のうち1つの第2角36aに距離が最も近い第1壁部24bに垂直な仮想直線Lは、基部20の側壁22の内側Sを通る。仮想直線Lは、第1壁部24bの外表面4に垂直である。このことは、4つの第2角36の全てに対して、当てはまっていてもよい。
ここで、第1角26は、側壁22の他の部分に比べて、磁束を通し易い。また、第2角36は、側壁32の他の部分に比べて、磁束を通し易い。しかし、原子発振器101では、複数の第2角36のうち1つの第2角36aを通り、複数の第1壁部24のうち1つの第2角36aに距離が最も近い第1壁部24bに垂直な仮想直線Lは、内側Sを通るため、第2角36aを通った磁束が内側Sに進入し難い。
例えば、図6に示すように、基部10020の第1角10026が、蓋部10030の第2角10036に対して、ずれていない場合は、複数の第2角10036のうち1つの第2角10036aを通り、第1壁部10024aの外表面に垂直な仮想直線Laおよび第1壁部10024bの外表面に垂直な仮想直線Lbは、基部10020の側壁10022の内側Saを通らない。この場合、第2角10036aを通った磁束は、第1角10026を通って、内側Saに侵入する場合がある。なお、図6は、参考例に係るシールドケース10010について説明するための図である。
なお、図示はしないが、壁部24a,24b,24c,24dが互いに離間している場合は、第1角26は、Z軸方向からみて、壁部24a,24b,24c,24dの内面を
延長させた場合の、該内面の交点であってもよい。同様に、壁部34a,34b,34c,34dが互いに離間している場合は、第2角36は、Z軸方向からみて、壁部34a,34b,34c,34dの内面を延長させた場合の、該内面の交点であってもよい。
延長させた場合の、該内面の交点であってもよい。同様に、壁部34a,34b,34c,34dが互いに離間している場合は、第2角36は、Z軸方向からみて、壁部34a,34b,34c,34dの内面を延長させた場合の、該内面の交点であってもよい。
図示の例では、壁部24a,34a間に、3つの軟磁性部材40が配置されている。壁部24b,34b間に、2つの軟磁性部材40が配置されている。壁部24c,34c間に、3つの軟磁性部材40が配置されている。壁部24d,34d間に、2つの軟磁性部材40が配置されている。積層された軟磁性部材40は、壁部24a,34a間の隙間、壁部24b,34b間の隙間、壁部24c,34c間の隙間、および壁部24d,34d間の隙間を埋めるように配置されている。
3. 周波数信号生成システム
次に、本実施形態に係る周波数信号生成システムについて、図面を参照しながら説明する。以下のクロック伝送システム(タイミングサーバー)は、周波数信号生成システムの一例である。図7は、クロック伝送システム1000を示す概略構成図である。
次に、本実施形態に係る周波数信号生成システムについて、図面を参照しながら説明する。以下のクロック伝送システム(タイミングサーバー)は、周波数信号生成システムの一例である。図7は、クロック伝送システム1000を示す概略構成図である。
本発明に係るクロック伝送システムは、本発明に係る原子発振器を含む。以下では、一例として、原子発振器100を含むクロック伝送システム1000について説明する。
クロック伝送システム1000は、時分割多重方式のネットワーク内の各装置のクロックを一致させるものであって、N(Normal)系およびE(Emergency)系の冗長構成を有するシステムである。
クロック伝送システム1000は、図7に示すように、A局(上位(N系))のクロック供給装置1001およびSDH(Synchronous Digital Hierarchy)装置1002と、B局(上位(E系))のクロック供給装置1003およびSDH装置1004と、C局(下位)のクロック供給装置1005およびSDH装置1006,1007と、を備える。クロック供給装置1001は、原子発振器100を有し、N系のクロック信号を生成する。クロック供給装置1001内の原子発振器100は、セシウムを用いた原子発振器を含むマスタークロック1008,1009からのより高精度なクロック信号と同期して、クロック信号を生成する。
SDH装置1002は、クロック供給装置1001からのクロック信号に基づいて、主信号の送受信を行うとともに、N系のクロック信号を主信号に重畳し、下位のクロック供給装置1005に伝送する。クロック供給装置1003は、原子発振器100を有し、E系のクロック信号を生成する。クロック供給装置1003内の原子発振器100は、セシウムを用いた原子発振器を含むマスタークロック1008,1009からのより高精度なクロック信号と同期して、クロック信号を生成する。
SDH装置1004は、クロック供給装置1003からのクロック信号に基づいて、主信号の送受信を行うとともに、E系のクロック信号を主信号に重畳し、下位のクロック供給装置1005に伝送する。クロック供給装置1005は、クロック供給装置1001,1003からのクロック信号を受信し、その受信したクロック信号に同期して、クロック信号を生成する。
クロック供給装置1005は、通常、クロック供給装置1001からのN系のクロック信号に同期して、クロック信号を生成する。そして、N系に異常が発生した場合、クロック供給装置1005は、クロック供給装置1003からのE系のクロック信号に同期して、クロック信号を生成する。このようにN系からE系に切り換えることにより、安定したクロック供給を担保し、クロックパス網の信頼性を高めることができる。SDH装置10
06は、クロック供給装置1005からのクロック信号に基づいて、主信号の送受信を行う。同様に、SDH装置1007は、クロック供給装置1005からのクロック信号に基づいて、主信号の送受信を行う。これにより、C局の装置をA局またはB局の装置と同期させることができる。
06は、クロック供給装置1005からのクロック信号に基づいて、主信号の送受信を行う。同様に、SDH装置1007は、クロック供給装置1005からのクロック信号に基づいて、主信号の送受信を行う。これにより、C局の装置をA局またはB局の装置と同期させることができる。
本実施形態に係る周波数信号生成システムは、クロック伝送システムに限定されない。周波数信号生成システムは、原子発振器が搭載され、原子発振器の周波数信号を利用する各種の装置および複数の装置から構成されるシステムを含む。
本実施形態に係る周波数信号生成システムは、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、携帯電話機、デジタルスチルカメラ、液体吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS(point of sales)端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡、心磁計)、魚群探知機、GNSS(Global Navigation Satellite System)周波数標準器、各種測定機器、計器類(例えば、自動車、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーター、地上デジタル放送システム、携帯電話基地局、移動体(自動車、航空機、船舶等)であってもよい。
4. 実験例
以下に実験例を示し、本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実験例によって何ら限定されるものではない。
以下に実験例を示し、本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実験例によって何ら限定されるものではない。
モデルM1,M2において、磁場に対する遮蔽率をシミュレーションにより計算した。シミュレーションは、有限要素法により行った。
モデルM1では、図8に示すように、シールドケース1010は、基部1020と、蓋部1030と、を有しており、基部1020の側壁1022と、蓋部1030の側壁1032とを、離間させた。第1壁部1024aと第2壁部1034aとの間の隙間を790μmとした。第1壁部1024bと第2壁部1034bとの間の隙間を790μmとした。第1壁部1024cと第2壁部1034cとの間の隙間を10μmとした。第1壁部1024dと第2壁部1034dとの間の隙間を10μmとした。なお、図8および後述する図9では、互いに直交する3軸として、X軸、Y軸、およびZ軸を図示している。
モデルM2では、図9に示すように、シールドケース1010は、基部1020と、蓋部1030と、を有しており、基部1020の側壁1022と、蓋部1030の側壁1032とを、接触させた。第1壁部1024aと第2壁部1034aとの間に複数の軟磁性部材が積層された積層体1042を配置した。さらに、第1壁部1024bと第2壁部1034bとの間に、複数の軟磁性部材が積層された積層体1042を配置した。さらに、第1壁部1024cと第2壁部1034cとを接触させた。さらに、第1壁部1024dと第2壁部1034dとを接触させた。
シミュレーションでは、モデルM1,M2に対して、Z軸方向に進行する磁束を想定し、遮蔽率を計算した。モデルM1の遮蔽率は、−58.4dBであり、モデルM2の遮蔽率は、−84.8dBであった。遮蔽率は、数値の絶対値が大きいほど、遮蔽率が高い。したがって、モデルM2は、モデルM1に比べて、遮蔽率が高かった。これにより、基部1020の側壁1022と、蓋部1030の側壁1032と、の間に軟磁性部材を配置させると、遮蔽率が高くなることがわかった。
本発明は、本願に記載の特徴や効果を有する範囲で一部の構成を省略したり、各実施形態や変形例を組み合わせたりしてもよい。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
4…外表面、10…シールドケース、20…基部、20a…第1面、21…台座部、22…側壁、23…開口、24,24a,24b,24c,24d…第1壁部、26…第1角、30…蓋部、30a…第2面、32…側壁、34,34a,34b,34c,34d…第2壁部、36,36a…第2角、40…軟磁性部材、42…積層体、100,101…原子発振器、500…光源ユニット、510…ペルチェ素子、520…光源、530…温度センサー、540…光源容器、550…光源基板、600…光学系ユニット、610…減光フィルター、620…レンズ、630…1/4波長板、640…ホルダー、650…貫通孔、700…原子セルユニット、710…原子セル、720…受光素子、722…温度センサー、724…コイル、730…保持部材、731…ねじ、740…第1原子セル容器、740a…貫通孔、746…伝熱部材、770…第2原子セル容器、770a…貫通孔、774…ねじ、780…ヒーターユニット、781…加熱素子、800…支持部材、810…シールド支持部材、812…貫通孔、900…制御ユニット、902…回路基板、903…貫通孔、904…リードピン、910…温度制御部、920…光源制御部、930…磁場制御部、940…温度制御部、952…ねじ、1001…クロック供給装置、1002…SDH装置、1003…クロック供給装置、1004…SDH装置、1005…クロック供給装置、1006,1007…SDH装置、1008,1009…マスタークロック、1010…シールドケース、1020…基部、1022…側壁、1024a,1024b,1024c,1024d…第1壁部、1030…蓋部、1032…側壁、1034a,1034b,1034c,1034d…第2壁部、10010…シールドケース、10020…基部、10022…側壁、10024a,10024b…第1壁部、10026…第1角、10030…蓋部、10036、10036a…第2角
Claims (4)
- 光を出射する光源と、
アルカリ金属原子が収容され、前記光源から出射された光が入射する原子セルと、
基部および蓋部を有し、前記光源および前記原子セルを収容し、磁場を遮蔽するシールドケースと、
を含み、
前記基部の側壁は、前記蓋部の側壁に囲まれ、
前記基部の側壁と前記蓋部の側壁との間には、軟磁性部材が配置されている、原子発振器。 - 請求項1において、
前記軟磁性部材は、前記基部の側壁と前記蓋部の側壁との間の隙間よりも薄い薄片である、原子発振器。 - 請求項1または2において、
前記基部の側壁は、複数の第1壁部によって構成され、
複数の前記第1壁部は、隣り合う前記第1壁部によって複数の第1角を構成し、
前記蓋部の側壁は、複数の第2壁部によって構成され、
複数の前記第2壁部は、隣り合う前記第2壁部によって複数の第2角を構成し、
平面視において、複数の前記第2角のうち1つの第2角を通り、複数の前記第1壁部のうち前記1つの第2角に距離が最も近い第1壁部に垂直な仮想直線は、前記基部の側壁の内側を通る、原子発振器。 - 原子発振器を含む周波数信号生成システムであって、
前記原子発振器は、
光を出射する光源と、
アルカリ金属原子が収容され、前記光源から出射された光が入射する原子セルと、
基部および蓋部を有し、前記光源および前記原子セルを収容し、磁場を遮蔽するシールドケースと、
を含み、
前記基部の側壁は、前記蓋部の側壁に囲まれ、
前記基部の側壁と前記蓋部の側壁との間には、軟磁性部材が配置されている、周波数信号生成システム。
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