JP2019120926A - Stripping composition for removing dry film resist and method for stripping dry film resist using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びこれを用いたドライフィルムレジストの剥離方法に関する。 The present invention relates to a stripping composition for removing a dry film resist and a stripping method of a dry film resist using the same.
感光性樹脂は、光による反応メカニズムによりネガ型とポジ型とに分けられる。ネガ型感光性樹脂の場合は、露光部分で光架橋反応が起こり、未露光部位はアルカリにより洗浄されてレジストパターンが残ることになり、ポジ型感光性樹脂の場合は、露光部位で光分解反応が起こり、アルカリにより現像され、未露光部位が残ってレジストパターンを形成する。 Photosensitive resins are divided into negative and positive types according to the reaction mechanism by light. In the case of a negative photosensitive resin, a photocrosslinking reaction occurs in the exposed area, and the unexposed area is washed with alkali to leave a resist pattern, and in the case of a positive photosensitive resin, the photodegradation reaction in the exposed area And develop with alkali, leaving unexposed areas to form a resist pattern.
ネガ型フォトレジストは、現在、液晶パネル素子及び大規模集積回路（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、ＬＳＩ）等の半導体素子の製造分野に多様に適用されている。半導体、パネル、モジュール等のサイズがスリム化されることにより、高解像度のネガ型フォトレジストの需要が増加している。 Negative photoresists are currently applied in various fields to the manufacture of semiconductor devices such as liquid crystal panel devices and large scale integration (LSI). The demand for high-resolution negative photoresists is increasing as semiconductors, panels, modules and the like are slimmed down.
高解像度を実現するためにＬ／Ｓが細くなることにより、現像時の剥離不良及びオーバーハング（ｏｖｅｒｈａｎｇ）等の問題点が発生している。従来無機系列のドライフィルムレジスト（Ｄｒｙｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ、ＤＦＲともいう）の剥離液であるＫＯＨ、ＮａＯＨ等の溶液は、ＤＦＲの除去に限界があった。このため、剥離改善のためにアミン系のＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を用いる傾向にある。 As L / S becomes thinner in order to realize high resolution, problems such as peeling failure and overhang during development occur. Solutions of KOH, NaOH, etc., which are stripping solutions of dry film resists (also referred to as Dryfilm Resist, DFR) of the conventional inorganic series, have had limitations on removal of DFR. For this reason, there is a tendency to use amine-based TMAH (Tetramethyl ammonium hydroxide) for the improvement of exfoliation.
本発明は、ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物に、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＡＨ）、またはこれらの混合物を含ませ、剥離時間を短縮し、剥離力を改善することで、環境規制物質であるＴＭＡＨを代替しようとすることである。 The present invention includes triethyl methyl ammonium hydroxide (TEMAH), tetraethyl ammonium hydroxide (TEAH), or a mixture thereof in a peeling composition for dry film resist removal to shorten the peeling time. The aim is to replace TMAH, which is an environmental control substance, by improving the peeling force.
本発明の一側面によれば、１〜７重量部のトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＡＨ）、またはこれらの混合物と、１〜１０重量部の鎖型アミン化合物と、１〜１０重量部の有機溶媒と、を含むドライフィルムレジスト除去用剥離組成物が提供される。 According to one aspect of the invention, 1 to 7 parts by weight of triethylmethyl ammonium hydroxide (TEMAH), tetraethyl ammonium hydroxide (TEAH), or a mixture thereof, and 1 to 10 parts by weight There is provided a release composition for removing a dry film resist, which comprises a chain type amine compound and 1 to 10 parts by weight of an organic solvent.
本発明の一実施例によれば、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド化合物を含むことができる。 According to one embodiment of the present invention, triethylmethyl ammonium hydroxide compounds can be included.
本発明の一実施例によれば、１〜５重量部のトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシドまたはテトラエチルアンモニウムヒドロキシド化合物を含むことができる。 According to one embodiment of the present invention, 1 to 5 parts by weight of triethylmethyl ammonium hydroxide or tetraethyl ammonium hydroxide compound can be included.
本発明の一実施例によれば、上記鎖型アミン化合物としては、モノエタノールアミンを用いることができる。 According to one embodiment of the present invention, monoethanolamine can be used as the chain type amine compound.
本発明の一実施例によれば、上記有機溶媒としては、グリコールエーテル類を用いることができる。 According to one embodiment of the present invention, glycol ethers can be used as the organic solvent.
本発明の一実施例によれば、上記グリコールエーテル類は、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｂｕｔｙｌ ｅｔｈｅｒ、ＤＥＧＢＥ）及びエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｂｕｔｙｌ ｅｔｈｅｒ、ＥＧＢＥ）から１種以上選択することができる。 According to an embodiment of the present invention, the glycol ethers may be selected from one or more selected from diethylene glycol monobutyl ether (DEGBE) and ethylene glycol monobutyl ether (EGBE).
本発明の一実施例によれば、上記ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物は、０．１〜０．５重量部のトリアゾールまたはテトラゾール化合物をさらに含むことができる。 According to an embodiment of the present invention, the dry film resist removing release composition may further include 0.1 to 0.5 parts by weight of a triazole or tetrazole compound.
本発明の一実施例によれば、上記トリアゾール化合物は、トリルトリアゾールであってもよい。 According to one embodiment of the present invention, the triazole compound may be tolyltriazole.
本発明の一実施例によれば、上記ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中の有機溶媒の濃度を動的表面張力（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｅｎｓｉｏｎ、ＤＳＴ）を用いて分析することができる。 According to an embodiment of the present invention, the concentration of the organic solvent in the release composition for removing a dry film resist can be analyzed using dynamic surface tension (DST).
本発明の他の側面によれば、所定の回路パターンが形成された基板上にドライフィルムをラミネーションする段階と、上記ラミネーションされたドライフィルムを部分的に露光し、ドライフィルム露光部及びドライフィルム未露光部を形成する段階と、上記ドライフィルムの未露光部を現像及び除去して開口部を形成する段階と、上記ドライフィルムレジスト用剥離組成物を上記ドライフィルム露光部に接触させる段階と、を含む、ドライフィルムレジストの剥離方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, a dry film is laminated on a substrate on which a predetermined circuit pattern is formed, and the laminated dry film is partially exposed, and a dry film exposed portion and a dry film are not Forming an exposed portion, developing and removing an unexposed portion of the dry film to form an opening, and contacting the dry film resist release composition with the dry film exposed portion. A method of stripping dry film resist is provided, including:
本発明の一実施例によれば、ドライフィルムレジストの剥離方法は、上記接触させる段階の後にドライフィルムレジストの残渣を水洗いする段階をさらに含むことができる。 According to an embodiment of the present invention, the method of stripping the dry film resist may further include the step of rinsing the dry film resist residue after the contacting step.
本発明の一実施例によれば、ドライフィルムレジストの剥離方法において、上記ドライフィルムレジスト用剥離組成物を上記ドライフィルム露光部に接触させる段階は、３時間以下で行われることができる。 According to an embodiment of the present invention, in the dry film resist peeling method, the step of bringing the dry film resist peeling composition into contact with the dry film exposed portion may be performed for 3 hours or less.
本発明の一実施例によれば、ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物は、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＡＨ）、またはこの混合物を含むことにより剥離時間を短縮し、剥離力を改善することができる。 According to one embodiment of the present invention, the stripping composition for dry film resist removal comprises triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH), tetraethylammonium hydroxide (Tetraethylammonium hydroxide, TEAH), or a mixture thereof. The peeling time can be shortened and the peeling force can be improved.
また、ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中のＴＭＡＨを代替できるので、親環境的でありながら、ＴＭＡＨの副作用であるメッキ部位及び基板表面のエッチングを防止することができる。 Moreover, since TMAH in the stripping composition for dry film resist removal can be substituted, it is possible to prevent etching of the plating site and the substrate surface which are side effects of TMAH while being environmentally friendly.
したがって、本発明に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を用いると、上記剥離液に接する金属層の腐食を最小化しながらドライフィルムレジストを短時間内に完全に除去することができる。 Therefore, when the stripping composition for dry film resist removal according to the present invention is used, it is possible to completely remove the dry film resist in a short time while minimizing the corrosion of the metal layer in contact with the stripping solution.
本発明をより具体的に説明する前に、本明細書及び特許請求の範囲に使用された用語や単語は、通常的で辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最も最善の方法で説明するために用語の概念を適宜定義できるという原則に基づいて、本発明の技術的思想に符合する意味や概念として解釈されるべきである。 Before describing the present invention more specifically, the terms and words used in the present specification and claims should not be interpreted in the ordinary and lexical sense and the inventor should not On the basis of the principle that the concept of terms can be appropriately defined in order to explain in the best way, it should be interpreted as a meaning or concept that conforms to the technical idea of the present invention.
したがって、本明細書に記載された実施例の構成は、本発明の１つの例に過ぎず、本発明の技術的思想をすべて代弁するものではないので、本出願時点においてこれらを代替できる様々な均等物及び変形例があり得ることを理解しなくてはならない。 Accordingly, the configurations of the embodiments described herein are merely examples of the present invention, and do not represent all the technical ideas of the present invention, so various alternatives which can be substituted at the time of the present application are provided. It should be understood that equivalents and variations are possible.
以下では、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるように、本発明の一実施例を詳細に説明する。また本発明を説明するに当たって、本発明の要旨をかえって不明にすると判断される、関連する公知技術に関する詳細な説明を省略する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art to which the present invention belongs can easily implement the present invention. Further, in the description of the present invention, the detailed description of the related art which is determined to obscure the gist of the present invention will be omitted.
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト用剥離組成物は、１〜７重量部のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド化合物と、１〜１０重量部の鎖型アミン化合物と、１〜１０重量部の有機溶媒と、を含む。 A peeling composition for a dry film resist according to a representative embodiment of the present invention comprises 1 to 7 parts by weight of a tetraalkylammonium hydroxide compound, 1 to 10 parts by weight of a chain type amine compound, and 1 to 10 parts by weight And an organic solvent of
（テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド化合物）
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト剥離組成物中のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド系化合物は、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＡＨ）化合物、またはこれらの混合物である。
(Tetraalkyl ammonium hydroxide compound)
The tetraalkylammonium hydroxide compound in the dry film resist stripping composition according to the representative embodiment of the present invention is a compound of triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH), tetraethylammonium hydroxide (TEAH) compound. Or a mixture of these.
本発明に係るトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＭＡＨ）及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＥＡＨ）化合物の剥離力は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に比べて、同等のものである（図１参照）。 The peel force of the triethylmethyl ammonium hydroxide (TEMAH) and tetraethyl ammonium hydroxide (TEAH) compounds according to the present invention is equivalent to that of tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) (see FIG. 1).
特にトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＭＡＨ）は、低濃度での剥離力がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に比べて、より優れる。 In particular, triethyl methyl ammonium hydroxide (TEMAH) is more excellent in peeling force at low concentration than tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH).
また、剥離速度の側面からは、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＭＡＨ）がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）に比べて非常に優れる。具体的に説明すると、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を含む従来ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を用いてドライフィルムレジストを剥離する場合は、２４時間が経過しても剥離されない一方、本発明に係るトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＭＡＨ）を含むドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を用いてドライフィルムレジストを剥離する場合は、３０分から剥離が行われ、２〜３時間以内に剥離が完了され得る（図４参照）。 In addition, triethylmethyl ammonium hydroxide (TEMAH) is very superior to tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) in terms of peeling rate. Specifically, when a dry film resist is peeled using a conventional dry film resist removal peeling composition containing tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH), the present invention does not peel even after 24 hours, When the dry film resist is peeled using a peeling composition for dry film resist removal containing triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH) according to the present invention, peeling is performed for 30 minutes, and peeling occurs within 2 to 3 hours. It can be completed (see FIG. 4).
上記剥離組成物において、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド系化合物は、特に制限されないが、１〜７重量部の含量を有することができ、１〜６重量部の含量を用いることが好ましく、１〜５重量部の含量を用いることがより好ましく、１〜４重量部の含量を用いることがさらに好ましく、１〜２重量部の含量を用いることがより一層好ましいことがある。上記ヒドロキシド系化合物の使用量が、１重量部未満であると、ドライフィルムレジストを構成している高分子物質への浸透能力が劣り、上記ドライフィルムレジストを完全に除去しにくくなり、７重量部を超過すると、金属膜が腐食する悪影響を与える場合が発生することもある。 In the above release composition, the tetraalkylammonium hydroxide compound is not particularly limited, but it may have a content of 1 to 7 parts by weight, preferably 1 to 6 parts by weight, and 1 to 5 parts by weight. It is more preferable to use a part content, it is more preferable to use a content of 1 to 4 parts by weight, and even more preferable to use a content of 1 to 2 parts by weight. When the amount of the hydroxide compound used is less than 1 part by weight, the ability to penetrate the polymer substance constituting the dry film resist is inferior, and the dry film resist becomes difficult to completely remove, and 7 weight Exceeding parts may cause an adverse effect that the metal film may be corroded.
（鎖型アミン化合物）
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中の鎖型アミン化合物としては、モノエチルアルコールアミン（ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、ジエタノールアミン（ｄｉｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、トリエタノールアミン（ｔｒｉｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、プロパノールアミン（ｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、ジプロパノールアミン（ｄｉｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、トリプロパノールアミン（ｔｒｉｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、イソプロパノールアミン（ｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、ジイソプロパノールアミン（ｄｉｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、トリイソプロパノールアミン（ｔｒｉｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、２−（２−アミノ−エトキシ）エタノール（２−（２−ａｍｉｎｏｅｔｈｏｘｙ）ｅｔｈａｎｏｌ）、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール（２−（２−ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｅｔｈａｎｏｌ）、Ｎ、Ｎ−ジメチルエタノールアミン（Ｎ、Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、Ｎ、Ｎ−ジエチルエタノールアミン（Ｎ、Ｎ−ｄｉｅｔｈｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、Ｎ−メチルエタノールアミン（Ｎ−ｍｅｔｈｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、Ｎ−エチルエタノールアミン（Ｎ−Ｎｅｔｈｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、及びＮ−ブチルエタノールアミン（Ｎ−ｂｕｔｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）からなる群より１つ以上を用いることができ、モノエタノールアミンを用いることが最も好ましいことがある。
(Chain type amine compound)
Examples of chain-type amine compounds in the stripping composition for dry film resist removal according to a representative embodiment of the present invention include monoethyl alcohol amine, monoethanol amine, diethanol amine, triethanol amine, Propanolamine (propanolamine), dipropanolamine (tripropanolamine), isopropanolamine (isopropanolamine), diisopropanolamine, triisopropanolamine, 2- (2 (2) -Amino-ethoxy) Nord (2- (2-aminoethoxy) ethanol), 2- (2-aminoethylamino) ethanol (2- (2-aminoethylamino) ethanol), N, N-dimethylethanolamine (N, N-dimethylethanol amine), N N-Diethylethanolamine (N, N-Diethylethanolamine), N-Methylethanolamine (N-Methylethanolamine), N-Ethylethanolamine (N-Nethylethanolamine), and N-Butylethanolamine (N-butylethanolamine) Or more may be used, and it may be most preferable to use monoethanolamine.
上記剥離組成物において鎖型アミン化合物は、特に制限されないが、１〜１０重量部の含量を有することができ、特に１〜８重量部の含量を用いることが好ましいことがある。上記鎖型アミン化合物の使用量が１重量部未満であると、ドライフィルムレジストを完全に除去しにくくなり、１０重量部を超過すると、上記剥離組成物に含まれる他の物質の含有量が少なくなるため、ドライフィルムレジストを除去する時間が長くなり、気泡が発生して、金属膜が腐食するおそれがある。 The chain type amine compound in the above release composition is not particularly limited, but may have a content of 1 to 10 parts by weight, and in particular, it may be preferable to use a content of 1 to 8 parts by weight. When the amount of the chain type amine compound used is less than 1 part by weight, it becomes difficult to completely remove the dry film resist, and when it exceeds 10 parts by weight, the content of other substances contained in the release composition is small. As a result, it takes a long time to remove the dry film resist, and bubbles may be generated to corrode the metal film.
（有機溶媒）
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中の有機溶媒は水溶性有機溶媒であって、アルコール類、グリコール類、グリコールエーテル類、ラクトン類、ラクタム類、ケトン類及びエステル類からなる群より選択される１種または２種以上の混合物を用いることができ、グリコールエーテル類が最も好ましいことがある。
(Organic solvent)
The organic solvent in the stripping composition for removing a dry film resist according to a representative embodiment of the present invention is a water-soluble organic solvent, and alcohols, glycols, glycol ethers, lactones, lactams, ketones, and the like A mixture of one or more selected from the group consisting of esters may be used, and glycol ethers may be most preferred.
上記グリコールエーテル類は、剥離組成物の有機物の高分子の間に浸透して溶解力を向上させ、後―洗浄時に洗浄力を高めることができる。 The above-mentioned glycol ethers can be permeated between the polymers of the organic substance of the peeling composition to improve the solvency and to increase the detergency at the time of post-washing.
上記グリコールエーテル類は、これに制限されないが、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｂｕｔｙｌ ｅｔｈｅｒ、ＤＥＧＢＥ）及びエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｂｕｔｙｌ ｅｔｈｅｒ、ＥＧＢＥ）から１種以上を選択することができる（図２参照）。 The above glycol ethers are not limited thereto, but one or more can be selected from Diethylene glycol monobutyl ether (DEGBE) and ethylene glycol monobutyl ether (EGBE) (see FIG. 2) ).
上記剥離組成物においての有機溶媒の含量は、特に制限されないが、１〜１０重量部の含量を有することができ、２〜７重量部の含量を有することができ、特に２〜６重量部の含量を用いることが好ましい。上記有機溶媒の使用量が１重量部未満であると、ドライフィルムレジストを完全に除去しにくくなり、１０重量部を超過すると、上記剥離組成物に含まれる他の物質の含有量が少なくなり、ドライフィルムレジストを除去する時間が長くなり、気泡が発生して、金属膜が腐食するおそれがある。 The content of the organic solvent in the above release composition is not particularly limited, but may have a content of 1 to 10 parts by weight, may have a content of 2 to 7 parts by weight, in particular 2 to 6 parts by weight It is preferred to use the content. When the amount of the organic solvent used is less than 1 part by weight, it becomes difficult to completely remove the dry film resist, and when it exceeds 10 parts by weight, the content of the other substance contained in the peeling composition decreases. It takes a long time to remove the dry film resist, and bubbles may be generated to corrode the metal film.
また、本発明に係る剥離組成物は、下記のうちの少なくとも１つ以上の物質をさらに含むことができる。 In addition, the release composition according to the present invention can further include at least one or more of the following substances.
（エッチング抑制剤）
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト剥離組成物は、エッチング抑制剤を含むことができる。
(Etching inhibitor)
The dry film resist stripping composition according to a representative embodiment of the present invention may include an etching inhibitor.
エッチング抑制剤は、下部膜質の損傷を防止し、剥離組成物と接触する金属物質のエッチングを防止する。 The etch inhibitor prevents damage to the underlying film and prevents etching of the metal material in contact with the release composition.
エッチング抑制剤は、糖類、糖アルコール、芳香性ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、カルボン酸化合物及びその無水物、５−アミノテトラゾール（５−Ａｍｉｎｏｔｅｔｒａｚｏｌｅ、５−ＡＴ）、ポリエチレングリコール（Ｐｏｌｙ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｇｌｙｏｃｏｌ、ＰＥＧ）及びトリアゾール化合物からなる群より選択することができる。 Etching inhibitors include saccharides, sugar alcohols, aromatic hydroxy compounds, acetylene alcohols, carboxylic acid compounds and their anhydrides, 5-aminotetrazole (5-AT), polyethylene glycol (Poly Ethylene Glyocol, PEG) and It can be selected from the group consisting of triazole compounds.
エッチング抑制剤は、トリアゾール化合物が好適であり、トリアゾール化合物としては、トリルトリアゾール、ベンゾトリアゾール、ｏ−トリルルトリアゾール、ｍ−トリルルトリアゾール、ｐ−トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、ニトロベンゾトリアゾール及びジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール等が挙げられる。 The etching inhibitor is preferably a triazole compound, and as the triazole compound, tolyltriazole, benzotriazole, o-tolyltriazole, m-tolyltriazole, p-tolyltriazole, carboxybenzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, Examples include nitrobenzotriazole and dihydroxypropylbenzotriazole.
トリアゾール化合物は、エッチング抑制力の側面から、トリルトリアゾール（Ｔｏｌｙｌｔｒｉａｚｏｌｅ、ＴＴＡ）を用いることが好ましい。 As the triazole compound, it is preferable to use tolyltriazole (TTA) from the viewpoint of etching inhibition power.
上記剥離組成物においてトリアゾール化合物は、特に制限されないが、０．１〜０．５重量部の含量を用いることが好ましく、０．１重量部未満であると、アミン化合物が含まれたドライフィルムレジスト除去用剥離組成物においてエッチング抑制剤の役割を果たさないこともあり、０．５重量部を超過すると、上記剥離組成物に含まれる他の物質の含有量が少なくなり、ドライフィルムレジストを完全に除去できなくなって、経済性が低くなることがある。 The triazole compound in the above peeling composition is not particularly limited, but it is preferable to use a content of 0.1 to 0.5 parts by weight, and a dry film resist containing an amine compound at a content of less than 0.1 parts by weight It may not play the role of an etching inhibitor in the stripping composition for removal, and if it exceeds 0.5 parts by weight, the content of other substances contained in the above-mentioned stripping composition decreases, and the dry film resist is completely eliminated. It can not be removed, which may make it less economical.
（純水（Ｈ２Ｏ））
本発明の代表的な具現例に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中の純水は、イオン交換樹脂を用いて濾過した純水を使用し、比抵抗が１８（ＭΩ）以上であるものが好ましい。
(Pure water (H 2 O))
The pure water in the stripping composition for removing a dry film resist according to a representative embodiment of the present invention uses pure water filtered using an ion exchange resin and has a specific resistance of 18 (MΩ) or more preferable.
上記剥離組成物においての純水の使用量は、特に制限されないが、上述した他の組成物の組成比に影響を与えない量を用いることができる。その含量が低すぎると、剥離組成物の粘度が増加し、剥離浸透性や剥離組成物の排出能が低下してしまい、その含量が高すぎると、剥離組成物が過度に希釈されて剥離能力が低下するおそれがなる。 The amount of pure water used in the above release composition is not particularly limited, but an amount that does not affect the composition ratio of the other compositions described above can be used. If the content is too low, the viscosity of the peeling composition increases and the peeling permeability and the discharging ability of the peeling composition decrease, and if the content is too high, the peeling composition is excessively diluted and the peeling ability May decrease.
（極性溶剤）
本発明で用いる極性溶剤としては、ジメチルスルホキシド等の硫黄化合物、またはｎ−メチルピロリドン等のアルキルピロリドンを用いることができる。
(Polar solvent)
As the polar solvent used in the present invention, a sulfur compound such as dimethyl sulfoxide or an alkyl pyrrolidone such as n-methyl pyrrolidone can be used.
以下では、本発明に係る剥離方法を説明する。 Hereinafter, the peeling method according to the present invention will be described.
本発明の代表的な具現例に係る剥離組成物を用いてドライフィルムレジストを剥離する方法は、図９に示す工程図のように行われることができる。 A method of peeling a dry film resist using the peeling composition according to a representative embodiment of the present invention may be performed as shown in the process chart of FIG.
所定の回路パターン１０が形成された基板１００上にドライフィルム２０をラミネーションし、ラミネーションされた上記ドライフィルム２０を部分的に露光して、ドライフィルム露光部２２及びドライフィルム未露光部２１を形成する。 A dry film 20 is laminated on a substrate 100 on which a predetermined circuit pattern 10 is formed, and the laminated dry film 20 is partially exposed to form a dry film exposed portion 22 and a dry film unexposed portion 21. .
上記ドライフィルム未露光部２１は、現像液で除去して開口部を形成し、上記開口部の回路パターン１０上にソルダーボール３０を形成する。 The dry film unexposed portion 21 is removed by a developer to form an opening, and the solder ball 30 is formed on the circuit pattern 10 of the opening.
その後、本発明のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を用いてドライフィルムの露光部２２を除去する。 Thereafter, the exposed portion 22 of the dry film is removed using the release composition for dry film resist removal of the present invention.
本発明の上記剥離組成物を用いることにより、ドライフィルム露光部２２の下層に存在する回路パターン１０及び上記回路パターン１０上に位置したソルダーボール３０の腐食を最小化すると共にドライフィルムの露光部２２を完全に除去できる優れた効果がある。 By using the peeling composition of the present invention, corrosion of the circuit pattern 10 present in the lower layer of the dry film exposed portion 22 and the solder ball 30 located on the circuit pattern 10 is minimized and the exposed portion 22 of the dry film is There is an excellent effect that can be completely removed.
また、上記ドライフィルムレジストを剥離する方法は、ドライフィルムの露光部２２を除去した後に、ドライフィルムレジストの残渣を水洗いする過程をさらに行うことができる。 Moreover, the method of peeling the said dry film resist can further perform the process of water-washing the residue of a dry film resist, after removing the exposure part 22 of a dry film.
このとき、本発明に適用する上記剥離組成物は、ドライフィルムの露光部２２を除去する過程で、上記ドライフィルム露光部２２の残渣が剥離組成物に溶解しないため、後にも上記剥離組成物を再使用することができるという長所がある。 At this time, since the release composition applied to the present invention does not dissolve the residue of the dry film exposed portion 22 in the release composition in the process of removing the exposed portion 22 of the dry film, the release composition is also removed later. It has the advantage of being reusable.
さらに、上記ドライフィルムレジスト用剥離組成物を上記ドライフィルムの露光部に接触させる段階は、５時間以下で行われることができ、３時間以下で行われることができ、または２時間以下で行われることができる。 Furthermore, the step of bringing the release composition for dry film resist into contact with the exposed part of the dry film can be performed in 5 hours or less, can be performed in 3 hours or less, or is performed in 2 hours or less be able to.
図４は、本発明の一実施例に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物により改善された剥離速度を示す図である。 FIG. 4 is a view showing a peeling rate improved by the peeling composition for removing a dry film resist according to an embodiment of the present invention.
図４を参照すると、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を含む従来ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物（比較例）を用いてドライフィルムレジストを剥離する場合は、２４時間が経過しても剥離されない一方、本発明に係るトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＥＭＡＨ）を含むドライフィルムレジスト除去用剥離組成物（実施例）を用いてドライフィルムレジストを剥離する場合は、３０分から剥離が行われ、２〜３時間以内に剥離が完了することができる。 Referring to FIG. 4, when the dry film resist is peeled using the conventional dry film resist removal peeling composition (comparative example) containing tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH), the peeling does not occur even after 24 hours. On the other hand, when the dry film resist is peeled using the peeling composition for dry film resist removal (Example) containing triethylmethylammonium hydroxide (TEMAH) according to the present invention, the peeling is performed for 30 minutes, Peeling can be completed within 2 to 3 hours.
上記従来ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物（比較例）としては、ＮＲＳ−Ｊ（ＮＲ Ｇ＆Ｃ社）製品で、ＴＭＡＨ、ＭＥＡ、及びＮＭＰを含む。 The above-mentioned release composition for removing a conventional dry film resist (comparative example) is an NRS-J (NRG & C) product, which includes TMAH, MEA, and NMP.
以下では、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、下記の例に本発明の範疇が限定されることはない。 Hereinafter, the present invention will be more specifically described by way of examples and comparative examples, but the scope of the present invention is not limited to the following examples.
（実施例１−１２）
下記表１に記載の実施例１−１２の成分及び組成比を用いて、室温（２５℃）で約２時間撹拌して、実施例１−１２のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
(Example 1-12)
Using the components and composition ratio of Example 1-12 described in Table 1 below, the composition for a dry film resist removal of Example 1-12 was manufactured by stirring for about 2 hours at room temperature (25 ° C.) .
製造された実施例１−１２のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物の剥離力を測定するために、ドライフィルムレジストのパターンをライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）＝１μｍ／３μｍで得た後、電解銅メッキを施して銅配線を形成し、５０℃の剥離組成物に２分間浸漬してドライフィルムレジストを剥離した。剥離／未剥離の可否は、蛍光燎微鏡を用いて判断した。総パターン数のうち、剥離されずに残っているパターン数で剥離力を比較し、その結果を表１及び図１に示した。図１は、本発明の一実施例に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物により改善された剥離力を示す図である。 In order to measure the peeling force of the produced peeling composition for dry film resist removal of Example 1-12, after obtaining a pattern of the dry film resist with line (L) / space (S) = 1 μm / 3 μm, Electrolytic copper plating was applied to form a copper wiring, and it was immersed in a peeling composition at 50 ° C. for 2 minutes to peel off the dry film resist. Whether or not peeling / non-peeling was judged using a fluorescent microscope. Of the total number of patterns, the peeling force was compared with the number of patterns remaining without peeling, and the results are shown in Table 1 and FIG. FIG. 1 is a view showing the peeling force improved by the peeling composition for dry film resist removal according to an embodiment of the present invention.
（比較例１−１２）
下記表１に記載の比較例１−１２の成分及び組成比を用いて室温（２５℃）で約２時間撹拌して、比較例１−１２のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
(Comparative Example 1-12)
Using the components and composition ratio of Comparative Example 1-12 described in Table 1 below, the composition was stirred for about 2 hours at room temperature (25 ° C.) to produce a peeling composition for dry film resist removal of Comparative Example 1-12.
製造された比較例１−１２のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物の剥離力を測定するために、ドライフィルムレジストのパターンをライン／スペース＝１μｍ／３μｍで得た後、電解銅メッキを施して銅配線を形成し、５０℃の剥離組成物に２分間浸漬してドライフィルムレジストを剥離した。剥離／未剥離の可否は、蛍光燎微鏡を用いて判断した。総パターン数のうち、剥離されずに残っているパターン数で剥離力を比較し、その結果を表１及び図１に示した。 In order to measure the peeling force of the produced peeling composition for removing a dry film resist of Comparative Example 1-12, a pattern of the dry film resist is obtained with line / space = 1 μm / 3 μm, and then electrolytic copper plating is applied. A copper wiring was formed, and it was immersed in a peeling composition at 50 ° C. for 2 minutes to peel off the dry film resist. Whether or not peeling / non-peeling was judged using a fluorescent microscope. Of the total number of patterns, the peeling force was compared with the number of patterns remaining without peeling, and the results are shown in Table 1 and FIG.
（実施例１３−２４）
ＴＥＭＡＨを４重量％、ＭＥＡを４重量％及び下記表２に記載の実施例１３−２４の有機溶媒の成分及び組成比を用いて室温（２５℃）で約２時間撹拌して、実施例１３−２４のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
(Examples 13-24)
Example 13 was stirred for about 2 hours at room temperature (25 ° C.) using the components and composition ratio of 4 wt% TEMAH, 4 wt% MEA and the organic solvents of Examples 13-24 listed in Table 2 below. A release composition for dry film resist removal of -24 was produced.
製造された実施例１３−２４のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物の剥離力を測定するために、ドライフィルムレジストのパターンをライン／スペース＝１μｍ／３μｍで得た後、電解銅メッキを施して銅配線を形成し、５０℃の剥離組成物に２分間浸漬してドライフィルムレジストを剥離した。剥離／未剥離の可否は、蛍光燎微鏡を用いて判断した。総パターン数のうち、剥離されずに残っているパターン数で剥離力を比較し、その結果を表２及び図２に示した。図２は、本発明の一実施例に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中の有機溶媒ごとの剥離力を示す図である。 In order to measure the peeling power of the peeling composition for dry film resist removal of manufactured Example 13-24, after obtaining the pattern of dry film resist by line / space = 1 μm / 3 μm, electrolytic copper plating is applied A copper wiring was formed and immersed in a peeling composition at 50 ° C. for 2 minutes to peel the dry film resist. Whether or not peeling / non-peeling was judged using a fluorescent microscope. Of the total number of patterns, the peeling force was compared with the number of patterns remaining without peeling, and the results are shown in Table 2 and FIG. FIG. 2 is a view showing the peeling force for each organic solvent in the peeling composition for removing a dry film resist according to an example of the present invention.
（比較例１３−２４）
ＴＥＭＡＨを４重量％、ＭＥＡを４重量％及び下記表２に記載の比較例１３−２４の有機溶媒の成分及び組成比を用いて室温（２５℃）で約２時間撹拌して、比較例１３−２４のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
(Comparative Examples 13-24)
Comparative Example 13 was stirred for about 2 hours at room temperature (25 ° C.) using 4 wt% of TEMAH, 4 wt% of MEA and the components and composition ratio of the organic solvent of Comparative Example 13-24 described in Table 2 below. A release composition for dry film resist removal of -24 was produced.
製造された比較例１３−２４のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物の剥離力を測定するために、ドライフィルムレジストのパターンをライン／スペース＝１μｍ／３μｍで得た後、電解銅メッキを施して銅配線を形成し、５０℃の剥離組成物に２分間浸漬してドライフィルムレジストを剥離した。剥離／未剥離の可否は、蛍光燎微鏡を用いて判断した。総パターン数のうち、剥離されずに残っているパターン数で剥離力を比較し、その結果を表２及び図２に示した。 In order to measure the peeling force of the produced peeling composition for removing a dry film resist of Comparative Example 13-24, a pattern of the dry film resist is obtained with line / space = 1 μm / 3 μm and then electrolytic copper plating is applied A copper wiring was formed, and it was immersed in a peeling composition at 50 ° C. for 2 minutes to peel off the dry film resist. Whether or not peeling / non-peeling was judged using a fluorescent microscope. Of the total number of patterns, the peeling force was compared with the number of patterns remaining without peeling, and the results are shown in Table 2 and FIG.
（実施例２５−５６）
下記表３に記載の実施例２５−５６の成分及び組成比を用いて室温（２５℃）で約２時間撹拌して、実施例２５−５６のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
(Examples 25-56)
The components and composition ratio of Example 25-56 described in Table 3 below were used and stirred for about 2 hours at room temperature (25 ° C.) to prepare a release composition for dry film resist removal of Example 25-56.
製造された実施例２５−５６のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物の剥離力を測定するために、ドライフィルムレジストのパターンをライン／スペース＝１μｍ／３μｍで得た後、電解銅メッキを施して銅配線を形成し、５０℃の剥離組成物に２分間浸漬してドライフィルムレジストを剥離した。剥離／未剥離の可否は、蛍光燎微鏡を用いて判断した。総パターン数のうち、剥離されずに残っているパターン数で剥離力を比較し、その結果を表３及び図３に示した。図３は、本発明の一実施例に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中の成分濃度ごとの剥離力を示す図である。 In order to measure the peeling force of the produced peeling composition for dry film resist removal of Example 25-56, after obtaining a pattern of dry film resist with line / space = 1 μm / 3 μm, electrolytic copper plating is applied A copper wiring was formed and immersed in a peeling composition at 50 ° C. for 2 minutes to peel the dry film resist. Whether or not peeling / non-peeling was judged using a fluorescent microscope. Of the total number of patterns, the peeling force was compared based on the number of patterns remaining without peeling, and the results are shown in Table 3 and FIG. FIG. 3 is a view showing the peeling force for each component concentration in the peeling composition for dry film resist removal according to an example of the present invention.
ＴＥＭＡＨを４重量％、ＭＥＡを７重量％、ＤＥＧＢＥを７重量％及び下記表４に記載の実施例５７−７４のエッチング抑制剤の成分及び組成比を用いて室温（２５℃）で約２時間撹拌して、実施例５７−７４のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。 Using components and composition ratios of 4 wt% TEMAH, 7 wt% MEA, 7 wt% DEGBE and the etch inhibitors of Examples 57-74 listed in Table 4 below for about 2 hours at room temperature (25 ° C.) The mixture was stirred to prepare a release composition for dry film resist removal of Examples 57-74.
製造された実施例５７−７４のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を用いる場合に発生するエッチング量（Ｅｔｃｈ Ｒａｔｅ、μｍ）を比較して表４に示した。 The amount of etching (Etch Rate, μm) generated when using the produced peeling composition for dry film resist removal of Examples 57 to 74 is shown in Table 4 in comparison.
（比較例２５−３４）
ＴＥＭＡＨを４重量％、ＭＥＡを７重量％、ＤＥＧＢＥを７重量％及び下記表４に記載の比較例２５−３４のエッチング抑制剤の成分及び組成比を用いて室温（２５℃）で約２時間撹拌して、比較例２５−３４のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を製造した。
(Comparative Examples 25-34)
Using components and composition ratios of 4 wt% TEMAH, 7 wt% MEA, 7 wt% DEGBE and Comparative Example 25-34 listed in Table 4 below for about 2 hours at room temperature (25 ° C.) The mixture was stirred to produce a release composition for removing a dry film resist of Comparative Example 25-34.
製造された比較例２５−３４のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を用いる場合に発生するエッチング量（Ｅｔｃｈ Ｒａｔｅ、ｕｍ）を比較して表４に示した。 The etching amounts (Etch Rate, um) generated when using the produced peeling composition for removing a dry film resist of Comparative Example 25-34 are shown in Table 4 in comparison.
（エッチング抑制剤の有無による剥離力の測定）
本発明に係るＴＥＭＡＨを４重量％、ＭＥＡを７重量％、及びＤＥＧＢＥを７重量％含むドライフィルムレジスト除去用剥離組成物にエッチング抑制剤を添加したとき、ドライフィルムレジストに対する剥離力に影響を与えるかどうかを確認した。
(Measurement of peeling force with and without etching inhibitor)
When an etching inhibitor is added to the release composition for dry film resist removal containing 4% by weight of TEMAH, 7% by weight of MEA, and 7% by weight of DEGBE according to the present invention, the release force to the dry film resist is affected. I checked whether or not.
剥離工程温度５５℃で、本発明に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物にエッチング抑制剤を添加してデイッピングする方法により剥離時間を確認し、エッチング抑制剤の添加前の剥離時間と比較して図５に示した。 The peeling time is confirmed by the method of adding the etching inhibitor to the peeling composition for dry film resist removal according to the present invention and peeling it at a peeling step temperature of 55 ° C. and comparing with the peeling time before the addition of the etching inhibitor. It showed in FIG.
図５に示すように、本発明に係るドライフィルムレジスト除去用剥離組成物（実施例）にエッチング抑制剤を添加すると、エッチングは抑制されるものの、剥離力はエッチング抑制剤を添加する前と類似であることが確認された。すなわち、剥離時間が１０分未満であり、エッチング力（Ｅｔｃｈ ｒａｔｅ）が、０．０４μｍであることが確認された。 As shown in FIG. 5, when the etching inhibitor is added to the peeling composition for dry film resist removal (example) according to the present invention, although the etching is suppressed, the peeling force is similar to that before the etching inhibitor is added. Was confirmed. That is, it was confirmed that the peeling time was less than 10 minutes, and the etching force (Etch rate) was 0.04 μm.
一方、図５に示すように、従来ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物（比較例）は、１０分経過しても剥離されないことが確認された。 On the other hand, as shown in FIG. 5, it was confirmed that the peeling composition for removing a conventional dry film resist (comparative example) was not peeled even after 10 minutes.
（剥離回数に応ずるエッチング効果の分析）
剥離回数（１、３、５回）に応ずるエッチング効果（ｅｔｃｈ ｅｆｆｅｃｔ）に変化があるかどうかについてＦＩＢ分析を行い、その結果を図６に示した。
(Analysis of etching effect according to the number of peeling)
FIB analysis was performed as to whether or not there was a change in the etching effect depending on the number of times of peeling (1, 3 and 5 times), and the result is shown in FIG.
図６に示すように、本発明に係るＴＥＭＡＨを４重量％、ＭＥＡを７重量％、及びＤＥＧＢＥを７重量％含むドライフィルムレジスト除去用剥離組成物（実施例）を用いる場合は、剥離回数が増加してもエッチング効果に有意差がなかった。しかし、従来のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物（比較例）を用いる場合は、剥離回数が増加するほど上部幅が減少して、剥離回数がエッチング効果に影響を与えることが確認された。 As shown in FIG. 6, when using the peeling composition for dry film resist removal (Example) containing 4% by weight of TEMAH, 7% by weight of MEA, and 7% by weight of DEGBE according to the present invention, the number of times of peeling is There was no significant difference in the etching effect even if it increased. However, in the case of using a conventional dry film resist removal release composition (comparative example), it was confirmed that the upper width decreases as the number of removals increases, and the number of removals affects the etching effect.
（有機添加剤の濃度分析）
フォトレジスト層を剥離するために用いられる剥離組成物中の有機添加剤のグリコールエーテル系列は、濃度を分析できる分析方法が全くない実情である。
(Concentration analysis of organic additives)
The glycol ether series of organic additives in the stripping composition used to strip the photoresist layer is the fact that there is no analytical method by which the concentration can be analyzed.
動的表面張力（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｔｅｎｓｉｏｎ、ＤＳＴ）を用いて上記グリコールエーテル類の濃度に応ずる表面張力を測定し、その結果、グリコールエーテル類の濃度に比例して変化することが確認された（図７参照）。これにより、ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物中の有機添加剤の濃度モニタリングが可能であることを確認した。 The surface tension according to the concentration of the above glycol ether was measured using dynamic surface tension (Dynamic Surface Tension, DST), and as a result, it was confirmed that it changed in proportion to the concentration of glycol ether (FIG. 7) reference). This confirmed that concentration monitoring of the organic additive in the peeling composition for dry film resist removal was possible.
また、ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物にエッチング抑制剤（ＴＴＡまたは ５−ＡＴ）を添加しても、ＤＳＴ方法により有機添加剤濃度のモニタリングが可能であるかどうかを確認した。 Moreover, even if it added an etching inhibitor (TTA or 5-AT) to the peeling composition for dry film resist removal, it was confirmed whether the monitoring of the organic additive density | concentration is possible by DST method.
ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物にエッチング抑制剤を添加する前及び後のすべてにおいて一定の表面張力を確認することができたので、エッチング抑制剤が含有されても表面張力測定器により有機添加剤の濃度をモニタリングすることができることを確認できた（図８ａ及び図８ｂ参照）。 Since it was possible to confirm a constant surface tension before and after adding the etching inhibitor to the dry film resist removal peeling composition, even if the etching inhibitor is contained, the organic additive is measured by the surface tension measuring device. It can be confirmed that the concentration of H. can be monitored (see FIGS. 8a and 8b).
以上、本発明を具体的な実施例を挙げて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであって、本発明がこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者により、その変形や改良等ができることは明らかである。 Although the present invention has been described in detail by way of specific examples, it is for the purpose of illustrating the present invention, and the present invention is not limited thereto, and the present invention is not limited thereto. It is obvious that the person skilled in the art can make modifications and improvements within the technical concept of the present invention.
本発明の単純な変形や変更はすべて本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。 All simple variations and modifications of the present invention fall within the scope of the present invention, and the specific protection scope of the present invention will be clarified by the appended claims.
１０ 回路パターン
２０ ドライフィルム
２１ ドライフィルムの未露光部
２２ ドライフィルムの露光部
３０ ソルダーボール
１００ 基板
10 circuit pattern 20 dry film 21 unexposed area of dry film 22 exposed area of dry film 30 solder ball 100 substrate
Claims (12)
１〜１０重量部の鎖型アミン化合物と、
１〜１０重量部の有機溶媒と、を含むドライフィルムレジスト除去用剥離組成物。 1 to 7 parts by weight of triethylmethyl ammonium hydroxide (TEMAH), tetraethyl ammonium hydroxide (TEAH), or mixtures thereof,
1 to 10 parts by weight of a chain type amine compound,
A release composition for removing a dry film resist, comprising 1 to 10 parts by weight of an organic solvent.
前記ラミネーションしたドライフィルムを部分的に露光して、ドライフィルム露光部及びドライフィルム未露光部を形成する段階と、
前記ドライフィルムの未露光部を現像及び除去して開口部を形成する段階と、
請求項１から９のいずれか１項に記載のドライフィルムレジスト除去用剥離組成物を前記ドライフィルム露光部に接触させる段階と、を含むドライフィルムレジストの剥離方法。 Laminating a dry film on a substrate having a predetermined circuit pattern formed thereon;
Partially exposing the laminated dry film to form a dry film exposed area and a dry film unexposed area;
Developing and removing the unexposed area of the dry film to form an opening;
And contacting the dry film exposed portion with the peeling composition for removing a dry film resist according to any one of claims 1 to 9.
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