JP2019116525A - 量子ドットを含有するインキ組成物、それを用いたインクジェットインキ、およびそれらの用途 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の課題は、インキ状態で量子ドットの高い蛍光収率とその維持を可能とするとともに、量子ドットを用いて造形物への着色、塗布、印刷した際にも、優れた印刷適性と高い蛍光収率とその維持可能とする量子ドット含有インキ組成物を提供することである。【解決手段】半導体ナノ粒子（Ａ）、およびリガンド（Ｂ）から成る量子ドット（Ｃ）と、液状媒体（Ｄ）とを含むインキ組成物において、水分、および／または、酸素を、特定の濃度以下とすることにより、上記課題は解決される。【選択図】なし

Description

本発明は量子ドットを含有するインキ組成物、それを用いたインクジェットインキ、およびそれらの用途に関する。

量子ドットは、量子力学に従う独特な光学特性を発現させるために、電子を微小な空間
に閉じ込めるために形成された極小さな粒（ドット）である。１粒の量子ドットの大きさ
は、直径１ナノメートルから数１０ナノメートルであり、約１万個以下の原子で構成され
ている。発する蛍光の波長が、粒の大きさで連続的に制御できること、蛍光強度の波長分
布が対称性の高いシャープな発光が得られることから近年注目を集めている。
量子ドットは、人体を透過しやすい波長に蛍光を調整でき、体内のあらゆる場所に送達
できることより発光材料として生体イメージング用途（非特許文献１）、褪色の恐れがな
い波長変換材料として太陽電池用途（特許文献１）、鮮明な発光材料、波長変換材料とし
てエレクトロニクス・フォトニクス用途（特許文献２，３）への展開検討が行われている。

これらの用途に展開するときに、必要となる特性として、蛍光の量子収率、そして、それを維持する耐久性が挙げられる。
量子ドットは、光酸化や水分によって劣化を受けるため、長期に渡り高い量子収率を維持することが困難となっている。

また、量子ドットは高価な材料であるために、材料の利用効率が高い加工方法が望ましく、所定のパターンを形成する方法として、量子ドットを含むインクジェットインキをインクジェットによって印刷することが行われているが、高解像度のディスプレイ等には高精細性が必要であるが、いまだ不十分である。また、印刷物にブツが発生すると発光にムラは発生して外観を損なう課題があった。

上述の様な課題に対し、バリアフィルムにインクジェットで量子ドットを含む組成物を印刷する方法が開示されている（特許文献４）が、バリアフィルムは高価であるためにコストが増加すること、透明性が損なわれる場合が有ること、そして、不要な厚みが発生するためディスプレイの高精細化が損なわれること、といった課題があった。

特開２００６−２１６５６０号公報 特開２００８−１１２１５４号公報 特開２００９−２５１１２９号公報 国際公開ＷＯ２０１６／１０４４０１号パンフレット

神隆、「半導体量子ドット、その合成法と生命科学への応用」、生産と技術、第６３巻、第２号、２０１１年、ｐ５８〜ｐ６５

本発明の目的は、インキ状態で量子ドットの高い蛍光収率とその維持を可能とするとともに、量子ドットを用いて造形物への着色、塗布、印刷した際にも、優れた印刷適性と高い蛍光収率とその維持可能とする量子ドット含有インキ組成物を提供することである。さらに、インクジェットインキとして用いることで、高精細な印刷が可能な特性をも有するインキ組成物を提供することである。

本発明者は、前記課題を解決するために、鋭意検討した結果、水分、および／または、酸素を、特定の濃度以下とすることにより、量子効率を向上させるとともに、耐性を向上できることを見出した。さらに、水分、および／または、酸素を、特定の濃度以下とすることにより、インクジェットインキとして用いることで、高精細な印刷が可能となる特性を併せ持つことを見出した。

すなわち、本発明は、半導体ナノ粒子（Ａ）、およびリガンド（Ｂ）から成る量子ドット（Ｃ）と、液状媒体（Ｄ）とを少なくとも含むインキ組成物であって、
インキ組成物中の含水率が１００ｐｐｍ以下 であることを特徴とするインキ組成物に関する。

また、本発明は、半導体ナノ粒子（Ａ）、およびリガンド（Ｂ）から成る量子ドット（Ｃ）と、液状媒体（Ｄ）とを少なくとも含むインキ組成物であって、
液状媒体（Ｄ）中の溶存酸素が１０ｐｐｍ以下 であることを特徴とするインキ組成物に関する。

また、本発明は、半導体ナノ粒子（Ａ）、およびリガンド（Ｂ）から成る量子ドット（Ｃ）と、液状媒体（Ｄ）とを少なくとも含むインキ組成物であって、
インキ組成物中の含水率が１００ｐｐｍ以下であり、かつ、液状媒体（Ｄ）中の溶存酸素が１０ｐｐｍ以下 であることを特徴とするインキ組成物に関する。

また、本発明は、さらに樹脂を含有することを特徴とする前記のインキ組成物に関する。

また、本発明は、前記のインキ組成物を含有することを特徴とするインクジェットインキに関する。

また、本発明は、前記のインキ組成物を用いて形成された印刷物に関する。

また、本発明は、基材上に、前記のインキ組成物を用いて形成された波長変換フィルムに関する。

また、本発明は、基材上に、前記のインキ組成物を用いて形成されたカラーフィルターに関する。

また、本発明は、発光層が前記のインキ組成物を用いて形成された発光素子に関する。

本発明により、インキ状態で量子ドットの高い蛍光収率とその維持を可能とするとともに、量子ドットを用いて造形物への着色、塗布、印刷した際にも、優れた印刷適性と高い蛍光収率とその維持可能とする量子ドット含有インキ組成物を提供することが可能である。

以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のインキ組成物は、半導体ナノ粒子（Ａ）およびリガンド（Ｂ）から成る量子ドット（Ｃ）と、液状媒体（Ｄ）とを少なくとも含むインキ組成物である。

＜量子ドット＞
本発明における量子ドットについて説明をする。
本発明における量子ドットは、半導体ナノ粒子の表面の少なくとも一部に、後述のリガンドが接触してなるものである。

（半導体ナノ粒子）
半導体ナノ粒子の材質としては、炭素（Ｃ）（不定形炭素、グラファイト、グラフェン、カーボンナノチューブ等）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、錫（Ｓｎ）等の周期表第ＩＶ族元素の単体、
リン（Ｐ）（黒リン）等の周期表第Ｖ族元素の単体、
セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）等の周期表第ＶＩ族元素の単体、
酸化錫（ＩＶ）窒化ホウ素（ＢＮ）、リン化ホウ素（ＢＰ）、砒化ホウ素（ＢＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）等の周期表第ＩＩＩ族元素と周期表第Ｖ族元素との化合物、
硫化アルミニウム（Ａｌ_２Ｓ_３）、セレン化アルミニウム（Ａｌ_２Ｓｅ_３）、硫化ガリウム（Ｇａ_２Ｓ_３）、セレン化ガリウム（ＧａＳｅ、Ｇａ_２Ｓｅ_３）テルル化ガリウム（ＧａＴｅ、Ｇａ_２Ｔｅ_３）、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、硫化インジウム（Ｉｎ_２Ｓ_３、ＩｎＳ）、セレン化インジウム（Ｉｎ_２Ｓｅ_３）、テルル化インジウム（Ｉｎ_２Ｔｅ_３）等の周期表第ＩＩＩ族元素と周期表第ＶＩ族元素との化合物、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）等の周期表第ＩＩ族元素と周期表第ＶＩ族元素との化合物、
酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ_２Ｏ）等の周期表第Ｉ族元素と周期表第ＶＩ族元素との化合物、
塩化銅（Ｉ）（ＣｕＣｌ）、臭化銅（Ｉ）（ＣｕＢｒ）、ヨウ化銅（Ｉ）（ＣｕＩ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）等の周期表第Ｉ族元素と周期表第ＶＩＩ族元素との化合物などが挙げられ、必要によりこれらの２種以上を併用しても良い。

これらの半導体には、構成元素以外の元素が含有されていても構わない。
例えば、ＩＩＩ−Ｖ族を例にとれば、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮの様な合金系であってもよい。また上記材料中に、希土類元素あるいは遷移金属元素がドープされた半導体ナノ粒子も使われる。例えば、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ｃｅ、ＬａＰＯ_４：Ｃｅなどが挙げられる。
この中でもケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、セレン化ガリウム（ＧａＳｅ、Ｇａ2Ｓｅ3）、硫化インジウム（Ｉｎ_２Ｓ_３、ＩｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮなどの合金系が好ましく用いられ、特に、リン化インジウム（ＩｎＰ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）が特に好ましく用いられる。

さらに、半導体ナノ粒子の材質としては、ペロブスカイト結晶も特に好ましく用いることができる。本発名で言うペロブスカイト結晶は、下記式で表される組成を有し、３次元結晶構造を持つものである。
組成式：ＡＱＸ_３
上記式において、Ａはメチルアンモニウム（ＣＨ_３ＮＨ_２）、および、ホルムアミジニウム（ＮＨ_２ＣＨＮＨ）から選ばれる少なくとも１つであるアミン化合物の１価陽イオンであるか、または、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｅ）、および、フランシウ（Ｆｒ）から選ばれる少なくとも１つのアルカリ金属元素の１価陽イオンであり、Ｑは鉛（Ｐｂ）および錫（Ｓｎ）から選ばれる少なくとも１つである金属元素の２価陽イオンであり、Ｘはヨウ素（Ｉ）、臭素（Ｂｒ）、および塩素（Ｃｌ）から選ばれる少なくとも１つのハロゲン元素の１価陰イオンである。

半導体ナノ粒子は、コアシェル構造を有するものであることが好ましい。コアシェル型の半導体ナノ粒子はコアを形成する材質と異なる成分からなる材質でコア構造を被覆された構造となる。シェルがバントギャップの大きい半導体をすることで、光励起によって生成された励起子（電子−正孔対）はコア内に閉じ込められる。その結果、粒子表面での無輻射遷移の確率が減少し、発光の量子収率および蛍光特性の安定性が向上する。また、シェルは複数層あっても良い。さらに、コアとシェル、および、あるシェルと他のシェルの境界は明確であっても濃度勾配を設けて徐々に接合されたグラージェント構造で合っても良い。

（リガンド）
量子ドットは、半導体ナノ粒子１の表面の少なくとも一部にリガンドが接触、換言すると半導体ナノ粒子１の表面の少なくとも一部がリガンドで覆われているものであって、平均粒子径が１００ｎｍ以下のものである。量子ドットは、半導体ナノ粒子表面に対し、リガンドが、化学吸着、物理吸着、または、化学結合しているものである。
半導体ナノ粒子１の表面の少なくとも一部をリガンドで覆う方法としては、例えば、
リガンドの存在下に半導体ナノ粒子を生成し、リガンドが吸着してなる量子ドットを作成する方法、
半導体ナノ粒子とリガンドとを液相中で撹拌することで、半導体ナノ粒子の表面にリガンドが吸着した量子ドットを得る方法、
半導ナノ微粒子を含む分散液から遠心沈降などで液相（分散媒）をおおよそ取り除いた後、リガンドを含む液相（分散媒）に半導体ナノ粒子を再分散させる際にリガンドが吸着してなる量子ドットを作成する方法などを例としてあげられる。

本発明のリガンドの具体例を以下に説明するが、それらは発明を限定するものではない。
具体的な例としては、メタンチオール、エタンチオール、プロパンチオール、ブタンチオール、ペンタンチオール、ヘキサンチオール、オクタンチオール、ドデカンチオール、ヘキサデカンチオール、オクタデカンチオール、ベンジルチオール；メタンアミン、エタンアミン、プロパンアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、ドデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン；メタン酸、エタン酸、プロパン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ドデカン酸、ヘキサデカン酸、オクタデカン酸、オレイン酸、安息香酸；置換又は非置換のメチルホスフィン（例：トリメチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィンなど）、置換又は非置換のエチルホスフィン（例：トリエチルホスフィン、エチルジフェニルホスフィンなど）、置換又は非置換のプロピルホスフィン、置換又は非置換のブチルホスフィン、置換又は非置換のペンチルホスフィン、置換又は非置換のオクチルホスフィン（例：トリオクチルホスフィン（ＴＯＰ））などのホスフィン；置換又は非置換のメチルホスフィンオキシド（例：トリメチルホスフィンオキシド、メチルジフェニルホスフィンオキシドなど）、置換又は非置換のエチルホスフィンオキシド（例：トリエチルホスフィンオキシド、エチルジフェニルホスフィンオキシドなど）、置換又は非置換のプロピルホスフィンオキシド、置換又は非置換のブチルホスフィンオキシド、置換又は非置換のオクチルホスフィン（例：トリオクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）などのホスフィンオキシド；ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン化合物、又はそのオキシド化合物；ホスホン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｃ ａｃｉｄ）などが挙げられる。さらに、極性が高い液状媒体などに対しては、メルカプトアセチル酸、３−メルカプトプロピオン酸、メルカプトウンデカン酸、２−メルカプトエタノール、４−メルカプト−１−ブタノール、３−メルカプト−２−ブタノール、１−メルカプト−２−プロパノール、３−メルカプト−１−プロパノール、３−メルカプトプロピオニック酸、メルカプトサクシニック酸（ｍｅｒｃａｐｔｏｓｕｃｃｉｎｉｃａｃｉｄ）、チオグリコーリック酸、カプトリル、１−チオグリコール、チオラクティック酸、２−メルカプトエタンスルホニック酸、３−メルカプトイソブチリック酸、チオマリック酸、３−メルカプトベンゾイック酸、２−メルカプトベンゾイルアルコール、２−メルカプトニコティック酸、６−メルカプトニコティック酸、２−メルカプトフェノール、３−メルカプトフェノール、４−メルカプトフェノール等が好適に用いられる。

半導体ナノ粒子および量子ドットの平均粒子径は１００ｎｍ以下であることが好ましくより好ましくは１〜５０ｎｍであり、更に好ましくは、０．５〜１５ｎｍである。

ここで言う平均粒子径とは、半導体ナノ粒子および量子ドットを透過型電子顕微鏡で観察し、無作為に３０個のサイズを計測してその平均値を採用した値を指す。この際、量子ドットは前述のリガンドを伴うため、エネルギー分散型Ｘ線分析が付帯した走査型透過電子顕微鏡を用いることで、半導体材質部を特定した上で、透過型電子顕微鏡像において電子密度の違いから後述のリガンドに対し半導体ナノ粒子部分は暗く撮像されることを利用し粒径を計測する。

半導体ナノ粒子および量子ドットの形状は、球状に限らず、棒状、円盤状、そのほかの形状であっても良い。

＜液状媒体＞
本発明の組成物が含んでもよい液状媒体は、量子ドットをガラス基板等の基板上に本発明のインキ組成物を乾燥膜厚が所望の膜厚になるように塗布することを容易にするために用いられる。
本発明の液状媒体としては、常圧（1気圧）の元２５℃で液体である物質である。
本発明のインキ組成物は、液状媒体を用いて、インクジェットインキとして使用することもできる。インクジェットインキとする場合には、粘度を３〜５０ｍＰａ・ｓに調製することが好ましい。インクジェットインキには印刷物への要求物性により、樹脂、架橋剤、重合性単量体、光感応性物質、熱感応性物質を添加することができる。
樹脂、架橋剤、重合性単量体、光感応性物質、熱感応性物質の添加物質の添加量としては、所望の量子ドット濃度により、量子ドット１重量部に対し、添加物質を０~１００重量部添加することができる。１００を超えると量子ドット含有率が低くなり、十分な蛍光強度が得られない場合がある。

本発明の量子ドットを含む組成物を用いて、塗布し、紫外線照射により、フォトリソグラフィー法によりパターニングする際には、光感応性物質、重合性単量体を添加して、ポジ型レジスト、または、ネガ型レジストとすることができる。これらを単独で、または２種以上混合して用いることができる。

溶剤としては、
トルエン、１,２,３−トリクロロプロパン、１,３-ブチレングリコール、１,３-ブチレングリコールジアセテート、１,４−ジオキサン、２−ヘプタノン、２−メチル−１,３−プロパンジオール、３,５,５-トリメチル-２-シクロヘキセン-１-オン、３,３,５−トリメチルシクロヘキサノン、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メチル−１,３−ブタンジオール、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール、３−メトキシ−３−メチルブチルアセテート、３-メトキシブタノール、３−メトキシブチルアセテート、４−ヘプタノン、ｍ−キシレン、ｍ−ジエチルベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ｎ−ブチルアルコール、ｎ−ブチルベンゼン、ｎ−プロピルアセテート、Ｎ−メチルピロリドン、o−キシレン、o−クロロトルエン、ｏ−ジエチルベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、Ｐ−クロロトルエン、Ｐ−ジエチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、γ―ブチロラクトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ターシャルターシャルブタノール、イソブチルアルコール、イソホロン、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノターシャリーブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジイソブチルケトン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノール、シクロヘキサノールアセテート、シクロヘキサノン、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ダイアセトンアルコール、トリアセチン、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、ベンジルアルコール、メチルイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノール、酢酸ｎ−アミル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、及び二塩基酸エステル等が挙げられる。
これらの溶剤は、１種を単独で、または必要に応じて任意の比率で２種以上混合して用
いることができる。

インクジェットインキとする場合には、樹脂に対する溶解性、装置部材に対する膨潤作用、粘度、及びノズルにおけるインキの乾燥性の点から選択され、一般式
（１）：Ｒ^１−（Ｏ−Ｃ_２Ｈ_４）_ｍ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_３［ただし、Ｒ^１は炭素原子数１〜８のアルキル基であり、Ｃ_２Ｈ_４は直鎖若しくは分岐エチレン鎖であり、１≦ｍ≦３である。］で表される溶剤（Ａ−１）、及び一般式
（２）：Ｒ^２−（Ｏ−Ｃ_３Ｈ_６）_ｎ−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_３［ただし、Ｒ^２は炭素原子数１〜８のアルキル基であり、Ｃ_３Ｈ_６は直鎖若しくは分岐プロピレン鎖であり、１≦ｎ≦３である。］で表される溶剤（Ａ−２）、及びアセテート構造を２つ以上持つ溶剤（Ａ−３）からなる群から選ばれる７６０ｍｍＨｇでの沸点が１３５℃以上の１種類以上の溶剤を含むことが好ましい。
さらに好ましくは、前記７６０ｍｍＨｇでの沸点が１３５℃以上の溶剤が全溶剤中６０
重量％以上含むことが吐出安定性やノズルにおけるインキの乾燥性の点から好ましい。
前記溶剤の具体例としては、例えばジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、１，３−ブチレングリコール
ジアセテート、１，６−ヘキサンジオールジアセテート、トリアセチン等を挙げることが
できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。中でも、好ましくはジエチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、１，３−ブチレングリコールジア
セテートが、吐出安定性の点から好ましい。

＜樹脂＞
樹脂としては、石油系樹脂、マレイン酸樹脂、ニトロセルロース、セルロースアセテートブチレート、環化ゴム、塩化ゴム、アルキド樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、ビニル樹脂、又はブチラール樹脂等があげられ、基材により適時選択することができる。
架橋剤としては、架橋剤はメラミン化合物、ベンゾグアナミン化合物、アクリレート系モノマー、カルボジイミド化合物、エポキシ化合物、オキセタン化合物、フェノール化合物、ベンゾオキサジン化合物、ブロック化カルン酸化合物、ブロック化イソシアネート化合物、及びシランカップリング剤からなる群から選ばれる化合物１種若しくは２種以上であることが耐熱耐性を持つ熱架橋性の架橋剤である点から好ましい。

本発明に用いる重合性単量体には、紫外線や熱などにより硬化して樹脂を生成するモノマーもしくはオリゴマーが含まれ、これらを単独で、または２種以上混合して用いることができる。
重合性単量体としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、β−カルボキシエチル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、エステルアクリレート、メチロール化メラミンの（メタ）アクリル酸エステル、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタンアクリレート等の各種アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸、スチレン、酢酸ビニル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、アクリロニトリル等を挙げることができるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。
これらの重合性化合物は、１種を単独で、または必要に応じて任意の比率で２種以上混
合して用いることができる。

＜開始剤＞
本発明の組成物が含んでもよい熱感応性物質としては、熱重合開始剤としては、有機過酸化物系開始剤、アゾ系開始剤等を挙げることができる。
本発明の組成物が含んでもよい光感応性物質としては、光重合開始剤、光酸発生剤、光塩基発生剤があげられる。光感応性物質は、１種を単独で、または必要に応じて任意の比率で２種以上混合して用いることができる。

光重合開始剤としては、アセトフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、トリアジン系化合物、オキシムエステル系化合物、ホスフィン系化合物、キノン系化合物、ボレート系化合物；カルバゾール系化合物；イミダゾール系化合物；あるいは、チタノセン系化合物等が用いられる。
光酸発生剤としては、スルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、 Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物などが挙げられる。

光重合開始剤および／または光酸発生剤は光硬化性接着剤に含まれる樹脂成分（本発明の飽和脂環式エポキシエステル化合物、および、必要に応じて含まれる他の活性エネルギー重合性化合物から構成される樹脂成分）１００部に対して、０．０１部〜２０部であることが好ましい。０．０１部未満であると硬化が不十分であり、２０部より多い場合、光酸発生剤由来の着色や他の諸物性の低下を招く。

光塩基発生剤としては、複素環基含有光塩基発生剤、２−ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ヘキサン−１，６−ジアミン、トリフェニルメタノール、ｏ−カルバモイルヒドロキシルアミド、ｏ−カルバモイルオキシム、ヘキサアンミンコバルト（ＩＩＩ）トリス（トリフェニルメチルボレート）などが挙げられる。

＜増感剤＞
さらに、本発明の組成物には、増感剤を含有させることができる。増感剤としては、カルコン誘導体、ジベンザルアセトン等に代表される不飽和ケトン類、ベンジルやカンファーキノン等に代表される１，２−ジケトン誘導体、ベンゾイン誘導体、フルオレン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、キサンテン誘導体、チオキサンテン誘導体、キサントン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、ケトクマリン誘導体、シアニン誘導体、メロシアニン誘導体、オキソノ−ル誘導体等のポリメチン色素、アクリジン誘導体、アジン誘導体、チアジン誘導体、オキサジン誘導体、インドリン誘導体、アズレン誘導体、アズレニウム誘導体、スクアリリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、テトラフェニルポルフィリン誘導体、トリアリールメタン誘導体、テトラベンゾポルフィリン誘導体、テトラピラジノポルフィラジン誘導体、フタロシアニン誘導体、テトラアザポルフィラジン誘導体、テトラキノキサリロポルフィラジン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、サブフタロシアニン誘導体、ピリリウム誘導体、チオピリリウム誘導体、テトラフィリン誘導体、アヌレン誘導体、スピロピラン誘導体、スピロオキサジン誘導体、チオスピロピラン誘導体、金属アレーン錯体、有機ルテニウム錯体、又はミヒラーケトン誘導体、α−アシロキシエステル、アシルフォスフィンオキサイド、メチルフェニルグリオキシレートベンジル、９，１０−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、エチルアンスラキノン、４，４’−ジエチルイソフタロフェノン、３，３’，又は４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン等が挙げられる。
これらの増感剤は、１種を単独で、または必要に応じて任意の比率で２種以上混合して
用いることができる。

＜溶存酸素＞
本発明で規定する溶存空気濃度は、液状媒体（Ｄ）中の溶存酸素濃度を測定し、空気中の酸素割合を基に求めることができる。なお、本発明の溶存酸素濃度は、質量濃度を表す。

溶存酸素濃度を測定する方法としては、例えば、オストワルド法（実験化学講座１基本操作［Ｉ］、２４１頁、１９７５年、丸善 参照）や、マススペクトル法で測定する方法や、ガルバニ電池型やポーラログラフ型などの簡便な酸素濃度計や比色分析法を用いて測定することができる。また、溶存酸素濃度は市販の溶存酸素濃度計（東亜電波工業（株）製ＤＯ−３０Ａ型）を用いても、簡便に測定することができる。

本発明において、液状媒体（Ｄ）中の溶存酸素濃度が１０ｐｐｍ以下、であることが好ましく、より好ましくは０．１〜１０ｐｐｍ、さらに好ましくは０．１〜５ｐｐｍ、さらに好ましくは、０．１〜３ｐｐｍである。液状媒体中の溶存酸素濃度が１０ｐｐｍを超えると、インキ状態での量子ドットの耐久性低下、印刷物中の量子ドットの耐久性低下、および、インクジェット印刷での印刷性低下の可能性が有り、印刷物にブツが発生しやすくなる場合もある。

本発明のインキ組成物の製造方法において、本発明で規定する溶存酸素濃度を１０ｐｐｍ以下とする方法に関しては特に制限はないが、インクを加熱することによりあるいは減圧により、インク中に溶解する気体を除去したインクを用いる方法、および、中空糸膜を用いた脱気モジュールを用いる方法が挙げられる。また、インキ組成物に、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム等の脱酸素剤を添加して、液状媒体中の酸素量を低いレベルに保つ処理を加えてもよい。

＜含水率＞
また、本発明のインキ組成物においては、カールフィッシャー法により測定した含水率を、好ましくは１００ｐｐｍ以下、より好ましくは１〜１００ｐｐｍ、さらに好ましくは、１〜５０ｐｐｍ、さらには１〜３０ｐｐｍ、にすることが好ましい。インキ組成物中の含水率が、１００ｐｐｍを超えると、インキ状態での量子ドットの耐久性低下、および、印刷物中の量子ドットの耐久性低下が生じる場合があり、印刷物にブツが発生しやすくなる場合がある。

カールフィッシャー法に従う含水率測定方法としては、例えば、測定機としてカールフィッシャー水分測定装置ＣＡ−０５（三菱化学（株）製）、水分気化装置としてＶＡ−０５（同）、内部液：アクアミクロンＣＸμ、外部液：アクアミクロンＡＸ、窒素気流量：２００ｍｌ／分、加熱温度：１５０℃の条件で容易に測定することができる。

本発明のインキ組成物の製造方法において、本発明で規定する含水率を０．５ｗｔ％以下とする方法に関しては特に制限はないが、インクを加熱することによりあるいは減圧により、インク中に溶解する水分を除去したインクを用いる方法が挙げられる。

本発明において、インキ組成物の溶存酸素濃度を本発明で好ましい範囲に制御する方法及びインクの含水率を本発明で好ましい範囲に制御する方法としては、特に制限はないが、インキ組成物を調製した後、直ちに、中空糸膜を用いた脱気モジュール（例えば、三菱レイヨン（株）ＭＨＦシリーズ、大日本インキ化学工業（株）ＳＥＰＡＲＥＬシリーズ（例えば、ＳＥＰＡＲＥＬ ＰＦ−００４Ｄ））を用いて脱気する方法、あるいは真空ポンプ等を用いて減圧脱気処理（例えば、１３．３Ｐａ〜５．０ｋＰａの減圧度で、２０〜７０℃にて減圧脱気）により制御することができる。

＜印刷物＞
本発明の印刷物は、基材上に本発明のインキ組成物を成膜、または塗布することで得ることができる。公知の湿式成膜法、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いて作製することができる。
基材としては、ガラス板や樹脂板などが挙げられる。

このうち本発明に用いるインクジェット印刷方式として、記録媒体に対しインクジェットインキを１回だけ吐出して記録するシングルパス方式、及び、記録媒体の最大記録幅の間を、記録媒体の搬送方向と直行する方向に短尺のシャトルヘッドを往復走査させながら記録を行うシリアル型方式の何れを採用しても良い。またインクジェット記録装置としては、インクジェットインキを吐出するインクジェットヘッド（インク吐出手段）と、インクジェットヘッドから吐出されたインキを乾燥させる乾燥工程を備える必要がある。インクジェットヘッドからインキが吐出されると、吐出されたインキは印刷基材上に着弾し画像が記録され、画像は印刷基材が搬送されるに従い、乾燥装置内に搬送され、乾燥処理が行われる。

インクジェット法には特に制限は無く、公知の方法、例えば静電誘引力を利用してインキを吐出させる電荷制御方法、ピエゾ素子の振動圧力を利用するドロップオンデマンド方式（圧力パルス方式）、電気信号を音響ビームに変えインキに照射して放射圧を利用しインキを吐出させる音響インクジェット方式、及びインキを加熱して気泡を形成し、生じた圧力を利用するサーマルインクジェット（バブルジェット（登録商標））方式等の何れであっても良い。

またインクジェット法で用いるインクジェットヘッドは、オンデマンド方式でもコンティニアス方式でも構わない。さらに吐出法式としては、電気‐機械変換方式（例：シングルキャビティー型、ダブルキャビティー型、ベンダー型、ピストン型、シェアモード型、シェアードウォール型等）、電気‐熱変換方式（例：サーマルインクジェット型、バブルジェット（登録商標）型等）、静電吸引方式（例：電解制御型、スリットジェット型等）、及び放電方式（例：スパークジェット型等）などを具体的な例として挙げる事ができるが、何れの吐出方式を用いても構わない。なお、インクジェット法により記録を行う際に使用するインクノズル等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択する事ができる。

インクジェットヘッドから吐出されるインキの液滴量としては、乾燥負荷軽減効果が大きく、画像品質の向上という点でも、０．２〜２０ピコリットル（ｐＬ）が好ましく、１〜１５ピコリットル（ｐＬ）がより好ましい。

＜波長変換フィルム、カラーフィルター＞
本発明の最終形態である波長変換フィルムおよびカラーフィルターは、光源からの光を吸収させ、吸収されなかった透過光または光吸収によって生じた蛍光発光によって所望の波長の光を取り出す際に用いられるものである。特に本発明において量子ドットを使用する場合には、優れた量子収率の蛍光発光を利用することになる。本発明の波長変換フィルムは、本発明のインキ組成物を基材に塗布することで得られ、緑色と赤色の蛍光色を発する量子ドットを含有させた印刷フィルムで、主にディスプレイパネルや照明において光源の青色光を白色光に変換する、あるいは色調の整っていない疑似白色光などを所望の色調に調整する平面状の部材である。基材としては、ガラス板や樹脂板などが挙げられる。
基材としては、ガラス板や樹脂板などが挙げられる。

また、本発明のカラーフィルターは本発明のインキ組成物を用いてフィルターセグメントの少なくとも一つのセグメントを形成することで得られるカラーフィルターであり、特に液晶ディスプレイパネルに使用されるものであり、具体的には、ガラス等の透明な基板の表面に３種以上の異なる色相の微細なストライプ状のフィルターセグメントを平行または交差して配置したもの、あるいは微細なモザイク状のフィルターセグメントを縦横一定の配列に配置したものからなっている。本発明においては、従来の白色光源から青、緑、赤の光を取り出す光吸収型カラーフィルターとは異なり、主に青色ＬＥＤなどを光源に、蛍光フィルターによって緑、赤を取り出すものである。量子ドットを使用した場合、光吸収による減光ではなく量子収率の高い蛍光での取出しになるためエネルギーロスが減るとともに、波長分布が狭く純色に近い色が得られるため、高効率のディスプレイを作製可能である。

カラーフィルターの製造は、一般的には、ベタ塗りの薄膜を作製後に、パターニング露光と現像での不要部取り除きというレジスト法によって作製することが多く、本発明における微粒子組成物においても適用することは可能であるが、工程数の違いによる生産性および現像工程での材料ロスがないという低コスト観点から、本発明においてはインクジェット法を適用することが有利である。

＜発光層＞
また、本発明の最終形態の一つであるインキ組成物を使用して形成された発光層を有する発光素子について詳細に説明する。

本発明における発光素子は、一般には電界発光素子と称され、陽極と陰極間に一層または多層の有機層を形成した素子から構成されるが、ここで、一層型電界発光素子とは、陽極と陰極との間に発光層のみからなる素子を指す。一方、多層型電界発光素子とは、発光層の他に、発光層への正孔や電子の注入を容易にしたり、発光層内での正孔と電子との再結合を円滑に行わせたりすることを目的として、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子注入層などを積層させたものを指す。また、発光層と陽極との間で発光層に隣接して存在し、発光層と陽極、又は発光層と、正孔注入層若しくは正孔輸送層とを隔離する役割をもつ層であるインターレイヤー層を挿入しても良い。したがって、多層型電界発光素子の代表的な素子構成としては、（１）陽極／正孔注入層／発光層／陰極、（２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極、（３）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極、（４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極、（５）陽極／正孔注入層／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（７）陽極／発光層／正孔阻止層／電子注入層／陰極、（８）陽極／発光層／電子注入層／陰極（９）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／陰極、（１０）陽極／正孔注入層／インターレイヤー層／発光層／電子注入層／陰極、（１１）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／インターレイヤー層／発光層／電子注入層／陰極、等の多層構成で積層した素子構成が考えられる。

また、上述した各層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良く、いくつかの層が繰り返し積層されていても良い。そのような例として、近年、光取り出し効率の向上を目的に、上述の多層型電界発光素子の一部の層を多層化する「マルチ・フォトン・エミッション」と呼ばれる素子構成が提案されている。これは例えば、ガラス基板／陽極／正孔輸送層／電子輸送性発光層／電子注入層／電荷発生層／発光ユニット／陰極から構成される電界発光素子に於いて、電荷発生層と発光ユニットの部分を複数層積層するといった方法が挙げられる。

正孔注入層には、発光層に対して優れた正孔注入効果を示し、かつ陽極界面との密着性と薄膜形成性に優れた正孔注入層を形成できる正孔注入材料が用いられる。また、このような材料を多層積層させ、正孔注入効果の高い材料と正孔輸送効果の高い材料とを多層積層させた場合、それぞれに用いる材料を正孔注入材料、正孔輸送材料と呼ぶことがある。本発明の電界発光素子用材料は、正孔注入材料、正孔輸送材料いずれにも好適に使用することができる。これら正孔注入材料や正孔輸送材料は、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい必要がある。このような正孔注入層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０^４ 〜１０^６ Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０^−６ｃｍ^２ ／Ｖ・秒であるものが好ましい。本発明の電界発光素子用材料と混合して使用することができる、他の正孔注入材料および正孔輸送材料としては、上記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、電界発光素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。

このような正孔注入材料や正孔輸送材料としては、具体的には、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等をあげることができる。

このうち、好適なものとして、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物およびスチリルアミン化合物を用いることもできる。例えば、２個の縮合芳香族環を分子内に有する４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル等や、トリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン等をあげることができる。また、正孔注入材料として銅フタロシアニンや水素フタロシアニン等のフタロシアニン誘導体も挙げられる。さらに、その他、芳香族ジメチリデン系化合物、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料や正孔輸送材料として使用することができる。

さらに、正孔注入層に使用できる材料としては、酸化モリブデン（ＭｎＯ_ｘ）、酸化バナジウム（ＶＯ_ｘ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ_ｘ）、酸化銅（ＣｕＯ_ｘ）、酸化タングステン（ＷＯ_ｘ）、酸化イリジウム（ＩｒＯ_ｘ）などの無機酸化物もあげられる。

上に説明した正孔注入層を形成するには、上述の化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化する。正孔注入層の膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。

インターレイヤー層に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等の芳香族アミンを含むポリマーが例示される。また、インターレイヤー層の成膜方法は、高分子量の材料を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からのインターレイヤー層の成膜には、公知の湿式成膜法、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。

インターレイヤー層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２〜５００ｎｍであり、より好ましくは５〜２００ｎｍである。

一方、電子注入層には、発光層に対して優れた電子注入効果を示し、かつ陰極界面との密着性と薄膜形成性に優れた電子注入層を形成できる電子注入材料が用いられる。そのような電子注入材料の例としては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ペリレンテトラカルボン酸誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、シロール誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、カルシウムアセチルアセトナート、酢酸ナトリウムなどが挙げられる。また、セシウム等の金属をバソフェナントロリンにドープした無機／有機複合材料や、第５０回応用物理学関連連合講演会講演予稿集、Ｎｏ．３、１４０２頁、２００３年発行記載のＢＣＰ、ＴＰＰ、Ｔ５ＭＰｙＴＺ等も電子注入材料の例として挙げられるが、素子作成に必要な薄膜を形成し、陰極からの電子を注入できて、電子を輸送できる材料であれば、特にこれらに限定されるものではない。

上記電子注入材料の中で好ましいものとしては、金属錯体化合物、含窒素五員環誘導体、シロール誘導体、トリアリールホスフィンオキシド誘導体が挙げられる。本発明に使用可能な好ましい金属錯体化合物としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体が好適である。８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）クロロアルミニウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（５−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、トリス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２、４−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２、５−ジメチル−８−ヒドロキシキノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−５−フェニル−８−ヒドロキシキノリナート）（フェノラート）ガリウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−ヒドロキシキノリナート）（４−シアノ−１−ナフトラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム等のガリウム錯体化合物の他、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等の金属錯体化合物が挙げられる。

また、本発明に使用可能な電子注入材料の内、好ましい含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体があげられ、具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−(５ −フェニルオキサジアゾリル)］ベンゼン、１，４−ビス［２−(５−フェニルオキサジアゾリル)−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ− ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−(５−フェニルチアジアゾリル)］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−(５−フェニルトリアゾリル)］ベンゼン等が挙げられる。

さらに、電子注入層に使用できる材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）などの無機酸化物もあげられる。

さらに、正孔阻止層には、発光層を経由した正孔が電子注入層に達するのを防ぎ、薄膜形成性に優れた層を形成できる正孔阻止材料が用いられる。そのような正孔阻止材料の例としては、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム等のアルミニウム錯体化合物や、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（４−フェニルフェノラート）ガリウム等のガリウム錯体化合物、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等の含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。

本発明の電界発光素子の発光層としては、以下の機能を併せ持つものが好適である。
注入機能；電界印加時に陽極または正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極または電子注入層より電子を注入することができる機能
輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさには、違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよい。

本発明のインキ組成物を使用して形成された発光層は好適に用いることが出来る。本発明のインキ組成物を使用して形成された発光層を得るために、本発明のインキ組成物に他の発光性の化合物と組み合わせて発光層を形成することができる。

本発明のインキ組成物を使用して形成された発光層をえるために、本発明のインキ組成物に添加しても良い、青色から緑色の発光を示す化合物としては、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼン系化合物を用いることができる。

前記金属キレート化オキシノイド化合物としては、トリス（８−キノリノール）アルミニウム等の８−ヒドロキシキノリン系金属錯体や、ジリチウムエピントリジオン等が好適な化合物としてあげることができる。

また、前記スチリルベンゼン系化合物としては、例えば、ジスチリルピラジン誘導体も、発光層の材料として用いることができる。このほか、ポリフェニル系化合物も、本発明のインキ組成物に加えても良い。

さらに、上述した蛍光増白剤、金属キレート化オキシノイド化合物およびスチリルベンゼン系化合物等以外に、例えば１２−フタロペリノン、１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、ナフタルイミド誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、高分子化合物、９，９’，１０，１０’−テトラフェニル−２，２’−ビアントラセン、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）誘導体、ポリフルオレン誘導体やそれら共重合体等が挙げられる。さらにビス（２−メチル−８−キノリノラート）（パラ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム（ＩＩＩ）等のフェノラート配位子と、置換８−キノリノラート配位子を同時に有する金属錯体が挙げられる。

白色の発光を得る場合の発光層としては特に制限はないが、下記のものを用いることができる。電界発光積層構造体の各層のエネルギー準位を規定し、トンネル注入を利用して発光させるもの（欧州特許第０３９０５５１号公報）。
同じくトンネル注入を利用する素子で実施例として白色発光素子が記載されているもの（特開平３−２３０５８４号公報）。二層構造の発光層が記載されているもの（特開平２−２２０３９０号公報および特開平２−２１６７９０号公報）。発光層を複数に分割してそれぞれ発光波長の異なる材料で構成されたもの（特開平４−５１４９１号公報）。青色発光体（蛍光ピーク３８０〜４８０ｎｍ）と緑色発光体（４８０〜５８０ｎｍ）とを積層させ、さらに赤色蛍光体を含有させた構成のもの（特開平６−２０７１７０号公報）。青色発光層が青色蛍光色素を含有し、緑色発光層が赤色蛍光色素を含有した領域を有し、さらに緑色蛍光体を含有する構成のもの（特開平７−１４２１６９号公報）。

さらに、本発明の電界発光素子の陽極に使用される材料は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物またはこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ_２ 、ＺｎＯ等の導電性材料が挙げられる。この陽極を形成するには、これらの電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることができる。この陽極は、上記発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくなるような特性を有していることが望ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下としてあるものが好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料にもよるが通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。

また、本発明の電界発光素子の陰極に使用される材料は、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。

本発明の電界発光素子を作製する方法については、上記の材料および方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、および必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で電界発光素子を作製することもできる。

この電界発光素子は、透光性の基板上に作製する。この透光性基板は電界発光素子を支持する基板であり、その透光性については、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上、好ましくは９０％以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。

これら基板は、機械的、熱的強度を有し、透明であれば特に限定されるものではないが、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポリサルフォン樹脂などの板が挙げられる。

本発明の電界発光素子の発光層を除く各層の形成方法としては、真空蒸着、電子線ビーム照射、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、もしくはスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかの方法を適用することができる。また、特表２００２−５３４７８２や、Ｓ．Ｔ．Ｌｅｅ， ｅｔ ａｌ．， Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＩＤ’０２， ｐ．７８４（２００２）に記載されているＬＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、レーザー熱転写）法や、印刷（オフセット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷）、インクジェット等の方法を適用することもできる。

ポリマー材料を除く有機層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。また特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、有機層を形成することができる。各層の膜厚は特に限定されるものではないが、膜厚が厚すぎると一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要となり効率が悪くなり、逆に膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生し、電界を印加しても充分な発光輝度が得にくくなる。したがって、各層の膜厚は、１ｎｍから１μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がより好ましい。

また、電界発光素子の温度、湿度、雰囲気等に対する安定性向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、樹脂等により素子全体を被覆や封止を施したりしても良い。特に素子全体を被覆や封止する際には、光によって硬化する光硬化性樹脂が好適に使用される。

本発明の電界発光素子に印加する電流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子破壊しない範囲内であれば特に制限はないが、素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。

本発明の電界発光素子の駆動方法は、パッシブマトリクス法のみならず、アクティブマトリックス法での駆動も可能である。また、本発明の電界発光素子から光を取り出す方法としては、陽極側から光を取り出すボトム・エミッションという方法のみならず、陰極側から光を取り出すトップ・エミッションという方法にも適用可能である。これらの方法や技術は、城戸淳二著、「電界発光のすべて」、日本実業出版社（２００３年発行）に記載されている。

本発明の電界発光素子のフルカラー化方式の主な方式としては、３色塗り分け方式、色変換方式、カラーフィルター方式が挙げられる。３色塗り分け方式では、シャドウマスクを使った蒸着法や、インクジェット法や印刷法が挙げられる。また、特表２００２−５３４７８２や、Ｓ．Ｔ．Ｌｅｅ， ｅｔ ａｌ．， Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＩＤ’０２， ｐ．７８４（２００２）に記載されているレーザー熱転写法（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ法ともいわれる）も用いることができる。色変換方式では、青色発光の発光層を使って、蛍光色素を分散した色変換（ＣＣＭ）層を通して、青色より長波長の緑色と赤色に変換する方法である。カラーフィルター方式では、白色発光の電界発光素子を使って、液晶用カラーフィルターを通して３原色の光を取り出す方法であるが、これら３原色に加えて、一部白色光をそのまま取り出して発光に利用することで、素子全体の発光効率をあげることもできる。

さらに、本発明の電界発光素子は、マイクロキャビティ構造を採用しても構わない。これは、電界発光素子は、発光層が陽極と陰極との間に挟持された構造であり、発光した光は陽極と陰極との間で多重干渉を生じるが、陽極及び陰極の反射率、透過率などの光学的な特性と、これらに挟持された有機層の膜厚とを適当に選ぶことにより、多重干渉効果を積極的に利用し、素子より取り出される発光波長を制御するという技術である。これにより、発光色度を改善することも可能となる。この多重干渉効果のメカニズムについては、Ｊ．Ｙａｍａｄａ等によるＡＭ−ＬＣＤ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ，ＯＤ−２，ｐ．７７〜８０（２００２）に記載されている。

以上述べたように、本発明のインキ組成物を使用して形成された発光層を用いた電界発光素子は、低い駆動電圧で長時間の発光を得ることが可能である。故に、本電界発光素子は、壁掛けテレビ等のフラットパネルディスプレイや各種の平面発光体として、さらには、複写機やプリンター等の光源、液晶ディスプレイや計器類等の光源、表示板、標識灯等への応用が考えられる。

＜樹脂溶液１の調製＞
セパラブル４口フラスコに温度計、冷却管、窒素ガス導入管、撹拌装置を取り付けた反応容器にキシレン７０．０部を仕込み、８０℃に昇温し、反応容器内を窒素置換した後、滴下管よりｎ−ブチルメタクリレート１８．０部、メタクリル酸メチル１２．０部、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル０．４部の混合物を２時間かけて滴下した。滴下終了後、更に３時間反応を継続し、重量平均分子量（Ｍｗ）２６０００のアクリル樹脂の溶液を得た。室温まで冷却した後、樹脂溶液約２ｇをサンプリングして１８０℃、２０分加熱乾燥して不揮発分を測定し、先に合成した樹脂溶液に不揮発分が２０重量％になるようにキシレンを添加してアクリル樹脂溶液１を調製した。

＜樹脂溶液２の調製＞
セパラブル４口フラスコに温度計、冷却管、窒素ガス導入管、撹拌装置を取り付けた反応容器にキシレン７０．０部を仕込み、８０℃に昇温し、反応容器内を窒素置換した後、滴下管よりｎ−ブチルメタクリレート１４．０部、メタクリル酸メチル１０．０部、スチレン６．０部、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル０．４部の混合物を２時間かけて滴下した。滴下終了後、更に３時間反応を継続し、重量平均分子量（Ｍｗ）２６０００のアクリル樹脂の溶液を得た。室温まで冷却した後、樹脂溶液約２ｇをサンプリングして１８０℃、２０分加熱乾燥して不揮発分を測定し、先に合成した樹脂溶液に不揮発分が２０重量％になるようにキシレンを添加してアクリル樹脂溶液２を調製した。

＜樹脂溶液３の調製＞
ブチラール樹脂エスレックBL-S（積水化学製）をNV１０％となるようにトルエンに溶解した。

＜樹脂溶液４の調製＞
ノルボルネン２００部、シクロペンテン５０部、１−ヘキセン１８０部およびトルエン７５０部を、窒素置換した反応容器に仕込み、６０℃に加熱した。これに、トリエチルアルミニウム（１．５ｍｏｌ／Ｌ）のトルエン溶液０．６２部、ｔｅｒｔ−Ｃ_４Ｈ_５ＯＨ／ＣＨ_３ＯＨで変性（ｔｅｒｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＯＨ／ＣＨ_３ＯＨ／Ｗ＝０．３５／０．３／１；モル比）したＷＣｌ_６溶液（濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌ）３．７部を加え、８０℃で３時間加熱攪拌して、開環重合反応、水素添加反応を行い、次いでトリメチルベンゼンを用いてNVを１０％に調製して樹脂溶液4を得た。

＜量子ドット（分散液１）の合成＞
無水酢酸亜鉛０．５５部、ドデカンチオール７．０部、オレイルアミン５．０部を加熱溶解し添加液を作成した。塩化インジウム０．２２部、オクチルアミン８．２５部を反応容器に入れ、窒素バブリングを行いながら、１６５℃に加熱した。塩化インジウムが溶解した後、ジエチルアミノホスフィン０．８６部を短時間で注入し、２０分間１６５℃に制御した。その後、急冷し、４０℃に冷却した。上記添加液を注入し、２４０℃２時間加熱した後に、室温まで放冷した。放冷後、ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った。トルエンを用いて、固形分濃度１０％に調製し、ドデカンチオールで表面処理された量子ドットを含む分散液１を得た。

＜量子ドット（分散液２）の調整＞
量子ドットの分散液１を、トルエンを用いて固形分濃度１％に希釈した。５質量％の１２−メルカプトドデカン酸のＰＧＭＡｃ（プロピレングリコール−１−モノメチルエーテル−２−アセタート）溶液を、上述の希釈した分散液１に添加し、１２時間撹拌した。ＰＧＭＡｃとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った。ＰＧＭＡｃを用いて、固形分濃度１０％に調製し、１２−メルカプトドデカン酸で表面処理された量子ドットを含有する分散液２を得た。

＜インキ組成物の作成＞
（調整例１〜４）
表１に示した組成にて、密閉できる容器に、量子ドット溶液、樹脂溶液、溶剤、重合性単量体、感応性物質の順番で計量し、その後、密閉して、３分間、振とうしてインキ組成物を作成した。

（実施例１）
表１中のインキ１を、減圧オーブンを用いて、減圧度と温度を調整することで、後述の方法で測定した溶存酸素濃度が１０ｐｐｍとなる条件で脱気し、脱気後、容器及び蓋がいずれもステンレス製の容器に密閉した。さらに、後述の方法で含水率を測定した。続いて、後述の方法でインキ組成物を評価した。

（実施例２〜１２）
表１中のインキ１の代わりに表２に示す表１中のインキを用い、溶存酸素濃度が表２に示す値となる条件とした以外は、実施例１と同様にインキ組成物を調整し、評価した。

（実施例１３）
表１中のインキ１を、減圧度と温度を調整することで、後述の方法で測定した溶存酸素濃度が１３ｐｐｍとなる条件で脱気した。その後、中空糸フィルターを用いて、溶存酸素濃度が１ｐｐｍになるまで脱気を実施した後、容器及び蓋がいずれもステンレス製の容器に密閉した。さらに、後述の方法で含水率を測定した。続いて、後述の方法でインキ組成物を評価した。

（実施例１４）
量子ドット分散液１、樹脂溶液４、および、メシチレンをモレキュラーシーブで脱水した以外は、表１中のインキ１と同様にインキを調整し、インキ５とした。調整したインキ５を、減圧オーブンを用いて、減圧度と温度を調整することで、後述の方法で測定した溶存酸素濃度が１３ｐｐｍとなる条件で脱気し、その後、容器及び蓋がいずれもステンレス製の容器に密閉した。さらに、後述の方法で含水率を測定した。続いて、後述の方法でインキ組成物を評価した。

（比較例１）
表１中のインキ１を、そのまま用いて、後述の方法で溶存酸素濃度を測定した。さらに、後述の方法で含水率を測定した。続いて、後述の方法でインキ組成物を評価した。

（比較例２）
表１中のインキ１を、減圧オーブンを用いて、減圧度と温度を調整することで、後述の方法で測定した溶存酸素濃度が１２ｐｐｍとなる条件で脱気し、脱気後、容器及び蓋がいずれもステンレス製の容器に密閉した。さらに、後述の方法で含水率を測定した。続いて、後述の方法でインキ組成物を評価した。

＜溶存酸素の測定＞
溶存酸素の測定は、酸素濃度計として、Ｈａｃｈ Ｕｌｔｒａ Ａｎａｌｙｔｉｃｓ Ｊａｐａｎ Ｉｎｃ．製の０２分析計 ｏｒｂｉｓｐｈｅｒｅを用いて測定した。なお、測定の際には、測定値がインクの影響を受けないよう、隔膜にはパーフルオロ素材を用い、測定前後で一定の酸素濃度が得られていることを確認しながら測定を行った。

＜含水率の測定＞
カールフィッシャー水分測定装置ＭＫＣ−６１０（京都電子工業（株）製）で測定した。
＜インキ組成物評価＞
（インキ安定性評価）
インキ組成物を窒素で置換されたブローブボックス内で、密閉可能な石英セルに封入し、ＱＹ（量子収率）維持率を確認した。ＱＹ維持率は初期のＱＹを１として、２週間後の比率を示した。
量子収率の測定条件を以下に示す。
測定機 絶対ＰＬ量子収率測定装置Ｃ９９２０−０２
励起波長 ４００ｎｍ積分範囲 ３７５−４２５ｎｍ
蛍光積分範囲 ４３０−８００ｎｍ

＜印刷性、印刷面上のブツの発生確認、および、印刷物耐性の評価＞
下記のインクジェット吐出条件で、印刷性および印刷物耐性を評価した。
・インクジェット吐出試験条件
印刷機 ＤｉｍａｔｉｘＭａｔｅｒｉａｌｓＰｒｉｎｔｅｒ
カートリッジ １０ＤｉｍａｔｉｘＭａｔｅｒｉａｌｓＣａｒｔｒｉｇｅｓ、１０ｐＬ
基板温度 ３０℃
印刷後乾燥 ４０℃２０分

（印刷性評価｝
各インク１．５ｍＬを吐出し続け、インクがなくなるまでに発生した曲がり、欠射について目視観察し、下記の基準に従って出射性の評価を行った。

◎：全ノズルが、安定して出射した
○：１のノズルで曲がり、欠射が認められた
△：２〜３のノズルで曲がり、欠射が認められた
×：4以上のノズルで曲がり、欠射が認められた

（ブツの発生評価）
上述のインクジェット印刷条件で、洗浄した１００ｍｍ×１００ｍｍのガラス基板上に９０ｍｍ×９０ｍｍのベタパターンを印刷した。その後、印刷物を光学顕微鏡で観察しブツの数を観察し、観察された数に応じて以下の指標で評価した。

◎：ブツが無い
○：ブツの数が３以下
△：ブツの数が１０以下
×：ブツの数が１１以上

（印刷物安定性評価）
上述のインクジェット印刷条件で、直径１２ｍｍ基板丸カバーガラス（松浪ガラス工業製）の上に、直径１０ｍｍの円形のベタパターンを印刷した。得られた印刷物で、ＱＹ（量子収率）維持率を確認した。ＱＹ維持率は初期のＱＹを１として、２週間後の比率を示した。
量子収率の測定条件を以下に示す。
測定機 絶対ＰＬ量子収率測定装置Ｃ９９２０−０２
励起波長 ４００ｎｍ積分範囲 ３７５−４２５ｎｍ
蛍光積分範囲 ４３０−８００ｎｍ

溶存酸素濃度および含水率の両方が低い実施例１〜１２では、全ての評価項目において優れた特性であることが解る。溶存酸素濃度および含水率の一方が高い状態である実施例１３〜１４は印刷性が僅かに劣るものの、耐久性は十分に優れており実用に耐えうる水準と言える。しかし、溶存酸素濃度および含水率が本発明の範囲に無い比較例１および２では、全ての評価項目で劣る結果となった。
溶存酸素や含水率の一方だけでも低いことで、優れた耐性となる理由は明らかではないが、水と酸素の両方が存在することが量子ドットの劣化を加速している可能性がある。また、インキジェットノズルにおいて溶存酸素が気泡発生の原因と成り、印刷性が低下することに加え、微細な気泡がブツの発生要因となっていることが想定される。また、含水率が高いと、量子ドットの分散性が悪い水が溶剤の乾燥過程で濃縮されることで量子ドットが凝集し、結果、印刷性の低下やブツの発生を招いていると考えられる。さらに、溶存酸素と含水率の双方が高い場合、発生したインキ中の気泡における気液界面で量子ドットの凝集物の発生が加速し、印刷性やブツの発生が急激に悪化すると仮説立てている。
以上に示す様に、本発明の量子ドット含有インキ組成物によって、インキとしての安定性、および、印刷物の安定性に優れ、さらに、印刷性や印刷物のブツ発生の抑制において優れた特性を実現可能である。

本発明のインキ組成物を用いることで、発光特性および安定性に優れた波長変換フィルム、カラーフィルター、および発光素子を作成することができると想定される。

Claims (9)

1. 半導体ナノ粒子（Ａ）、およびリガンド（Ｂ）から成る量子ドット（Ｃ）と、液状媒体（Ｄ）とを少なくとも含むインキ組成物であって、
   インキ組成物中の含水率が１００ｐｐｍ以下 であることを特徴とするインキ組成物。
2. 半導体ナノ粒子（Ａ）、およびリガンド（Ｂ）から成る量子ドット（Ｃ）と、液状媒体（Ｄ）とを少なくとも含むインキ組成物であって、
   液状媒体（Ｄ）中の溶存酸素が１０ｐｐｍ以下 であることを特徴とするインキ組成物。
3. 半導体ナノ粒子（Ａ）、およびリガンド（Ｂ）から成る量子ドット（Ｃ）と、液状媒体（Ｄ）とを少なくとも含むインキ組成物であって、
   インキ組成物中の含水率が１００ｐｐｍ以下であり、かつ、液状媒体（Ｄ）中の溶存酸素が１０ｐｐｍ以下 であることを特徴とするインキ組成物。
4. さらに樹脂を含有することを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載のインキ組成物。
5. 請求項１ないし４いずれか記載のインキ組成物を含有することを特徴とするインクジェットインキ。
6. 請求項１ないし４いずれか記載のインキ組成物を用いて形成された印刷物。
7. 基材上に、請求項１ないし４いずれか記載のインキ組成物を用いて形成された波長変換フィルム。
8. 基材上に、請求項１ないし４いずれか記載のインキ組成物を用いて形成されたカラーフィルター。
9. 発光層が請求項１ないし４いずれか記載のインキ組成物を用いて形成された発光素子。