JP2019114710A - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光時に発光領域と非発光領域とのコントラストが大きく、かつ、非発光時に発光装置の上面全体が波長変換部材の色彩となる発光装置および発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】発光装置100は、発光面と側面を有する発光素子1と、発光素子1の発光面上に、第1面と前記第1面の反対側に第2面を有し、前記第1面に前記発光面を対面させて設けられた波長変換部材3と、発光素子1の側面に設けられるとともに波長変換部材3の少なくとも一部の外側面を被覆する反射部材10と、波長変換部材3の周縁に隣接して、反射部材10の上面に設けられた被覆部材5と、を備え、被覆部材5は、顔料および染料のいずれか1つを含有しており、波長変換部材3の体色と被覆部材5の体色は同系色である。【選択図】図1B

Description

本開示は、発光装置および発光装置の製造方法に関する。
例えば特許文献1には、発光素子上に蛍光体板を接着し、その周囲を光反射性の白色部材で被覆した発光装置が記載されている。このような発光装置の上面は、蛍光体板に含有される蛍光体の色(例えば黄色)と、白色部材の色(白色)の2色で構成される。
特開2013−12545号公報
従来の発光装置は、例えばスマートフォンのカメラのフラッシュライトなどの照明装置の光源として使用した場合、非発光時に、レンズに蛍光体の色と白色部材の色が写り込んでしまう。そのため、例えば、スマートフォンやそのカバーのデザインによっては、従来の発光装置は、非発光時に発光装置の上面全体が波長変換部材の色彩とならず、外観が好まれない場合がある。
本発明に係る実施形態は、発光時に発光領域と非発光領域とのコントラストが大きく、かつ、非発光時に発光装置の上面全体が波長変換部材の色彩となる発光装置および発光装置の製造方法を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光装置は、発光面と側面を有する発光素子と、前記発光素子の発光面上に、第1面と前記第1面の反対側に第2面を有し、前記第1面に前記発光面を対面させて設けられた波長変換部材と、前記発光素子の側面に設けられるとともに前記波長変換部材の少なくとも一部の外側面を被覆する反射部材と、前記波長変換部材の周縁に隣接して、前記反射部材の上面に設けられた被覆部材と、を備え、前記被覆部材は、顔料および染料のいずれか1つを含有しており、前記波長変換部材の体色と前記被覆部材の体色は同系色である。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、第1反射部材と顔料および染料のいずれか1つを含有する被覆部材が積層された積層体と、前記積層体の貫通孔内に配置された波長変換部材を有する板状部材を準備する工程と、前記第1反射部材に囲まれた前記波長変換部材の第1面に、発光面を対面させて発光素子を載置する工程と、前記発光素子の側面を第2反射部材で被覆する工程を含む。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子と、前記発光素子の発光面に配置される波長変換部材と、前記発光素子の側面および前記波長変換部材の側面に配置される反射部材を有する発光構造体を準備する工程と、前記波長変換部材の周縁の前記反射部材上に、顔料および染料のいずれか1つを含有する被覆部材を配置する工程を含む。
本発明に係る実施形態の発光装置によれば、発光時に発光領域と非発光領域とのコントラストを大きくでき、かつ、非発光時に発光装置の上面全体を波長変換部材の色彩とすることができる。
本発明に係る実施形態の発光装置の製造方法によれば、発光時の発光領域と非発光領域とのコントラストが大きく、かつ、非発光時に発光装置の上面全体が波長変換部材の色彩となる発光装置を得ることができる。
第1実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。 図1AのIB−IB線における断面図である。 マンセル表色系における色相の等色相面(5Y)を模式的に示すグラフである。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法において、積層体を準備する工程を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法において、積層体に貫通孔を設ける工程を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法において、波長変換部材を充填する工程を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子などを第2反射部材で被覆する工程を示す断面図である。 第1実施形態に係る発光装置の製造方法において、第2反射部材から電極を露出させる工程を示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。 図6AのVIB−VIB線における断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法において、シート上に波長変換部材を形成する工程を示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子を載置する工程を示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子などを反射部材で被覆する工程を示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法において、反射部材から電極を露出させる工程を示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法において、シート状の被覆部材を準備する工程を示す断面図である。 第2実施形態に係る発光装置の製造方法において、シート状の被覆部材を貼り合わせる工程を示す断面図である。 第3実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。 図10AのXB−XB線における断面図である。 第3実施形態に係る発光装置の製造方法のフローチャートである。 第3実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子上に波長変換部材を配置する工程を示す断面図である。 第3実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子などを反射部材で被覆する工程を示す断面図である。 第3実施形態に係る発光装置の製造方法において、反射部材に凹部を形成する工程を示す断面図である。 第3実施形態に係る発光装置の製造方法において、凹部内に被覆部材を充填する工程を示す断面図である。 第3実施形態に係る発光装置の製造方法において、装置ごとに切断する工程を示す断面図である。 他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。 他の実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。
<実施形態>
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置および発光装置の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置などは、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係などは、説明を明確にするために誇張していることがある。
<第1実施形態>
[発光装置]
まず、第1実施形態に係る発光装置について説明する。
図1A、図1Bに示すように、発光装置100は、発光素子1と、反射部材10と、波長変換部材3と、被覆部材5と、を備える。また、発光装置100は、発光素子1の側面に導光部材6が設けられている。
発光装置100の上面は、発光領域と非発光領域からなる。なお、発光領域とは、発光装置100の上面において、発光時に発光する領域(例えば、波長変換部材3)であり、非発光領域とは発光領域以外の領域(例えば、被覆部材5)である。
(発光素子)
発光素子1は、LED素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子1は、種々の半導体で構成される素子構造に正負一対の電極11,12が設けられたものであればよい。特に、発光素子1は、蛍光体を効率良く励起可能な窒化物半導体(InAlGa1−x−yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)のものが好ましい。この他、発光素子1は、硫化亜鉛系半導体、セレン化亜鉛系半導体、炭化珪素系半導体のものでもよい。
(反射部材)
反射部材10は、発光素子1からの光を反射して、波長変換部材3を介して光を取り出すためのものである。反射部材10は、第1反射部材2と第2反射部材4とを有する。
第1反射部材2は、発光素子1が発光し、横方向に進行する光を、発光装置100の発光領域である波長変換部材3側に反射するための部材である。また、第1反射部材2は、発光時の発光領域と非発光領域とのコントラスト(輝度の差)を大きくするための部材である。
第1反射部材2は、波長変換部材3の外側面の一部を被覆している。ここでは、第1反射部材2は、被覆部材5の内側面の下端となる波長変換部材3の外側面の部位から、波長変換部材3の外側面の下端までを被覆している。
波長変換部材3の外側面における第1反射部材2の上下方向の厚みは、波長変換部材3の外側面における被覆部材5の上下方向の厚みよりも厚い方が好ましい。このような構成によれば、発光時の発光領域と非発光領域とのコントラストをより大きくすることができる。発光時の発光領域と非発光領域とのコントラストをより大きくする観点から、波長変換部材3の外側面における第1反射部材2の上下方向の厚みは、波長変換部材3の外側面における被覆部材5の上下方向の厚みの2倍以上がより好ましく、4倍以上がさらに好ましい。
第2反射部材4は、発光素子1が発光し、横方向または下方向に進行する光を、発光装置100の発光領域である波長変換部材3側に反射するための部材である。
第2反射部材4は、発光素子1の側面および波長変換部材3の下方に設けられている。具体的には、第2反射部材4は、発光素子1の下面(電極11,12側)を被覆する。さらに、第2反射部材4は、発光素子1の側面のうち、導光部材6で被覆している領域は導光部材6を介して包囲するように被覆し、導光部材6で被覆していない領域は直接発光素子側面を被覆している。
なお、第2反射部材4は、ここでは、発光素子1の側面に形成された導光部材6を介して設けられているが、導光部材6を設けることなく、直接、発光素子1の側面に設けてもよい。
反射部材10は、例えば、反射物質を含有する樹脂層である。反射部材10は、母材あるいはバインダーとなる樹脂に、反射物質の他に、充填剤を含有して構成されてもよい。
バインダーは、前記した反射物質や充填剤を、反射部材10として発光素子1の側面および下面(電極11,12側)と、波長変換部材3の側面に結着させるための樹脂である。バインダーとなる樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、TPX樹脂、ポリノルボルネン樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。または、バインダーとなる樹脂としては、例えば、これらの変性樹脂やこれらの樹脂を1種以上含むハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂またはその変性樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、硬化後の体積収縮が少ないため、好ましい。
反射物質は、発光素子1が発光した光を反射する物質である。反射物質としては、例えば、シリカ、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化硼素などが挙げられる。また、シリコーンパウダーなどの樹脂の粉末を用いてもよい。
充填剤は、樹脂層である反射部材10の強度を上げるため、または、反射部材10の熱伝導率を上げるためなどの理由から添加されるものである。充填剤としては、例えば、ガラス繊維、ウィスカー、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化硼素、酸化亜鉛、窒化アルミニウムなどが挙げられる。
(導光部材)
導光部材6は、発光素子1から光を取り出しやすくし、発光素子1からの光を波長変換部材3に導光する部材である。導光部材6は、光束および光の取り出し効率を向上させることができる。
導光部材6は、波長変換部材3と発光素子1とを接合する接着部材が、発光素子1の側面に這い上がり、または、垂れ下がって形成されたものである。
導光部材6としては、例えば、透光性の樹脂材料を用いることができる。また、導光部材6は、前記した反射部材10の母材あるいはバインダーとなる樹脂などの透光性接着材料が挙げられる。また、シリカ、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、チタン酸カリウム、酸化亜鉛、窒化硼素などの拡散剤が含有されていてもよい。これにより、波長変換部材3に、より均等に光を入射することができ、発光装置100の色ムラを抑制することができる。
導光部材6は、図1Bに示すように、断面視で、発光素子1の下面(電極11,12側)から波長変換部材3に向かって、部材幅が広がるように三角形状に形成されている。このような形態とすることで、光束および光の取り出し効率がより向上する。ただし、導光部材6の形状は、特に規定されるものではない。例えば、導光部材6の形状は、第1反射部材2側に凸形状でもよいし、発光素子1側に凹形状でもよい。
導光部材6は、発光素子1の側面の一部を被覆していてもよく、光束および光の取り出し効率を向上させる観点から、発光素子1の側面の略全部を被覆していることがより好ましい。
また、導光部材6は波長変換部材3と発光素子1の間に配置されてもよい。
(波長変換部材)
波長変換部材3は、発光素子1が発光する波長の光の一部を吸収し、異なる波長の光に変換して発光する波長変換物質を含有する部材である。波長変換部材3で用いられる波長変換物質は、例えば蛍光体である。以下、波長変換物質は蛍光体であるものとして説明する。
波長変換部材3は、発光素子1の発光面上および導光部材6上に設けられている。
波長変換部材3の下面、すなわち、発光素子1の発光面と対面する面は、発光素子1の上面である発光面よりも大きく形成されている。
波長変換部材3の母材あるいはバインダーは、透光性の樹脂によって形成されていることが好ましい。ここでの樹脂としては、例えば、前記した反射部材10の母材あるいはバインダーとなる樹脂が挙げられる。なかでも、シリコーン樹脂またはその変性樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、硬化後の体積収縮が少ないため、好ましい。また、波長変換部材3の母材あるいはバインダーは、樹脂の他、セラミックまたはガラスによって形成されてもよい。
波長変換部材3に含有される蛍光体としては、例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット、セリウムで賦活されたテルビウム・アルミニウム・ガーネット、ユウロピウムおよびクロムのうちのいずれか1つまたは2つで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム、ユウロピウムで賦活されたサイアロン、ユウロピウムで賦活されたシリケート、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウムなどが挙げられる。
ここで、後述するように、波長変換部材3の体色と被覆部材5の体色が同系色となれば、蛍光体自体の体色はどのようなものであってもよい。体色とは、発光装置100の非発光時における部材自体の色彩をいう。
例えば、蛍光体自体の体色が白色系の蛍光体を用いた場合、波長変換部材3の体色は白色系となる。そのため、後述するように、波長変換部材3の体色と被覆部材5の体色を同系色とすると、非発光時に発光装置100の上面全体が白色系の色彩となる。
発光装置100を例えばカメラのフラッシュライトなどの照明装置の白色光の光源として使用する場合、発光色が青色系の発光素子と、発光色が黄色系であり、体色が黄色系の蛍光体を用いることが好ましい。また、発光色が青色系の発光素子と、発光色が橙色系であり、体色が橙色系の蛍光体を用いることが好ましい。
体色が黄色系で、発光色が黄色の蛍光体としては、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG系蛍光体)、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(LAG系蛍光体)、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(TAG系蛍光体)などが挙げられる。また、体色が黄色系で、発光色が赤色系の蛍光体としては、KSFが挙げられる。これらの蛍光体の体色は、後述するマンセル表色系(20色相)のマンセル色相環において、10Y、または、5Yである。
体色が橙色系で、発光色が赤色系の蛍光体としては、例えば、SCASN、CASNなどが挙げられる。これらの蛍光体の体色は、後述するマンセル表色系(20色相)のマンセル色相環において、10YR、または、5YRである。
また、発光色が黄色系蛍光体と発光色が赤色系蛍光体を混合し、発光色が橙色系の蛍光体とすることができる。
また、蛍光体自体の体色が黄色系の蛍光体および橙色系の蛍光体の色としては、例えば、後述するマンセル表色系(20色相)のマンセル色相環において、5YR、10YR、5Y、10Yの色相が挙げられる。
蛍光体自体の色としては、黄色系の蛍光体の場合、例えば、10Y、5Yである。橙色系の蛍光体の場合、例えば、10YR、5YRである。蛍光体自体の体色が黄色系の蛍光体で、マンセル表色系(20色相)のマンセル色相環において5Yの場合を例にとり、以下に説明する。
マンセル表色系において、明度は、例えば、7以上9以下である。
また、マンセル表色系において、彩度は、例えば、4以上14以下である。
波長変換部材3には、拡散剤を含有させてもよい。拡散剤は、発光素子1および蛍光体の発する光を効率良く拡散するために添加されるものである。拡散剤としては、例えば、前記した反射部材10の反射物質と同様のものが挙げられる。
波長変換部材3の上下方向の厚みは、蛍光体の含有量、発光素子1が発光する光と、波長変換後の光との混色後の色調などによって定めることができるが、例えば、50μm以上300μm以下とすることができる。
(被覆部材)
被覆部材5は、波長変換部材3の周縁に隣接して、反射部材10の上面に設けられる部材である。被覆部材5の上下方向の厚みは、波長変換部材3の上下方向の厚みよりも薄い。また、被覆部材5は、上下方向の一定の厚みで形成されている。被覆部材5は、波長変換部材3の外側面の上部を被覆している。
被覆部材5は、例えば、樹脂層である。被覆部材5の母材あるいはバインダーとして用いられる樹脂としては、例えば、前記した反射部材10の母材あるいはバインダーとなる樹脂が挙げられる。なかでも、エポキシ樹脂またはその変性樹脂は、接着性やガスバリア性に優れるため、好ましい。また、シリコーン樹脂またはその変性樹脂は、耐熱性や耐光性に優れ、硬化後の体積収縮が少ないため、好ましい。また、被覆部材5は、樹脂の他、セラミックまたはガラスによって形成されてもよい。
被覆部材5は、顔料および染料のいずれか1つを含む。
顔料としては特に限定されるものではないが、例えば、無機系材料や有機系材料を用いたものがあり、以下の材料を用いたものが挙げられる。
無機系材料として、例えば、べんがら(Fe)、鉛丹(Pb)、チタンニッケルアンチモン系酸化物、チタンニッケルバリウム系酸化物、チタンクロムアンチモン系酸化物、チタンクロムニオブ系酸化物などが挙げられる。
有機系材料として、例えば、アントラキノン系、アゾ系、キナクリドン系、ペリレン系、ジケトピロロピロール系、モノアゾ系、ジスアゾ系、ピラゾロン系、ベンツイミダゾロン系、キノキサリン系、アゾメチン系、イソイソドリノン系、イソイソドリン系などが挙げられる。
染料としては特に限定されるものではないが、例えば、アントラキノン系染料、メチン系染料、アゾメチン系染料、オキサジン系染料、アゾ系染料、スチリル系染料、クマリン系染料、ポルフィリン系染料、ジベンゾフラノン系染料、ジケトピロロピロール系染料、ロダミン系染料、キサンテン系染料、ピロメテン系染料などが挙げられる。
なお、顔料および染料は、基本的に発光素子1からの光を異なる波長に変換しないものがよい。
波長変換部材3の体色と被覆部材5の体色は同系色である。ここで、同系色とは、マンセル表色系(20色相)において、
色相:色相環の3レンジ以内
明度:3レンジ以内
彩度:3レンジ以内
を意味する。すなわち、マンセル表色系(20色相)の等色相面において、色相、明度、彩度とも両隣までが同系色とする。
具体的には、図2に示すように、例えば、Y(黄色)系の色相の等色相面(5Y)で、特定の色彩を色彩aとした場合、範囲Aが同系色である。
体色の測定は、例えば、分光測色計 CMシリーズ(コニカミノルタ社製)、色彩色差計 CRシリーズ(コニカミノルタ社製)などの測定器を用いて行うことができる。このような測定器のうち、キセノンランプの光源とシリコンフォトダイオードの受光素子を備え、平面回折格子で分光でき、マンセル表色系での出力が可能なものを用いればよい。
波長変換部材3の体色と被覆部材5の体色が同系色であることで、非発光時に発光装置100の上面全体を波長変換部材3の色彩とすることができる。
なお、非発光時に発光装置100の上面全体が波長変換部材3の色彩となるとは、発光装置100の上面全体の色彩が波長変換部材3の色彩と同じとなる場合の他、同程度となる場合も含む。同程度とは、例えば、前述したマンセル表色系(20色相)の等色相面において、色相、明度、彩度とも両隣までとすることができる。
<発光装置の動作>
次に、発光装置100の動作について説明する。
発光装置100を駆動すると、電極11,12を介して外部電源から発光素子1に電力が供給され、発光素子1が発光する。発光素子1が発光した光の一部は、第1反射部材2および第2反射部材4で反射し、波長変換部材3を通過して外部に取り出される。この際、第1反射部材2が設けられていることで、発光装置100の上面における発光領域と非発光領域とのコントラスト(輝度の差)が大きくなる。
[発光装置の製造方法]
次に、第1実施形態に係る発光装置100の製造方法の一例について、図3〜図5Cを参照して説明する。なお、図4A〜図5Cは、複数の発光装置100を同時に製造するときの1つの発光装置100を模式的に示している。
図3に示すように、第1実施形態の発光装置100の製造方法は、板状部材を準備する工程S10と、発光素子を載置する工程S105と、第2反射部材で被覆する工程S106と、電極を露出させる工程S107と、切断する工程S108と、を含み、この順に行う。
なお、各部材の材質や配置などについては、前記した発光装置100の説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
〈板状部材を準備する工程〉
板状部材を準備する工程S10は、第1反射部材2と顔料および染料のいずれか1つを含有する被覆部材5が積層された積層体15と、積層体15の貫通孔16内に配置された波長変換部材3を有する板状部材17を準備する工程である。
板状部材を準備する工程は、積層体を準備する工程S101と、積層体に貫通孔を設ける工程S102と、波長変換部材を充填する工程S11と、を含み、この順に行う。
(積層体を準備する工程)
積層体を準備する工程S101は、図4Aに示すように、第1反射部材2と顔料および染料のいずれか1つを含有する被覆部材5が積層された積層体15を準備する工程である。
この工程S101では、シート状の第1反射部材2とシート状の被覆部材5を貼り合わせることで積層体15を形成することができる。または、この工程S101では、シート状の第1反射部材2の上面に、印刷またはスプレーで被覆部材5を配置することで積層体15を形成することができる。
(積層体に貫通孔を設ける工程)
積層体に貫通孔を設ける工程S102は、図4Bに示すように、積層体15の所定部位に貫通孔16を設ける工程である。
この工程S102では、発光装置100の波長変換部材3が形成される部位に、貫通孔16を形成する。貫通孔16の形成は、例えば、パンチ金型を用いて、被覆部材5の上面から第1反射部材2の下面に向けて垂直方向または、傾斜をつけて、部材を打ち抜くことにより行うことができる。
貫通孔16の径は、適宜選択すればよい。貫通孔16の径は、例えば、200μm以上1200μm以下とすることができる。貫通孔16の径が発光素子1の径より大きい場合には、光の取り出し効率を高めることができる。貫通孔16の径が発光素子1の径より小さい場合には、発光領域を小さくし、輝度を高めることができる。
また、貫通孔16の形状は、例えば、上面視において、矩形、六角形、円形などが挙げられる。また、貫通孔16の形状は、配光などの観点において、発光素子1と数学的相似形状であることが好ましい。
[波長変換部材を充填する工程]
波長変換部材を充填する工程S11は、図4Cに示すように、貫通孔16内に、波長変換部材3を充填する工程である。
波長変換部材を充填する工程S11は、波長変換部材を準備する工程S103と、波長変換物質を偏在させる工程S104と、を含み、この順に行う。
(波長変換部材を準備する工程)
波長変換部材を準備する工程S103は、波長変換物質および樹脂を含む波長変換部材3を準備する工程である。
この工程S103では、波長変換物質と樹脂とを混合し、波長変換部材3を作製する。
(波長変換物質を偏在させる工程)
波長変換物質を偏在させる工程S104は、図4Cに示すように、波長変換部材3を貫通孔16内に配置した後、被覆部材5側の面(発光素子1が載置される面と反対側の面)または第1反射部材2側の面(発光素子1が載置される面)に波長変換物質40を偏在させる工程である。ここでは、第1反射部材2側の面に波長変換物質40を偏在させた場合について図示している。この場合、特に、波長変換部材3内における波長変換物質40の偏在領域の上下方向の厚みは、第1反射部材2の上下方向の厚みよりも小さい方が好ましい。これにより、発光時の発光領域と非発光領域とのコントラストを大きくしやすい。なお、以後の図面では、波長変換物質40の図示を省略している。
この工程S104では、波長変換部材3を貫通孔16内に配置した後、自然沈降または強制沈降により、樹脂中の波長変換物質40を、被覆部材5側の面または第1反射部材2側の面に偏在させる。その後、樹脂を加熱などにより硬化させる。これにより、波長変換物質40が偏在された波長変換部材3が得られる。
(発光素子を載置する工程)
発光素子を載置する工程S105は、図5Aに示すように、第1反射部材2に囲まれた波長変換部材3の第1面3aに、発光面1aを対面させて発光素子1を載置する工程である。
この工程S105では、発光素子1は、発光素子1の電極11,12が設けられた側の反対面、すなわち、発光面1aを、接着部材を介して波長変換部材3の第1面3aに接合する。このとき、配光などの観点において、波長変換部材3の第1面3aの中心と発光素子1の発光面1a中心が一致するように接合することが好ましい。
ここで、接着部材の量を調整することで、接着部材を発光素子1の側面に這い上がらせ、発光素子1の側面に接着部材を形成することができる。これにより、発光装置100は、発光素子1の側面に接着部材である導光部材6が設けられた形態となる。
また、発光素子1の発光面1aと波長変換部材3の第1面3aの間に接着部材である導光部材6が上下方向の所定の厚みで配置されてもよい。これにより、発光素子1と波長変換部材3をより強固に接着することができる。なお、図示しないが、ここでは発光素子1の発光面1aと波長変換部材3の第1面3aの間には、発光素子1と波長変換部材3との接合のため、極薄い状態で接着部材が介在している。
(第2反射部材で被覆する工程)
第2反射部材で被覆する工程S106は、図5Bに示すように、発光素子1の側面を第2反射部材4で被覆する工程である。
この工程S106では、電極11,12を含めた発光素子1の全部を第2反射部材4で被覆する。この工程S106では、第1反射部材2の面から電極11,12の上面まで第2反射部材4が設けられている。
発光素子1の被覆は、例えば、固定された板状部材17(積層体15と波長変換部材3を有する部材(図4C参照))の上側において、板状部材17に対して上下方向あるいは水平方向などに移動(可動)させることができる吐出装置(ディスペンサー)を用いて行うことができる。第2反射部材4の被覆は、吐出装置を用いて、第2反射部材4を構成する樹脂などを板状部材17上に充填することにより行うことができる。
また、圧縮成形法、トランスファー成形法などによって被覆することも可能である。
(電極を露出させる工程)
電極を露出させる工程S107は、図5Cに示すように、電極11,12側における、第2反射部材4の一部を、発光素子1の電極11,12を露出させるように除去する工程である。
この工程S107では、例えば、電極11,12側から、第2反射部材4の表面を電極11,12が露出するまで除去する。第2反射部材4を除去する方法として、例えば、研削、研磨、ブラストなどがある。
(切断する工程)
切断する工程S108は、発光装置100の集合体を、切断ラインで切断する工程である。すなわち、切断する工程S110は、発光装置100の集合体を個片化する工程である。
この工程S108では、発光装置100の集合体を個片化するための切断ラインを予め定めておく。この切断ラインは、発光装置100の大きさが均等になるように定めておく。
集合体の個片化は、切断ラインの部位でブレードで切断するダイシング方法、切断ラインの部位で集合体をスクライブ後に割るブレイク方法など、従来公知の方法により行うことができる。
そして、この集合体の個片化により、複数の発光装置100が得られる。
<第2実施形態>
[発光装置]
次に、第2実施形態に係る発光装置について説明する。
図6A、図6Bに示すように、発光装置100Aは、発光素子1と、反射部材10と、波長変換部材3と、被覆部材5と、を備える。また、発光装置100Aは、発光素子1の側面に導光部材6が設けられている。
ここでは、第1実施形態と主に異なる点について説明する。
発光装置100Aは、反射部材10の上面10aが、波長変換部材3の第2面3bと同一平面上に設けられている。また、反射部材10は、波長変換部材3の外側面の上端から下端までを被覆している。さらに、被覆部材5は上下方向の一定の厚みであり、被覆部材5の上面5aは、波長変換部材3の第2面3bよりも高い位置に設けられている。
また、被覆部材5は、波長変換部材3の第2面3bに対面する位置に開口を形成して枠状に形成される。
なお、反射部材10は、図6A、図6Bに示すように、1つの部材で構成される場合に限らず、図1A、図1Bに示す第1反射部材2および第2反射部材4のように、複数の部材で構成されてもよい。
被覆部材5の上下方向の厚みは、10μm以上100μm以下であることが好ましく、15μm以上60μm以下であることがより好ましい。被覆部材5の上下方向の厚みが10μm以上であれば、被覆部材5を設けやすくなる。一方、被覆部材5の上下方向の厚みが100μm以下であれば、発光装置100Aの小型化を図ることができる。
[発光装置の製造方法]
次に、第2実施形態に係る発光装置100Aの製造方法の一例について、図7〜図9Cを参照して説明する。なお、図8A〜図9Cは、複数の発光装置100Aを同時に製造するときの1つの発光装置100Aを模式的に示している。
図7に示すように、第2実施形態の発光装置100Aの製造方法は、発光構造体を準備する工程S20と、被覆部材を配置する工程S21と、切断する工程S207と、を含み、この順に行う。
なお、各部材の材質や配置などについては、前記した発光装置100Aの説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
〈発光構造体を準備する工程〉
発光構造体を準備する工程S20は、発光素子1と、発光素子1の発光面1aに配置される波長変換部材3と、発光素子1の側面および波長変換部材3の側面に配置される反射部材10を有する発光構造体30(図9A参照)を準備する工程である。
発光構造体を準備する工程S20は、シート上に波長変換部材を形成する工程S201と、発光素子を載置する工程S202と、反射部材で被覆する工程S203と、電極を露出させる工程S204と、を含み、この順に行う。
(シート上に波長変換部材を形成する工程)
シート上に波長変換部材を形成する工程S201は、図8Aに示すように、樹脂などのシート20上に波長変換部材3を形成する工程である。
シート20上への波長変換部材3の形成は、例えば、印刷法、圧縮成形法、蛍光体電着法、または、板状の波長変換部材を積層する方法などにより行うことができる。波長変換部材3の径は、適宜選択すればよい。波長変換部材3の径は、例えば、200μm以上1200μm以下とすることができる。波長変換部材3の径が発光素子1の径より大きい場合には、光の取り出し効率を高めることができる。波長変換部材3の径が発光素子1の径より小さい場合には、発光領域を小さくし、輝度を高めることができる。また、波長変換部材3の形状は、例えば、上面視において、矩形、六角形、円形などが挙げられる。また、波長変換部材3の形状は、配光などの観点において、発光素子1と数学的相似形状であることが好ましい。
(発光素子を載置する工程)
発光素子を載置する工程S202は、図8Bに示すように、第1面3aと第1面3aの反対側に第2面3bを有する波長変換部材3の第1面3aに、発光面1aを対面させて発光素子1を載置する工程である。
この工程S202では、発光素子1は、発光素子1の電極11,12が設けられた側の反対面、すなわち、発光面1aを、接着部材を介して波長変換部材3の第1面3aに接合する。
ここで、接着部材の量を調整することで、接着部材を発光素子1の側面に這い上がらせ、発光素子1の側面に接着部材を形成することができる。これにより、発光装置100Aは、発光素子1の側面に接着部材である導光部材6が設けられた形態となる。
また、第1実施形態で説明したように、発光素子1の発光面1aと波長変換部材3の第1面3aの間に接着部材である導光部材6が上下方向の所定の厚みで配置されてもよい。なお、図示しないが、ここでは発光素子1の発光面1aと波長変換部材3の第1面3aの間には、発光素子1と波長変換部材3との接合のため、極薄い状態で接着部材が介在している。
(反射部材で被覆する工程)
反射部材で被覆する工程S203は、図8Cに示すように、波長変換部材3上に載置した発光素子1を反射部材10で被覆する工程である。
この工程S203では、電極11,12を含めた発光素子1の全部を反射部材10で被覆する。この工程S203では、電極11,12の上面まで反射部材10が設けられている。
発光素子1の被覆は、例えば、固定されたシート20の上側において、シート20に対して上下方向あるいは水平方向などに移動(可動)させることができる吐出装置(ディスペンサー)を用いて行うことができる。反射部材10の被覆は、吐出装置を用いて、反射部材10を構成する樹脂などを波長変換部材3上に充填することにより行うことができる。
また、圧縮成形法、トランスファー成形法などによって被覆することも可能である。
(電極を露出させる工程)
電極を露出させる工程S204は、図9Aに示すように、電極11,12側における、反射部材10の一部を、発光素子1の電極11,12を露出させるように除去する工程である。
この工程S204では、例えば、電極11,12側から、反射部材10の表面を電極11,12が露出するまで研磨または研削する。
〈被覆部材を配置する工程〉
被覆部材を配置する工程S21は、波長変換部材3の周縁の反射部材10上に、顔料および染料のいずれか1つを含有する被覆部材5を配置する工程である。
被覆部材を配置する工程S21は、シート状の被覆部材を準備する工程S205と、シート状の被覆部材を貼り合わせる工程S206と、を含み、この順に行う。
(シート状の被覆部材を準備する工程)
シート状の被覆部材を準備する工程S205は、図9Bに示すように、所定部位に貫通孔26を有するシート状の被覆部材5(以下、適宜、枠体25という)を準備する工程である。枠体25は、反射部材10の波長変換部材3側である上面10aに被覆部材5が配置され、波長変換部材3の第2面3bに貫通孔26が配置されるように形成する。
(シート状の被覆部材を貼り合わせる工程)
シート状の被覆部材を貼り合わせる工程S206は、図9Cに示すように、枠体25と発光構造体30とを貼り合わせる工程である。枠体25と発光構造体30との貼り合わせは、例えば、接着剤などにより接着することで行うことができる。この貼り合わせにより、反射部材10の波長変換部材3側である上面10aに被覆部材5が配置され、波長変換部材3の第2面3bに貫通孔26が配置される。
被覆部材を配置する工程として、シート状の被覆部材を準備する工程、および、シート状の被覆部材を貼り合わせる工程を説明したが、これに限らない。被覆部材を配置する工程は、反射部材10の上面に、被覆部材5を直接配置してもよい。配置方法としては、描画、転写などがある。これにより、シート状の被覆部材5を使用する場合より、容易に被覆部材5を反射部材10上に配置できる。
(切断する工程)
切断する工程S207は、発光装置100Aの集合体を、切断ラインで切断する工程である。切断する工程S207は、前記した発光装置100の製造方法で説明した、切断する工程S108に準じて行うことができる。
<第3実施形態>
[発光装置]
次に、第3実施形態に係る発光装置について説明する。
図10A、図10Bに示すように、発光装置100Bは、発光素子1と、反射部材10と、波長変換部材3と、被覆部材5と、を備える。また、発光装置100Bは、発光素子1の側面に導光部材6が設けられている。
ここでは、第1実施形態と主に異なる点について説明する。
発光装置100Bは、被覆部材5の上面5aが、波長変換部材3の第2面3bと同一平面上に設けられている。また、反射部材10は、波長変換部材3の外側面の上端から下端までを被覆している。また、被覆部材5は、波長変換部材3の近傍における上下方向の厚みが発光装置100Bの外側面における上下方向の厚みより薄く形成されている。ここで、波長変換部材3の近傍とは、例えば、反射部材10における、波長変換部材3の外側面から発光装置100Bの外側面までの長さ(反射部材10の幅)に対する、波長変換部材3の外側面からの1/3以下の長さの部位とすることができる。ここでは、被覆部材5は、波長変換部材3から離れるにしたがって上下方向の厚みが大きく形成されている。
被覆部材5は、波長変換部材3の周囲に枠状に形成されている。そして、被覆部材5は、図10Bに示すように、断面視で、波長変換部材3の第2面3bから発光装置100Bの外側面に向かって、部材幅が広がるように三角形状に形成されている。ただし、被覆部材5の形状は、特に規定されるものではなく、内側から外側に向かって肉厚になるような断面形状を有していれば、台形などであってもよい。また、被覆部材5は、反射部材10に接する底面が断面形状で直線状となっているが、底面が曲線状となって形成されていてもよい。
[発光装置の製造方法]
次に、第3実施形態に係る発光装置100Bの製造方法の一例について、図11〜図13Bを参照して説明する。なお、図12A〜図13Bは、複数の発光装置100Bを同時に製造するときの2つの発光装置100Bを模式的に示している。
図11に示すように、第3実施形態の発光装置100Bの製造方法は、発光構造体を準備する工程S30と、被覆部材を配置する工程S31と、切断する工程S307と、を含み、この順に行う。
なお、各部材の材質や配置などについては、前記した発光装置100,100Aの説明で述べた通りであるので、ここでは適宜、説明を省略する。
〈発光構造体を準備する工程〉
発光構造体を準備する工程S30は、発光素子1と、発光素子1の発光面1aに配置される波長変換部材3と、発光素子1の側面および波長変換部材3の側面に配置される反射部材10を有する発光構造体31(図12C参照)を準備する工程である。
発光構造体を準備する工程S30は、シート上に発光素子を載置する工程S301と、波長変換部材を準備する工程S302と、発光素子上に波長変換部材を配置する工程S303と、反射部材で被覆する工程S304と、を含み、この順に行う。
(シート上に発光素子を載置する工程)
シート上に発光素子を載置する工程S301は、シート21上に、電極11,12を対面させて発光素子1を載置する工程である(図12A参照)。
(波長変換部材を準備する工程)
波長変換部材を準備する工程S302は、所定の大きさの波長変換部材3を準備する工程である。これは、例えば、シート状の波長変換部材3を所定の大きさに個片化することで作製される。個片化する方法としては、回転刃を使用した切断、非回転刃に超音波を印加する切断などがある。
(発光素子上に波長変換部材を配置する工程)
発光素子上に波長変換部材を配置する工程S303は、図12Aに示すように、個片化した波長変換部材3を、発光素子1の発光面1aに接着部材を介して配置する工程である。このとき、配光などの観点において、波長変換部材3の第1面3aの中心と発光素子1の発光面1aの中心が一致するように接合することが好ましい。
ここで、接着部材の量を調整することで、接着部材が発光素子1の側面に垂れ下がり、発光素子1の側面に接着部材を形成することができる。
また、波長変換部材3を発光素子1上に配置した後、波長変換部材3の外形を所定の大きさに調整する加工工程を含んでいてもよい。
(反射部材で被覆する工程)
反射部材で被覆する工程S304は、図12Bに示すように、波長変換部材3の第2面3bよりも上方まで反射部材10が位置するように、発光素子1および波長変換部材3を反射部材10で被覆する工程である。この工程S304は、前記した発光装置100Aの製造方法で説明した、反射部材で被覆する工程S203に準じて行うことができる。
〈被覆部材を配置する工程〉
被覆部材を配置する工程S31は、波長変換部材3の周縁の反射部材10上に、顔料および染料のいずれか1つを含有する被覆部材5を配置する工程である。
被覆部材を配置する工程S31は、反射部材に凹部を形成する工程S305と、凹部内に被覆部材を充填する工程S306と、を含み、この順に行う。
(反射部材に凹部を形成する工程)
反射部材に凹部を形成する工程S305は、図12Cに示すように、反射部材10の一部を除去し、波長変換部材3の第2面3bを露出させるとともに、反射部材10上の被覆部材5が配置される位置に凹部27を形成する工程である。
反射部材10の除去は、研磨または研削により行うことができる。反射部材10の除去は、凹部27を容易に形成する観点から、ブラスト処理により行うことが好ましい。
また、反射部材10の除去をブラスト処理により行う場合、反射部材10の硬度を、波長変換部材3の硬度よりも低くしておくことが好ましい。このようにすれば、波長変換部材3の第2面3bが露出するまで反射部材10を削った後、さらにブラスト処理を続けて反射部材10を削ることで、波長変換部材3の横方向に位置する反射部材10の一部が除去される。これにより、反射部材10の上面に凹部27が形成される。
(凹部内に被覆部材を充填する工程)
凹部内に被覆部材を充填する工程S306は、図13Aに示すように、凹部27内に被覆部材5を充填し、反射部材10上に被覆部材5を配置する工程である。
この工程S306では、液状の被覆部材をポッティングすることにより、凹部27内に被覆部材5を配置することができる。ポッティングは、吐出装置(ディスペンサー)を用いて行うことができる。より詳細には、被覆部材5の配置は、吐出装置を用いて、被覆部材5を構成する樹脂などを凹部27上に描画することにより行うことができる。
(切断する工程)
切断する工程S307は、図13Bに示すように、発光装置100Bの集合体を、切断ラインで切断する工程である。
この工程S307では、発光装置100Bと発光装置100Bとの間の凹部27の中央に切断ラインを定め、この切断ラインの部位で縦方向に切断することにより行う。切断する工程S307は、前記した発光装置100の製造方法で説明した、切断する工程S108に準じて行うことができる。
なお、切断する前、または後に、シート21を除去する。あるいは、シート21は、凹部27を形成する前に除去してもよい。
以上、本実施形態に係る発光装置および発光装置の製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明した。しかし、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれる。
以下、他の実施形態について説明する。
波長変換部材3は、単層構造だけではなく、多層構造とすることもできる。波長変換部材3は、異なる波長変換物質を含有している波長変換部材を複数積層したものでもよい。また、波長変換部材3は、波長変換物質を含有しない透光層を含んでいてもよい。また、波長変換部材3の上に、波長変換部材3を含有しない透光層、拡散剤を含有する層、表面に凹凸を有する層、凸レンズなどの透光部材を積層してもよい。なお、図14Aは、波長変換部材3の上に透光層7を積層している。透光層7を積層することで、波長変換物質を外部環境より保護することができる。
波長変換部材3が積層体で、波長変換物質を含有しない透光層7を含む場合は、図14Aのように、透光層7を波長変換部材3の第2面3b上に配置することが好ましい。なお、この場合、透光層7は波長変換部材3の一部としてもよいが、波長変換物質を含有しない層として、波長変換物質を含有する波長変換部材3とは異なる層であるものとすることができる。透光層7を波長変換部材3の第2面3b上に配置することにより、発光装置100Cとしたときに、透光層7が保護層となり波長変換物質を外部環境より保護することができる。
図14Aに示す発光装置100Cのように、発光装置100A(図6B参照)の形態において、波長変換部材3の第2面3b上に透光層7を備えてもよい。このような構成によれば、波長変換物質を外部環境より保護することができる。
透光層7は透明部材であり、透光層7としては、波長変換部材3に用いることができる樹脂などの透光性の樹脂や、セラミック、ガラスなどが挙げられる。
透光層7は、第2実施形態に係る発光装置100Aの製造方法における、シート状の被覆部材を準備する工程S205において、シート状の被覆部材5(枠体25)の貫通孔26内に透光層7を配置することで形成することができる。あるいは、枠体25を発光構造体30と貼り合わせた後、枠体25の貫通孔26内に透光層7を配置することで形成することができる。
また、発光装置100Bは、反射部材10が波長変換部材3の外側面の上端から下端までを被覆しているものとした。しかしながら、被覆部材5が波長変換部材3の外側面の上端側の一部を被覆するものとしてもよい。
また、導光部材6は設けないものであってもよい。また、導光部材6は、図14Bに示すように、発光素子1の側面だけでなく、発光素子1と波長変換部材3の間にも設けてもよい。この場合、発光素子1と波長変換部材3をより強固に接着する観点から、また、光束および光の取り出し効率を向上させる観点から、導光部材6の上下方向の厚みは0.5μm以上20μm以下であることが好ましく、0.5μm以上10μm以下であることがより好ましい。また、発光素子1は、1つの場合の他、複数設けてもよい。例えば、発光装置は、図13Aに示すような2つの発光素子1を備えるものであってもよい。また、例えば、2つの発光素子1を備える発光装置において、2つの発光素子1の隣り合う導光部材6同士が接続して一体となったものであってもよい。また、発光装置は、発光装置100を実装する実装基板を備えるものであってもよい。
また、発光装置の製造方法は、可能な限りにおいて、各工程の順序を入れ替えてもよい。また、発光装置の製造方法は、前記各工程に悪影響を与えない範囲において、前記各工程の間、あるいは前後に、他の工程を含めてもよい。例えば、製造途中に混入した異物を除去する異物除去工程などを含めてもよい。
本発明の実施形態に係る発光装置は、カメラのフラッシュライト、一般照明などの各種照明装置に利用することができる。
1 発光素子
1a 発光素子の発光面
2 第1反射部材
3 波長変換部材
3a 波長変換部材の第1面
3b 波長変換部材の第2面
4 第2反射部材
4a 第2反射部材の外側面
5 被覆部材
5a 被覆部材の上面
6 導光部材
7 透光層
10 反射部材
10a 反射部材の上面
11,12 電極
15 積層体
16 積層体の貫通孔
17 板状部材
20,21 シート
25 枠体
26 枠体の貫通孔
27 凹部
30,31 発光構造体
40 波長変換物質
100,100A,100B,100C,100D 発光装置
a 特定の色彩
A 色彩の範囲

Claims (15)

  1. 発光面と側面を有する発光素子と、
    前記発光素子の発光面上に、第1面と前記第1面の反対側に第2面を有し、前記第1面に前記発光面を対面させて設けられた波長変換部材と、
    前記発光素子の側面に設けられるとともに前記波長変換部材の少なくとも一部の外側面を被覆する反射部材と、
    前記波長変換部材の周縁に隣接して、前記反射部材の上面に設けられた被覆部材と、を備え、
    前記被覆部材は、顔料および染料のいずれか1つを含有しており、
    前記波長変換部材の体色と前記被覆部材の体色は同系色である発光装置。
  2. 前記被覆部材は、前記波長変換部材の厚みよりも薄く、かつ、一定の厚みである、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記反射部材の上面は、前記波長変換部材の第2面と同一平面上に設けられた、請求項1に記載の発光装置。
  4. 前記波長変換部材の第2面上に透光層を備える、請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記被覆部材の上面は、前記波長変換部材の第2面と同一平面上に設けられるとともに、
    前記反射部材は、前記波長変換部材の外側面の上端から下端までを被覆する請求項1に記載の発光装置。
  6. 前記被覆部材は、
    前記波長変換部材の近傍における厚みが前記発光装置の外側面における厚みより薄い請求項1または請求項5に記載の発光装置。
  7. 前記発光素子の側面に、導光部材を介して前記反射部材が設けられる請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の発光装置。
  8. 第1反射部材と顔料および染料のいずれか1つを含有する被覆部材が積層された積層体と、前記積層体の貫通孔内に配置された波長変換部材を有する板状部材を準備する工程と、
    前記第1反射部材に囲まれた前記波長変換部材の第1面に、発光面を対面させて発光素子を載置する工程と、
    前記発光素子の側面を第2反射部材で被覆する工程を含む、発光装置の製造方法。
  9. 前記板状部材を準備する工程は、
    前記積層体に前記貫通孔を設ける工程と、
    前記貫通孔内に、前記波長変換部材を充填する工程を含む、請求項8に記載の発光装置の製造方法。
  10. 前記波長変換部材を充填する工程は、
    波長変換物質および樹脂を含む前記波長変換部材を準備する工程と、
    前記波長変換部材を前記貫通孔内に配置した後、前記被覆部材側の面または前記第1反射部材側の面に波長変換物質を偏在させる工程を含む、請求項9に記載の発光装置の製造方法。
  11. 前記積層体を準備する工程は、
    シート状の前記第1反射部材とシート状の前記被覆部材を貼り合わせる工程を含む、請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
  12. 前記積層体を準備する工程は、
    シート状の前記第1反射部材の上面に、印刷またはスプレーで前記被覆部材を配置する工程を含む、請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
  13. 発光素子と、前記発光素子の発光面に配置される波長変換部材と、前記発光素子の側面および前記波長変換部材の側面に配置される反射部材を有する発光構造体を準備する工程と、
    前記波長変換部材の周縁の前記反射部材上に、顔料および染料のいずれか1つを含有する被覆部材を配置する工程を含む、発光装置の製造方法。
  14. 前記被覆部材を配置する工程は、
    前記反射部材に凹部を形成する工程と、
    前記凹部内に前記被覆部材を充填する工程を含む、請求項13に記載の発光装置の製造方法。
  15. 前記被覆部材を配置する工程は、
    液状の前記被覆部材をポッティングする、または、シート状の前記被覆部材を貼り合わせる工程を含む、請求項13または請求項14に記載の発光装置の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11545603B2 (en) 2019-04-23 2023-01-03 Nichia Corporation Light-emitting module and method of manufacturing the same
JP7381911B2 (ja) 2021-09-28 2023-11-16 日亜化学工業株式会社 光源及び発光モジュール
JP7462145B2 (ja) 2020-08-28 2024-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6484982B2 (ja) * 2014-09-30 2019-03-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
WO2019190026A1 (ko) * 2018-03-26 2019-10-03 주식회사 루멘스 퀀텀닷 플레이트 조립체와 이를 포함하는 발광소자 패키지 및 led 모듈
JP6888652B2 (ja) * 2019-08-13 2021-06-16 日亜化学工業株式会社 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法
DE102021006411A1 (de) * 2021-12-30 2023-07-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierendes bauelement

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009302489A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Sharp Corp 発光装置、発光装置の製造方法、および携帯電話機
US20110249422A1 (en) * 2010-04-09 2011-10-13 Kum Soon Wong Light emitting device using filter element
JP2012204438A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5521325B2 (ja) 2008-12-27 2014-06-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP5777952B2 (ja) 2011-06-28 2015-09-09 シチズン電子株式会社 発光装置とその製造方法
JP5915483B2 (ja) 2012-09-27 2016-05-11 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6303805B2 (ja) * 2014-05-21 2018-04-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6511757B2 (ja) 2014-09-30 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6398626B2 (ja) * 2014-11-07 2018-10-03 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6554914B2 (ja) * 2015-06-01 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009302489A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Sharp Corp 発光装置、発光装置の製造方法、および携帯電話機
US20110249422A1 (en) * 2010-04-09 2011-10-13 Kum Soon Wong Light emitting device using filter element
JP2012204438A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11545603B2 (en) 2019-04-23 2023-01-03 Nichia Corporation Light-emitting module and method of manufacturing the same
US11942582B2 (en) 2019-04-23 2024-03-26 Nichia Corporation Light-emitting module and method of manufacturing the same
JP7462145B2 (ja) 2020-08-28 2024-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7381911B2 (ja) 2021-09-28 2023-11-16 日亜化学工業株式会社 光源及び発光モジュール

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