JP2019114470A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光路長を調整する為の膜を形成時にファインマスクの位置ずれが生じたか否かを簡易に判断することができる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】第１副画素領域を有する有機ＥＬ表示装置であって、基板と、前記基板上の前記第１副画素領域に配置され、電流が流れることで第１の色の光を発するとともに、紫外線が照射されることで第２の色の光を発する第１発光膜と、前記第１発光膜と前記基板の間及び／または前記第１発光膜の前記基板とは反対側に配置され、前記第１の色の光の波長に応じた厚さである１又は複数の第１光路長調整膜と、を有し、前記第１光路長調整膜は、紫外線が照射されることによって光を発する第１蛍光材料が混合される、ことを特徴とする。【選択図】図５

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。

近年、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ表示装置がカラー表示を行うために、有機ＥＬ素子は、異なる波長の光を発する発光膜を含む。また、輝度を向上させる為に、有機ＥＬ素子が光路長を調整するための膜を含む構成が知られている。当該発光膜や光路長を調整する為の膜を、副画素ごとに異なるファインマスクを用いて形成される方法がある。色度や輝度等の表示特性を向上させるため、発光膜や光路長を調整する為の膜に関する技術開発がなされている。

例えば、特許文献１は、コントラストと色度を向上させる為に、正孔注入層に、発光膜が発する光の色と同色の光を選択透過する着色成分が含有された有機ＥＬ表示装置を開示している。

また、特許文献２は、発光膜が発した光を取り出す効率を向上させるため、光路長を調整する為の膜が設けられることによって、いわゆるマイクロキャビティ構造が形成された画像表示装置を開示している。

さらに、特許文献３及び４は、波長の異なる光を発する副画素毎に、異なる厚さの光路長を調整する為の膜が設けられた発光装置を開示している。

特開２０１２−１０９４２６号公報 特開２００５−１２２９８０号公報 特開２０１７−４９８０号公報 特開２００６−３０２８７９号公報

発光膜を形成する際に、ファインマスクが所定の位置からずれる場合がある。この場合、発光領域が欠ける、または、同じ副画素領域の中に複数の色の光を発する領域が含まれる等の現象が生じる。そのため、有機ＥＬ表示装置が完成した後に、点灯状態を顕微鏡で観察することによって、ファインマスクがずれたか否かを判断することができる。

また、上記特許文献３及び４のように、光路長を調整するための膜を副画素毎に異なる厚さとするためには、光路長を調整するための膜を、ファインマスクを用いて副画素毎に形成する必要がある。当該膜を形成する際にも、ファインマスクが所定の位置からずれる場合がある。

この場合、各副画素領域から発せられる光の色度や、発光の効率が所定の値と異なる。しかし、光路長を調整するための膜を形成する際にファインマスクが所定の位置からずれたか否かは、顕微鏡観察によって見た目で判断することは困難である。有機ＥＬ表示装置の断面を解析することによって判別できるものの、当該判定手法は、多大な時間と費用を要する。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、光路長を調整する為の膜を有する有機ＥＬ表示装置が完成した後に、当該膜を形成する際にファインマスクの位置ずれが生じたか否かを簡易に判断することができる有機ＥＬ表示装置を提供することにある。

本発明の一態様は、第１副画素領域を有する有機ＥＬ表示装置であって、基板と、前記基板上の前記第１副画素領域に配置され、電流が流れることで第１の色の光を発するとともに、紫外線が照射されることで第２の色の光を発する第１発光膜と、前記第１発光膜と前記基板の間及び／または前記第１発光膜の前記基板とは反対側に配置され、前記第１の色の光の波長に応じた厚さである１又は複数の第１光路長調整膜と、を有し、前記第１光路長調整膜は、紫外線が照射されることによって光を発する第１蛍光材料が混合される、ことを特徴とする。

本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。 表示パネルを概略的に示す図である。 表示パネルの断面の積層構造について概略的に示す一例である。 第１の実施形態における１画素あたりの反射膜と封止膜の間に形成される各層を模式的に示す図である。 第１の実施形態における第２ＨＴＬと第１発光膜との位置関係を示す図である。 第１の実施形態における第３ＨＴＬと第２発光膜との位置関係を示す図である。 第２の実施形態における１画素あたりの反射膜と封止膜の間に形成される各層を模式的に示す図である。 第２の実施形態における第３キャップ膜と第１発光膜との位置関係を示す図である。 第２の実施形態における第４キャップ膜と第２発光膜との位置関係を示す図である。 第２の実施形態における第２ＨＴＬと第３キャップ膜と第１発光膜との位置関係を示す図である。 第２の実施形態における第３ＨＴＬと第４キャップ膜と第２発光膜との位置関係を示す図である。

[第１の実施形態]
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された表示パネル２００から構成されている。

図２は、図１の表示パネル２００を概略的に示す図である。表示パネル２００は、アレイ基板２０２と、保護フィルム２０４と、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２０６と、を有する。

また、表示パネル２００は、表示領域２１０にマトリクス状に配置された画素２０８を有する。具体的には、表示パネル２００は、それぞれが第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４（図４参照）を有する複数の画素２０８を有する。第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４は、それぞれ有機ＥＬ層３１４、上部電極３１６及びキャップ層３１８等（図３参照）が配置される。第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４に配置された有機ＥＬ層３１４は、それぞれ異なる波長の光を発する。なお、複数の画素２０８が有する副画素領域は３個である場合に限られず、４個以上であってもよい。

アレイ基板２０２は、後述するアレイ層３０２、第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０やホール輸送層等が形成される。

駆動ＩＣ２０６は、例えば、各副画素領域に配置された駆動トランジスタ３０４（図３参照）に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各データ信号線に対して階調値に対応する電流を流す。当該駆動ＩＣ２０６によって、表示パネル２００は、複数色からなる複数の画素２０８によって構成されるカラー画像を、表示領域２１０に表示する。

保護フィルム２０４は、表示パネル２００を外傷から保護するアクリル製のフィルムであって、接着剤によって、アレイ基板２０２に接着される。

図３は、表示パネル２００の断面について概略的に示す図である。図に示すように、表示パネル２００は、図面上の下から上に向かって順に、基板３００と、アレイ層３０２と、平坦化膜３０６と、反射膜３０８と、下部電極３１０と、リブ３１２と、有機ＥＬ層３１４と、上部電極３１６と、キャップ層３１８と、封止膜３２０と、保護フィルム２０４と、を含んで構成される。

基板３００は、例えばガラス基板であるが、樹脂で形成された可撓性を有する基板であってもよい。

アレイ層３０２は、基板３００の上層に形成される。具体的には、アレイ層３０２は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体層等を含んで構成される複数の駆動トランジスタ３０４を含むように基板３００の上層に形成される。

平坦化膜３０６は、アレイ層３０２の上層に絶縁材料により形成される。具体的には、平坦化膜３０６は、駆動トランジスタ３０４のソース電極又はドレイン電極の一方の上側でスルーホールを有するように、かつ、当該スルーホールが形成される領域以外の領域においてアレイ層３０２を覆うように絶縁材料で形成される。

反射膜３０８は、有機ＥＬ層３１４から発せられた光を反射する材料で、平坦化膜３０６の上層に形成される。具体的には、例えば、反射膜３０８は、Ａｇで形成される。

下部電極３１０は、反射膜３０８及び平坦化膜３０６の上層に形成される。具体的には、下部電極３１０は、ＩＴＯ等の透明かつ導電性を有する材料で、反射膜３０８を覆うように、かつ、スルーホールを介して駆動トランジスタ３０４のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続するように形成される。下部電極３１０を金属で形成し、下部電極３１０が反射膜３０８を兼ねる構成、即ち反射膜３０８を省略する構成にしてもよい。

リブ３１２は、下部電極３１０の上層に形成される。具体的には、リブ３１２は、下部電極３１０が形成されていない領域では平坦化膜３０６を覆うように、かつ、下部電極３１０が形成された領域では下部電極３１０の上層に形成される。また、リブ３１２は、反射膜３０８が形成された領域の上層側にリブ開口部３２２を有する。リブ開口部３２２は、表示パネル２００から光が取り出される領域である。

有機ＥＬ層３１４は、光を発する第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０やホール輸送層等を含んで構成される。有機ＥＬ層３１４の詳細については後述する。

上部電極３１６は、有機ＥＬ層３１４の上層に、導電性並びに光の透過特性及び反射特性を併せ持つ材料で形成される。具体的には、上部電極３１６は、有機ＥＬ層３１４を覆うように形成される。上部電極３１６は、光の透過特性及び反射特性（半透過半反射性ともいう）と共に導電性を有するＭｇＡｇ等の材料で形成される。上部電極３１６は、有機ＥＬ層３１４に電子を供給することによって、有機ＥＬ層３１４を発光させる。

キャップ層３１８は、第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４において、上部電極３１６の上層側に、配置される。キャップ層３１８は、第１キャップ膜４２８及び第１キャップ膜４２８の上層に配置された第２キャップ膜４３０を含んで構成される。第１キャップ膜４２８及び第２キャップ膜４３０は、図４を用いて説明する。

封止膜３２０は、キャップ層３１８の上層に配置される。具体的には、封止膜３２０は、キャップ層３１８を覆うように、水分を透過しない無機材料で形成される。封止膜３２０は、有機ＥＬ層３１４に水分が侵入することで有機ＥＬ層３１４が劣化することを防止する。

続いて、反射膜３０８乃至封止膜３２０までの各層の詳細について、図４を用いて説明する。図４は、１画素２０８のリブ開口部３２２において、反射膜３０８と封止膜３２０の間に形成される各層を模式的に示す図である。図４に示すように、各画素２０８は、反射膜３０８、下部電極３１０、ホール注入層４０６、ホール輸送層、電子ブロック層４１４、第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０、ホールブロック層４２２、電子輸送層４２４、電子注入層４２６、上部電極３１６、第１キャップ膜４２８、第２キャップ膜４３０及び封止膜３２０を含む。なお、第１キャップ膜４２８及び第２キャップ膜４３０は、図３におけるキャップ層３１８に相当する。

なお、図４は模式的な図であって、反射膜３０８及び下部電極３１０が第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４において繋がって記載されているが、反射膜３０８及び下部電極３１０は、第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４のそれぞれにおいて分離して配置される。また、図４は、左から順に第１副画素領域４００、第２副画素領域４０２及び第３副画素領域４０４が配置される構造を模式的に示している。また、ホール輸送層と電子輸送層４２４とは、電荷輸送層ともいう。ホール注入層４０６から電子注入層４２６までの層が、図３における有機ＥＬ層３１４に相当する。

ホール注入層４０６は、下部電極３１０の上層に形成される。具体的には、ホール注入層４０６は、第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４において、下部電極３１０の上層に形成される。

また、ホール注入層４０６は、下部電極３１０から注入されたホールを、ホール輸送層に供給する機能を有する材料を用いて形成される。例えば、ホール注入層４０６は、ホール注入障壁を低減するために、下部電極３１０に用いられる材料のフェルミ準位との差異が小さいＨＯＭＯ準位を有する材料を用いて形成される。

ホール輸送層は、第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４において、それぞれ異なる厚さで形成される。具体的には、ホール輸送層は、第１ＨＴＬ４０８乃至第３ＨＴＬ４１２を含む。

第１ＨＴＬ４０８は、第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４において、ホール注入層の上層に配置される。第１ＨＴＬ４０８は、第３発光膜４２０が発する第５の色の光（後述）の波長に応じた厚さである。具体的には、例えば、第１ＨＴＬ４０８は、第３発光膜４２０と反射膜３０８との距離が第５の色の光の波長の整数倍となる厚さで形成される。第５の色の光は、第３発光膜４２０と反射膜３０８との間で共振する。第３副画素領域４０４においていわゆるマイクロキャビティ構造が形成される。これにより、第３発光膜４２０から発せられた光の取り出し効率が向上する。

第２ＨＴＬ４１０は、第１発光膜４１６と基板の間に配置される。具体的には、第２ＨＴＬ４１０は、第１副画素領域４００において、第１ＨＴＬ４０８の上層に配置される。

第２ＨＴＬ４１０は、第１の色の光の波長に応じた厚さである。具体的には、例えば、第２ＨＴＬ４１０は、第１発光膜４１６と反射膜３０８との距離が第１の色の光の波長の整数倍となる厚さで形成される。第１の色の光は、第１発光膜４１６と反射膜３０８との間で共振する。第１副画素領域４００においてもマイクロキャビティ構造が形成される。これにより、第１発光膜４１６から発せられた光の取り出し効率が向上する。

第２ＨＴＬ４１０は、紫外線が照射されることによって光を発する第１蛍光材料が混合される。具体的には、例えば、第２ＨＴＬ４１０は、紫外線が照射されることによって赤色、緑色または青色の光を発する第１蛍光材料が混合される。第１蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、第２の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が短い波長の光を発する。第２ＨＴＬ４１０は、例えば、共蒸着によって形成される。

なお、第１蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、第２の色（後述）と異なる色の光を発することが望ましい。具体的には、例えば、第１発光膜４１６に紫外線が照射された場合、第１発光膜４１６は、赤色の光を発する。この場合、第１蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、緑色または青色の光を発することが望ましい。また、第２ＨＴＬ４１０は、光路を調整するための膜（光路長調整膜）でもある。

第３ＨＴＬ４１２は、第２発光膜４１８と基板の間に配置される。具体的には、第３ＨＴＬ４１２は、第２副画素領域４０２において、第１ＨＴＬ４０８の上層に配置される。

第３ＨＴＬ４１２は、第２発光膜４１８が発する第３の色の光の波長に応じた厚さである。具体的には、例えば、第３ＨＴＬ４１２は、第２発光膜４１８と反射膜３０８との距離が第３の色の光の波長の整数倍となるような厚さで形成される。第３の色の光は、第２発光膜４１８と反射膜３０８との間で共振する。第２副画素領域４０２においてもマイクロキャビティ構造が形成される。これにより、第２発光膜４１８から発せられた光の取り出し効率が向上する。

第３ＨＴＬ４１２は、紫外線が照射されることによって光を発する第２蛍光材料が混合される。具体的には、例えば、第３ＨＴＬ４１２は、紫外線が照射されることによって赤色、緑色または青色の光を発する第２蛍光材料が混合される。第２蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、第４の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が長い、または、第４の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が短い波長の光を発する。第３ＨＴＬ４１２は、例えば、共蒸着によって形成される。

なお、第２蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、第４の色と異なる色の光を発することが望ましい。具体的には、例えば、第２発光膜４１８に紫外線が照射された場合、第２発光膜４１８は、緑色の光を発する。この場合、第２蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、赤色または青色の光を発することが望ましい。また、第３ＨＴＬ４１２は、光路を調整するための膜（光路長調整膜）でもある。

また、第１ＨＴＬ４０８乃至第３ＨＴＬ４１２は、ホール注入層４０６から供給されたホールを、第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０に供給する機能を有する材料を用いて形成される。具体的には、例えば、第１ＨＴＬ４０８乃至第３ＨＴＬ４１２は、ホール注入層４０６のＨＯＭＯ準位との差異が小さいＨＯＭＯ準位を有する材料で形成されることが望ましい。

電子ブロック層４１４は、ホール輸送層の上層に形成される。具体的には、ホールブロック層４２２は、第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４において、電子輸送層４２４から第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０に供給された電子がホール輸送層に到達することを防止する機能を有する材料で形成される。

第１発光膜４１６は、基板上の第１副画素領域４００に配置され、電流が流れることで第１の色の光を発するとともに、紫外線が照射されることで第２の色の光を発する。具体的には、第１発光膜４１６は、第１副画素領域４００において電子ブロック層４１４の上層に配置される。第１発光膜４１６は、電流が流れることで赤色の光（第１の色の光）を発する。また、第１発光膜４１６は、紫外線が照射されることで赤色の光（第２の色の光）を発する。第１の色の光と第２の色の光の波長は、それぞれ５８１ｎｍから７５０ｎｍの間である。第１の色の光と第２の色の光の波長は、同じでもよいし異なっていてもよい。

第２発光膜４１８は、基板上の第２副画素領域４０２に配置され、電流が流れることで第１の色の光よりも波長が短い第３の色の光を発するとともに、紫外線が照射されることで第４の色の光を発する。具体的には、第２発光膜４１８は、第２副画素領域４０２において電子ブロック層４１４の上層に配置される。第２発光膜４１８は、電流が流れることで緑色の光（第３の色の光）を発する。また、第２発光膜４１８は、紫外線が照射されることで緑色の光（第４の色の光）を発する。第３の色の光と第４の色の光の波長は、それぞれ４９６ｎｍから５８０ｎｍである。第３の色の光と第４の色の光の波長は、同じでもよいし異なっていてもよい。

第３発光膜４２０と、基板上の第３副画素領域４０４に配置され、電流が流れることで第１の色の光及び第３の色の光よりも波長が短い第５の色の光を発する。具体的には、第３発光膜４２０は、第３副画素領域４０４において電子ブロック層４１４の上層に配置される。第３発光膜４２０は、電流が流れることで青色の光（第５の色の光）を発する。また、第３発光膜４２０は、紫外線が照射されることで青色の光（第６の色の光）を発する。第５の色の光と第６の色の光の波長は、それぞれ４３０ｎｍから４９５ｎｍである。第５の色の光と第６の色の光の波長は、同じでもよいし異なっていてもよい。

ホールブロック層４２２は、第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０の上層に形成される。具体的には、ホールブロック層４２２は、第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０の上層に、ホール輸送層から第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０に供給されたホールが電子輸送層４２４に到達することを防止する機能を有する材料で形成される。

電子輸送層４２４は、ホールブロック層４２２の上層に形成される。具体的には、電子輸送層４２４は、ホールブロック層４２２の上層に、上部電極３１６から供給された電子を第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０に供給する機能を有する材料で形成される。

電子注入層４２４は、電子輸送層４２４の上層に形成される。具体的には、電子注入層４２６は、第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４において、電子輸送層４２４の上層に形成される。また、電子注入層４２６は、上部電極３１６から注入された電子を、電子輸送層４２４に供給する機能を有する材料を用いて形成される。

第１キャップ膜４２８は、上部電極３１６の上層に配置される。具体的には、図４に示すように、第１キャップ膜４２８は、第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４において、上部電極３１６の上層に配置される。

第２キャップ膜４３０は、第１キャップ膜４２８の上層に配置される。具体的には、図４に示すように、第２キャップ膜４３０は、第１副画素領域４００乃至第３副画素領域４０４において、第１キャップ膜４２８の上層に配置される。なお、第２キャップ膜４３０は第１キャップ膜４２８よりも屈折率が低いことが望ましい。封止膜３２０は、上記のように第２キャップ膜４３０の上層に配置される。

上記のように、本実施形態における第１発光膜４１６、第２発光膜４１８、第２ＨＴＬ４１０及び第３ＨＴＬ４１２は、それぞれ紫外線が照射されることにより光を発する。これにより、第２ＨＴＬ４１０及び第３ＨＴＬ４１２を形成する際に、ファインマスクの位置ずれが生じたか否かを簡易に判断することができる。

続いて、第２ＨＴＬ４１０及び第３ＨＴＬ４１２を形成する際に、ファインマスクの位置ずれが生じたか否かを判断する方法について説明する。図５（ａ）は、リブ開口部３２２と、第１発光膜４１６と、第２ＨＴＬ４１０と、がそれぞれ所定の位置に形成された場合において、電流が流れたときの第１副画素領域４００の発光状態を示す図である。図５（ａ）に示す位置関係の場合、第１発光膜４１６及び第２ＨＴＬ４１０は、いずれもリブ開口部３２２の全ての領域に配置される。リブ開口部３２２の全ての領域において、反射膜３０８と第１発光膜４１６との距離は、所定の長さとなる。このため、リブ開口部３２２の全ての領域は、所定の輝度で発光する。以下、所定の輝度で発光する領域を、正常領域５０２とする。

図５（ｂ）は、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置からずれて形成された場合において、第１発光膜４１６に電流が流れたときの第１副画素領域４００の発光状態を示す図である。図５（ｂ）に示す位置関係の場合、第１発光膜４１６は、リブ開口部３２２の全ての領域に配置される。第２ＨＴＬ４１０は、リブ開口部３２２の一部の領域に配置される。リブ開口部３２２の第２ＨＴＬ４１０が配置された領域において、反射膜３０８と第１発光膜４１６との距離は、所定の長さとなる。一方、リブ開口部３２２の第２ＨＴＬ４１０が配置されていない領域において、反射膜３０８と第１発光膜４１６との距離は、所定の長さと異なる長さとなる。

このため、リブ開口部３２２の第２ＨＴＬ４１０が配置された領域は、所定の輝度及び色度で発光する正常領域５０２である。一方、リブ開口部３２２の第２ＨＴＬ４１０が配置されていない領域は、所定の輝度と異なる輝度及び色度で発光する。以下、所定の輝度と異なる輝度及び色度で発光する領域を、異常領域５０４とする。正常領域５０２の輝度及び色度は、異常領域５０４の輝度及び色度と異なるものの、顕微鏡観察等によりその相違を識別することは困難である。

図５（ｃ）は、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置からずれて形成された場合において、第１副画素領域４００に紫外線が照射されたときの第１副画素領域４００の発光状態を示す図である。なお、図５（ｃ）に示すリブ開口部３２２と、第１発光膜４１６と、第２ＨＴＬ４１０との位置関係は、図５（ｂ）に示す位置関係と同じである。第１発光膜４１６が配置された領域５０６と、第２ＨＴＬ４１０のみ配置された領域５０８と、から発せられる光の相違によって、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別することができる。

具体的には、図５（ｃ）に示す位置関係の場合、第１発光膜４１６が配置された領域５０６は、紫外線が照射されたとき、第２の色の光を発する。第２ＨＴＬ４１０には第１蛍光材料が混合されている。そのため、第２ＨＴＬ４１０のみ配置された領域５０８は、紫外線が照射されたとき、赤色、緑色または青色の光を発する。ここで、第１蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、第２の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が短い波長の光を発する。そのため、紫外線が照射されることによって、第１蛍光材料が赤色の光を発する場合であっても、第１蛍光材料が発する光と第１発光膜４１６が発する光を識別することができる。従って、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別することができる。

なお、第１蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、緑色または青色の光を発する材料であることが望ましい。この場合、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置からずれて形成されたか否かをより容易に判別することができる。

紫外線が照射された場合に、第１発光膜４１６のみが配置された領域と、第１発光膜４１６及び第２ＨＴＬ４１０が配置された領域と、から発せられる光の相違によって、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別してもよい。具体的には、紫外線が照射された場合に、第１発光膜４１６のみが配置された領域は第２の色の光のみを発する。一方、第１発光膜４１６及び第２ＨＴＬ４１０が配置された領域は、第２の色の光に加えて、第１蛍光材料が光を発する。当該光の相違によって、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別してもよい。

図６（ａ）は、リブ開口部３２２と、第２発光膜４１８と、第３ＨＴＬ４１２と、がそれぞれ所定の位置に形成された場合において、電流が流れたときの第２副画素領域４０２の発光状態を示す図である。図６（ａ）に示す位置関係の場合、第２発光膜４１８及び第３ＨＴＬ４１２は、いずれもリブ開口部３２２の全ての領域に配置される。リブ開口部３２２の全ての領域において、反射膜３０８と第２発光膜４１８との距離は、所定の長さとなる。このため、リブ開口部３２２の全ての領域は、所定の輝度で発光する正常領域５０２である。

図６（ｂ）は、第３ＨＴＬ４１２が所定の位置からずれて形成された場合において、第２発光膜４１８に電流が流れたときの第２副画素領域４０２の発光状態を示す図である。図６（ｂ）に示す位置関係の場合、第２発光膜４１８は、リブ開口部３２２の全ての領域に配置される。第３ＨＴＬ４１２は、リブ開口部３２２の一部の領域に配置される。リブ開口部３２２の第３ＨＴＬ４１２が配置された領域において、反射膜３０８と第２発光膜４１８との距離は、所定の長さとなる。一方、リブ開口部３２２の第３ＨＴＬ４１２が配置されていない領域において、反射膜３０８と第２発光膜４１８との距離は、所定の長さと異なる長さとなる。このため、リブ開口部３２２の第３ＨＴＬ４１２が配置された領域は、正常領域５０２である。一方、リブ開口部３２２の第３ＨＴＬ４１２が配置されていない領域は、異常領域５０４である。

図６（ｃ）は、第３ＨＴＬ４１２が所定の位置からずれて形成された場合において、第２副画素領域４０２に紫外線が照射されたときの第２副画素領域４０２の発光状態を示す図である。なお、図６（ｃ）に示すリブ開口部３２２と、第２発光膜４１８と、第３ＨＴＬ４１２との位置関係は、図６（ｂ）に示す位置関係と同じである。第２発光膜４１８が配置された領域６００と、、第３ＨＴＬ４１２のみが配置された領域６０２と、から発せられる光の相違によって、第３ＨＴＬ４１２が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別することができる。

具体的には、図６（ｃ）に示す位置関係の場合、第２発光膜４１８が配置された領域６００は、紫外線が照射されると第４の色の光を発する。第３ＨＴＬ４１２には第２蛍光材料が混合されている。そのため、第３ＨＴＬ４１２のみ配置された領域６０２は、紫外線が照射されると赤色、緑色または青色の光を発する。ここで、第２蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、第４の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が長い、または、第４の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が短い波長の光を発する。そのため、紫外線が照射されることによって、第２蛍光材料が緑色の光を発する場合であっても、第２蛍光材料が発する光と第２発光膜４１８が発する光を識別することができる。従って、第３ＨＴＬ４１２が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別することができる。

なお、第２蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、赤色または青色の光を発する材料であることが望ましい。この場合、第３ＨＴＬ４１２が所定の位置からずれて形成されたか否かをより容易に判別することができる。

なお上記と同様に、紫外線が照射された場合に、第２発光膜４１８のみが配置された領域と、第２発光膜４１８及び第３ＨＴＬ４１２が配置された領域と、から発せられる光の相違によって、第３ＨＴＬ４１２が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別してもよい。

また、紫外線が照射された場合に、第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０が配置された領域及び第１蛍光材料並びに第２蛍光材料が混合された領域のうち最も低い輝度を発する領域が発する輝度は、第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０が配置された領域及び第１蛍光材料並びに第２蛍光材料が混合された領域以外の領域が発する輝度よりも１割以上高くなるようにしてもよい。

具体的には、例えば、第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０、第２ＨＴＬ４１０及び第３ＨＴＬ４１２のいずれも配置されていない領域に対して紫外線を照射した場合に、１０ｃｄ／ｍ^２の光が発せられたとする。この場合、第１発光膜４１６乃至第３発光膜４２０、第２ＨＴＬ４１０及び第３ＨＴＬ４１２は、紫外線が照射されたとき、いずれも１１ｃｄ／ｍ^２より高い輝度の光を発する材料で形成されてもよい。

第２ＨＴＬ４１０が所定の位置に形成されている場合、第１副画素領域４００において、１１ｃｄ／ｍ^２より高い輝度の光を発する領域の面積は、およそ第１発光膜４１６が形成された領域の面積と一致する。一方、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置からずれて形成されている場合、第１発光膜４１６と第２ＨＴＬ４１０の少なくとも一方が配置された領域は、１１ｃｄ／ｍ^２より高い輝度の光を発する。従って、１１ｃｄ／ｍ^２より高い輝度の光を発する領域の面積は、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置に形成されている場合よりも、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置に形成されていない場合の方が大きくなる。

当該面積の大きさに基づいて、第２ＨＴＬ４１０が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別してもよい。第２副画素領域４０２においても、同様に１１ｃｄ／ｍ^２より高い輝度の光を発する領域の面積の大きさに基づいて、第３ＨＴＬ４１２が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別してもよい。

[第２の実施形態]
続いて、本発明の第２の実施形態について説明する。第１の実施形態と同様の構成については、説明を省略する。図７は、１画素２０８のリブ開口部３２２において、反射膜３０８と封止膜３２０の間に形成される各層を模式的に示す図である。第２の実施形態は、キャップ層３１８が第３キャップ膜７００及び第４キャップ膜７０２を含む点が第１の実施形態と異なる。

第３キャップ膜７００は、第１発光膜４１６の基板とは反対側に配置される。具体的には、第３キャップ膜７００は、第１副画素領域４００において、第１キャップ膜４２８と第２キャップ膜４３０の間に配置される。

第３キャップ膜７００は、第１の色の光の波長に応じた厚さである。具体的には、例えば、第３キャップ膜７００は、第１発光膜４１６と第２キャップ膜４３０との距離が第１の色の光の波長の整数倍となる厚さで形成される。第１の色の光は、第１発光膜４１６と第２キャップ膜４３０との間で共振する。第１副画素領域４００においてマイクロキャビティ構造が形成される。これにより、第１発光膜４１６から発せられた光の取り出し効率が向上する。

第３キャップ膜７００は、紫外線が照射されることによって光を発する第１蛍光材料が混合される。具体的には、例えば、第３キャップ膜７００は、紫外線が照射されることによって赤色、緑色または青色の光を発する第１蛍光材料が混合される。第１蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、第２の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が短い波長の光を発する。第３キャップ膜７００は、例えば、共蒸着によって形成される。

なお、第１の実施形態と同様、第１蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、第２の色と異なる色の光を発することが望ましい。第２の実施形態においては、第２ＨＴＬ４１０及び第３キャップ膜７００は、光路長調整膜に相当する。

第４キャップ膜７０２は、第１発光膜４１６の基板とは反対側に配置される。具体的には、第４キャップ膜７０２は、第２副画素領域４０２において、第１キャップ膜４２８と第２キャップ膜４３０の間に配置される。

第４キャップ膜７０２は、第３の色の光の波長に応じた厚さである。具体的には、例えば、第４キャップ膜７０２は、第２発光膜４１８と第２キャップ膜４３０との距離が第３の色の光の波長の整数倍となる厚さで形成される。第３の色の光は、第２発光膜４１８と第２キャップ膜４３０との間で共振する。これにより、第２副画素領域４０２においてもマイクロキャビティ構造が形成され、第２発光膜４１８から発せられた光の取り出し効率が向上する。

第４キャップ膜７０２は、紫外線が照射されることによって光を発する第２蛍光材料が混合される。具体的には、例えば、第４キャップ膜７０２は、紫外線が照射されることによって赤色、緑色または青色の光を発する第２蛍光材料が混合される。第２蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、第４の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が長い、または、第４の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が短い波長の光を発する。第４キャップ膜７０２は、例えば、共蒸着によって形成される。

なお、第１の実施形態と同様に、第２蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、第４の色と異なる色の光を発することが望ましい。本実施形態において、第３ＨＴＬ４１２及び第４キャップ膜７０２は、光路長調整膜に相当する。

本実施形態における第１発光膜４１６、第２発光膜４１８、第３キャップ膜７００及び第４キャップ膜７０２は、それぞれ紫外線が照射されることにより光を発する。これにより、第３キャップ膜７００及び第４キャップ膜７０２を形成する際に、ファインマスクの位置ずれが生じたか否かを簡易に判断することができる。

続いて、第３キャップ膜７００及び第４キャップ膜７０２を形成する際に、ファインマスクの位置ずれが生じたか否かを判断する方法について説明する。なお、第２ＨＴＬ４１０及び第３ＨＴＬ４１２は、所定の位置に形成されているものとする。

図８（ａ）は、リブ開口部３２２と、第１発光膜４１６と、第３キャップ膜７００と、がそれぞれ所定の位置に形成された場合において、電流が流れたときの第１副画素領域４００の発光状態を示す図である。図８（ｂ）は、第３キャップ膜７００が所定の位置からずれて形成された場合において、第１発光膜４１６に電流が流れたときの第１副画素領域４００の発光状態を示す図である。図８（ｃ）は、第３キャップ膜７００が所定の位置からずれて形成された場合において、第１副画素領域４００に紫外線が照射されたときの第１副画素領域４００の発光状態を示す図である。

第１の実施形態と同様に、図８（ａ）に示す位置関係の場合、リブ開口部３２２の全ての領域は、正常領域５０２である。図８（ｂ）に示す位置関係の場合、リブ開口部３２２のうち第１発光膜４１６及び第３キャップ膜７００が配置された領域は、第１発光膜４１６に電流が流れることにより所定の輝度及び色度で発光する正常領域５０２である。一方、リブ開口部３２２のうち第１発光膜４１６は配置されているが第３キャップ膜７００が配置されていない領域は、所定の輝度と異なる輝度及び色度で発光する異常領域５０４である。

図８（ｃ）に示す位置関係の場合、第１副画素領域４００に紫外線が照射されることにより、第１発光膜４１６が配置された領域５０６は、第２の色の光を発する。一方、第３キャップ膜７００のみ配置された領域８００は、赤色、緑色または青色の光を発する。第１発光膜４１６が配置された領域５０６と、第３キャップ膜７００のみ配置された領域８００と、から発せられる光の相違によって、第３キャップ膜７００が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別することができる。

図９（ａ）は、リブ開口部３２２と、第２発光膜４１８と、第４キャップ膜７０２と、がそれぞれ所定の位置に形成された場合において、電流が流れたときの第２副画素領域４０２の発光状態を示す図である。図９（ｂ）は、第４キャップ膜７０２が所定の位置からずれて形成された場合において、第２発光膜４１８に電流が流れたときの第２副画素領域４０２の発光状態を示す図である。図９（ｃ）は、第４キャップ膜７０２が所定の位置からずれて形成された場合において、第２副画素領域４０２に紫外線が照射されたときの第２副画素領域４０２の発光状態を示す図である。

第１の実施形態と同様に、図９（ａ）に示す位置関係の場合、リブ開口部３２２の全ての領域は、正常領域５０２である。図９（ｂ）に示す位置関係の場合、リブ開口部３２２のうち第２発光膜４１８及び第４キャップ膜７０２が配置された領域は、第２発光膜４１８に電流が流れることにより所定の輝度及び色度で発光する正常領域５０２である。一方、リブ開口部３２２のうち第２発光膜４１８は配置されているが第４キャップ膜７０２が配置されていない領域は、所定の輝度と異なる輝度及び色度で発光する異常領域５０４である。

図９（ｃ）に示す位置関係の場合、第２副画素領域４０２に紫外線が照射されることにより、第２発光膜４１８が配置された領域６００は、第４の色の光を発する。一方、第４キャップ膜７０２のみ配置された領域９００は、赤色、緑色または青色の光を発する。第２発光膜４１８が配置された領域６００と、第４キャップ膜７０２のみ配置された領域９００と、から発せられる光の相違によって、第４キャップ膜７０２が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別することができる。

続いて、第２ＨＴＬ４１０、第３ＨＴＬ４１２、第３キャップ膜７００及び第４キャップ膜７０２を形成する際に、ファインマスクの位置ずれが生じたか否かを判断する方法について説明する。

図１０（ａ）は、リブ開口部３２２と、第１発光膜４１６と、第２ＨＴＬ４１０と、第３キャップ膜７００と、がそれぞれ所定の位置に形成された場合において、電流が流れたときの第１副画素領域４００の発光状態を示す図である。図１０（ｂ）は、第２ＨＴＬ４１０及び第３キャップ膜７００が所定の位置からずれて形成された場合において、第１発光膜４１６に電流が流れたときの第１副画素領域４００の発光状態を示す図である。図１０（ｃ）は、第２ＨＴＬ４１０及び第３キャップ膜７００が所定の位置からずれて形成された場合において、第１副画素領域４００に紫外線が照射されたときの第１副画素領域４００の発光状態を示す図である。

図１０（ａ）に示す位置関係の場合、リブ開口部３２２の全ての領域は、正常領域５０２である。図１０（ｂ）に示す位置関係の場合、リブ開口部３２２のうち第１発光膜４１６、第２ＨＴＬ４１０及び第３キャップ膜７００全てが配置された領域は、第１発光膜４１６に電流が流れることにより所定の輝度及び色度で発光する正常領域５０２である。一方、リブ開口部３２２のうち、第１発光膜４１６は配置されているが、第２ＨＴＬ４１０または第３キャップ膜７００の少なくとも一方が配置されていない領域は、所定の輝度と異なる輝度及び色度で発光する異常領域５０４である。

図１０（ｃ）に示す位置関係の場合、第１副画素領域４００に紫外線が照射されることにより、第１発光膜４１６が配置された領域５０６は、第２の色の光を発する。一方、第２ＨＴＬ４１０のみ配置された領域５０８は、赤色、緑色または青色の光を発する。また、第３キャップ膜７００のみ配置された領域８００は、赤色、緑色または青色の光を発する。第１発光膜４１６が配置された領域５０６と、第２ＨＴＬ４１０または第３キャップ膜７００の一方のみが配置された領域と、から発せられる光の相違によって、第２ＨＴＬ４１０及び／または第３キャップ膜７００が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別することができる。

なお、第２ＨＴＬ４１０に混合される第１蛍光材料と、第３キャップ膜７００に混合される第１蛍光材料は、いずれも、紫外線が照射された場合に第２の色と異なる色の光を発する材料であることが望ましい。さらに、第２ＨＴＬ４１０に混合される第１蛍光材料と、第３キャップ膜７００に混合される第１蛍光材料は、紫外線が照射された場合に異なる色を発することが望ましい。

具体的には、例えば、紫外線が照射された場合、第１発光膜４１６は赤色の光を発する。第２ＨＴＬ４１０に混合される第１蛍光材料は、紫外線が照射された場合に緑色の光を発する材料であることが望ましい。第３キャップ膜７００に混合される第１蛍光材料は、紫外線が照射された場合に青色の光を発する材料であることが望ましい。第２ＨＴＬ４１０に混合される第１蛍光材料と、第３キャップ膜７００に混合される第１蛍光材料とが発する光の色は逆であってもよい。

図１１（ａ）は、リブ開口部３２２と、第２発光膜４１８と、第３ＨＴＬ４１２と、第４キャップ膜７０２と、がそれぞれ所定の位置に形成された場合において、電流が流れたときの第２副画素領域４０２の発光状態を示す図である。図１１（ｂ）は、第３ＨＴＬ４１２及び第４キャップ膜７０２が所定の位置からずれて形成された場合において、第２発光膜４１８に電流が流れたときの第２副画素領域４０２の発光状態を示す図である。図１１（ｃ）は、第３ＨＴＬ４１２及び第４キャップ膜７０２が所定の位置からずれて形成された場合において、第２副画素領域４０２に紫外線が照射されたときの第２副画素領域４０２の発光状態を示す図である。

図１１（ａ）に示す位置関係の場合、リブ開口部３２２の全ての領域は、正常領域５０２である。図１１（ｂ）に示す位置関係の場合、リブ開口部３２２のうち第２発光膜４１８、第３ＨＴＬ４１２及び第４キャップ膜７０２全てが配置された領域は、第２発光膜４１８に電流が流れることにより所定の輝度及び色度で発光する正常領域５０２である。一方、リブ開口部３２２のうち、第２発光膜４１８は配置されているが、第３ＨＴＬ４１２または第４キャップ膜７０２の少なくとも一方が配置されていない領域は、所定の輝度と異なる輝度及び色度で発光する異常領域５０４である。

図１１（ｃ）に示す位置関係の場合、第２副画素領域４０２に紫外線が照射されることにより、第２発光膜４１８が配置された領域６００は、第４の色の光を発する。一方、第３ＨＴＬ４１２のみ配置された領域６０２は、赤色、緑色または青色の光を発する。また、第４キャップ膜７０２のみ配置された領域９００は、赤色、緑色または青色の光を発する。第２発光膜４１８が配置された領域６００と、第３ＨＴＬ４１２または第４キャップ膜７０２の一方のみが配置された領域と、から発せられる光の相違によって、第３ＨＴＬ４１２及び／または第４キャップ膜７０２が所定の位置からずれて形成されたか否かを判別することができる。

上記と同様に、第３ＨＴＬ４１２に混合される第２蛍光材料と、第４キャップ膜７０２に混合される第２蛍光材料は、いずれも、紫外線が照射された場合に第４の色と異なる色の光を発する材料であることが望ましい。さらに、第３ＨＴＬ４１２に混合される第２蛍光材料と、第４キャップ膜７０２に混合される第２蛍光材料は、紫外線が照射された場合に異なる色を発することが望ましい。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１００ 有機ＥＬ表示装置、１１０ 上フレーム、１２０ 下フレーム、２００ 表示パネル、２０２ アレイ基板、２０４ 保護フィルム、２０６ 駆動ＩＣ、２０８ 画素、２１０ 表示領域、３００ 基板、３０２ アレイ層、３０４ 駆動トランジスタ、３０６ 平坦化膜、３０８ 反射膜、３１０ 下部電極、３１２ リブ、３１４ 有機ＥＬ層、３１６ 上部電極、３１８ キャップ層、３２０ 封止膜、３２２ リブ開口部、４００ 第１副画素領域、４０２ 第２副画素領域、４０４ 第３副画素領域、４０６ ホール注入層、４０８ 第１ＨＴＬ、４１０ 第２ＨＴＬ、４１２ 第３ＨＴＬ、４１４ 電子ブロック層、４１６ 第１発光膜、４１８ 第２発光膜、４２０ 第３発光膜、４２２ ホールブロック層、４２４ 電子輸送層、４２６ 電子注入層、４２８ 第１キャップ膜、４３０ 第２キャップ膜、５０２ 正常領域、５０４ 異常領域、５０６ 第１発光膜が配置された領域、５０８ 第２ＨＴＬのみ配置された領域、６００ 第２発光膜が配置された領域、６０２ 第３ＨＴＬのみ配置された領域、７００ 第３キャップ膜、７０２ 第４キャップ膜、８００ 第３キャップ膜のみ配置された領域、９００ 第４キャップ膜のみ配置された領域。

Claims (7)

1. 第１副画素領域を有する有機ＥＬ表示装置であって、
   基板と、
   前記基板上の前記第１副画素領域に配置され、電流が流れることで第１の色の光を発するとともに、紫外線が照射されることで第２の色の光を発する第１発光膜と、
   前記第１発光膜と前記基板の間及び／または前記第１発光膜の前記基板とは反対側に配置され、前記第１の色の光の波長に応じた厚さである１又は複数の第１光路長調整膜と、
   を有し、
   前記第１光路長調整膜は、紫外線が照射されることによって光を発する第１蛍光材料が混合される、
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記第１蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、前記第２の色と異なる色の光を発することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記第１蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、前記第２の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が短い波長の光を発することを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. さらに、第２副画素領域と、
   前記基板上の前記第２副画素領域に配置され、電流が流れることで前記第１の色の光よりも波長が短い第３の色の光を発するとともに、紫外線が照射されることで第４の色の光を発する第２発光膜と、
   前記第２発光膜と前記基板の間及び／または前記第２発光膜の前記基板とは反対側に配置され、前記第３の色の光の波長に応じた厚さである１又は複数の第２光路長調整膜と、
   を有し、
   前記第２光路長調整膜は、紫外線が照射されることによって光を発する第２蛍光材料を混合される、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記第２蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、前記第４の色と異なる色の光を発することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記第２蛍光材料は、紫外線が照射されることによって、前記第４の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が長い、または、前記第４の色の光の波長より少なくとも５ｎｍ以上が短い波長の光を発することを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
7. さらに、第３副画素領域と、
   前記基板上の前記第３副画素領域に配置され、電流が流れることで前記第１の色の光及び前記第３の色の光よりも波長が短い第５の色の光を発する第３発光膜と、
   を有し、
   紫外線が照射された場合に、前記第１発光膜乃至前記第３発光膜が配置された領域及び前記第１蛍光材料並びに前記第２蛍光材料が混合された領域のうち最も低い輝度を発する領域が発する輝度は、前記第１発光膜乃至前記第３発光膜が配置された領域及び前記第１蛍光材料並びに前記第２蛍光材料が混合された領域以外の領域が発する輝度よりも１割以上高い、ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。

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