JP2019109887A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2019109887A5
JP2019109887A5 JP2018232797A JP2018232797A JP2019109887A5 JP 2019109887 A5 JP2019109887 A5 JP 2019109887A5 JP 2018232797 A JP2018232797 A JP 2018232797A JP 2018232797 A JP2018232797 A JP 2018232797A JP 2019109887 A5 JP2019109887 A5 JP 2019109887A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
output
volatile memory
arithmetic
memory device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018232797A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019109887A (ja
JP7421265B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020170174926A external-priority patent/KR102408858B1/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2019109887A publication Critical patent/JP2019109887A/ja
Publication of JP2019109887A5 publication Critical patent/JP2019109887A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7421265B2 publication Critical patent/JP7421265B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2018232797A 2017-12-19 2018-12-12 不揮発性メモリ装置及びその動作方法並びにメモリシステム Active JP7421265B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0174926 2017-12-19
KR1020170174926A KR102408858B1 (ko) 2017-12-19 2017-12-19 비휘발성 메모리 장치, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019109887A JP2019109887A (ja) 2019-07-04
JP2019109887A5 true JP2019109887A5 (enExample) 2022-01-11
JP7421265B2 JP7421265B2 (ja) 2024-01-24

Family

ID=66674477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018232797A Active JP7421265B2 (ja) 2017-12-19 2018-12-12 不揮発性メモリ装置及びその動作方法並びにメモリシステム

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10672479B2 (enExample)
JP (1) JP7421265B2 (enExample)
KR (1) KR102408858B1 (enExample)
CN (1) CN110047543B (enExample)
DE (1) DE102018123194A1 (enExample)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102374103B1 (ko) * 2018-01-16 2022-03-14 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 소거 방법
KR102559581B1 (ko) * 2018-05-23 2023-07-25 삼성전자주식회사 재구성 가능 로직을 포함하는 스토리지 장치 및 상기 스토리지 장치의 동작 방법
WO2020240228A1 (en) * 2019-05-31 2020-12-03 Micron Technology, Inc. Direct memory access using jtag cell addressing
US11875044B2 (en) 2019-05-31 2024-01-16 Lodestar Licensing Group, Llc Direct memory access using joint test action group (JTAG) cells addressing
KR102693841B1 (ko) * 2019-07-31 2024-08-12 에스케이하이닉스 주식회사 저장 장치 및 그 동작 방법
US11397561B2 (en) * 2019-09-05 2022-07-26 SK Hynix Inc. Nonvolatile memory device performing a multiplicaiton and accumulation operation
KR102878420B1 (ko) * 2019-09-05 2025-10-29 에스케이하이닉스 주식회사 Mac 연산 동작을 수행하는 비휘발성 메모리 장치
KR20210034999A (ko) * 2019-09-23 2021-03-31 에스케이하이닉스 주식회사 Aim 장치 및 aim 장치에서의 곱셈-누산 연산 방법
US12081237B2 (en) * 2019-09-23 2024-09-03 SK Hynix Inc. Processing-in-memory (PIM) devices
US20210125040A1 (en) * 2019-10-24 2021-04-29 International Business Machines Corporation 3d neural inference processing unit architectures
TWI704569B (zh) * 2019-10-29 2020-09-11 旺宏電子股份有限公司 積體電路及其運算方法
US11081182B2 (en) * 2019-10-29 2021-08-03 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit and computing method thereof
KR102793518B1 (ko) * 2019-11-18 2025-04-11 에스케이하이닉스 주식회사 신경망 처리 회로를 포함하는 메모리 장치
KR102791004B1 (ko) * 2019-12-26 2025-04-02 삼성전자주식회사 셀 단위로 액세스 가능한 스토리지 장치 및 그 동작방법
US12106819B2 (en) * 2020-01-07 2024-10-01 SK Hynix Inc. Processing-in-memory (PIM) device
JP7340178B2 (ja) * 2020-01-16 2023-09-07 本田技研工業株式会社 半導体装置
US11934798B2 (en) * 2020-03-31 2024-03-19 Micron Technology, Inc. Counter-based multiplication using processing in memory
US12164882B2 (en) * 2020-07-14 2024-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. In-memory computation circuit and method
US11755685B2 (en) * 2020-09-30 2023-09-12 Piecemakers Technology, Inc. Apparatus for data processing in conjunction with memory array access
KR102811178B1 (ko) * 2020-10-30 2025-05-21 에스케이하이닉스 주식회사 웨이퍼 대 웨이퍼 본딩 구조를 갖는 메모리 장치
TWI752713B (zh) * 2020-11-04 2022-01-11 臺灣發展軟體科技股份有限公司 資料處理電路及故障減輕方法
KR20220105940A (ko) 2021-01-21 2022-07-28 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
TWI782573B (zh) * 2021-01-28 2022-11-01 旺宏電子股份有限公司 記憶體內運算器及記憶體內運算方法
CN114860318B (zh) * 2021-02-05 2025-05-13 深圳比特微电子科技有限公司 运算电路、计算芯片和运算电路制造方法
KR20220114409A (ko) 2021-02-08 2022-08-17 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 및 비휘발성 메모리 장치의 동작 방법
TWI788128B (zh) * 2021-04-16 2022-12-21 旺宏電子股份有限公司 記憶體裝置及其操作方法
US20230161556A1 (en) * 2021-11-22 2023-05-25 Macronix International Co., Ltd. Memory device and operation method thereof
US11860733B2 (en) * 2021-12-08 2024-01-02 Western Digital Technologies, Inc. Memory matched low density parity check coding schemes
JP2023137598A (ja) * 2022-03-18 2023-09-29 キオクシア株式会社 半導体装置
CN115831198B (zh) * 2023-01-06 2023-05-02 芯天下技术股份有限公司 片选使能控制装置、读取装置、擦写装置及快闪存储器
KR20240117387A (ko) 2023-01-25 2024-08-01 주식회사 밀리언럭스 사진 이미지 객관화 선택을 위한 공통 관심사 사용자 간의 품앗이 평가 서비스 장치 및 그에따른 서비스 방법

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5014235A (en) * 1987-12-15 1991-05-07 Steven G. Morton Convolution memory
JP3260357B2 (ja) * 1990-01-24 2002-02-25 株式会社日立製作所 情報処理装置
US7107305B2 (en) 2001-10-05 2006-09-12 Intel Corporation Multiply-accumulate (MAC) unit for single-instruction/multiple-data (SIMD) instructions
AU2003221680A1 (en) 2002-04-09 2003-10-27 The Research Foundation Of State University Of New York Multiplier-based processor-in-memory architectures for image and graphics processing
KR101226685B1 (ko) 2007-11-08 2013-01-25 삼성전자주식회사 수직형 반도체 소자 및 그 제조 방법.
JP5376920B2 (ja) * 2008-12-04 2013-12-25 キヤノン株式会社 コンボリューション演算回路、階層的コンボリューション演算回路及び物体認識装置
KR101601849B1 (ko) 2009-10-21 2016-03-09 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 그것의 읽기 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템
US9477636B2 (en) 2009-10-21 2016-10-25 Micron Technology, Inc. Memory having internal processors and data communication methods in memory
KR101691092B1 (ko) 2010-08-26 2016-12-30 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법, 그리고 그것을 포함하는 메모리 시스템
US8553466B2 (en) 2010-03-04 2013-10-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory device, erasing method thereof, and memory system including the same
US9536970B2 (en) 2010-03-26 2017-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
KR101682666B1 (ko) 2010-08-11 2016-12-07 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것의 채널 부스팅 방법, 그것의 프로그램 방법 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
WO2012029638A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012226822A (ja) * 2011-04-15 2012-11-15 Samsung Electronics Co Ltd 不揮発性メモリ装置
JP5112555B1 (ja) * 2011-12-02 2013-01-09 株式会社東芝 メモリカード、ストレージメディア、及びコントローラ
JP5674630B2 (ja) 2011-12-02 2015-02-25 株式会社東芝 暗号化演算装置を搭載する不揮発性半導体記憶装置
US8990667B2 (en) * 2012-08-03 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Error check and correction circuit, method, and memory device
US9384168B2 (en) * 2013-06-11 2016-07-05 Analog Devices Global Vector matrix product accelerator for microprocessor integration
US9244629B2 (en) 2013-06-25 2016-01-26 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for asymmetrical processing with managed data affinity
US9898252B2 (en) 2014-09-03 2018-02-20 Micron Technology, Inc. Multiplication operations in memory
US9589602B2 (en) 2014-09-03 2017-03-07 Micron Technology, Inc. Comparison operations in memory
US11164033B2 (en) 2015-05-29 2021-11-02 Micron Technology, Inc. Histogram creation process for memory devices
KR20170010274A (ko) * 2015-07-17 2017-01-26 삼성전자주식회사 적응적 페이지 사이즈 조절 기능을 갖는 반도체 메모리 장치
WO2017137015A2 (zh) 2016-02-13 2017-08-17 成都海存艾匹科技有限公司 含有三维存储阵列的处理器
KR102568203B1 (ko) * 2016-02-23 2023-08-21 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치
US11308383B2 (en) * 2016-05-17 2022-04-19 Silicon Storage Technology, Inc. Deep learning neural network classifier using non-volatile memory array
CN106126481B (zh) * 2016-06-29 2019-04-12 华为技术有限公司 一种计算系统和电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019109887A5 (enExample)
JP7421265B2 (ja) 不揮発性メモリ装置及びその動作方法並びにメモリシステム
CN101790718B (zh) 用于大数乘法的方法及系统
JP2011165305A (ja) 不揮発性メモリ装置及びそれを含むメモリシステム
CN101573694A (zh) 用于小数据结构的ecc保护的方法、系统和装置
JP2015036982A5 (enExample)
KR20100106142A (ko) 불휘발성 메모리 장치 및 그것을 포함하는 메모리 시스템
JPS6126712B2 (enExample)
CN111858131A (zh) 提供针对交叉点存储器中的行方向和列方向的纠错的技术
KR102534825B1 (ko) 메모리 제어장치 및 이를 포함하는 데이터 저장 장치
CN113485867A (zh) 于记忆装置中进行数据管理的方法、记忆装置及其控制器
KR20170051039A (ko) 반도체 장치 및 그 구동 방법
JP2007109197A (ja) 半導体集積回路装置およびアドレス変換テーブルの生成方法
CN109471751A (zh) 针对海量存储装置来检测静默数据讹误
JP2007305105A (ja) メモリコントローラ
CN109841252B (zh) 闪存控制器和设置在闪存控制器中的编码器和编码器
EP4350581A1 (en) High-efficiency pooling method and device therefor
US10176066B2 (en) Memory module, memory system including the same and operation method thereof
CN115496193A (zh) 基于rram阵列的卷积计算瓦片架构及神经网络加速芯片
CN118916300A (zh) 一种基于存内计算芯片的数字控制电路及其使用方法
JPWO2020229933A5 (enExample)
TW201017669A (en) Flash memory apparatus and updating method
CN117742594A (zh) 数据存储方法及装置、电子设备和存储介质
TWI774067B (zh) 記憶體裝置及其記憶體內計算方法
US9104596B2 (en) Memory system