JP2019102481A

JP2019102481A - Workpiece processing method

Info

Publication number: JP2019102481A
Application number: JP2017228034A
Authority: JP
Inventors: 良彰淀; Yoshiaki Yodo
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2017-11-28
Filing date: 2017-11-28
Publication date: 2019-06-24
Anticipated expiration: 2037-11-28
Also published as: JP6965126B2

Abstract

To provide a workpiece processing method capable of dividing a workpiece into individual devices without causing chipping.SOLUTION: A workpiece processing method comprises: a covering step (ST2) of covering a surface of the workpiece with a protective film; a laser processing groove forming step (ST3) of removing a laminate together with the protective film along a street by irradiating the laminate and the protective film with laser beams along the street, and forming a laser processing groove after performing the covering step (ST2); a deposit removing step (ST4) of cutting and removing the deposit accumulated in the laser processing groove generated by the laser processing groove forming step (ST3) with a cutting blade thinner than the width of the laser processing groove after performing the laser processing groove forming step (ST3); and a dry etching step (ST5) of subjecting dry etching to the workpiece via the protective film after performing the deposit removing step (ST4).SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、基材と、基材の表面に積層されデバイスを構成するデバイス層と、を備え、交差する複数のストリートで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された被加工物の加工方法に関する。 The present invention relates to a method of processing a workpiece including a substrate and a device layer laminated on the surface of the substrate to constitute a device, and the devices are respectively formed in regions divided by a plurality of intersecting streets. .

交差する複数のストリートで区画された領域にそれぞれデバイスが形成された被加工物を個々のデバイスに分割する方法として、ドライエッチングを被加工物に施すプラズマダイシングが用いられている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。 Plasma dicing in which dry etching is performed on a workpiece is used as a method of dividing the workpiece on which devices are respectively formed in regions divided by a plurality of intersecting streets into individual devices (for example, Patent Literature 1 and Patent Document 2).

特開２００６−１２０８３４号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-120834 特開２０１６−２０７７３７号公報JP, 2016-207737, A

しかしながら、特許文献１に示された加工方法は、レジストでマスクを形成するために、工程が煩雑になる上、コストが高騰するという問題があった。これらの問題を解決するために、特許文献２に示された加工方法は、樹脂で被加工物の表面を被覆した後、レーザビームを照射してストリートに沿って樹脂を除去してマスクを形成している。 However, the processing method disclosed in Patent Document 1 has a problem that the process becomes complicated and the cost is increased because a mask is formed using a resist. In order to solve these problems, the processing method disclosed in Patent Document 2 forms a mask by coating a surface of a workpiece with a resin and then irradiating the laser beam to remove the resin along the street. doing.

しかしながら、特許文献２に示された加工方法は、レーザビームの照射によって形成されたレーザ加工溝の溝底にレーザビームの照射によって生成された堆積物が堆積する。被加工物がデバイスを有するウエーハの場合には、前述した堆積物は、デバイスを構成するデバイス層に含まれる配線、被加工物によってストリート上に形成されているＴＥＧ（Test Elements Group）等の金属を含む。特許文献２に示された加工方法は、金属を含む堆積物が堆積した部分では、ドライエッチングが進行せずに、個々のデバイスに分割することが困難となる場合があった。 However, in the processing method disclosed in Patent Document 2, the deposit generated by the laser beam irradiation is deposited on the groove bottom of the laser-processed groove formed by the laser beam irradiation. In the case where the workpiece is a wafer having a device, the above-described deposit is a metal included in a device layer constituting the device, a metal such as TEG (Test Elements Group) formed on a street by the workpiece. including. According to the processing method disclosed in Patent Document 2, it may be difficult to divide the device into individual devices without progress of dry etching in the portion where the deposit containing the metal is deposited.

また、表面を樹脂等の保護部材で覆った後にストリートを露出させるために、切削ブレードを保護部材に切り込ませると、チッピングと呼ばれる欠けが発生する。特許文献２に示された加工方法は、チッピングが生じた状態で、ドライエッチングを施すと欠けがドライエッチングで拡大されてしまい、問題となる。 In addition, when the cutting blade is cut into the protective member in order to expose the street after covering the surface with the protective member such as resin, a chipping called chipping occurs. In the processing method disclosed in Patent Document 2, when dry etching is performed in a state where chipping has occurred, the chip is enlarged by dry etching, which causes a problem.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、チッピングを発生させることなく、被加工物を個々のデバイスに分割することができる被加工物の加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a method of processing a workpiece which can divide a workpiece into individual devices without causing chipping. It is.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の加工方法は、基材と、該基材の表面に交差する複数のストリートで区画された領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス層と、を備えるとともに該ストリート上に積層物が積層された被加工物の加工方法であって、該被加工物の表面を保護部材で被覆する被覆ステップと、該被覆ステップを実施した後、該ストリートに沿ってレーザビームを照射して該ストリートに沿って該保護部材とともに該積層物を除去するレーザ加工溝を形成するレーザ加工溝形成ステップと、該レーザ加工溝形成ステップを実施した後、該レーザ加工溝の幅より薄い切削ブレードで該レーザ加工溝形成ステップで生成され該レーザ加工溝に堆積した堆積物を切削し除去する堆積物除去ステップと、該堆積物除去ステップを実施した後、該保護部材を介してドライエッチングを施すドライエッチングステップと、を備えたことを特徴とする。 In order to solve the problems described above and to achieve the object, in the method of processing a workpiece according to the present invention, a device is formed on a substrate and a plurality of street-partitioned regions intersecting the surface of the substrate. A method of processing a workpiece comprising the printed device layer and a laminate stacked on the street, the step of coating the surface of the workpiece with a protective member, and the step of coating Forming a laser-processed groove for forming a laser-processed groove along the street by irradiating a laser beam along the street with the protective member, and the laser-formed groove forming step And removing deposits formed in the laser-processed groove forming step and deposited on the laser-processed groove with a cutting blade thinner than the width of the laser-processed groove , After performing the deposit removal step, characterized in that and a dry etching step of dry etching through the protection member.

前記被加工物の加工方法において、該保護部材は、水溶性樹脂からなり、該堆積物除去ステップは、該切削ブレードに切削液を供給することなく実施しても良い。 In the method of processing a workpiece, the protective member may be made of a water-soluble resin, and the deposit removal step may be performed without supplying a cutting fluid to the cutting blade.

前記被加工物の加工方法において、該堆積物除去ステップでは、該切削ブレードを被加工物に対して下から上に回転させても良い。 In the method of processing a workpiece, in the deposit removing step, the cutting blade may be rotated from bottom to top with respect to the workpiece.

本発明は、チッピングを発生させることなく、被加工物を個々のデバイスに分割することができるという効果を奏する。 The present invention has the advantage that the workpiece can be divided into individual devices without chipping.

図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a workpiece to be machined by the method of machining a workpiece according to the first embodiment. 図２は、図１に示された被加工物の要部を拡大して示す斜視図である。FIG. 2 is an enlarged perspective view showing the main part of the workpiece shown in FIG. 図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG. 図４は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a flow of a method of processing a workpiece according to the first embodiment. 図５は、図４に示された被加工物の加工方法のテープ貼着ステップ後の被加工物の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of the workpiece after the tape application step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. 図６は、図４に示された被加工物の加工方法の被覆ステップを示す側断面図である。FIG. 6 is a side sectional view showing a coating step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 図７は、図４に示された被加工物の加工方法の被覆ステップ後の被加工物の断面図である。7 is a cross-sectional view of the workpiece after the coating step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 図８は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップで用いられるレーザ加工装置の一例を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing an example of a laser processing apparatus used in the laser processing groove forming step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. 図９は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップを示す側断面図である。FIG. 9 is a side sectional view showing a laser processing groove forming step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 図１０は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップ後の被加工物の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of the workpiece after the laser processing groove forming step of the method for processing a workpiece shown in FIG. 4. 図１１は、図１０中のＸＩ部を拡大して示す断面図である。FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a part XI in FIG. 図１２は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップで用いられる切削装置の一例を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing an example of a cutting device used in the deposit removal step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. 図１３は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップを示す側断面図である。FIG. 13 is a side sectional view showing a deposit removal step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 図１４は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップ中の被加工物の要部の断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view of the main part of the workpiece in the deposit removal step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. 図１５は、図４に示された被加工物の加工方法のドライエッチングステップで用いられるエッチング装置の一例を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing an example of an etching apparatus used in the dry etching step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. 図１６は、図４に示された被加工物の加工方法のドライエッチングステップ後の被加工物の断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view of the workpiece after the dry etching step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. 図１７は、図４に示された被加工物の加工方法のマスク除去ステップを示す側断面図である。FIG. 17 is a side cross sectional view showing a mask removing step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. 図１８は、実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法の堆積物除去ステップを示す側断面図である。FIG. 18 is a side sectional view showing a deposit removing step of the method of processing a workpiece according to the modification of the first embodiment.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 A mode (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited by the contents described in the following embodiments. Further, the components described below include those which can be easily conceived by those skilled in the art and those which are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or modifications of the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図２は、図１に示された被加工物の要部を拡大して示す斜視図である。図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。 Embodiment 1
The processing method of the to-be-processed object which concerns on Embodiment 1 of this invention is demonstrated based on drawing. FIG. 1 is a perspective view showing an example of a workpiece to be machined by the method of machining a workpiece according to the first embodiment. FIG. 2 is an enlarged perspective view showing the main part of the workpiece shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG. FIG. 4 is a flowchart showing a flow of a method of processing a workpiece according to the first embodiment.

実施形態１に係る被加工物の加工方法は、図１、図２及び図３に示す被加工物１の加工方法である。実施形態１では、被加工物１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基材２とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。被加工物１は、図１、図２及び図３に示すように、基材２と、基材２の表面３に交差する複数のストリート４で区画された領域にそれぞれデバイス５が形成されたデバイス層７（図３に示す）とを備える。 The processing method of the to-be-processed object which concerns on Embodiment 1 is a processing method of the to-be-processed object 1 shown to FIG.1, FIG2 and FIG.3. In the first embodiment, the workpiece 1 is a disk-shaped semiconductor wafer or an optical device wafer using silicon, sapphire, or gallium arsenide as the base material 2. As shown in FIG. 1, FIG. 2 and FIG. 3, the device 5 was formed in the substrate 2 and the area divided by the plurality of streets 4 intersecting the surface 3 of the substrate 2, respectively. And device layer 7 (shown in FIG. 3).

デバイス５は、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等である。デバイス５を構成するデバイス層７は、金属等から構成された回路を形成する配線層と、配線層を支持する低誘電率絶縁膜（以下、Ｌｏｗ−ｋ膜という）とを含む。Ｌｏｗ−ｋ膜は、デバイス５を構成し、層間絶縁膜として用いられる膜である。また、実施形態１では、ストリート４上には、図３に示すように、デバイス層７が積層物として積層されているが、本発明では、ストリート４の表面にデバイス層７が積層されずに、ストリート４において基材２の表面が露出し、積層物として後述するＴＥＧ８のみが形成されていても良い。 The device 5 is an integrated circuit (IC), a large scale integration (LSI), or the like. The device layer 7 constituting the device 5 includes a wiring layer forming a circuit made of metal or the like, and a low dielectric constant insulating film (hereinafter referred to as a Low-k film) supporting the wiring layer. The low-k film is a film that constitutes the device 5 and is used as an interlayer insulating film. In the first embodiment, the device layer 7 is stacked as a stack on the street 4 as shown in FIG. 3, but in the present invention, the device layer 7 is not stacked on the surface of the street 4. The surface of the base material 2 may be exposed in the street 4 and only TEG 8 described later may be formed as a laminate.

また、実施形態１において、被加工物１は、ストリート４に図２及び図３に示すＴＥＧ（Test Elements Group）８等の金属が部分的に形成されている。ＴＥＧ８は、デバイス５に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子であり、表面に金属からなる電極パッドを有している。ＴＥＧ８は、被加工物１の種別等に応じて、任意に配置される。実施形態１において、被加工物１は、積層物としてストリート４にＴＥＧ８等の金属が形成されているが、本発明は、ストリート４にＴＥＧ８等の金属が形成されていなくても良い。要するに、本発明の被加工物１は、ストリート４の表面にデバイス層７とＴＥＧ８等の金属との少なくとも一方が形成されていれば良い。また、実施形態１において、被加工物１は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハなどのウエーハであるが、本発明では、ウエーハに限定されない。 Further, in the first embodiment, the workpiece 1 is partially formed of metal such as TEG (Test Elements Group) 8 shown in FIG. 2 and FIG. 3 on the street 4. The TEG 8 is an evaluation element for finding out a design or manufacturing problem occurring in the device 5, and has an electrode pad made of metal on the surface. The TEG 8 is arbitrarily disposed in accordance with the type of the workpiece 1 and the like. In the first embodiment, the workpiece 1 has a metal such as TEG 8 formed on the street 4 as a laminate, but according to the present invention, the metal such as TEG 8 may not be formed on the street 4. In short, in the workpiece 1 of the present invention, at least one of the device layer 7 and a metal such as TEG 8 may be formed on the surface of the street 4. In the first embodiment, the workpiece 1 is a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer, but the present invention is not limited to the wafer.

実施形態１に係る被加工物の加工方法は、図１、図２及び図３に示す被加工物１の加工方法であって、実施形態１では、被加工物１を個々のデバイス５に分割する方法である。被加工物の加工方法は、図４に示すように、テープ貼着ステップＳＴ１と、被覆ステップＳＴ２と、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３と、堆積物除去ステップＳＴ４と、ドライエッチングステップＳＴ５と、マスク除去ステップＳＴ６とを備える。 The method for processing a workpiece according to the first embodiment is a method for processing the workpiece 1 shown in FIGS. 1, 2 and 3, and in the first embodiment, the workpiece 1 is divided into individual devices 5. How to As shown in FIG. 4, the processing method of the workpiece is, as shown in FIG. 4, a tape attaching step ST1, a covering step ST2, a laser processing groove forming step ST3, a deposit removing step ST4, a dry etching step ST5, and a mask removing And step ST6.

（テープ貼着ステップ）
図５は、図４に示された被加工物の加工方法のテープ貼着ステップ後の被加工物の斜視図である。テープ貼着ステップＳＴ１は、被加工物１に粘着テープ１０を貼着するステップである。実施形態１では、ドライエッチングステップＳＴ５において被加工物１をＧフルカットするために被加工物１の裏面９に粘着テープ１０等の支持部材を配設するのが望ましい。実施形態１において、テープ貼着ステップＳＴ１では、図５に示すように、被加工物１の基材２の裏面９に外周縁が環状フレーム１１に貼着された粘着テープ１０を貼着して、被加工物１を環状フレーム１１で支持する。被加工物の加工方法は、被加工物１に粘着テープ１０を貼着すると、被覆ステップＳＴ２に進む。 (Tape sticking step)
FIG. 5 is a perspective view of the workpiece after the tape application step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. The tape attaching step ST1 is a step of attaching the adhesive tape 10 to the workpiece 1. In the first embodiment, in order to G-cut the workpiece 1 in the dry etching step ST5, it is desirable to dispose a support member such as an adhesive tape 10 on the back surface 9 of the workpiece 1. In the first embodiment, in the tape bonding step ST1, as shown in FIG. 5, the adhesive tape 10 whose outer peripheral edge is stuck to the annular frame 11 is stuck to the back surface 9 of the substrate 2 of the workpiece 1 The workpiece 1 is supported by an annular frame 11. When the pressure-sensitive adhesive tape 10 is attached to the workpiece 1, the method of processing the workpiece proceeds to a covering step ST 2.

（被覆ステップ）
図６は、図４に示された被加工物の加工方法の被覆ステップを示す側断面図である。図７は、図４に示された被加工物の加工方法の被覆ステップ後の被加工物の断面図である。 (Coating step)
FIG. 6 is a side sectional view showing a coating step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 7 is a cross-sectional view of the workpiece after the coating step of the method of processing a workpiece shown in FIG.

被覆ステップＳＴ２は、被加工物１のデバイス層７の表面を保護部材である保護膜１２で被覆するステップである。実施形態１において、被覆ステップＳＴ２では、図６に示すように、被加工物１の基材２の表面３の裏側の裏面９側を粘着テープ１０を介して保護膜被覆装置２０のケース２１内のスピンナテーブル２２に吸着保持させ、スピンナテーブル２２を軸心回りに回転させながら、被加工物１の表面にノズル２３から水溶性の保護膜溶液１３を塗布する。水溶性の保護膜溶液１３は、ポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）等の、後述するドライエッチングステップＳＴ５で使用されるエッチングガスに対して耐性を有しかつ水溶性の液状の樹脂等を含む。 The covering step ST2 is a step of covering the surface of the device layer 7 of the workpiece 1 with a protective film 12 which is a protective member. In the first embodiment, in the covering step ST2, as shown in FIG. 6, the back surface 9 side of the back side of the surface 3 of the substrate 2 of the workpiece 1 is inside the case 21 of the protective film covering device 20 via the adhesive tape 10. The spinner table 22 is adsorbed and held, and the water-soluble protective film solution 13 is applied from the nozzle 23 to the surface of the workpiece 1 while the spinner table 22 is rotated about its axis. The water-soluble protective film solution 13 is resistant to the etching gas used in the later-described dry etching step ST5 such as polyvinyl alcohol (PVA) or polyvinyl pyrrolidone (PVP), and is water-soluble. Liquid resin and the like.

被覆ステップＳＴ２では、被加工物１のデバイス層７の表面に水溶性の保護膜溶液１３を塗布した後、保護膜溶液１３を乾燥や加熱し硬化させて、図７に示すように、被加工物１の表面全体に保護膜溶液１３が硬化して構成された保護膜１２を被覆する。即ち、実施形態１において、保護膜１２は、水溶性樹脂からなる。被加工物の加工方法は、被加工物１の表面全体に保護膜１２を被覆すると、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３に進む。 In the coating step ST2, after applying the water-soluble protective film solution 13 to the surface of the device layer 7 of the workpiece 1, the protective film solution 13 is dried or heated and cured to be processed as shown in FIG. The entire surface of the object 1 is covered with a protective film 12 formed by curing the protective film solution 13. That is, in the first embodiment, the protective film 12 is made of a water soluble resin. When the protective film 12 is coated on the entire surface of the workpiece 1, the method of processing the workpiece proceeds to a laser processing groove forming step ST 3.

（レーザ加工溝形成ステップ）
図８は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップで用いられるレーザ加工装置の一例を示す斜視図である。図９は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップを示す側断面図である。図１０は、図４に示された被加工物の加工方法のレーザ加工溝形成ステップ後の被加工物の断面図である。図１１は、図１０中のＸＩ部を拡大して示す断面図である。 (Laser processing groove formation step)
FIG. 8 is a perspective view showing an example of a laser processing apparatus used in the laser processing groove forming step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. FIG. 9 is a side sectional view showing a laser processing groove forming step of the method of processing a workpiece shown in FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view of the workpiece after the laser processing groove forming step of the method for processing a workpiece shown in FIG. 4. FIG. 11 is an enlarged cross-sectional view of a part XI in FIG.

レーザ加工溝形成ステップＳＴ３は、被覆ステップＳＴ２を実施した後、ストリート４に沿ってレーザビーム２００を照射してストリート４に沿って保護膜１２とともにストリート４上の積層物であるデバイス層７とＴＥＧ８を除去して、レーザ加工溝１４を形成するステップである。レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、図８に示すレーザ加工装置３０が保護膜１２により表面が被覆された被加工物１の裏面９側を粘着テープ１０を介してチャックテーブル３１に吸引保持するとともに、クランプ部３２で環状フレーム１１をクランプする。レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、レーザ加工装置３０が撮像ユニット３３でチャックテーブル３１に保持された被加工物１を撮像して、被加工物１とレーザビーム照射ユニット３４との位置合わせを行うアライメントを遂行する。 After performing the covering step ST 2, the laser processing groove forming step ST 3 irradiates the laser beam 200 along the street 4, and the device layer 7 and TEG 8 which are laminates on the street 4 together with the protective film 12 along the street 4. Are removed to form a laser-processed groove 14. In the laser processing groove forming step ST3, the laser processing apparatus 30 shown in FIG. 8 sucks and holds the back surface 9 side of the workpiece 1 whose surface is covered with the protective film 12 via the adhesive tape 10 to the chuck table 31 and The annular frame 11 is clamped by the clamp portion 32. In laser processing groove formation step ST3, the laser processing apparatus 30 images the to-be-processed object 1 hold | maintained at the chuck table 31 with the imaging unit 33, Alignment which performs alignment with the to-be-processed object 1 and the laser beam irradiation unit 34 Carry out.

レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、レーザ加工装置３０が、図９に示すように、Ｘ軸移動ユニット３６、Ｙ軸移動ユニット３７及び回転ユニット３５に各ストリート４とレーザビーム照射ユニット３４とをストリート４に沿って相対的移動させながらレーザビーム照射ユニット３４から保護膜１２及び被加工物１に対して吸収性を有する波長（実施形態１では、３５５ｎｍ）のレーザビーム２００を各ストリート４の幅方向の中央に照射する。レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、レーザ加工装置３０が各ストリート４の幅方向の中央にアブレーション加工を施して、ストリート４の幅方向の中央の保護膜１２、デバイス層７及びＴＥＧ８等の金属膜を除去して、図１０及び図１１に示すように、基材２の表面３から凹のレーザ加工溝１４を各ストリート４の長手方向に沿って形成する。なお、実施形態１において、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では基材２の表面３から約３μｍから１０μｍ程度の深さのレーザ加工溝１４を形成して、デバイス層７を分断する。 In the laser-processed groove forming step ST3, as shown in FIG. 9, the laser processing apparatus 30 uses the X-axis moving unit 36, the Y-axis moving unit 37, and the rotating unit 35 to make each street 4 and the laser beam irradiation unit 34 a street 4 The laser beam 200 having a wavelength (355 nm in the first embodiment) having absorption with respect to the protective film 12 and the workpiece 1 from the laser beam irradiation unit 34 while being relatively moved along the width direction of each street 4 Irradiate to the center. In the laser-processed groove forming step ST3, the laser processing apparatus 30 applies ablation processing to the center in the width direction of each street 4 to form the protective film 12 in the center in the width direction of the street 4 and the metal film such as the device layer 7 and TEG8. After removal, as shown in FIGS. 10 and 11, a concave laser-processed groove 14 is formed along the longitudinal direction of each street 4 from the surface 3 of the substrate 2. In the first embodiment, the laser processing groove 14 having a depth of about 3 μm to about 10 μm from the surface 3 of the base material 2 is formed in the laser processing groove forming step ST3 to divide the device layer 7.

また、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、レーザ加工装置３０は、図１１に示すように、レーザ加工溝１４の溝底にアブレーション加工時に生じるデブリで構成される堆積物１５を形成することとなる。なお、堆積物１５は、前述したデブリから構成されるために後述するドライエッチングステップＳＴ５で使用されるエッチングガスに対して耐性を有するＴＥＧ８等を構成する金属を含む。なお、実施形態１において、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、図８に示すレーザ加工装置３０を用いたが、本発明では、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３で用いるレーザ加工装置は、図８に示すものに限定されない。被加工物の加工方法は、被加工物１の全てのストリート４にレーザ加工溝１４を形成すると、堆積物除去ステップＳＴ４に進む。 Further, in the laser-processed groove forming step ST3, as shown in FIG. 11, the laser processing apparatus 30 forms, on the groove bottom of the laser-processed groove 14, a deposit 15 composed of debris generated during ablation processing. Note that the deposit 15 includes a metal that constitutes TEG 8 or the like having resistance to the etching gas used in the dry etching step ST5 described later because it is configured from the debris described above. In the first embodiment, the laser processing apparatus 30 shown in FIG. 8 is used in the laser processing groove forming step ST3, but in the present invention, the laser processing apparatus used in the laser processing groove forming step ST3 is as shown in FIG. It is not limited to. When the laser processing grooves 14 are formed on all the streets 4 of the workpiece 1, the processing method of the workpiece proceeds to the deposit removal step ST4.

（堆積物除去ステップ）
図１２は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップで用いられる切削装置の一例を示す斜視図である。図１３は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップを示す側断面図である。図１４は、図４に示された被加工物の加工方法の堆積物除去ステップ中の被加工物の要部の断面図である。 (Sediment removal step)
FIG. 12 is a perspective view showing an example of a cutting device used in the deposit removal step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. FIG. 13 is a side sectional view showing a deposit removal step of the method of processing a workpiece shown in FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view of the main part of the workpiece in the deposit removal step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4.

堆積物除去ステップＳＴ４は、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３を実施した後、レーザ加工溝１４の幅１６より厚さ４２が薄い切削ブレード４１でレーザ加工溝形成ステップＳＴ３で生成されレーザ加工溝１４の溝底に堆積した堆積物１５を切削し除去するステップである。堆積物除去ステップＳＴ４では、図１２に示す切削装置４０の制御ユニット５５が、レーザ加工溝１４が形成された被加工物１の裏面９側を粘着テープ１０を介してチャックテーブル４３に吸引保持するとともに、クランプ部４４で環状フレーム１１をクランプする。堆積物除去ステップＳＴ４では、切削装置４０の制御ユニット５５が撮像ユニット４５でチャックテーブル４３に保持された被加工物１を撮像して、被加工物１と切削ユニット４６との位置合わせを行うアライメントを遂行する。 In the deposit removal step ST4, after performing the laser processing groove forming step ST3, the groove 42 of the laser processing groove 14 is generated in the laser processing groove forming step ST3 with a cutting blade 41 having a thickness 42 thinner than the width 16 of the laser processing groove 14 It is a step of cutting and removing the deposit 15 deposited on the bottom. In the deposit removal step ST4, the control unit 55 of the cutting device 40 shown in FIG. 12 sucks and holds the back surface 9 side of the workpiece 1 on which the laser processing groove 14 is formed on the chuck table 43 via the adhesive tape 10. At the same time, the annular frame 11 is clamped by the clamp portion 44. In the deposit removal step ST4, the control unit 55 of the cutting apparatus 40 images the workpiece 1 held on the chuck table 43 by the imaging unit 45, and performs alignment between the workpiece 1 and the cutting unit 46. Carry out.

堆積物除去ステップＳＴ４では、切削装置４０の制御ユニット５５が、図１３に示すように、Ｘ軸移動ユニット４７にチャックテーブル４３をＸ軸方向に移動させ、Ｙ軸移動ユニット４８に切削ユニット４６をＹ軸方向に移動させ、Ｚ軸移動ユニット５４に切削ユニット４６をＺ軸方向に移動させ、回転ユニット４９にチャックテーブル４３をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させて、各ストリート４と切削ユニット４６とをストリート４に沿って相対的移動させながら図１４に示すように切削ユニット４６の切削ブレード４１を基材２に到達するまで堆積物１５に切り込ませる。堆積物除去ステップＳＴ４では、切削装置４０が切削ブレード４１でレーザ加工溝１４の溝底に堆積した堆積物１５を切削して、レーザ加工溝１４の溝底に堆積した堆積物１５を除去して、レーザ加工溝１４の溝底に基材２を露出させる。なお、実施形態１において、堆積物除去ステップＳＴ４は、切削装置４０が、切削ユニット４６の切削液供給ユニット５０から切削ブレード４１に冷却用等の用途で用いられる切削液を供給することなく実施する（即ち、ドライカットを実施する）。 In the deposit removal step ST4, the control unit 55 of the cutting device 40 causes the X-axis moving unit 47 to move the chuck table 43 in the X-axis direction, and the Y-axis moving unit 48 makes the cutting unit 46, as shown in FIG. The cutting unit 46 is moved in the Y-axis direction, the cutting unit 46 is moved in the Z-axis direction by the Z-axis moving unit 54, and the chuck table 43 is rotated about an axis parallel to the Z-axis direction in the rotating unit 49. While relatively moving the cutting unit 46 along the street 4, the cutting blade 41 of the cutting unit 46 is cut into the deposit 15 until it reaches the substrate 2 as shown in FIG. In the deposit removal step ST4, the cutting device 40 cuts the deposit 15 deposited on the groove bottom of the laser-processed groove 14 with the cutting blade 41 to remove the deposit 15 deposited on the groove bottom of the laser-processed groove 14 The substrate 2 is exposed at the bottom of the laser-processed groove 14. In the first embodiment, the deposit removing step ST4 is performed without the cutting device 40 supplying the cutting fluid used in applications such as cooling from the cutting fluid supply unit 50 of the cutting unit 46 to the cutting blade 41. (Ie, carry out a dry cut).

また、実施形態１において、堆積物除去ステップＳＴ４では、切削ブレード４１のレーザ加工溝１４の溝底に堆積した堆積物１５を切り込む刃先５１において、切削ブレード４１を被加工物１に対して下から上に向かう図１３中の矢印５２で示す方向に回転させる、所謂アップカットを実施する。なお、実施形態１において、堆積物除去ステップＳＴ４では、図１２に示す切削装置４０を用いたが、本発明では、堆積物除去ステップＳＴ４で用いる切削装置は、図１２に示すものに限定されない。被加工物の加工方法は、被加工物１の全てのストリート４に形成されたレーザ加工溝１４の溝底の堆積物１５を除去すると、ドライエッチングステップＳＴ５に進む。 In the first embodiment, in the deposit removing step ST4, the cutting blade 41 is cut from below the workpiece 1 with respect to the cutting edge 51 for cutting the deposit 15 deposited on the groove bottom of the laser processing groove 14 of the cutting blade 41. A so-called up-cut is performed to rotate in the direction indicated by the arrow 52 in FIG. In the first embodiment, the cutting device 40 shown in FIG. 12 is used in the deposit removal step ST4. However, in the present invention, the cutting device used in the deposit removal step ST4 is not limited to that shown in FIG. When the deposit 15 on the groove bottom of the laser-processed groove 14 formed in all the streets 4 of the workpiece 1 is removed, the method of processing the workpiece proceeds to the dry etching step ST5.

また、実施形態１の堆積物除去ステップＳＴ４で用いられる前述した切削装置４０は、チャックテーブル４３と、クランプ部４４と、撮像ユニット４５と、切削ブレード４１及び切削液供給ユニット５０を有する切削ユニット４６と、Ｘ軸移動ユニット４７と、Ｙ軸移動ユニット４８と、回転ユニット４９と、Ｚ軸移動ユニット５４と、制御ユニット５５とを備える。制御ユニット５５は、切削装置４０の各構成要素をそれぞれ制御して、被加工物１に対する加工動作を切削装置４０に実施させるものである。なお、制御ユニット５５は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット５５の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、切削装置４０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して切削装置４０の上述した構成要素に出力する。制御ユニット５５は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットと、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力ユニットと、図示しない報知ユニットとが接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。 In addition, the above-described cutting device 40 used in the deposit removal step ST4 of the first embodiment includes the chuck table 43, the clamp unit 44, the imaging unit 45, the cutting blade 41, and the cutting unit 46 having the cutting fluid supply unit 50. , An X-axis moving unit 47, a Y-axis moving unit 48, a rotation unit 49, a Z-axis moving unit 54, and a control unit 55. The control unit 55 controls the respective components of the cutting device 40 to cause the cutting device 40 to perform the processing operation on the workpiece 1. The control unit 55 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a CPU (central processing unit) and a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), and And a computer having an interface device. The arithmetic processing unit of the control unit 55 executes arithmetic processing in accordance with a computer program stored in the storage unit, and transmits control signals for controlling the cutting unit 40 through the input / output interface unit. Output to the component that has The control unit 55 includes a display unit (not shown) including a liquid crystal display device or the like for displaying the state of the processing operation, an image, etc., an input unit (not shown) used when the operator registers processing content information, etc. The unit is connected. The input unit is configured by at least one of a touch panel provided in the display unit and an external input device such as a keyboard.

（ドライエッチングステップ）
図１５は、図４に示された被加工物の加工方法のドライエッチングステップで用いられるエッチング装置の一例を示す断面図である。図１６は、図４に示された被加工物の加工方法のドライエッチングステップ後の被加工物の断面図である。 (Dry etching step)
FIG. 15 is a cross-sectional view showing an example of an etching apparatus used in the dry etching step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. FIG. 16 is a cross-sectional view of the workpiece after the dry etching step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4.

ドライエッチングステップＳＴ５は、堆積物除去ステップＳＴ４を実施した後、保護膜１２を介してドライエッチングを施すステップである。ドライエッチングステップＳＴ５では、図１５に示すエッチング装置６０がゲートバルブ６１を開け、搬入出口６２から被加工物１をチャンバ６３内に搬入し、被加工物１の裏面９側を粘着テープ１０を介して静電チャック（ＥＳＣ：Electrostatic chuck）６４に静電保持する。なお、静電チャック６４に被加工物１を静電保持する際には、整合器６５を介してバイアス高周波電源６６の電力を静電チャック６４の電極６７に供給する。 The dry etching step ST5 is a step in which dry etching is performed via the protective film 12 after the deposit removal step ST4 is performed. In the dry etching step ST5, the etching device 60 shown in FIG. 15 opens the gate valve 61, carries the workpiece 1 into the chamber 63 from the loading / unloading port 62, and places the back surface 9 side of the workpiece 1 through the adhesive tape 10. And electrostatically hold on an electrostatic chuck (ESC: Electrostatic chuck) 64. When the workpiece 1 is electrostatically held on the electrostatic chuck 64, the electric power of the bias high frequency power supply 66 is supplied to the electrode 67 of the electrostatic chuck 64 via the matching unit 65.

そして、ドライエッチングステップＳＴ５では、エッチング装置６０が排気管６８を通して排気装置６９によってチャンバ６３内を減圧し、チャンバ６３内の圧力を、例えば０．１０〜０．１５Ｐａとするとともに、静電チャック６４の温度を粘着テープ１０からガスが発生しない温度である例えば７０℃以下とし、ストリート４で露出した基材２をエッチングして、レーザ加工溝１４を裏面９に向けて進行させるエッチングステップと、エッチングステップに次いでレーザ加工溝１４の内面に被膜を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す。なお、被膜堆積ステップ後のエッチングステップは、レーザ加工溝１４の溝底の被膜を除去してレーザ加工溝１４の溝底をエッチングする。このように、ドライエッチングステップＳＴ５は、所謂ボッシュ法で被加工物１をドライエッチングする。 Then, in the dry etching step ST5, the etching device 60 decompresses the inside of the chamber 63 by the exhaust device 69 through the exhaust pipe 68, and the pressure in the chamber 63 is, for example, 0.10 to 0.15 Pa. The substrate 2 exposed at the street 4 is etched to advance the laser processing groove 14 toward the back surface 9 by setting the temperature of the adhesive tape 10 to a temperature at which no gas is generated, eg, 70.degree. The steps are then repeated alternately with the film deposition step of depositing a film on the inner surface of the laser-processed groove 14. In the etching step after the film deposition step, the film at the bottom of the laser-processed groove 14 is removed and the groove bottom of the laser-processed groove 14 is etched. Thus, in the dry etching step ST5, the workpiece 1 is dry etched by the so-called Bosch method.

なお、エッチングステップでは、エッチング装置６０は、ガス供給部７０からエッチングガスであるＳＦ_６ガスをガス配管７１及びガス導入口７２を介してガス噴出ヘッド７３のガス吐出部７４から噴射させる。そして、エッチング装置６０は、プラズマ発生用のＳＦ_６ガスを供給した状態で、整合器７５を介して高周波電源７６からガス噴出ヘッド７３にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源７６から静電チャック６４にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、静電チャック６４とガス噴出ヘッド７３との間の空間にＳＦ_６ガスからなる等方性を有するプラズマが発生し、このプラズマが被加工物１の基材２に引き込まれて、レーザ加工溝１４の溝底をエッチングして、レーザ加工溝１４を被加工物１の裏面９に向かって進行させる。 In the etching step, the etching apparatus 60 causes the gas supply unit 70 to inject SF ₆ gas, which is an etching gas, from the gas discharge unit 74 of the gas jet head 73 via the gas pipe 71 and the gas inlet 72. Then, in a state where the etching apparatus 60 supplies the SF ₆ gas for plasma generation, the high frequency power supply 76 applies high frequency power for creating and maintaining plasma from the high frequency power supply 76 to the gas jet head 73 via the matching unit 75. A high frequency power for applying ions to the electrostatic chuck 64 is applied. As a result, an isotropic plasma composed of SF ₆ gas is generated in the space between the electrostatic chuck 64 and the gas jet head 73, and this plasma is drawn into the substrate 2 of the workpiece 1, and the laser The bottom of the processing groove 14 is etched to advance the laser processing groove 14 toward the back surface 9 of the workpiece 1.

また、被膜堆積ステップでは、エッチング装置６０は、ガス供給部７０から堆積性ガスであるＣ_４Ｆ_８ガスをガス噴出ヘッド７３の複数のガス吐出部７４から静電チャック６４に保持された被加工物１に向けて噴出する。そして、エッチング装置６０は、プラズマ発生用のＣ_４Ｆ_８ガスを供給した状態で、高周波電源７６からガス噴出ヘッド７３にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源７６から静電チャック６４にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、静電チャック６４とガス噴出ヘッド７３との間の空間にＣ_４Ｆ_８ガスからなるプラズマが発生し、このプラズマが被加工物１の基材２に引き込まれて、レーザ加工溝１４の内面に被膜を堆積させる。 Further, in the film deposition step, the etching apparatus 60 processes the C ₄ F ₈ gas, which is a deposition gas, from the gas supply unit 70 and is held by the electrostatic chuck 64 from the plurality of gas discharge units 74 of the gas jet head 73. It spouts toward thing 1. Then, with the C ₄ F ₈ gas for plasma generation supplied, the etching apparatus 60 applies high frequency power to create and maintain plasma from the high frequency power supply 76 to the gas jet head 73, and the electrostatic chuck 64 from the high frequency power supply 76. High frequency power to pull in ions. As a result, plasma consisting of C ₄ F ₈ gas is generated in the space between the electrostatic chuck 64 and the gas jet head 73, and this plasma is drawn into the substrate 2 of the workpiece 1 and the laser processing groove 14 is produced. Deposit the coating on the inner surface of the

ドライエッチングステップＳＴ５では、エッチング装置６０は、レーザ加工溝１４の深さ、被加工物１の厚さに応じて、エッチングステップと被膜堆積ステップとを繰り返す回数が予め設定されている。実施形態１において、ドライエッチングステップＳＴ５において、エッチングステップと被膜堆積ステップとを予め設定された回数繰り返された被加工物１は、図１６に示すように、レーザ加工溝１４が裏面９側に到達して、個々のデバイス５に分割される。なお、実施形態１において、ドライエッチングステップＳＴ５では、図１５に示すエッチング装置６０を用いたが、本発明では、ドライエッチングステップＳＴ５で用いるエッチング装置は、図１５に示すものに限定されない。被加工物の加工方法は、被加工物１を個々のデバイス５に分割すると、マスク除去ステップＳＴ６に進む。 In the dry etching step ST5, the number of times the etching step and the film deposition step are repeated is previously set according to the depth of the laser-processed groove 14 and the thickness of the workpiece 1 in the etching apparatus 60. In the first embodiment, the workpiece 1 having the etching step and the film deposition step repeated a preset number of times in the dry etching step ST5 reaches the back surface 9 side of the laser-processed groove 14 as shown in FIG. And divided into individual devices 5. Although the etching apparatus 60 shown in FIG. 15 is used in the dry etching step ST5 in the first embodiment, the etching apparatus used in the dry etching step ST5 is not limited to that shown in FIG. 15 in the present invention. When the workpiece 1 is divided into the individual devices 5, the method of processing the workpiece proceeds to the mask removal step ST6.

（マスク除去ステップ）
図１７は、図４に示された被加工物の加工方法のマスク除去ステップを示す側断面図である。マスク除去ステップＳＴ６は、ドライエッチングステップＳＴ５を実施した後、保護膜１２を除去するステップである。実施形態１において、マスク除去ステップＳＴ６では、図１７に示すように、被加工物１の裏面９側を粘着テープ１０を介して洗浄装置８０のケース８１内のスピンナテーブル８２に吸着保持させ、スピンナテーブル８２を軸心回りに回転させながら、被加工物１にノズル８３から洗浄液１７を噴射する。実施形態１にて、洗浄液１７は、純水又は市水（水道水）である。 (Mask removal step)
FIG. 17 is a side cross sectional view showing a mask removing step of the method of processing a workpiece shown in FIG. 4. The mask removal step ST6 is a step of removing the protective film 12 after performing the dry etching step ST5. In the first embodiment, in the mask removal step ST6, as shown in FIG. 17, the spinner table 82 in the case 81 of the cleaning apparatus 80 attracts and holds the back surface 9 side of the workpiece 1 via the adhesive tape 10. While rotating the table 82 about the axial center, the cleaning liquid 17 is jetted from the nozzle 83 to the workpiece 1. In the first embodiment, the cleaning liquid 17 is pure water or city water (tap water).

被覆ステップＳＴ２では、スピンナテーブル８２を軸心回りに回転させながら被加工物１の表面に洗浄液１７を所定時間噴射して、洗浄液１７で保護膜１２を洗い流して、保護膜１２を被加工物１の表面３から除去する。被加工物の加工方法は、保護膜１２を除去すると、終了する。なお、その後、被加工物１は、例えば、個々のデバイス５が粘着テープ１０からピックアップされる。 In the covering step ST2, while rotating the spinner table 82 about the axial center, the cleaning solution 17 is jetted onto the surface of the workpiece 1 for a predetermined time, and the protective film 12 is washed away with the cleaning solution 17 and the protective film 12 is fabricated. Removed from the surface 3 of The processing method of the workpiece ends when the protective film 12 is removed. In addition, after that, as for the to-be-processed object 1, each device 5 is picked up from the adhesive tape 10, for example.

実施形態１に係る被加工物の加工方法は、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３においてレーザ加工溝１４を形成した後、堆積物除去ステップＳＴ４において切削ブレード４１でレーザ加工溝１４の溝底の堆積物１５を除去する。このため、被加工物の加工方法は、ドライエッチングステップＳＴ５の前に全てのストリート４のレーザ加工溝１４の溝底で基材２を露出させることができ、レーザ加工溝１４の溝底においてドライエッチングが進行しない領域の発生を抑制することができる。 In the method of processing a workpiece according to the first embodiment, after the laser-processed groove 14 is formed in the laser-processed groove forming step ST3, the deposit 15 at the groove bottom of the laser-processed groove 14 by the cutting blade 41 in the deposit removing step ST4. Remove For this reason, according to the processing method of the workpiece, the base material 2 can be exposed at the groove bottoms of the laser processed grooves 14 of all the streets 4 before the dry etching step ST5. It is possible to suppress the generation of a region where etching does not proceed.

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、堆積物除去ステップＳＴ４において、レーザ加工溝１４の幅１６よりも厚さ４２が薄い切削ブレード４１で堆積物１５を除去する。このため、被加工物の加工方法は、堆積物除去ステップＳＴ４において、切削ブレード４１がレーザ加工溝１４の溝底以外を切削することを抑制できるので、被加工物１を個々のデバイス５に分割する際にチッピングが発生することを抑制することができる。その結果、被加工物の加工方法は、チッピングを発生させることなく、ドライエッチングにより被加工物１を個々のデバイス５に分割することができる。 Further, in the method of processing a workpiece according to the first embodiment, the deposit 15 is removed by the cutting blade 41 having a thickness 42 thinner than the width 16 of the laser-processed groove 14 in the deposit removal step ST4. For this reason, since the processing method of a workpiece can suppress cutting blade 41 cutting other than the groove bottom of laser processing groove 14 in deposit removal step ST4, workpiece 1 is divided into individual devices 5 It is possible to suppress the occurrence of chipping when doing. As a result, the method of processing a workpiece can divide the workpiece 1 into individual devices 5 by dry etching without causing chipping.

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、保護膜１２が水溶性樹脂からなり、堆積物除去ステップＳＴ４では、切削ブレード４１に切削液を供給することなく実施するので、ドライエッチングステップＳＴ５の前にデバイス５を被覆した保護膜１２を除去してしまうことを抑制することができる。 In addition, since the protective film 12 is made of a water-soluble resin and the processing method according to the first embodiment is performed without supplying the cutting fluid to the cutting blade 41 in the deposit removal step ST4, the dry etching step is performed. It is possible to suppress removal of the protective film 12 covering the device 5 before ST5.

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、堆積物除去ステップＳＴ４では、所謂アップカットにより切削ブレード４１で堆積物１５を除去するので、堆積物１５を除去した際に発生した加工屑が切削ブレード４１の回転によりレーザ加工溝１４の溝底から離れる方向に排出され被加工物１の表面の保護膜１２上に飛散する。よって、被加工物の加工方法は、堆積物１５を除去した際に発生した加工屑がレーザ加工溝１４の溝底に付着してエッチングを阻害することを抑制することができる。更に飛散した加工屑は、後のマスク除去ステップＳＴ６で保護膜１２とともに除去される。 Further, in the processing method of the workpiece according to the first embodiment, in the deposit removal step ST4, the deposit 15 is removed by the cutting blade 41 by a so-called upcut, so that the machining waste generated when the deposit 15 is removed Is discharged in a direction away from the groove bottom of the laser-processed groove 14 by the rotation of the cutting blade 41 and is scattered on the protective film 12 on the surface of the workpiece 1. Therefore, the processing method of a workpiece can suppress that the cutting debris generated when removing the deposit 15 adheres to the groove bottom of the laser processing groove 14, and inhibits an etching. Further, the scattered work pieces are removed together with the protective film 12 in the subsequent mask removal step ST6.

〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１８は、実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法の堆積物除去ステップを示す側断面図である。なお、図１８は、実施形態１と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。 [Modification]
The processing method of the to-be-processed object which concerns on the modification of Embodiment 1 of this invention is demonstrated based on drawing. FIG. 18 is a side sectional view showing a deposit removing step of the method of processing a workpiece according to the modification of the first embodiment. In FIG. 18, the same parts as those in the first embodiment are indicated by the same reference numerals and the explanation will be omitted.

実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法は、堆積物除去ステップＳＴ４が実施形態１と異なること以外、実施形態１に係る被加工物の加工方法と同じである。 The processing method of the workpiece according to the modification of the first embodiment is the same as the processing method of the workpiece according to the first embodiment except that the deposit removal step ST4 is different from that of the first embodiment.

実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法において、堆積物除去ステップＳＴ４では、切削ブレード４１のレーザ加工溝１４の溝底に堆積した堆積物１５を切り込む刃先５１において、切削ブレード４１を被加工物１に対して上から下に向かう図１８中の矢印５３で示す方向に回転させる、所謂ダウンカットを実施する。 In the method of processing a workpiece according to the modification of the first embodiment, in the deposit removing step ST4, the cutting blade 41 is used as the cutting edge 51 for cutting the deposit 15 deposited on the groove bottom of the laser processing groove 14 of the cutting blade 41. A so-called down-cut in which the workpiece 1 is rotated in the direction indicated by the arrow 53 in FIG. 18 from the top to the bottom is performed.

実施形態１の変形例に係る被加工物の加工方法は、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３においてレーザ加工溝１４を形成した後、堆積物除去ステップＳＴ４においてレーザ加工溝１４の幅１６よりも厚さ４２が薄い切削ブレード４１で堆積物１５を除去する。このため、被加工物の加工方法は、実施形態１と同様に、チッピングを発生させることなく、ドライエッチングにより被加工物１を個々のデバイス５に分割することができる。 In the method of processing a workpiece according to the modification of the first embodiment, after the laser-processed groove 14 is formed in the laser-processed groove forming step ST3, the thickness 42 is larger than the width 16 of the laser-processed groove 14 in the deposit removing step ST4. Removes the deposit 15 with a thin cutting blade 41. For this reason, as in the first embodiment, the method of processing a workpiece can divide the workpiece 1 into individual devices 5 by dry etching without generating chipping.

なお、本発明は、上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。前述した実施形態１等では、被加工物の加工方法は、被覆ステップＳＴ２において、水溶性の保護膜溶液１３を塗布して、保護膜１２を形成している。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、被覆ステップＳＴ２において、被加工物１の表面にシート状の保護部材を貼着しても良い。この場合、堆積物除去ステップＳＴ４において、切削液を切削ブレード４１に供給しながら実施しても良く、マスク除去ステップＳＴ６では、保護部材を被加工物１から剥がすのが望ましい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment and modification. That is, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. In Embodiment 1 etc. mentioned above, the processing method of a to-be-processed object apply | coats the water-soluble protective film solution 13 in coating | covering step ST2, and forms the protective film 12 in it. However, in the present invention, in the method of processing the workpiece, a sheet-like protective member may be attached to the surface of the workpiece 1 in the covering step ST2. In this case, the process may be performed while supplying the cutting fluid to the cutting blade 41 in the deposit removal step ST4. In the mask removal step ST6, it is desirable to remove the protective member from the workpiece 1.

また、実施形態１において、テープ貼着ステップＳＴ１では、被加工物１の裏面９に外周縁が環状フレーム１１に貼着された粘着テープ１０を貼着するが、本発明では、被加工物１の裏面９に硬質な板状のハードプレートを配設しても良い。また、実施形態１において、レーザ加工溝形成ステップＳＴ３では、レーザビーム２００を基材２の表面３から約３μｍから１０μｍ程度切り込ませて、デバイス層７を分断するレーザ加工溝１４を形成するが、本発明では、デバイス層７のみを除去して基材２に切り込まないレーザ加工溝１４を形成しても良いし、溝底にデバイス層７をわずかに残したレーザ加工溝１４即ちデバイス層７を分断しないレーザ加工溝１４を形成しても良い。この場合、堆積物除去ステップＳＴ４において、切削ブレード４１で残りのデバイス層７を切削しても良く、ＴＥＧ８等だけで配線層が問題にならない場合にはプラズマエッチングでも良い。 In the first embodiment, the adhesive tape 10 having the outer peripheral edge attached to the annular frame 11 is attached to the back surface 9 of the workpiece 1 in the tape attachment step ST1. A hard plate-like hard plate may be disposed on the back surface 9 of the. In the first embodiment, the laser processing groove forming step ST3 cuts the laser beam 200 from the surface 3 of the base 2 by about 3 μm to about 10 μm to form the laser processing groove 14 for dividing the device layer 7. In the present invention, only the device layer 7 may be removed to form the laser-processed groove 14 which is not cut into the substrate 2, or the laser-processed groove 14 having the device layer 7 slightly left at the groove bottom The laser processing groove 14 which does not divide 7 may be formed. In this case, in the deposit removal step ST4, the remaining device layer 7 may be cut by the cutting blade 41, or may be plasma etching if the wiring layer is not a problem only with TEG 8 or the like.

また、本発明では、ドライエッチングステップＳＴ５において、レーザ加工溝１４を裏面９に到達させずに、被加工物１をレーザ加工溝１４で所謂ハーフカットしても良い。この場合、テープ貼着ステップＳＴ１を実施せずに、被加工物１の裏面９に粘着テープ１０等の支持部材を配設しなくても良く、ドライエッチングステップＳＴ５後に被加工物１の裏面９に研削加工等を施して被加工物１を薄化して、個々のデバイス５に分割するのが望ましい。 Further, in the present invention, in the dry etching step ST5, the workpiece 1 may be so-called half-cut with the laser-processed groove 14 without the laser-processed groove 14 reaching the back surface 9. In this case, the support member such as the adhesive tape 10 may not be disposed on the back surface 9 of the workpiece 1 without performing the tape sticking step ST1, and the back surface 9 of the workpiece 1 after the dry etching step ST5. It is desirable to thin the workpiece 1 by grinding or the like and divide it into individual devices 5.

１被加工物
２基材
３表面
４ストリート
５デバイス
７デバイス層（積層物）
８ＴＥＧ（積層物）
１２保護膜（保護部材）
１４レーザ加工溝
１５堆積物
１６幅
４１切削ブレード
２００レーザビーム
ＳＴ２被覆ステップ
ＳＴ３レーザ加工溝形成ステップ
ＳＴ４堆積物除去ステップ
ＳＴ５ドライエッチングステップ 1 Workpiece 2 Base Material 3 Surface 4 Street 5 Device 7 Device Layer (Laminate)
8 TEG (laminated material)
12 Protective film (protective member)
14 laser processing groove 15 deposit 16 width 41 cutting blade 200 laser beam ST2 coating step ST3 laser processing groove forming step ST4 deposit removing step ST5 dry etching step

Claims

A method of processing a workpiece comprising: a base material; and a device layer in which devices are respectively formed in a plurality of street partitioned areas intersecting the surface of the base material and a laminate is laminated on the street And
Covering the surface of the workpiece with a protective member;
Forming a laser-processed groove along the street by irradiating a laser beam along the street to remove the laminate along with the protective member after performing the coating step;
A deposit removing step of cutting and removing deposits generated in the laser-processed groove and deposited in the laser-processed groove with a cutting blade thinner than the width of the laser-processed groove after performing the laser-processed groove forming step; ,
A dry etching step of performing dry etching through the protective member after performing the deposit removal step;

The protective member is made of a water-soluble resin,
The method of processing a workpiece according to claim 1, wherein the deposit removal step is performed without supplying a cutting fluid to the cutting blade.

The method of processing a workpiece according to claim 1, wherein in the deposit removal step, the cutting blade is rotated from bottom to top with respect to the workpiece.