JP2020061494A

JP2020061494A - Wafer processing method

Info

Publication number: JP2020061494A
Application number: JP2018192854A
Authority: JP
Inventors: 美玲樋田; Yoshitama Toida
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2018-10-11
Filing date: 2018-10-11
Publication date: 2020-04-16

Abstract

To provide a wafer processing method capable of performing plasma etching while holding down costs.SOLUTION: A wafer processing method for dividing a wafer including a device region in which a device is formed and an outer peripheral excess region surrounding the device region comprises a protection member arranging step (ST1), a laser processing groove forming step (ST2), a plasma etching step (ST3), and a functional layer cutting step (ST4). The protection member arranging step arranges an adhesive tape on a surface of the wafer. The laser processing groove forming step forms a laser processing groove having a depth not reaching a functional layer on a rear surface side corresponding to the device region by irradiating the device region with a laser beam of a wavelength having absorbability to the substrate along division schedule lines. The plasma etching step supplies a plasmatized etching gas to the rear surface side of the wafer and divides the substrate. The functional layer cutting step cuts a functional layer exposed on a laser processing groove by irradiating the functional layer with laser beam from the rear surface side of the wafer.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、ウェーハの加工方法、特にプラズマダイシングに関する。 The present invention relates to a wafer processing method, and more particularly to plasma dicing.

シリコン基板等からなる半導体ウェーハは、個々のデバイスチップに分割するため、切削ブレードやレーザー光線を用いた加工方法が適用されることが知られている。これらの加工方法は、分割予定ライン（ストリート）を１本ずつ加工してウェーハをデバイスチップに分割する。近年の電子機器の小型化からデバイスチップの軽薄短小化、コスト削減が進み、サイズが従来のように１０ｍｍを超えるようなデバイスチップから２ｍｍ以下のようなサイズの小さなデバイスチップが数多く生産されている。サイズの小さなデバイスチップを製造する場合、１枚のウェーハに対する分割予定ラインの数が激増し、１ラインずつの加工では加工時間も長くなってしまう。 It is known that a semiconductor wafer made of a silicon substrate or the like is divided into individual device chips, and thus a processing method using a cutting blade or a laser beam is applied. In these processing methods, the planned dividing lines (streets) are processed one by one to divide the wafer into device chips. Due to the recent miniaturization of electronic devices, lighter, thinner, shorter, and smaller device chips, and cost reductions have progressed, and many device chips with a size of 2 mm or less have been produced from device chips with a size of more than 10 mm as in the past. . When manufacturing a small-sized device chip, the number of lines to be divided into a single wafer is drastically increased, and processing time for each line becomes long.

そこで、ウェーハの分割予定ライン全てを一括で加工するプラズマダイシングという手法が開発されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に示されたプラズマダイシングは、マスクによって遮蔽された領域以外をプラズマエッチングによって除去し、ウェーハ単位で加工を実施するため、分割予定ラインの本数が多くなっても加工時間が劇的に長くなることがないという効果がある。 Therefore, a technique called plasma dicing has been developed in which all the planned dividing lines of the wafer are collectively processed (for example, refer to Patent Document 1). In the plasma dicing shown in Patent Document 1, the area other than the area shielded by the mask is removed by plasma etching and processing is performed on a wafer-by-wafer basis, so that the processing time is dramatically increased even if the number of planned division lines increases. The effect is that it will not be long.

しかしながら、特許文献１に示されたプラズマダイシングは、エッチングによって除去する領域のみを正確に露出させるために、それぞれのウェーハの分割予定ラインにあった精密なマスクを準備する必要がある（例えば、特許文献２及び特許文献３参照）。 However, in the plasma dicing shown in Patent Document 1, it is necessary to prepare a precise mask that matches the planned dividing line of each wafer in order to accurately expose only the region to be removed by etching (for example, Patent Document 1). Reference 2 and Patent Reference 3).

特開２００６−１１４８２５号公報JP, 2006-114825, A 特開２０１３−０５５１２０号公報JP, 2013-055120, A 特開２０１４−１９９８３３号公報JP, 2014-199833, A

しかしながら、特に、特許文献２及び特許文献３に示されたマスクは、製造コスト及び製造工数の抑制、マスクを位置合わせする技術の確立など、切削加工等に比べてコストが高く難易度の高い課題が残されていた。 However, in particular, the masks disclosed in Patent Documents 2 and 3 have a higher cost and a higher degree of difficulty than cutting processes, such as the suppression of manufacturing cost and the number of manufacturing steps, and the establishment of a technique for aligning the mask. Was left.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a wafer processing method capable of performing plasma etching while suppressing costs.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、基板の表面に機能層が積層され複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを備えるウェーハを、該複数のデバイスを区画する分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面に保護部材を配設する、保護部材配設ステップと、該ウェーハの該保護部材側をレーザー加工装置のチャックテーブルで保持し、該基板に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、該デバイス領域に対応したウェーハの裏面側に該機能層に至らない深さのレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、該ウェーハの該保護部材側をプラズマ装置のチャックテーブルで保持し、該ウェーハの裏面側にプラズマ化したガスを供給し、該レーザー加工溝の底に残存する基板をエッチングして除去し、該基板を該分割予定ラインに沿ってウェーハをチップに分割するプラズマエッチングステップと、プラズマエッチングで分割された該ウェーハの裏面側から、レーザー光線を該レーザー加工溝に露出する該機能層に照射し、該機能層を該レーザー加工溝に沿って切断する機能層切断ステップと、を備えることを特徴とする。 In order to solve the above problems and to achieve the object, a wafer processing method of the present invention is a device region in which a plurality of devices are formed by laminating a functional layer on the surface of a substrate, and a peripheral excess region surrounding the device region. A wafer processing method of dividing a wafer comprising: a wafer along a dividing line that divides the plurality of devices, wherein a protective member is disposed on the surface of the wafer; The protection member side is held by a chuck table of a laser processing device, a laser beam having a wavelength having an absorptivity for the substrate is irradiated along the dividing line, and the back surface side of the wafer corresponding to the device region is irradiated with the laser beam. A laser processing groove forming step of forming a laser processing groove having a depth that does not reach the functional layer, and a chuck table of a plasma device for holding the protection member side of the wafer. Hold and supply plasmaized gas to the back side of the wafer, etch and remove the substrate remaining at the bottom of the laser processing groove, and divide the wafer into chips along the dividing lines. Plasma etching step and cutting the functional layer by irradiating the functional layer exposed in the laser processing groove with a laser beam from the back surface side of the wafer divided by the plasma etching and cutting the functional layer along the laser processing groove. And a step.

前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの前に、ウェーハの裏面を予め研削する予備研削ステップと、を備えても良い。 The wafer processing method may further include a preliminary grinding step of previously grinding the back surface of the wafer before the plasma etching step.

前記ウェーハの加工方法において、該プラズマエッチングステップの後に、ウェーハの裏面を研削する研削ステップと、を備えても良い。 The wafer processing method may further include a grinding step of grinding the back surface of the wafer after the plasma etching step.

本願発明のウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもプラズマエッチングを行うことができるという効果を奏する。 The wafer processing method of the present invention has an effect that plasma etching can be performed while suppressing cost.

図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment. 図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment. 図３は、図２に示されたウェーハの加工方法のレーザー加工溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。FIG. 3 is a side view showing a partial cross section of a laser processing groove forming step of the wafer processing method shown in FIG. 図４は、図２に示されたウェーハの加工方法のレーザー加工溝形成ステップ後のウェーハの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of the wafer after the laser processing groove forming step of the wafer processing method shown in FIG. 図５は、図２に示されたウェーハの加工方法のレーザー加工溝形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the laser processing groove forming step of the wafer processing method shown in FIG. 図６は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるプラズマ装置の構成を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of a plasma device used in the plasma etching step of the wafer processing method shown in FIG. 図７は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the wafer after the plasma etching step of the wafer processing method shown in FIG. 図８は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of an essential part of the wafer after the plasma etching step of the method for processing a wafer shown in FIG. 図９は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing a functional layer cutting step of the wafer processing method shown in FIG. 図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the step of cutting the functional layer of the method for processing a wafer shown in FIG. 図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを示す側断面図である。FIG. 11 is a side sectional view showing a grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view of the wafer after the die attach film attaching step of the wafer processing method shown in FIG. 図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a die attach film dividing step of the wafer processing method shown in FIG. 図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the die attach film dividing step of the wafer processing method shown in FIG. 図１５は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 15 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the second embodiment. 図１６は、図１５に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。16 is a side sectional view showing a pre-grinding step of the method for processing a wafer shown in FIG. 図１７は、図１５に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the pre-grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 図１８は、実施形態３に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 18 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the third embodiment. 図１９は、図１８に示されたウェーハの加工方法の水溶性保護膜形成ステップを示す側断面図である。FIG. 19 is a side sectional view showing a water-soluble protective film forming step of the method for processing a wafer shown in FIG. 図２０は、図１８に示されたウェーハの加工方法の水溶性保護膜形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the step of forming the water-soluble protective film of the method for processing a wafer shown in FIG. 図２１は、図１８に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップステップを示す側断面図である。21 is a side sectional view showing a cleaning step of the wafer processing method shown in FIG.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 Modes (embodiments) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the embodiments below. Further, the constituent elements described below include those that can be easily conceived by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be appropriately combined. Further, various omissions, substitutions, or changes in the configuration can be made without departing from the scope of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 [Embodiment 1]
A wafer processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed by the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 2 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the first embodiment.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１の加工方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、基板２の表面３に機能層４が積層され、デバイス領域１１０と、デバイス領域１１０を囲む外周余剰領域１２０とを備える。デバイス領域１１０は、基板２の表面３に積層された機能層４によって複数のデバイス５が形成されている。機能層４は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）を含む。機能層４は、基板２の表面３に積層されている。なお、本明細書は、以下、基板２の裏面７をウェーハ１の裏面とし、機能層４の表面８をウェーハ１の表面とする。 The wafer processing method according to the first embodiment is the wafer 1 processing method shown in FIG. In the first embodiment, the wafer 1 is a disk-shaped semiconductor wafer or optical device wafer having the substrate 2 made of silicon, sapphire, gallium arsenide, or the like. As shown in FIG. 1, the wafer 1 has a functional layer 4 laminated on the surface 3 of the substrate 2, and includes a device region 110 and an outer peripheral surplus region 120 surrounding the device region 110. In the device region 110, a plurality of devices 5 are formed by the functional layer 4 laminated on the surface 3 of the substrate 2. The functional layer 4 includes a low dielectric constant insulating film (Low-k film) made of an inorganic film such as SiOF or BSG (SiOB) or an organic film such as a polyimide or parylene polymer film. The functional layer 4 is laminated on the surface 3 of the substrate 2. In this specification, the back surface 7 of the substrate 2 will be referred to as the back surface of the wafer 1, and the front surface 8 of the functional layer 4 will be referred to as the front surface of the wafer 1 hereinafter.

デバイス５は、表面３の交差する複数の分割予定ライン６で区画された各領域にそれぞれ形成されている。即ち、分割予定ライン６は、複数のデバイス５を区画するものである。デバイス５を構成する回路は、機能層４により形成されている。なお、実施形態１において、デバイス５は、切削加工によりウェーハ１から分割されるデバイスよりも小型であり、例えば、１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさであり、プラズマエッチング（プラズマダイシングともいう）により個々に分割されるのに好適なものである。また、ウェーハ１は、分割予定ライン６の少なくとも一部において、機能層４側に図示しない金属膜とＴＥＧ（Test Element Group）とのうち少なくとも一方が形成されている。ＴＥＧは、デバイス５に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。外周余剰領域１２０は、デバイス領域１１０の全周に亘ってデバイス領域１１０を囲繞するとともに、デバイス５が未形成の領域である。 The device 5 is formed in each area of the surface 3 which is divided by a plurality of planned dividing lines 6. That is, the planned dividing line 6 divides the plurality of devices 5. The circuit forming the device 5 is formed by the functional layer 4. In the first embodiment, the device 5 is smaller than the device divided from the wafer 1 by cutting, and has a size of, for example, about 1 mm × 1 mm, and is individually processed by plasma etching (also referred to as plasma dicing). It is suitable for being divided. At least one of a metal film (not shown) and a TEG (Test Element Group) is formed on the functional layer 4 side in at least a part of the planned dividing line 6 of the wafer 1. The TEG is an evaluation element for finding a design or manufacturing problem that occurs in the device 5. The outer peripheral excess area 120 surrounds the device area 110 along the entire circumference of the device area 110 and is an area where the device 5 is not formed.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１を分割予定ライン６に沿ってデバイス５を含む個々のチップ９（図１に示す）に分割するとともに、ウェーハ１即ちチップ９を仕上がり厚さ１００まで薄化する方法である。ウェーハの加工方法は、図２に示すように、保護部材配設ステップＳＴ１と、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２と、プラズマエッチングステップＳＴ３と、機能層切断ステップＳＴ４と、研削ステップＳＴ５と、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７とを備える。 The wafer processing method according to the first embodiment divides the wafer 1 into individual chips 9 (shown in FIG. 1) including the device 5 along a dividing line 6 and finishes the wafer 1 or the chips 9 to a finished thickness of 100. It is a way to thin. As shown in FIG. 2, the wafer processing method includes a protective member disposing step ST1, a laser processing groove forming step ST2, a plasma etching step ST3, a functional layer cutting step ST4, a grinding step ST5, and a die attach film. A sticking step ST6 and a die attach film dividing step ST7 are provided.

（保護部材配設ステップ）
保護部材配設ステップＳＴ１は、ウェーハ１の表面８に保護部材である粘着テープ２００を配設するステップである。実施形態１において、保護部材配設ステップＳＴ１は、図１に示すように、ウェーハ１よりも大径な粘着テープ２００をウェーハ１の表面８に貼着し、粘着テープ２００の外周縁に環状フレーム２０１を貼着する。実施形態１では、保護部材として粘着テープ２００を用いるが、本発明では、保護部材は、粘着テープ２００に限定されない。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の表面８に粘着テープ２００を貼着すると、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２に進む。 (Protection member installation step)
The protective member disposing step ST1 is a step of disposing the adhesive tape 200 as a protective member on the front surface 8 of the wafer 1. In the first embodiment, as shown in FIG. 1, in the protection member arranging step ST1, an adhesive tape 200 having a diameter larger than that of the wafer 1 is attached to the surface 8 of the wafer 1, and an annular frame is attached to the outer peripheral edge of the adhesive tape 200. Stick 201. Although the adhesive tape 200 is used as the protective member in the first embodiment, the protective member is not limited to the adhesive tape 200 in the present invention. In the wafer processing method, when the adhesive tape 200 is attached to the front surface 8 of the wafer 1, the process proceeds to a laser processing groove forming step ST2.

（レーザー加工溝形成ステップ）
図３は、図２に示されたウェーハの加工方法のレーザー加工溝形成ステップを一部断面で示す側面図である。図４は、図２に示されたウェーハの加工方法のレーザー加工溝形成ステップ後のウェーハの斜視図である。図５は、図２に示されたウェーハの加工方法のレーザー加工溝形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 (Laser processing groove forming step)
FIG. 3 is a side view showing a partial cross section of a laser processing groove forming step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 4 is a perspective view of the wafer after the laser processing groove forming step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the laser processing groove forming step of the wafer processing method shown in FIG.

レーザー加工溝形成ステップＳＴ２は、ウェーハ１の粘着テープ２００を図３に示すレーザー加工装置１０のチャックテーブル１３で吸引保持し、基板２に対して吸収性を有する波長のレーザー光線１１を分割予定ライン６に沿って照射し、デバイス領域１１０に対応したウェーハ１の裏面７側に機能層４に至らない深さのレーザー加工溝３００を基板２に形成するステップである。実施形態１において、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、図３に示すように、レーザー加工装置１０のチャックテーブル１３の保持面１４に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０の図示しない赤外線カメラがウェーハ１の裏面７を撮像して分割予定ライン６を検出し、ウェーハ１とレーザー光線照射ユニット１２との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。 In the laser processing groove forming step ST2, the adhesive tape 200 of the wafer 1 is sucked and held by the chuck table 13 of the laser processing device 10 shown in FIG. The laser processing groove 300 having a depth that does not reach the functional layer 4 is formed on the substrate 2 on the back surface 7 side of the wafer 1 corresponding to the device region 110. In the first embodiment, in the laser processing groove forming step ST2, as shown in FIG. 3, the functional layer 4 side of the wafer 1 is suction-held on the holding surface 14 of the chuck table 13 of the laser processing device 10 via the adhesive tape 200. . In the laser processing groove forming step ST2, an infrared camera (not shown) of the laser processing apparatus 10 images the back surface 7 of the wafer 1 to detect the planned dividing line 6, and performs alignment for aligning the wafer 1 and the laser beam irradiation unit 12. Carry out.

レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、例えば、図３に示す点線で示す位置から実線で示す位置に向かってチャックテーブル１３に対してレーザー光線照射ユニット１２を分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながら基板２に対して吸収性を有する波長のレーザー光線１１をデバイス領域１１０の各分割予定ライン６に向かって照射する。即ち、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、チャックテーブル１３に対してレーザー光線照射ユニット１２を分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット１２がデバイス領域１１０の上方に位置すると、レーザー光線照射ユニット１２からレーザー光線１１を各分割予定ライン６に向かって照射する。また、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、チャックテーブル１３に対してレーザー光線照射ユニット１２を分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット１２がデバイス領域１１０の上方から離れて例えば外周余剰領域１２０の上方に位置すると、レーザー光線照射ユニット１２からのレーザー光線１１の照射を停止する。 In the laser processing groove forming step ST2, the laser processing apparatus 10 moves the laser beam irradiation unit 12 onto the chuck table 13 along the dividing line 6 from the position shown by the dotted line in FIG. 3 toward the position shown by the solid line, for example. A laser beam 11 having a wavelength having an absorptivity with respect to the substrate 2 is irradiated toward each division line 6 in the device region 110 while moving relatively. That is, in the laser processing groove forming step ST2, the laser processing apparatus 10 moves the laser beam irradiation unit 12 relative to the chuck table 13 along the planned dividing line 6 while the laser beam irradiation unit 12 moves above the device region 110. When positioned at, the laser beam irradiation unit 12 irradiates the laser beam 11 toward each planned dividing line 6. Further, in the laser processing groove forming step ST2, the laser processing device 10 moves the laser beam irradiation unit 12 relative to the chuck table 13 along the planned dividing line 6 while the laser beam irradiation unit 12 moves above the device region 110. When it is located apart from the above, for example, above the outer peripheral surplus region 120, the irradiation of the laser beam 11 from the laser beam irradiation unit 12 is stopped.

レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、図４に示すように、ウェーハ１の裏面７のうちのデバイス領域１１０の分割予定ライン６に対応した位置にアブレーション加工を保施して、ウェーハ１の裏面７のデバイス領域１１０に対応した位置に分割予定ライン６に沿ってレーザー加工溝３００を形成する。なお、本発明では、ウェーハ１の裏面７のうちのデバイス領域１１０の分割予定ライン６に対応した位置は、ウェーハ１の裏面７のうちのデバイス領域１１０の各分割予定ライン６と基板２の厚さ方向に重なる位置を示している。 In the laser processing groove forming step ST2, as shown in FIG. 4, the laser processing apparatus 10 performs ablation processing on the back surface 7 of the wafer 1 at a position corresponding to the planned dividing line 6 of the device region 110, and the wafer is processed. A laser processing groove 300 is formed along the planned dividing line 6 at a position corresponding to the device region 110 on the back surface 7 of 1. In the present invention, the position corresponding to the planned dividing line 6 of the device region 110 on the back surface 7 of the wafer 1 is the planned dividing line 6 of the device region 110 of the rear surface 7 of the wafer 1 and the thickness of the substrate 2. The position overlapping in the vertical direction is shown.

レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において形成されるレーザー加工溝３００は、図３及び図５に示すように、ウェーハ１の基板２の裏面７から凹に形成され、機能層４に至らない深さに形成されるとともに、図４に示すように、デバイス領域１１０の分割予定ライン６に沿って直線状に延びている。 The laser-machined groove 300 formed in the laser-machined groove forming step ST2 is formed in a recess from the back surface 7 of the substrate 2 of the wafer 1 as shown in FIGS. In addition, as shown in FIG. 4, it extends linearly along the planned dividing line 6 of the device region 110.

レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、図４に示すように、ウェーハ１の裏面７のうちのデバイス領域１１０の分割予定ライン６に対応した位置にレーザー加工溝３００を形成するとともに、外周余剰領域１２０に対応した位置にはレーザー加工溝３００を形成することが規制されている。即ち、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、図４に示すように、外周余剰領域１２０に対応した位置にはレーザー加工溝３００を形成しない。なお、外周余剰領域１２０に対応した位置は、ウェーハ１の裏面７のうちの外周余剰領域１２０と基板２の厚さ方向に重なる位置を示している。 In the laser processing groove forming step ST2, the laser processing apparatus 10 forms the laser processing groove 300 at a position corresponding to the planned dividing line 6 of the device region 110 on the back surface 7 of the wafer 1 as shown in FIG. The formation of the laser processing groove 300 at the position corresponding to the outer peripheral excess area 120 is restricted. That is, in the laser processing groove forming step ST2, the laser processing device 10 does not form the laser processing groove 300 at a position corresponding to the outer peripheral surplus region 120, as shown in FIG. The position corresponding to the outer peripheral excess area 120 indicates a position on the back surface 7 of the wafer 1 that overlaps the outer peripheral redundant area 120 in the thickness direction of the substrate 2.

レーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、ウェーハ１の裏面７側に機能層４に至らない深さのレーザー加工溝３００を形成して、レーザー加工溝３００の底３０１に基板２を残存させる。ウェーハの加工方法は、図４に示すように、ウェーハ１のデバイス領域１１０の全ての分割予定ライン６の裏面７側にレーザー加工溝３００を形成すると、プラズマエッチングステップＳＴ３に進む。なお、本発明のレーザー加工溝形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置１０は、チャックテーブル１３に対してレーザー光線照射ユニット１２を分割予定ライン６に沿って相対的に複数回移動させる場合、レーザー光線１１の集光点の位置を回数を重ねるにつれ高い位置（裏面７に近い位置）に設定し複数層のレーザー加工溝３００を形成するのが好ましい。 In the laser processing groove forming step ST2, the laser processing device 10 forms the laser processing groove 300 having a depth not reaching the functional layer 4 on the back surface 7 side of the wafer 1 and places the substrate 2 on the bottom 301 of the laser processing groove 300. Let it remain. As shown in FIG. 4, the wafer processing method proceeds to plasma etching step ST3 when the laser processing grooves 300 are formed on the back surface 7 side of all the planned dividing lines 6 in the device region 110 of the wafer 1. In addition, in the laser processing groove forming step ST2 of the present invention, when the laser processing device 10 moves the laser beam irradiation unit 12 relative to the chuck table 13 along the planned dividing line 6 a plurality of times, it collects the laser beam 11. It is preferable to set the position of the light spot to a higher position (position closer to the back surface 7) as the number of times is increased, and to form the laser-processed groove 300 of a plurality of layers.

（プラズマエッチングステップ）
図６は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップで用いられるプラズマ装置の構成を示す断面図である。図７は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの断面図である。図８は、図２に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。 (Plasma etching step)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing the configuration of a plasma device used in the plasma etching step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of the wafer after the plasma etching step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view of an essential part of the wafer after the plasma etching step of the method for processing a wafer shown in FIG.

プラズマエッチングステップＳＴ３は、ウェーハ１の粘着テープ２００側を図６に示すプラズマ装置２０のプラズマエッチングチャンバー２５内のチャックテーブル２１で保持し、ウェーハ１の裏面７側にプラズマ化したエッチングガスを供給し、レーザー加工溝３００の底３０１（図５に示す）に残存する基板２をエッチングして除去し、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するステップである。プラズマエッチングステップＳＴ３は、ウェーハ１の基板２をプラズマダイシングするステップである。 In the plasma etching step ST3, the adhesive tape 200 side of the wafer 1 is held by the chuck table 21 in the plasma etching chamber 25 of the plasma device 20 shown in FIG. 6, and the backside 7 side of the wafer 1 is supplied with the plasmaized etching gas. In this step, the substrate 2 remaining on the bottom 301 (shown in FIG. 5) of the laser processing groove 300 is removed by etching, and the substrate 2 is divided along the dividing line 6. The plasma etching step ST3 is a step of plasma dicing the substrate 2 of the wafer 1.

プラズマエッチングステップＳＴ３では、プラズマ装置２０の制御ユニット２２が、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を図６中の下方に移動させ、プラズマエッチングチャンバー２５の開口２６を開ける。次に、図示しない搬出入手段によってレーザー加工溝形成ステップＳＴ２が実施されたウェーハ１を開口２６を通してプラズマエッチングチャンバー２５内の密閉空間２７に搬送し、下部電極２８を構成する被加工物保持部２９のチャックテーブル２１（静電チャック、ＥＳＣ：Electrostatic chuck）上に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を載置する。このとき、制御ユニット２２は、昇降駆動ユニット３０を作動して上部電極３１を上昇させておく。制御ユニット２２は、被加工物保持部２９内に設けられた電極３２，３３に電力を印加してチャックテーブル２１上にウェーハ１を吸着保持する。 In the plasma etching step ST3, the control unit 22 of the plasma device 20 operates the gate operating unit 23 to move the gate 24 downward in FIG. 6, and opens the opening 26 of the plasma etching chamber 25. Next, the wafer 1 on which the laser processing groove forming step ST2 has been carried out by a carry-in / out means (not shown) is carried into the closed space 27 in the plasma etching chamber 25 through the opening 26, and the workpiece holding portion 29 constituting the lower electrode 28 is carried out. The functional layer 4 side of the wafer 1 is placed on the chuck table 21 (electrostatic chuck, ESC: Electrostatic chuck) via the adhesive tape 200. At this time, the control unit 22 operates the lift drive unit 30 to raise the upper electrode 31. The control unit 22 applies electric power to the electrodes 32 and 33 provided in the workpiece holder 29 to suck and hold the wafer 1 on the chuck table 21.

制御ユニット２２は、ゲート作動ユニット２３を作動してゲート２４を上方に移動させ、プラズマエッチングチャンバー２５の開口２６を閉じる。制御ユニット２２は、昇降駆動ユニット３０を作動して上部電極３１を下降させ、上部電極３１を構成するガス噴出部３４の下面と下部電極２８を構成するチャックテーブル２１に保持されたウェーハ１との間の距離をプラズマエッチング処理に適した所定の電極間距離に位置付ける。 The control unit 22 operates the gate operating unit 23 to move the gate 24 upward, and closes the opening 26 of the plasma etching chamber 25. The control unit 22 operates the elevating and lowering drive unit 30 to lower the upper electrode 31, thereby lowering the lower surface of the gas ejection portion 34 forming the upper electrode 31 and the wafer 1 held on the chuck table 21 forming the lower electrode 28. The distance between them is set to a predetermined electrode distance suitable for the plasma etching process.

制御ユニット２２は、ガス排出ユニット３５を作動してプラズマエッチングチャンバー２５内の密閉空間２７を真空排気して、密閉空間２７の圧力を所定の圧力に維持するとともに、冷媒供給ユニット３６を作動させて下部電極２８内に設けられた冷媒導入通路３７、冷却通路３８及び冷媒排出通路３９に冷媒であるヘリウムガスを循環させて、下部電極２８の異常昇温を抑制する。 The control unit 22 operates the gas discharge unit 35 to evacuate the closed space 27 in the plasma etching chamber 25 to maintain the pressure of the closed space 27 at a predetermined pressure and to operate the coolant supply unit 36. Helium gas, which is a coolant, is circulated in the coolant introduction passage 37, the cooling passage 38, and the coolant discharge passage 39 provided in the lower electrode 28 to suppress abnormal temperature rise of the lower electrode 28.

次に、制御ユニット２２は、ガス供給ユニット４０を作動しエッチングガスを上部電極３１の複数の噴出口４１から下部電極２８のチャックテーブル２１上に保持されたウェーハ１に向けて噴出するとともに、エッチングガスを供給した状態で、高周波電源４２から上部電極３１にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源４２から下部電極２８にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。これにより、下部電極２８と上部電極３１との間の空間にプラズマ化されたエッチングガスが発生し、このプラズマ化されたエッチングガスがウェーハ１側に引き込まれて、ウェーハ１の裏面７、レーザー加工溝３００の内面及び底３０１をエッチングして、レーザー加工溝３００を基板２の表面３に向かって進行させる。 Next, the control unit 22 operates the gas supply unit 40 to eject the etching gas from the plurality of ejection ports 41 of the upper electrode 31 toward the wafer 1 held on the chuck table 21 of the lower electrode 28 and perform etching. With the gas supplied, high frequency power for generating and maintaining plasma is applied from the high frequency power supply 42 to the upper electrode 31, and high frequency power for attracting ions to the lower electrode 28 is applied from the high frequency power supply 42. As a result, plasmaized etching gas is generated in the space between the lower electrode 28 and the upper electrode 31, and the plasmaized etching gas is drawn to the wafer 1 side, and the back surface 7 of the wafer 1 and laser processing are performed. The inner surface of the groove 300 and the bottom 301 are etched to advance the laser-machined groove 300 toward the surface 3 of the substrate 2.

なお、実施形態１では、基板２がシリコンで構成される場合、エッチングガスとして、ＳＦ_６、Ｃ_４Ｆ_８又はＣＦ_４等を用いるが、エッチングガスは、これらに限定されない。 In the first embodiment, when the substrate 2 is made of silicon, SF ₆ , C ₄ F ₈ or CF ₄ is used as the etching gas, but the etching gas is not limited to these.

プラズマエッチングステップＳＴ３では、制御ユニット２２は、レーザー加工溝３００の深さ即ちウェーハ１の厚さに応じて、ウェーハ１をプラズマエッチングする所定時間が予め設定されている。プラズマエッチングステップＳＴ３において、所定時間、プラズマエッチングされたウェーハ１は、図７及び図８に示すように、裏面７全体がエッチングされて、厚さ１０１分薄化されている。また、所定時間、プラズマエッチングされたウェーハ１は、図７及び図８に示すように、レーザー加工溝３００の底３０１に残存する基板２がエッチングされ除去され、レーザー加工溝３００が機能層４に到達している。ウェーハ１は、デバイス領域１１０おいて、基板２がレーザー加工溝３００により分割され、レーザー加工溝３００内に機能層４が露出して、レーザー加工溝３００の底に機能層４が残っている。 In the plasma etching step ST3, the control unit 22 presets a predetermined time for plasma etching the wafer 1 according to the depth of the laser processing groove 300, that is, the thickness of the wafer 1. In the plasma etching step ST3, the wafer 1 that has been plasma-etched for a predetermined time has the entire back surface 7 etched, as shown in FIGS. 7 and 8, to be thinned by a thickness of 101. In the wafer 1 plasma-etched for a predetermined time, as shown in FIGS. 7 and 8, the substrate 2 remaining on the bottom 301 of the laser-machined groove 300 is etched and removed, and the laser-machined groove 300 becomes the functional layer 4. Has arrived In the wafer 1, the substrate 2 is divided by the laser processing groove 300 in the device region 110, the functional layer 4 is exposed in the laser processing groove 300, and the functional layer 4 remains at the bottom of the laser processing groove 300.

また、所定時間、プラズマエッチングされたウェーハ１は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において外周余剰領域１２０にはレーザー加工溝３００が形成されていないために、外周余剰領域１２０が分割されずに、デバイス領域１１０を囲繞するリング形状を維持している。また、実施形態１において、プラズマエッチングステップＳＴ３において形成されるレーザー加工溝３００は、裏面７から表面３に向かうにしたがって幅が徐々に狭く形成されている。 Further, in the wafer 1 that has been plasma-etched for a predetermined time, since the laser processing groove 300 is not formed in the outer peripheral surplus area 120 in the laser processing groove forming step ST2, the outer peripheral surplus area 120 is not divided and the device area is formed. The ring shape surrounding 110 is maintained. Further, in the first embodiment, the width of the laser processed groove 300 formed in the plasma etching step ST3 is gradually narrowed from the back surface 7 toward the front surface 3.

ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、所定時間、プラズマエッチングを行うと、機能層切断ステップＳＴ４に進む。なお、図７及び図８は、プラズマエッチングステップＳＴ３後のウェーハ１がレーザー加工溝３００の底の基板２が除去されている例を示しているが、本発明では、レーザー加工溝３００の底３０１に僅かに基板２が残っていても良い。また、本発明のウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、ウェーハ１の裏面７全体をエッチングするとともにレーザー加工溝３００を基板２の表面３に向かって進行させるエッチングステップと、エッチングステップに次いでウェーハ１の裏面７、レーザー加工溝３００の内面及び底３０１に被膜を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す、所謂ボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングしても良い。 In the wafer processing method, after performing plasma etching for a predetermined time in plasma etching step ST3, the process proceeds to functional layer cutting step ST4. 7 and 8 show an example in which the substrate 2 at the bottom of the laser processed groove 300 is removed from the wafer 1 after the plasma etching step ST3, but in the present invention, the bottom 301 of the laser processed groove 300 is shown. The substrate 2 may slightly remain. Further, in the wafer processing method of the present invention, in the plasma etching step ST3, an etching step of etching the entire back surface 7 of the wafer 1 and advancing the laser processing groove 300 toward the front surface 3 of the substrate 2 is followed by an etching step. The wafer 1 may be plasma-etched by a so-called Bosch method, in which a film deposition step of depositing a film on the back surface 7 of the wafer 1, the inner surface of the laser processing groove 300 and the bottom 301 is alternately repeated.

（機能層切断ステップ）
図９は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップを示す断面図である。図１０は、図２に示されたウェーハの加工方法の機能層切断ステップ後のウェーハの要部の断面図である。 (Functional layer cutting step)
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a functional layer cutting step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 10 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the step of cutting the functional layer of the method for processing a wafer shown in FIG.

機能層切断ステップＳＴ４は、プラズマエッチングで機能層４に到達したレーザー加工溝３００で基板２が分割されたウェーハ１の裏面７側から図９に示すレーザー加工装置５０が機能層４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線５１の集光点５１−１をレーザー加工溝３００の底に露出する機能層４に位置づけて照射し、機能層４をレーザー加工溝３００に沿って切断するステップである。 In the functional layer cutting step ST4, the laser processing apparatus 50 shown in FIG. 9 absorbs the functional layer 4 from the back surface 7 side of the wafer 1 in which the substrate 2 is divided by the laser processing groove 300 reaching the functional layer 4 by plasma etching. This is a step of positioning and irradiating the condensing point 51-1 of the laser beam 51 having a wavelength having a property to the functional layer 4 exposed at the bottom of the laser processing groove 300, and cutting the functional layer 4 along the laser processing groove 300.

機能層切断ステップＳＴ４では、レーザー加工装置５０が、チャックテーブルに粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を保持し、図９に示すように、レーザー光線照射ユニット５２とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット５２から機能層４に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線５１の集光点５１−１をレーザー加工溝３００の底に露出した機能層４に設定して、レーザー光線５１を機能層４に照射する。機能層切断ステップＳＴ４では、各分割予定ライン６において、レーザー加工溝３００の底で露出した機能層４にアブレーション加工を施して、レーザー加工溝３００の底で露出した機能層４を切断して、ウェーハ１を個々のチップ９に分割する。 In the functional layer cutting step ST4, the laser processing device 50 holds the functional layer 4 side of the wafer 1 on the chuck table via the adhesive tape 200, and divides the laser beam irradiation unit 52 and the chuck table as shown in FIG. While relatively moving along the planned line 6, the condensing point 51-1 of the laser beam 51 of the wavelength (for example, 355 nm) having the absorptivity for the functional layer 4 from the laser beam irradiation unit 52 is moved to the bottom of the laser processing groove 300. The functional layer 4 exposed to the above is set and the laser beam 51 is irradiated to the functional layer 4. In the functional layer cutting step ST4, in each planned dividing line 6, the functional layer 4 exposed at the bottom of the laser processing groove 300 is subjected to ablation processing, and the functional layer 4 exposed at the bottom of the laser processing groove 300 is cut, The wafer 1 is divided into individual chips 9.

なお、機能層切断ステップＳＴ４では、図示しない分割予定ライン６に形成された金属膜やＴＥＧも分割する。ウェーハの加工方法は、図１０に示すように、全ての分割予定ライン６においてレーザー加工溝３００の底で露出した機能層４を分割すると、研削ステップＳＴ５に進む。また、実施形態１では、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２をレーザー加工装置１０が行い、機能層切断ステップＳＴ４をレーザー加工装置１０とは別のレーザー加工装置５０が行っていたが、本発明は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２及び機能層切断ステップＳＴ４を一つのレーザー加工装置で行っても良い。 In the functional layer cutting step ST4, the metal film and TEG formed on the planned dividing line 6 (not shown) are also divided. As shown in FIG. 10, the wafer processing method proceeds to a grinding step ST5 when the functional layer 4 exposed at the bottom of the laser processing groove 300 is divided on all the planned dividing lines 6. Further, in the first embodiment, the laser processing groove forming step ST2 is performed by the laser processing apparatus 10 and the functional layer cutting step ST4 is performed by the laser processing apparatus 50 which is different from the laser processing apparatus 10. The processing groove forming step ST2 and the functional layer cutting step ST4 may be performed by one laser processing device.

（研削ステップ）
図１１は、図２に示されたウェーハの加工方法の研削ステップを示す側断面図である。研削ステップＳＴ５は、プラズマエッチングステップＳＴ３、及び機能層切断ステップＳＴ４の後に、ウェーハ１の裏面７を研削してウェーハ１を仕上がり厚さ１００にするステップである。 (Grinding step)
FIG. 11 is a side sectional view showing a grinding step of the wafer processing method shown in FIG. The grinding step ST5 is a step of grinding the back surface 7 of the wafer 1 to make the finished thickness 100 of the wafer 1 after the plasma etching step ST3 and the functional layer cutting step ST4.

研削ステップＳＴ５では、研削装置６０が、チャックテーブル６１の保持面６２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。研削ステップＳＴ５では、図１１に示すように、スピンドル６３により仕上げ研削用の研削ホイール６４を回転しかつチャックテーブル６１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、仕上げ研削用砥石６５をチャックテーブル６１に所定の送り速度で近づけることによって、仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１即ちチップ９の裏面７を仕上げ研削する。研削ステップＳＴ５では、仕上がり厚さ１００になるまでウェーハ１即ちチップ９を研削する。ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ１００までウェーハ１即ちチップ９を薄化するとダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６に進む。 In the grinding step ST5, the grinding device 60 sucks and holds the functional layer 4 side of the wafer 1 on the holding surface 62 of the chuck table 61 via the adhesive tape 200. In the grinding step ST5, as shown in FIG. 11, while the spindle 63 rotates the grinding wheel 64 for finish grinding and the chuck table 61 is rotated about the axis, the grinding water is supplied and the grinding stone 65 for finish grinding is supplied. By bringing the chuck table 61 closer to the chuck table 61 at a predetermined feeding speed, the grinding wheel 65 for finish grinding finishes the back surface 7 of the wafer 1, that is, the chip 9. In the grinding step ST5, the wafer 1 or the chips 9 are ground until the finished thickness is 100. In the wafer processing method, when the wafer 1 or the chip 9 is thinned to a finished thickness of 100, the process proceeds to a die attach film attaching step ST6.

（ダイアタッチフィルム貼着ステップ）
図１２は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム貼着ステップ後のウェーハの断面図である。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６は、プラズマエッチングステップＳＴ３、機能層切断ステップＳＴ４、及び研削ステップＳＴ５の後に、ウェーハ１の裏面７にダイアタッチフィルム２０２を貼着するステップである。 (Step of attaching die attach film)
FIG. 12 is a cross-sectional view of the wafer after the die attach film attaching step of the wafer processing method shown in FIG. The die attach film attaching step ST6 is a step of attaching the die attach film 202 to the back surface 7 of the wafer 1 after the plasma etching step ST3, the functional layer cutting step ST4, and the grinding step ST5.

ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６では、研削ステップＳＴ５において仕上げ研削されたウェーハ１即ちチップ９の裏面７にチップ９を接着するためのダイアタッチフィルム２０２を貼着する。ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６では、図１２に示すように、外周縁に環状フレーム２０４が貼着するとともにダイシングテープ２０３に積層されたダイアタッチフィルム２０２をウェーハ１の裏面７に貼着し、機能層４から粘着テープ２００を剥がす。ウェーハの加工方法は、粘着テープ２００を機能層４から剥がすと、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７に進む。 In the die attach film attaching step ST6, the die attach film 202 for attaching the chip 9 is attached to the back surface 7 of the wafer 1 that is the finish grinding in the grinding step ST5, that is, the chip 9. In the die attach film attaching step ST6, as shown in FIG. 12, the annular frame 204 is attached to the outer peripheral edge, and the die attach film 202 laminated on the dicing tape 203 is attached to the back surface 7 of the wafer 1 to function. The adhesive tape 200 is peeled off from the layer 4. In the wafer processing method, when the adhesive tape 200 is peeled from the functional layer 4, the process proceeds to the die attach film dividing step ST7.

（ダイアタッチフィルム分割ステップ）
図１３は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップを示す断面図である。図１４は、図２に示されたウェーハの加工方法のダイアタッチフィルム分割ステップ後のウェーハの要部の断面図である。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７は、レーザー加工溝３００に沿ってダイアタッチフィルム２０２に図１３に示すレーザー加工装置７０がレーザー光線７１を照射してダイアタッチフィルム２０２を分割するステップである。 (Die attach film dividing step)
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a die attach film dividing step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the die attach film dividing step of the wafer processing method shown in FIG. The die-attach film dividing step ST7 is a step of dividing the die-attach film 202 by irradiating the die-attach film 202 with the laser beam 71 along the laser-machined groove 300 by the laser beam machine 71 shown in FIG.

ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７では、レーザー加工装置７０が、チャックテーブルにダイシングテープ２０３を介してウェーハ１の裏面７側を保持し、図１３に示すように、レーザー光線照射ユニット７２とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニット７２からダイアタッチフィルム２０２に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線７１をレーザー加工溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２に照射する。ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７では、各分割予定ライン６において、レーザー加工溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２にアブレーション加工を施して、レーザー加工溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２を分割する。ウェーハの加工方法は、図１４に示すように、全ての分割予定ライン６においてレーザー加工溝３００内で露出したダイアタッチフィルム２０２を分割すると、終了する。なお、その後、チップ９は、ダイアタッチフィルム２０２毎、図示しないピックアップによりダイシングテープ２０３からピックアップされる。 In the die attach film dividing step ST7, the laser processing device 70 holds the back surface 7 side of the wafer 1 on the chuck table via the dicing tape 203, and divides the laser beam irradiation unit 72 and the chuck table as shown in FIG. The die attach film 202 exposed in the laser processing groove 300 with a laser beam 71 having a wavelength (for example, 355 nm) having an absorptivity for the die attach film 202 from the laser beam irradiation unit 72 while relatively moving along the planned line 6. To irradiate. In the die-attach film dividing step ST7, the die-attach film 202 exposed in the laser-machined groove 300 is subjected to ablation in each division line 6 to divide the die-attach film 202 exposed in the laser-machined groove 300. As shown in FIG. 14, the wafer processing method ends when the die attach film 202 exposed in the laser processing groove 300 is divided in all the planned dividing lines 6. After that, the chips 9 are picked up from the dicing tape 203 by a pick-up not shown for each die attach film 202.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿ってレーザー加工溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングすることで、レーザー加工溝３００を基板２の表面３に向かって進行させて、ウェーハ１を分割するため、レーザー加工溝３００の方が他の領域より早く裏面７までエッチングが進み、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工により分割するデバイスよりも小型であるためにプラズマエッチングで分割するのに好適なデバイス５を備えるウェーハ１の加工方法において、高価なマスクが不要となる。その結果、ウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５即ちチップ９に分割することができる。 In the wafer processing method according to the first embodiment, after the laser processing groove 300 is formed from the back surface 7 along the planned dividing line 6 in the laser processing groove forming step ST2, plasma etching is performed from the back surface 7 side in the plasma etching step ST3. Then, since the laser processing groove 300 is advanced toward the front surface 3 of the substrate 2 to divide the wafer 1, the laser processing groove 300 etches to the back surface 7 earlier than other regions, and a mask is unnecessary. Plasma dicing can be realized. For this reason, since the wafer processing method is smaller than the device divided by the cutting process, the wafer 1 provided with the device 5 suitable for the plasma etching does not require an expensive mask. . As a result, the wafer processing method can divide the wafer 1 into individual devices 5 or chips 9 by performing plasma etching on the wafer 1 while suppressing costs.

また、ウェーハの加工方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２及び研削ステップＳＴ５前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層４側に粘着テープ２００が貼着されている。このために、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２及び研削ステップＳＴ５時に発生するデブリ及びコンタミがデバイス５に付着することを抑制することができる。 Further, in the wafer processing method, the adhesive tape 200 is attached to the functional layer 4 side in the protective member disposing step ST1 before the laser processing groove forming step ST2 and the grinding step ST5. For this reason, it is possible to prevent the debris and contaminants generated during the laser processing groove forming step ST2 and the grinding step ST5 from adhering to the device 5.

また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ４において、レーザー加工溝３００の溝底に残った機能層４にレーザー光線５１を照射して分割するので、プラズマエッチングステップＳＴ３後に、レーザー加工溝３００の底にＬｏｗ−ｋ膜等の樹脂を含む機能層４が残ったとしても、Ｌｏｗ−ｋ膜等の機能層４が積層されたウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。また、ウェーハの加工方法は、機能層切断ステップＳＴ４前の保護部材配設ステップＳＴ１において、機能層４側に粘着テープ２００が貼着され、機能層切断ステップＳＴ４において、裏面７側からレーザー光線５１をレーザー加工溝３００の底の機能層４に照射するので、アブレーション加工時に発生するデブリがデバイス５に付着することを抑制することができる。 Further, in the wafer processing method, in the functional layer cutting step ST4, the functional layer 4 remaining on the groove bottom of the laser processing groove 300 is irradiated with the laser beam 51 to be divided, so that after the plasma etching step ST3, the laser processing groove 300 is processed. Even if the functional layer 4 containing a resin such as a Low-k film remains on the bottom, the wafer 1 on which the functional layer 4 such as a Low-k film is laminated can be divided into individual devices 5. Further, in the wafer processing method, the adhesive tape 200 is attached to the functional layer 4 side in the protective member disposing step ST1 before the functional layer cutting step ST4, and the laser beam 51 is applied from the back surface 7 side in the functional layer cutting step ST4. Since the functional layer 4 on the bottom of the laser processing groove 300 is irradiated, it is possible to prevent debris generated during ablation processing from adhering to the device 5.

また、ウェーハの加工方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において、外周余剰領域１２０にはレーザー加工溝３００を形成しないために、プラズマエッチングステップＳＴ３後のウェーハ１の外周余剰領域１２０を分割せずに、デバイス領域１１０を囲繞するリング形状に維持している。その結果、ウェーハの加工方法は、レーザー加工装置１０からプラズマ装置２０のプラズマエッチングチャンバー２５にウェーハ１を搬送する際のウェーハ１の割れを抑制することが出来る。また、ウェーハの加工方法は、プラズマ装置２０のプラズマエッチングチャンバー２５外にウェーハ１を搬出する際も、外周余剰領域１２０がリング形状を維持しているため、ウェーハ１の撓みによるデバイス５同士の擦れが発生しにくいという効果もある。 Further, in the wafer processing method, since the laser processing groove 300 is not formed in the outer peripheral excess area 120 in the laser processing groove forming step ST2, the outer peripheral excess area 120 of the wafer 1 after the plasma etching step ST3 is not divided. , The ring shape surrounding the device region 110 is maintained. As a result, the wafer processing method can suppress cracking of the wafer 1 when the wafer 1 is transferred from the laser processing apparatus 10 to the plasma etching chamber 25 of the plasma apparatus 20. Further, in the wafer processing method, even when the wafer 1 is carried out of the plasma etching chamber 25 of the plasma apparatus 20, since the outer peripheral excess area 120 maintains the ring shape, the devices 5 rub against each other due to the bending of the wafer 1. There is also an effect that is less likely to occur.

また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するために、個々に分割されたチップ９の側面がプラズマエッチングによって除去された面である。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工による欠けが個々に分割されたチップ９の側面に残らず、抗折強度が高いチップ９を製造できる、という効果も奏する。 Further, in the wafer processing method, in the plasma etching step ST3, in order to divide the substrate 2 along the dividing line 6, the side surfaces of the individually divided chips 9 are removed by plasma etching. For this reason, the wafer processing method has an effect that the chip 9 having a high bending strength can be manufactured because a chip due to the cutting process does not remain on the side surface of the individually divided chip 9.

また、ウェーハの加工方法は、ダイアタッチフィルム貼着ステップＳＴ６と、ダイアタッチフィルム分割ステップＳＴ７とを備えるので、基板などに固定可能なデバイス５を得ることができる。 Further, since the wafer processing method includes the die attach film attaching step ST6 and the die attach film dividing step ST7, the device 5 that can be fixed to the substrate or the like can be obtained.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１５は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図１６は、図１５に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップを示す側断面図である。図１７は、図１５に示されたウェーハの加工方法の予備研削ステップ後のウェーハの要部の断面図である。なお、図１５、図１６及び図１７は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
A wafer processing method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 15 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the second embodiment. 16 is a side sectional view showing a pre-grinding step of the method for processing a wafer shown in FIG. FIG. 17 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the pre-grinding step of the wafer processing method shown in FIG. 15, 16, and 17, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、図１５に示すように、予備研削ステップＳＴ１０を備えること以外、実施形態１と同じである。予備研削ステップＳＴ１０は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に、ウェーハ１の裏面７を予め研削するステップである。実施形態２において、ウェーハの加工方法は、予備研削ステップＳＴ１０を保護部材配設ステップＳＴ１の後でかつレーザー加工溝形成ステップＳＴ２の前に実施するが、本発明では、プラズマエッチングステップＳＴ３の前であれば、保護部材配設ステップＳＴ１の前又はレーザー加工溝形成ステップＳＴ２の後に実施しても良い。 The wafer processing method according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment except that a preliminary grinding step ST10 is provided as shown in FIG. The preliminary grinding step ST10 is a step of previously grinding the back surface 7 of the wafer 1 before the plasma etching step ST3. In the second embodiment, in the wafer processing method, the preliminary grinding step ST10 is performed after the protection member disposing step ST1 and before the laser processing groove forming step ST2, but in the present invention, before the plasma etching step ST3. If so, it may be performed before the protective member disposing step ST1 or after the laser processing groove forming step ST2.

予備研削ステップＳＴ１０では、研削装置８０が、チャックテーブル８１の保持面８２に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持する。予備研削ステップＳＴ１０では、図１６に示すように、スピンドル８３により予備研削用の研削ホイール８４を回転しかつチャックテーブル８１を軸心回りに回転しながら研削水を供給するとともに、予備研削用砥石８５をチャックテーブル８１に所定の送り速度で近づけることによって、予備研削用砥石８５でウェーハ１の裏面７を粗研削する。 In the preliminary grinding step ST10, the grinding device 80 sucks and holds the functional layer 4 side of the wafer 1 on the holding surface 82 of the chuck table 81 via the adhesive tape 200. In the pre-grinding step ST10, as shown in FIG. 16, while the spindle 83 rotates the grinding wheel 84 for pre-grinding and the chuck table 81 is rotated around the axis, the grinding water is supplied and the grindstone 85 for pre-grinding is used. Is brought closer to the chuck table 81 at a predetermined feed speed, so that the back surface 7 of the wafer 1 is roughly ground by the pregrinding grindstone 85.

予備研削ステップＳＴ１０では、図１７に示すように、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削する。実施形態２において、ウェーハの加工方法は、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１とを合わせた厚さ以上になるまでウェーハ１を研削するとプラズマエッチングステップＳＴ３に進む。なお、本発明は、予備研削ステップＳＴ１０では、仕上がり厚さ１００とプラズマエッチングステップＳＴ３において除去される厚さ１０１と研削ステップＳＴ５で除去される厚さとを合わせた厚さと略等しくなる厚さにウェーハ１を薄化してもいい。 In the preliminary grinding step ST10, as shown in FIG. 17, the wafer 1 is ground until the finished thickness 100 and the thickness 101 removed in the plasma etching step ST3 are equal to or more than the total thickness. In the second embodiment, the wafer processing method proceeds to the plasma etching step ST3 when the wafer 1 is ground until the finished thickness 100 and the thickness 101 removed in the plasma etching step ST3 are equal to or more than the total thickness. In the present invention, in the preliminary grinding step ST10, the wafer has a thickness that is substantially equal to the combined thickness of the finished thickness 100, the thickness 101 removed in the plasma etching step ST3, and the thickness removed in the grinding step ST5. You can thin one.

実施形態２に係るウェーハの加工方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿ってレーザー加工溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、レーザー加工溝３００の方が他の領域より早く裏面７までエッチングが進み、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５即ちチップ９に分割することができる。 In the wafer processing method according to the second embodiment, after the laser processing groove 300 is formed from the back surface 7 along the planned dividing line 6 in the laser processing groove forming step ST2, plasma etching is performed from the back surface 7 side in the plasma etching step ST3. In the laser processing groove 300, etching progresses to the back surface 7 earlier than the other regions, and plasma dicing without a mask can be realized. As a result, the wafer processing method can divide the wafer 1 into the individual devices 5, that is, the chips 9 by performing the plasma etching on the wafer 1 while suppressing the cost, as in the first embodiment.

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１を薄化するので、プラズマエッチングステップＳＴ３時のウェーハ１の基板２の除去量を削減することができる。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において発生する所謂アウトガスの量と加工時間とを削減することができる。 Further, in the wafer processing method according to the second embodiment, since the wafer 1 is thinned by performing the preliminary grinding step ST10 before the plasma etching step ST3, the removal amount of the substrate 2 of the wafer 1 at the plasma etching step ST3. Can be reduced. As a result, the wafer processing method according to the second embodiment can reduce the amount of so-called outgas generated in the plasma etching step ST3 and the processing time.

また、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２の前に予備研削ステップＳＴ１０を実施してウェーハ１の裏面７を研削するので、予備研削ステップＳＴ１０の前においてウェーハ１の裏面７が梨地面（細かい凹凸を有する面）であっても、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２の前に裏面７を平坦化することができる。その結果、実施形態２に係るウェーハの加工方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において、赤外線カメラによる撮影が可能となり、撮像したウェーハ１表面の画像に基づいてアライメントを遂行した際のレーザー光線照射ユニット１２と分割予定ライン６との位置合わせを可能とする。 Further, in the wafer processing method according to the second embodiment, since the backside 7 of the wafer 1 is ground by performing the preliminary grinding step ST10 before the laser processing groove forming step ST2, the wafer 1 is processed before the preliminary grinding step ST10. Even if the back surface 7 is a satin surface (a surface having fine irregularities), the back surface 7 can be flattened before the laser processing groove forming step ST2. As a result, in the wafer processing method according to the second embodiment, in the laser processing groove forming step ST2, it is possible to take an image with the infrared camera, and the laser beam irradiation unit 12 when performing the alignment based on the taken image of the surface of the wafer 1. And the planned dividing line 6 can be aligned with each other.

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１８は、実施形態３に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図１９は、図１８に示されたウェーハの加工方法の水溶性保護膜形成ステップを示す側断面図である。図２０は、図１８に示されたウェーハの加工方法の水溶性保護膜形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。図２１は、図１８に示されたウェーハの加工方法の洗浄ステップステップを示す側断面図である。なお、図１８、図１９、図２０及び図２１は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 3]
A wafer processing method according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 18 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to the third embodiment. FIG. 19 is a side sectional view showing a water-soluble protective film forming step of the method for processing a wafer shown in FIG. FIG. 20 is a cross-sectional view of the essential part of the wafer after the step of forming the water-soluble protective film of the method for processing a wafer shown in FIG. 21 is a side sectional view showing a cleaning step of the wafer processing method shown in FIG. 18, FIG. 19, FIG. 20, and FIG. 21, the same parts as those of the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、水溶性保護膜形成ステップＳＴ１１と洗浄ステップＳＴ１２とを備えること以外、実施形態１と同じである。水溶性保護膜形成ステップＳＴ１１は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２の前に、ウェーハ１の裏面７に水溶性樹脂を供給して、ウェーハ１の裏面７に硬化した水溶性樹脂９１により構成される水溶性保護膜９２を形成するステップである。実施形態３において、ウェーハの加工方法は、水溶性保護膜形成ステップＳＴ１１を保護部材配設ステップＳＴ１の後でかつレーザー加工溝形成ステップＳＴ２の前に実施するが、本発明では、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２の前であれば、保護部材配設ステップＳＴ１の前に実施しても良い。 The wafer processing method according to the third embodiment is the same as that of the first embodiment except that it includes a water-soluble protective film forming step ST11 and a cleaning step ST12. In the water-soluble protective film forming step ST11, before the laser processing groove forming step ST2, a water-soluble resin is supplied to the back surface 7 of the wafer 1 so that the back surface 7 of the wafer 1 is cured by the water-soluble resin 91. This is a step of forming the protective film 92. In the third embodiment, in the wafer processing method, the water-soluble protective film forming step ST11 is performed after the protective member disposing step ST1 and before the laser processing groove forming step ST2. If it is before step ST2, it may be performed before step ST1 of disposing the protective member.

実施形態３において、水溶性保護膜形成ステップＳＴ１１では、保護膜形成装置９０が、図１９に示すように、ウェーハ１の粘着テープ２００側をスピンナテーブル９３の保持面９４で吸引保持し、スピンナテーブル９３を軸心回りに回転させながら、ウェーハ１の中央上の塗布ノズル９５からウェーハ１の裏面７側に液状の水溶性樹脂９１を塗布する。水溶性樹脂９１は、ポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）等の水溶性の液状の樹脂等を含む。ウェーハ１の表面に塗布された水溶性樹脂９１は、スピンナテーブル９３の回転により生じる遠心力によりウェーハ１の外縁側に拡げられて、ウェーハ１の裏面７全体を被覆する。 In the third embodiment, in the water-soluble protective film forming step ST11, the protective film forming apparatus 90 sucks and holds the adhesive tape 200 side of the wafer 1 on the holding surface 94 of the spinner table 93 as shown in FIG. While rotating 93 around the axis, the liquid water-soluble resin 91 is applied to the back surface 7 side of the wafer 1 from the application nozzle 95 on the center of the wafer 1. The water-soluble resin 91 includes a water-soluble liquid resin such as polyvinyl alcohol (PVA) or polyvinyl pyrrolidone (PVP). The water-soluble resin 91 applied to the front surface of the wafer 1 is spread to the outer edge side of the wafer 1 by the centrifugal force generated by the rotation of the spinner table 93, and covers the entire back surface 7 of the wafer 1.

水溶性保護膜形成ステップＳＴ１１では、保護膜形成装置９０が、ウェーハ１の裏面７側に水溶性樹脂９１を塗布した後、水溶性樹脂９１を乾燥又は加熱して、硬化させても良い。保護膜形成装置９０が、図２０に示すように、ウェーハ１の裏面７全体を水溶性保護膜９２で被覆する。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の裏面７全体を水溶性保護膜９２で被覆すると、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２に進む。 In the water-soluble protective film forming step ST11, the protective film forming apparatus 90 may apply the water-soluble resin 91 to the back surface 7 side of the wafer 1 and then dry or heat the water-soluble resin 91 to cure it. As shown in FIG. 20, the protective film forming apparatus 90 coats the entire back surface 7 of the wafer 1 with the water-soluble protective film 92. In the wafer processing method, when the entire back surface 7 of the wafer 1 is covered with the water-soluble protective film 92, the process proceeds to the laser processing groove forming step ST2.

洗浄ステップＳＴ１２は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２を実施後、ウェーハ１の裏面７に純水からなる洗浄水１３１を供給して、水溶性保護膜９２をアブレーション加工で発生するデブリと共に除去するステップである。 The cleaning step ST12 is a step of supplying the cleaning water 131 made of pure water to the back surface 7 of the wafer 1 after performing the laser processing groove forming step ST2 to remove the water-soluble protective film 92 together with debris generated by ablation processing. is there.

洗浄ステップＳＴ１２では、図２１に示すように、洗浄装置１３０がスピンナテーブル１３３の保持面１３４に粘着テープ２００を介してウェーハ１の機能層４側を吸引保持し、スピンナテーブル１３３を軸心回りに回転させるとともに、ウェーハ１の上方を移動する洗浄水ノズル１３５から洗浄水１３１をウェーハ１の裏面７に向けて噴射する。洗浄ステップＳＴ１２では、洗浄水１３１がスピンナテーブル１３３の回転により生じる遠心力によりウェーハ１の裏面７上をスムーズに流れて、水溶性保護膜９２とともに、水溶性保護膜９２に付着したデブリを洗い流して除去することとなる。洗浄ステップＳＴ１２では、所定時間、洗浄装置１３０がスピンナテーブル１３３を回転させながらウェーハ１の裏面７に洗浄水１３１を供給すると、ウェーハ１の洗浄を終了し、ウェーハ１を乾燥させる。ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の裏面７の乾燥を終了すると、プラズマエッチングステップＳＴ３に進む。 In the cleaning step ST12, as shown in FIG. 21, the cleaning device 130 sucks and holds the functional layer 4 side of the wafer 1 on the holding surface 134 of the spinner table 133 via the adhesive tape 200, and rotates the spinner table 133 around the axis. The cleaning water 131 is sprayed toward the back surface 7 of the wafer 1 from the cleaning water nozzle 135 that moves above the wafer 1 while rotating. In the cleaning step ST12, the cleaning water 131 smoothly flows on the back surface 7 of the wafer 1 due to the centrifugal force generated by the rotation of the spinner table 133 to wash away the water-soluble protective film 92 and debris attached to the water-soluble protective film 92. Will be removed. In the cleaning step ST12, when the cleaning device 130 supplies the cleaning water 131 to the back surface 7 of the wafer 1 while rotating the spinner table 133 for a predetermined time, the cleaning of the wafer 1 is completed and the wafer 1 is dried. In the wafer processing method, when the drying of the back surface 7 of the wafer 1 is completed, the process proceeds to the plasma etching step ST3.

なお、実施形態３では、水溶性保護膜形成ステップＳＴ１１を保護膜形成装置９０が行い、洗浄ステップＳＴ１２を保護膜形成装置９０とは別の洗浄装置１３０が行っていたが、本発明は、水溶性保護膜形成ステップＳＴ１１及び洗浄ステップＳＴ１２をノズル９５，１３５を備える一つの装置で行っても良い。 In addition, in the third embodiment, the water-soluble protective film forming step ST11 is performed by the protective film forming apparatus 90, and the cleaning step ST12 is performed by the cleaning device 130 different from the protective film forming apparatus 90. The protective film forming step ST11 and the cleaning step ST12 may be performed by a single apparatus including the nozzles 95 and 135.

実施形態３に係るウェーハの加工方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２において裏面７から分割予定ライン６に沿ってレーザー加工溝３００を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ３において裏面７側からプラズマエッチングするので、マスクを不要としたプラズマダイシングを実現することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、実施形態１と同様に、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５即ちチップ９に分割することができる。 In the wafer processing method according to the third embodiment, after the laser processing groove 300 is formed from the back surface 7 along the planned dividing line 6 in the laser processing groove forming step ST2, plasma etching is performed from the back surface 7 side in the plasma etching step ST3. It is possible to realize plasma dicing without using a mask. As a result, the wafer processing method can divide the wafer 1 into the individual devices 5, that is, the chips 9 by performing the plasma etching on the wafer 1 while suppressing the cost, as in the first embodiment.

また、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、水溶性保護膜形成ステップＳＴ１１において裏面７全体を水溶性保護膜９２で被覆（保護）してからレーザー加工溝形成ステップＳＴ２においてレーザー光線１１を用いたアブレーション加工でレーザー加工溝３００を形成するので、裏面７にデブリ３１０の付着がない、という効果を奏する。また、ウェーハの加工方法は、レーザー加工溝形成ステップＳＴ２後に、洗浄ステップＳＴ１２において、ウェーハ１の裏面７を洗浄するので、デブリがウェーハ１の裏面７に残存することを抑制することができる。 Further, in the wafer processing method according to the third embodiment, the entire back surface 7 is covered (protected) with the water-soluble protective film 92 in the water-soluble protective film forming step ST11, and then the laser beam 11 is used in the laser-machined groove forming step ST2. Since the laser processing groove 300 is formed by ablation processing, there is an effect that the debris 310 does not adhere to the back surface 7. Further, in the wafer processing method, since the back surface 7 of the wafer 1 is cleaned in the cleaning step ST12 after the laser processing groove forming step ST2, it is possible to prevent debris from remaining on the back surface 7 of the wafer 1.

なお、実施形態３に係るウェーハの加工方法は、実施形態２と同様に、予備研削ステップＳＴ１０を実施しても良い。 The wafer processing method according to the third embodiment may perform the preliminary grinding step ST10 as in the second embodiment.

〔実施形態４〕
本発明の実施形態４に係るウェーハの加工方法を説明する。実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、電極に高周波電力を印加して密閉空間内でエッチングガスなどをプラズマするものではなく、プラズマ状態にしたエッチングガスなどをプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いる。 [Embodiment 4]
A wafer processing method according to the fourth embodiment of the present invention will be described. In the method of processing a wafer according to the fourth embodiment, in the plasma etching step ST3, high-frequency power is not applied to the electrodes to plasma the etching gas or the like in the sealed space, but the etching gas in the plasma state is used in the plasma etching chamber. A remote plasma type plasma etching apparatus for introducing into a closed space is used.

実施形態４に係るウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、リモートプラズマ方式のプラズマ装置を用いるので、プラズマ装置ではプラズマ化したエッチングガスに混入するイオンが供給管の内面に衝突してプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に到達することを抑制でき、ラジカルが高濃度なエッチングガスを供給できるので、より幅の狭いレーザー加工溝３００であっても基板２をデバイス５毎に分割することができる。 In the plasma processing step ST3, the wafer processing method according to the fourth embodiment uses the remote plasma type plasma apparatus. Therefore, in the plasma apparatus, the ions mixed in the plasmaized etching gas collide with the inner surface of the supply pipe to perform plasma etching. Since it is possible to prevent the gas from reaching the closed space in the chamber and supply the etching gas having a high concentration of radicals, the substrate 2 can be divided for each device 5 even in the laser processing groove 300 having a narrower width.

なお、実施形態４に係るウェーハの加工方法は、実施形態２と同様に、予備研削ステップＳＴ１０を実施しても良い。 The wafer processing method according to the fourth embodiment may perform the preliminary grinding step ST10 as in the second embodiment.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、分割予定ライン６に形成される機能層４、金属膜及びＴＥＧをレーザー加工溝形成ステップＳＴ２の前に、表面からレーザー光線を照射して、アブレーションで除去しても良い。また、本発明は、ウェーハ１の裏面７に予め酸化被膜が形成されている場合、プラズマエッチングステップＳＴ３において、この酸化被膜をマスクとしてプラズマエッチングを行っても良い。また、本発明は、研削ステップＳＴ５及び予備研削ステップＳＴ１０の双方において、予備研削用砥石８５を用いてウェーハ１の裏面７を粗研削した後に、予備研削用砥石８５より砥粒の小さい仕上げ研削用砥石６５でウェーハ１の裏面７を仕上げ研削しても良いし、ウェーハ１の裏面７を粗研削のみしても良いし、ウェーハ１の裏面７を仕上げ研削のみしても良い。また、本発明は、デバイス５のサイズが上記実施形態に記載されたものに限定されない。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the present invention, the functional layer 4, the metal film and the TEG formed on the planned dividing line 6 may be removed by ablation by irradiating a laser beam from the surface before the laser processing groove forming step ST2. Further, in the present invention, when an oxide film is formed on the back surface 7 of the wafer 1 in advance, plasma etching may be performed using the oxide film as a mask in the plasma etching step ST3. Further, in the present invention, in both the grinding step ST5 and the preliminary grinding step ST10, after the back surface 7 of the wafer 1 is roughly ground by using the preliminary grinding wheel 85, for finishing grinding with smaller abrasive grains than the preliminary grinding wheel 85. The back surface 7 of the wafer 1 may be subjected to finish grinding with the grindstone 65, the back surface 7 of the wafer 1 may only be subjected to rough grinding, or the back surface 7 of the wafer 1 may be subjected to only finish grinding. Further, the present invention is not limited to the size of the device 5 described in the above embodiment.

１ウェーハ
２基板
３表面
４機能層
５デバイス
６分割予定ライン
７裏面
８表面
９チップ
１０レーザー加工装置
１１レーザー光線
１３チャックテーブル
２０プラズマ装置
２１チャックテーブル
５１レーザー光線
１１０デバイス領域
１２０外周余剰領域
２００粘着テープ（保護部材）
３００レーザー加工溝
３０１底
ＳＴ１保護部材配設ステップ
ＳＴ２レーザー加工溝形成ステップ
ＳＴ３プラズマエッチングステップ
ＳＴ４機能層切断ステップ
ＳＴ５研削ステップ
ＳＴ１０予備研削ステップ 1 Wafer 2 Substrate 3 Surface 4 Functional Layer 5 Device 6 Divided Line 7 Back 8 Surface 9 Chip 10 Laser Processing Device 11 Laser Beam 13 Chuck Table 20 Plasma Device 21 Chuck Table 51 Laser Beam 110 Device Area 120 Peripheral Surplus Area 200 Adhesive Tape (Protection Element)
300 laser processing groove 301 bottom ST1 protective member disposing step ST2 laser processing groove forming step ST3 plasma etching step ST4 functional layer cutting step ST5 grinding step ST10 preliminary grinding step

Claims

A wafer having a device region in which a plurality of devices are formed by stacking a functional layer on the surface of a substrate and an outer peripheral surplus region surrounding the device region, and dividing the wafer along division lines that divide the plurality of devices. A processing method,
A protective member disposing step of disposing a protective member on the surface of the wafer,
The back side of the wafer corresponding to the device area is held by holding the protective member side of the wafer by a chuck table of a laser processing apparatus and irradiating a laser beam having a wavelength having an absorptivity to the substrate along the dividing line. A laser processing groove forming step of forming a laser processing groove having a depth not reaching the functional layer on the side,
The protection member side of the wafer is held by a chuck table of a plasma device, plasmaized gas is supplied to the back surface side of the wafer, and the substrate remaining at the bottom of the laser processing groove is removed by etching. A plasma etching step for dividing the wafer into chips along the dividing line,
A functional layer cutting step of irradiating the functional layer exposed to the laser processing groove with a laser beam from the back surface side of the wafer divided by plasma etching, and cutting the functional layer along the laser processing groove. Wafer processing method.

The wafer processing method according to claim 1, further comprising a preliminary grinding step of previously grinding the back surface of the wafer before the plasma etching step.

The method of processing a wafer according to claim 1, further comprising a grinding step of grinding the back surface of the wafer after the plasma etching step.