JP2021015938A

JP2021015938A - Water-soluble resin sheet and wafer processing method

Info

Publication number: JP2021015938A
Application number: JP2019131132A
Authority: JP
Inventors: 健志岡崎; Kenji Okazaki; 晃司渡部; Koji Watabe
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2019-07-16
Filing date: 2019-07-16
Publication date: 2021-02-12

Abstract

To make it possible to suppress damage to a device while suppressing steep rise of the cost.SOLUTION: A wafer processing method includes a resin sheet preparation step ST1 for preparing a water-soluble resin sheet having an adhesive layer and flexibility, a resin sheet sticking step ST2 for sticking the resin sheet on a wafer, a mask forming step ST3 for irradiating the wafer with a laser beam having an absorbable wavelength from a surface side on which the resin sheet is stuck, thereby removing the resin sheet along a street and forming a mask, a plasma etching step ST4 for supplying a gas under a plasma state from the surface side of the wafer through the mask and plasma-etches and removes a region of the wafer along the street exposed from the mask, and a mask cleaning step ST5 for cleaning and removing the mask with cleaning water.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、プラズマエッチングを用いたウェーハの加工方法に用いられる水溶性の樹脂シート及びプラズマエッチングを用いたウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a water-soluble resin sheet used in a wafer processing method using plasma etching and a wafer processing method using plasma etching.

半導体デバイスが形成されたウェーハを個々のデバイスに分割する際に、従来は、切削ブレードやレーザー光線で加工を行っている。切削ブレードを用いた加工では、ストリートを１ラインずつ加工するため、特にサイズの小さなデバイスの場合、ストリートの数が多く加工時間が非常に長くなってしまう。 Conventionally, when a wafer on which a semiconductor device is formed is divided into individual devices, it is processed by a cutting blade or a laser beam. In machining using a cutting blade, streets are machined line by line, so especially in the case of a small device, the number of streets is large and the machining time becomes very long.

そこで、プラズマエッチングによってウェーハをダイシングする、所謂プラズマダイシング技術が考案された。プラズマダイシングでは、ストリートだけを露出するマスクを使用するが、マスクが高額になってしまい実際に採用されにくい。また、デバイス面のストリートには、プラズマエッチングで除去されない材料（例えば、ＴＥＧを形成する金属材料等）があるため、ストリート部分は別途加工が必要である。 Therefore, a so-called plasma dicing technique for dicing a wafer by plasma etching has been devised. In plasma dicing, a mask that exposes only the street is used, but the mask becomes expensive and it is difficult to actually adopt it. Further, since there is a material (for example, a metal material forming TEG) that is not removed by plasma etching on the street on the device surface, the street portion needs to be processed separately.

そこで、ウェーハにレジスト材となる液状樹脂を塗布後、ストリートに沿ってレーザー光線を照射し、液状樹脂を除去しつつウェーハを露出させることで、プラズマエッチングのマスクを形成する方法が考案された（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１の方法により、安価に、ウェーハをストリートに沿って露出させることが出来た。 Therefore, a method has been devised to form a plasma etching mask by applying a liquid resin as a resist material to a wafer and then irradiating a laser beam along the street to expose the wafer while removing the liquid resin (for example). , Patent Document 1). By the method of Patent Document 1, the wafer can be exposed along the street at low cost.

特開２０１６−２０７７３７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-207737

しかしながら、特許文献１に示された方法では、例えば、マスクが液状なので、電極バンプ等の凹凸があるウェーハでは、凸部、例えば、電極バンプの頂点付近に残る液状樹脂の厚さが薄くなり、更に、プラズマエッチングによって徐々に除去され、プラズマエッチング中にマスクから電極バンプが露出してしまう恐れがあった。さらには、マスク形成時のレーザー光線の照射により、発生したデブリの付着でマスクに穴が開いてしまうという課題も残っていた。 However, in the method shown in Patent Document 1, for example, since the mask is liquid, in a wafer having irregularities such as electrode bumps, the thickness of the liquid resin remaining in the convex portion, for example, near the apex of the electrode bumps becomes thin. Further, it is gradually removed by plasma etching, and there is a risk that electrode bumps may be exposed from the mask during plasma etching. Furthermore, there remains the problem that holes are opened in the mask due to the adhesion of the generated debris due to the irradiation of the laser beam at the time of mask formation.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、コストの高騰を抑制しながらもデバイスへのダメージを抑制することができる水溶性の樹脂シート及びウェーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for processing a water-soluble resin sheet and a wafer, which can suppress damage to a device while suppressing a rise in cost. It is to be.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の水溶性の樹脂シートは、ストリートで区画された領域にデバイスが形成されたウェーハに貼着し、ストリートに沿って照射されたレーザー光線によって部分的に除去された後、ウェーハをプラズマエッチングする際のマスクとして機能する水溶性の樹脂シートであって、ウェーハに貼着する粘着層を備え、デバイス表面の凹凸に倣う可撓性を備えることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the water-soluble resin sheet of the present invention is attached to a wafer in which a device is formed in a region partitioned by a street, and a laser beam irradiated along the street is applied. A water-soluble resin sheet that functions as a mask when plasma etching a wafer after being partially removed by the wafer, has an adhesive layer to be attached to the wafer, and has flexibility to imitate the unevenness of the device surface. It is characterized by that.

前記水溶性の樹脂シートにおいて、該レーザー光線を吸収する光吸収剤が混合されても良い。 A light absorber that absorbs the laser beam may be mixed in the water-soluble resin sheet.

本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハの加工方法であって、前記水溶性の樹脂シートを準備する樹脂シート準備ステップと、ストリートで区画された表面の領域にデバイスが形成されたウェーハに該水溶性の樹脂シートを貼着する樹脂シート貼着ステップと、該水溶性の樹脂シートを貼着した面側から該ウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し、該ストリートに沿って該水溶性の樹脂シートを除去しマスクを形成するマスク形成ステップと、該マスクを介してウェーハの表面側からプラズマ状態のガスを供給し、該マスクから露出したストリートに沿ったウェーハの領域をプラズマエッチングして除去するプラズマエッチングステップと、該プラズマエッチングステップ実施後、該水溶性の樹脂シートから形成された該マスクを液体で洗浄して除去するマスク洗浄ステップと、を備えることを特徴とする。 The wafer processing method of the present invention is a wafer processing method, in which the resin sheet preparation step for preparing the water-soluble resin sheet and the water-soluble wafer in which a device is formed in a surface region partitioned by a street. The resin sheet attaching step of attaching the sex resin sheet and the surface side to which the water-soluble resin sheet is attached irradiate the wafer with a laser beam having an absorbent wavelength, and the wafer is irradiated along the street. A mask forming step of removing a water-soluble resin sheet to form a mask, and plasma etching is performed on a region of the wafer along a street exposed from the mask by supplying plasma-state gas from the surface side of the wafer through the mask. The plasma etching step is provided, and after the plasma etching step is performed, the mask formed from the water-soluble resin sheet is washed with a liquid and removed.

前記ウェーハの加工方法において、該樹脂シート貼着ステップでは、ウェーハの表面の凹凸の該水溶性の樹脂シートが倣うよう、真空マウンター又は押圧ローラーを用いて該水溶性の樹脂シートをウェーハに貼着しても良い。 In the wafer processing method, in the resin sheet attaching step, the water-soluble resin sheet is attached to the wafer by using a vacuum mounter or a pressing roller so that the water-soluble resin sheet having irregularities on the surface of the wafer is imitated. You may.

前記ウェーハの加工方法において、該樹脂シート貼着ステップでは、ウェーハの表面に配置された電極バンプが該水溶性の樹脂シートによって覆われても良い。 In the wafer processing method, in the resin sheet attaching step, the electrode bumps arranged on the surface of the wafer may be covered with the water-soluble resin sheet.

本願発明は、コストを抑制しながらもデバイスへのダメージを抑制することができるという効果を奏する。 The invention of the present application has an effect that damage to a device can be suppressed while suppressing costs.

図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment. 図２は、図１に示されたウェーハの要部の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of the wafer shown in FIG. 図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart showing a flow of a wafer processing method according to the first embodiment. 図４は、図３に示されたウェーハの加工方法の樹脂シート準備ステップにおいて準備される水溶性の樹脂シートの構成例を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a configuration example of a water-soluble resin sheet prepared in the resin sheet preparation step of the wafer processing method shown in FIG. 図５は、図４中のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. 図６は、図３に示されたウェーハの加工方法の樹脂シート貼着ステップを模式的に示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view schematically showing a resin sheet attaching step of the wafer processing method shown in FIG. 図７は、図６に示されたウェーハの要部の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a main part of the wafer shown in FIG. 図８は、図３に示されたウェーハの加工方法のマスク形成ステップを示すウェーハの要部の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a main part of the wafer showing the mask forming step of the wafer processing method shown in FIG. 図９は、図３に示されたウェーハの加工方法のマスク形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a main part of the wafer after the mask forming step of the wafer processing method shown in FIG. 図１０は、図３に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップを示すウェーハの要部の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a main part of the wafer showing the plasma etching step of the wafer processing method shown in FIG. 図１１は、図３に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a main part of the wafer after the plasma etching step of the wafer processing method shown in FIG. 図１２は、図３に示されたウェーハの加工方法のマスク洗浄ステップ後のウェーハの要部の断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view of a main part of the wafer after the mask cleaning step of the wafer processing method shown in FIG. 図１３は、実施形態１の変形例に係るウェーハの加工方法の樹脂シート貼着ステップで用いられる真空マウンターを模式的に示す断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a vacuum mounter used in the resin sheet attaching step of the wafer processing method according to the modified example of the first embodiment.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Further, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る水溶性の樹脂シート及びウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図２は、図１に示されたウェーハの要部の断面図である。図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 [Embodiment 1]
The processing method of the water-soluble resin sheet and the wafer according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be processed in the wafer processing method according to the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of the wafer shown in FIG. FIG. 3 is a flowchart showing a flow of a wafer processing method according to the first embodiment.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１の加工方法である。実施形態１では、ウェーハ１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。ウェーハ１は、図１に示すように、交差する複数のストリート３で区画された表面４の各領域それぞれにデバイス５が形成されている。デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路等である。 The wafer processing method according to the first embodiment is the wafer 1 processing method shown in FIG. In the first embodiment, the wafer 1 is a disk-shaped semiconductor wafer or an optical device wafer having silicon, sapphire, gallium arsenide, or the like as the substrate 2. As shown in FIG. 1, the wafer 1 has a device 5 formed in each region of a surface 4 partitioned by a plurality of intersecting streets 3. The device 5 is, for example, an IC (Integrated Circuit), an integrated circuit such as an LSI (Large Scale Integration), or the like.

また、ウェーハ１は、図２に示すように、基板２の表面に機能層６が積層されている。機能層６は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（以下、Ｌｏｗ−ｋ膜と呼ぶ）と、導電性の金属により構成された導電体膜とを備えている。Ｌｏｗ−ｋ膜は、導電体膜と積層されて、デバイス５を形成する。導電体膜は、デバイス５の回路を構成する。このために、デバイス５は、互いに積層されたＬｏｗ−ｋ膜と、Ｌｏｗ−ｋ膜間に積層された導電体膜とにより構成される。なお、ストリート３の機能層６は、Ｌｏｗ−ｋ膜により構成され、ＴＥＧ（Test Element Group）を除いて導電体膜を備えていない。ＴＥＧは、デバイス５に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。 Further, as shown in FIG. 2, the wafer 1 has a functional layer 6 laminated on the surface of the substrate 2. The functional layer 6 is a low dielectric constant insulator film (hereinafter referred to as a Low-k film) composed of an inorganic film such as SiOF or BSG (SiOB) or an organic film which is a polymer film such as polyimide or parylene. ) And a conductor film made of a conductive metal. The Low-k film is laminated with the conductor film to form the device 5. The conductor film constitutes the circuit of the device 5. For this purpose, the device 5 is composed of a Low-k film laminated to each other and a conductor film laminated between the Low-k films. The functional layer 6 of the street 3 is composed of a Low-k film and does not have a conductor film except for the TEG (Test Element Group). The TEG is an evaluation element for finding out design and manufacturing problems that occur in the device 5.

なお、実施形態１において、デバイス５は、切削加工によりウェーハ１から分割されるデバイスよりも小型であり、例えば、３ｍｍ×３ｍｍ程度以下の大きさであり、プラズマエッチング（プラズマダイシングともいう）により個々に分割されるのに好適なものである。また、実施形態１において、デバイス５には、ウェーハ１の表面４に表面４から突出した電極である電極バンプ７が複数配設されている。電極バンプ７は、導電性を有する金属により構成され、デバイス５とこのデバイス５が実装される基板等の電極とを電気的に接続するものである。電極バンプ７、ストリート３の表面及びデバイス５の表面は、ウェーハ１の表面４及びデバイス５の表面の凹凸に相当する。なお、図１は、電極バンプ７を省略している。 In the first embodiment, the device 5 is smaller than the device divided from the wafer 1 by cutting, for example, has a size of about 3 mm × 3 mm or less, and is individually subjected to plasma etching (also referred to as plasma dicing). It is suitable for being divided into. Further, in the first embodiment, the device 5 is provided with a plurality of electrode bumps 7 which are electrodes protruding from the surface 4 on the surface 4 of the wafer 1. The electrode bump 7 is made of a conductive metal, and electrically connects the device 5 and an electrode such as a substrate on which the device 5 is mounted. The surface of the electrode bump 7, the street 3 and the surface of the device 5 correspond to the unevenness of the surface 4 of the wafer 1 and the surface of the device 5. Note that FIG. 1 omits the electrode bump 7.

また、実施形態１において、ウェーハ１は、裏面８にウェーハ１よりも大径な粘着テープ１０が貼着され、粘着テープ１０の外周縁に環状フレーム１１が貼着されて、粘着テープ１０及び環状フレーム１１により支持されるが、本発明では、これらに限定されることなく、裏面８にウェーハと同径の硬質な支持基板が貼着されて、支持基板に支持されても良い。 Further, in the first embodiment, the wafer 1 has an adhesive tape 10 having a diameter larger than that of the wafer 1 attached to the back surface 8 and an annular frame 11 attached to the outer peripheral edge of the adhesive tape 10 to form the adhesive tape 10 and an annular frame. Although it is supported by the frame 11, the present invention is not limited to these, and a hard support substrate having the same diameter as the wafer may be attached to the back surface 8 and supported by the support substrate.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１をストリート３に沿って個々のデバイス５に分割する方法である。ウェーハの加工方法は、図３に示すように、樹脂シート準備ステップＳＴ１と、樹脂シート貼着ステップＳＴ２と、マスク形成ステップＳＴ３と、プラズマエッチングステップＳＴ４と、マスク洗浄ステップＳＴ５とを備える。 The wafer processing method according to the first embodiment is a method of dividing the wafer 1 into individual devices 5 along the street 3. As shown in FIG. 3, the wafer processing method includes a resin sheet preparation step ST1, a resin sheet attachment step ST2, a mask forming step ST3, a plasma etching step ST4, and a mask cleaning step ST5.

（樹脂シート準備ステップ）
図４は、図３に示されたウェーハの加工方法の樹脂シート準備ステップにおいて準備される水溶性の樹脂シートの構成例を示す斜視図である。図５は、図４中のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 (Resin sheet preparation step)
FIG. 4 is a perspective view showing a configuration example of a water-soluble resin sheet prepared in the resin sheet preparation step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG.

樹脂シート準備ステップＳＴ１は、図４及び図５に示す水溶性の樹脂シート２０（以下、単に樹脂シートと記す）を準備するステップである。樹脂シート２０は、実施形態１に係るウェーハの加工方法において、ウェーハ１の表面４に貼着し、ストリート３に沿って照射されたレーザー光線４０（図８示す）によって部分的に除去された後、ウェーハ１をプラズマエッチンングする際に、ウェーハ１を保護するマスク２３として機能するものである。 The resin sheet preparation step ST1 is a step of preparing the water-soluble resin sheet 20 (hereinafter, simply referred to as a resin sheet) shown in FIGS. 4 and 5. In the wafer processing method according to the first embodiment, the resin sheet 20 is attached to the surface 4 of the wafer 1 and partially removed by a laser beam 40 (shown in FIG. 8) irradiated along the street 3. It functions as a mask 23 for protecting the wafer 1 when the wafer 1 is plasma-etched.

実施形態１では、樹脂シート２０は、長尺なシート状の部材として成形され、図４に示すように、ロール状に巻回されて供給される。樹脂シート２０は、図５に示すように、樹脂で構成された基材層２１と、基材層２１に積層され粘着性を有してウェーハ１の表面４に貼着する粘着層２２とを備える。基材層２１及び粘着層２２は、ともにウェーハ１の表面４の凹凸及びデバイス５の表面の凹凸に倣う可撓性を有するとともに、水溶性を有する樹脂により構成されている。樹脂シート２０は、少なくとも基材層２１がプラズマエッチングで用いられるプラズマ状態のガス５０（図１０に示す）に対して耐性を有して、プラズマ状態のガス５０によりエッチングされにくい樹脂により構成されている。樹脂シート２０は、例えば、株式会社アイセロ社製の水溶性樹脂シートが用いられる。なお、基材層２１及び粘着層２２は、図５のみに示され、他の図では、省略されている。 In the first embodiment, the resin sheet 20 is molded as a long sheet-like member, and is wound and supplied in a roll shape as shown in FIG. As shown in FIG. 5, the resin sheet 20 has a base material layer 21 made of resin and an adhesive layer 22 that is laminated on the base material layer 21 and has adhesiveness and is attached to the surface 4 of the wafer 1. Be prepared. Both the base material layer 21 and the adhesive layer 22 are made of a resin having flexibility and water solubility that imitates the unevenness of the surface 4 of the wafer 1 and the unevenness of the surface of the device 5. The resin sheet 20 is made of a resin in which at least the base material layer 21 is resistant to the plasma state gas 50 (shown in FIG. 10) used in plasma etching and is not easily etched by the plasma state gas 50. There is. As the resin sheet 20, for example, a water-soluble resin sheet manufactured by Aicello Corporation is used. The base material layer 21 and the adhesive layer 22 are shown only in FIG. 5, and are omitted in the other drawings.

また、実施形態１では、樹脂シート２０は、レーザー光線４０を吸収する光吸収剤２５が混合されている。光吸収剤２５は、例えば、酸化チタン及び酸化亜鉛以外の無機酸化物で表面処理された酸化チタン微粒子、又は酸化亜鉛微粒子を用いることができる。ウェーハの加工方法は、図４及び図５に示す樹脂シート２０を準備すると、樹脂シート貼着ステップＳＴ２に進む。他に、光吸収剤２５である水溶性紫外線吸収剤としては、例えば４，４’−ジカルボキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン−４−カルボン酸、２−カルボキシアントラキノン、１，２−ナフタリンジカルボン酸、１，８−ナフタリンジカルボン酸、２，３−ナフタリンジカルボン酸、２，６−ナフタリンジカルボン酸、２，７−ナフタリンジカルボン酸等及びこれらのソーダ塩、カリウム塩、アンモニウム塩、第４級アンモニウム塩等、２，６−アントラキノンジスルホン酸ソーダ、２，７−アントラキノンジスルホン酸ソーダ、フェルラ酸などを挙げることができる。 Further, in the first embodiment, the resin sheet 20 is mixed with the light absorber 25 that absorbs the laser beam 40. As the light absorber 25, for example, titanium oxide fine particles surface-treated with an inorganic oxide other than titanium oxide and zinc oxide, or zinc oxide fine particles can be used. As for the wafer processing method, when the resin sheet 20 shown in FIGS. 4 and 5 is prepared, the process proceeds to the resin sheet attaching step ST2. In addition, examples of the water-soluble ultraviolet absorber which is the light absorber 25 include 4,4'-dicarboxybenzophenone, benzophenone-4-carboxylic acid, 2-carboxyanthraquinone, 1,2-naphthalindicarboxylic acid, and 1,8. -Naphthalindicarboxylic acid, 2,3-naphthalindicarboxylic acid, 2,6-naphthalindicarboxylic acid, 2,7-naphthalindicarboxylic acid and the like and their soda salts, potassium salts, ammonium salts, quaternary ammonium salts and the like, 2, Examples thereof include 6-anthraquinone disulfonic acid sodium, 2,7-anthraquinone disulfonic acid sodium, ferulic acid and the like.

（樹脂シート貼着ステップ）
図６は、図３に示されたウェーハの加工方法の樹脂シート貼着ステップを模式的に示す斜視図である。図７は、図６に示されたウェーハの要部の断面図である。樹脂シート貼着ステップＳＴ２は、ウェーハ１の表面４に樹脂シート２０を貼着するステップである。 (Resin sheet pasting step)
FIG. 6 is a perspective view schematically showing a resin sheet attaching step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of a main part of the wafer shown in FIG. The resin sheet sticking step ST2 is a step of sticking the resin sheet 20 to the surface 4 of the wafer 1.

実施形態１において、樹脂シート貼着ステップＳＴ２では、ウェーハ１と同径に切り取られた樹脂シート２０の粘着層２２をウェーハ１の表面４に重ねる。実施形態１において、樹脂シート貼着ステップＳＴ２では、図６に示すように、芯材３１に回りに可撓性を有するローラ部材３２を備えた押圧ローラー３０で樹脂シート２０をウェーハ１の表面４に向かって押圧しながら押圧ローラー３０をウェーハ１の表面４に沿って移動させることで、樹脂シート２０をウェーハ１の表面４に貼着する。 In the first embodiment, in the resin sheet attaching step ST2, the adhesive layer 22 of the resin sheet 20 cut to the same diameter as the wafer 1 is superposed on the surface 4 of the wafer 1. In the first embodiment, in the resin sheet attaching step ST2, as shown in FIG. 6, the resin sheet 20 is attached to the surface 4 of the wafer 1 by the pressing roller 30 provided with the roller member 32 having flexibility around the core material 31. The resin sheet 20 is attached to the surface 4 of the wafer 1 by moving the pressing roller 30 along the surface 4 of the wafer 1 while pressing toward.

すると、図７に示すように、樹脂シート２０が電極バンプ７、ストリート３の表面及びデバイス５の表面の凹凸に倣ってこれらに密に貼着して、ウェーハ１の表面４に配置された電極バンプ７が樹脂シート２０によって覆われる。こうして、樹脂シート貼着ステップＳＴ２では、ウェーハ１の表面４の凹凸に樹脂シート２０が倣うよう、押圧ローラー３０を用いて樹脂シート２０をウェーハ１に貼着する。ウェーハの加工方法は、マスク形成ステップＳＴ３に進む。 Then, as shown in FIG. 7, the resin sheet 20 is closely attached to the electrode bump 7, the surface of the street 3, and the surface of the device 5 following the unevenness of the surface, and the electrode is arranged on the surface 4 of the wafer 1. The bump 7 is covered with the resin sheet 20. In this way, in the resin sheet attaching step ST2, the resin sheet 20 is attached to the wafer 1 by using the pressing roller 30 so that the resin sheet 20 follows the unevenness of the surface 4 of the wafer 1. The wafer processing method proceeds to the mask forming step ST3.

（マスク形成ステップ）
図８は、図３に示されたウェーハの加工方法のマスク形成ステップを示すウェーハの要部の断面図である。図９は、図３に示されたウェーハの加工方法のマスク形成ステップ後のウェーハの要部の断面図である。マスク形成ステップＳＴ３は、樹脂シート２０を貼着した表面４側からウェーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線４０を照射し、ストリート３に沿って樹脂シート２０を除去しプラズマエッチング用のマスク２３を形成するステップである。 (Mask formation step)
FIG. 8 is a cross-sectional view of a main part of the wafer showing the mask forming step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view of a main part of the wafer after the mask forming step of the wafer processing method shown in FIG. In the mask forming step ST3, a laser beam 40 having a wavelength capable of absorbing the wafer 1 is irradiated from the surface 4 side to which the resin sheet 20 is attached, the resin sheet 20 is removed along the street 3, and a mask for plasma etching is performed. It is a step of forming 23.

マスク形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置が、チャックテーブルに粘着テープ１０を介してウェーハ１の裏面８側を吸引保持する。マスク形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置が、レーザー光線照射ユニットとチャックテーブルとをストリート３に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射ユニットからウェーハ１の基板２及び機能層６に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザー光線４０をストリート３上の樹脂シート２０に照射する。 In the mask forming step ST3, the laser processing apparatus sucks and holds the back surface 8 side of the wafer 1 on the chuck table via the adhesive tape 10. In the mask forming step ST3, the laser processing apparatus has absorption from the laser beam irradiation unit to the substrate 2 and the functional layer 6 of the wafer 1 while relatively moving the laser beam irradiation unit and the chuck table along the street 3. The resin sheet 20 on the street 3 is irradiated with a laser beam 40 having a wavelength (for example, 355 nm).

マスク形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置が、図８に示すように、集光点４１をストリート３の機能層６又は機能層６近傍の基板２に設定して、レーザー光線５１をウェーハ１に照射して、各ストリート３において、ストリート３上の樹脂シート２０、機能層６及び基板２の表面付近にアブレーション加工を施す。マスク形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置が、ストリート３上の樹脂シート２０及び機能層６を切断して、図９に示すように、溝底に基板２が露出したレーザー加工溝２４をストリート３上に形成する。なお、マスク形成ステップＳＴ３では、ストリート３に形成された図示しない金属膜やＴＥＧも除去する。ウェーハの加工方法は、マスク形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置が、全てのストリート３にレーザー加工溝２４を形成すると、プラズマエッチングステップＳＴ４に進む。 In the mask forming step ST3, as shown in FIG. 8, the laser processing apparatus sets the focusing point 41 on the functional layer 6 of the street 3 or the substrate 2 near the functional layer 6, and irradiates the wafer 1 with the laser beam 51. In each street 3, ablation processing is performed on the surface of the resin sheet 20, the functional layer 6, and the substrate 2 on the street 3. In the mask forming step ST3, the laser processing apparatus cuts the resin sheet 20 and the functional layer 6 on the street 3, and as shown in FIG. 9, the laser processing groove 24 on which the substrate 2 is exposed on the groove bottom is formed on the street 3. Form to. In the mask forming step ST3, a metal film and TEG (not shown) formed on the street 3 are also removed. As for the wafer processing method, in the mask forming step ST3, when the laser processing apparatus forms the laser processing grooves 24 in all the streets 3, the process proceeds to the plasma etching step ST4.

こうして、マスク形成ステップＳＴ３では、樹脂シート２０の少なくとも基材層２１がプラズマ状態のガス５０に対して耐性を有する樹脂で構成されるので、ウェーハ１の表面４側にストリート３の基板２を露出させ、デバイス５を覆うプラズマ状態のガス５０に対して耐性を有する樹脂シート２０から形成されたマスク２３を形成する。 In this way, in the mask forming step ST3, at least the base material layer 21 of the resin sheet 20 is made of a resin having resistance to the gas 50 in the plasma state, so that the substrate 2 of the street 3 is exposed on the surface 4 side of the wafer 1. A mask 23 formed of a resin sheet 20 having resistance to a gas 50 in a plasma state covering the device 5 is formed.

（プラズマエッチングステップ）
図１０は、図３に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップを示すウェーハの要部の断面図である。図１１は、図３に示されたウェーハの加工方法のプラズマエッチングステップ後のウェーハの要部の断面図である。プラズマエッチングステップＳＴ４は、マスク２３を介してウェーハ１の表面４側からプラズマ状態のガス５０を供給し、マスク２３から露出したストリート３に沿ったウェーハ１の領域である基板２をプラズマエッチングして除去するステップである。 (Plasma etching step)
FIG. 10 is a cross-sectional view of a main part of the wafer showing the plasma etching step of the wafer processing method shown in FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view of a main part of the wafer after the plasma etching step of the wafer processing method shown in FIG. In the plasma etching step ST4, the gas 50 in the plasma state is supplied from the surface 4 side of the wafer 1 via the mask 23, and the substrate 2 which is the region of the wafer 1 along the street 3 exposed from the mask 23 is plasma-etched. It is a step to remove.

プラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ装置が、プラズマエッチングチャンバー内の下部電極上の静電チャックテーブルに粘着テープ１０を介してウェーハ１の裏面８側を吸着保持する。プラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ装置が、プラズマエッチングチャンバー内を真空排気し、エッチングガスを静電チャックテーブルに対向する上部電極の複数の噴出口からウェーハ１に向けて噴出するとともに、エッチングガスを供給した状態で、高周波電源から上部電極にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源から下部電極にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。 In the plasma etching step ST4, the plasma apparatus attracts and holds the back surface 8 side of the wafer 1 on the electrostatic chuck table on the lower electrode in the plasma etching chamber via the adhesive tape 10. In the plasma etching step ST4, the plasma apparatus vacuum-exhausts the inside of the plasma etching chamber, ejects the etching gas from a plurality of ejection ports of the upper electrodes facing the electrostatic chuck table toward the wafer 1, and supplies the etching gas. In this state, high-frequency power for creating and maintaining plasma is applied from the high-frequency power supply to the upper electrode, and high-frequency power for drawing ions from the high-frequency power supply to the lower electrode is applied.

プラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ装置が、下部電極と上部電極との間の空間にプラズマ状態のガス５０を発生させ、プラズマ状態のガス５０をマスク２３から露出するウェーハ１の基板２に引きこんで、ストリート３で露出したレーザー加工溝２４の溝底の基板２をエッチングして、レーザー加工溝２４をウェーハ１の表面４に向かって進行させる。 In the plasma etching step ST4, the plasma apparatus generates the gas 50 in the plasma state in the space between the lower electrode and the upper electrode, and draws the gas 50 in the plasma state into the substrate 2 of the wafer 1 exposed from the mask 23. The substrate 2 at the bottom of the laser-processed groove 24 exposed on the street 3 is etched to advance the laser-processed groove 24 toward the surface 4 of the wafer 1.

なお、実施形態１では、基板２がシリコンで構成される場合、エッチングガスとして、ＳＦ_６、Ｃ_４Ｆ_８又はＣＦ_４等を用いるが、エッチングガスは、これらに限定されない。また、本発明では、エッチングステップとデポステップとを交互に実施してストリート３で露出したレーザー加工溝２４の溝底の基板２をエッチングして、レーザー加工溝２４をウェーハ１の表面４に向かって進行させても良い。この場合、エッチンングステップでは、エッチングガスとして、ＣＦ_４、ＳＦ_６又はＯ_２を用い、デポステップでは、エッチングガスとして、Ｃ_４Ｆ_８又はＯ_２を用いる。 In the first embodiment, when the substrate 2 is composed of silicon, as the etching _gas, although using a SF _6, C 4 _{F 8} or CF ₄ or the like, the etching gas is not limited thereto. Further, in the present invention, the etching step and the depot step are alternately performed to etch the substrate 2 at the bottom of the laser-machined groove 24 exposed on the street 3, and the laser-machined groove 24 is directed toward the surface 4 of the wafer 1. You may proceed with the process. In this case, CF ₄ , SF ₆ or O ₂ is used as the etching gas in the etching step, and C ₄ F ₈ or O ₂ is used as the etching gas in the depot step.

実施形態１において、プラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ装置が、図１１に示すように、レーザー加工溝２４の溝底に残存する基板２がエッチングされ除去され、レーザー加工溝２４が粘着テープ１０に到達して、ウェーハ１が個々のデバイス５に分割されるまでプラズマエッチングを行う。プラズマエッチングステップＳＴ４では、プラズマ装置が、ウェーハ１を個々のデバイス５に分割すると、マスク洗浄ステップＳＴ５に進む。 In the first embodiment, in the plasma etching step ST4, as shown in FIG. 11, the plasma apparatus etches and removes the substrate 2 remaining on the groove bottom of the laser processing groove 24, and the laser processing groove 24 reaches the adhesive tape 10. Then, plasma etching is performed until the wafer 1 is divided into individual devices 5. In the plasma etching step ST4, when the plasma apparatus divides the wafer 1 into individual devices 5, the process proceeds to the mask cleaning step ST5.

こうして、実施形態１では、プラズマエッチングステップＳＴ４では、電極に高周波電力を印加して密閉空間内でエッチングガスなどをプラズマ化するダイレクトプラズマ方式のプラズマ装置を用いて、ウェーハ１をプラズマダイシングする。また、本発明のウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ４において、レーザー加工溝２４を基板２の裏面８に向かって進行させるエッチングステップと、エッチングステップに次いでレーザー加工溝２４の内面及び溝底に被膜を堆積させる被膜堆積ステップとを交互に繰り返す、所謂ボッシュ法でウェーハ１をプラズマエッチングしても良い。 Thus, in the first embodiment, in the plasma etching step ST4, the wafer 1 is plasma-diced using a direct plasma type plasma apparatus that applies high-frequency power to the electrodes to turn the etching gas or the like into plasma in a closed space. Further, the wafer processing method of the present invention includes an etching step in which the laser processing groove 24 is advanced toward the back surface 8 of the substrate 2 in the plasma etching step ST4, and the inner surface and the groove bottom of the laser processing groove 24 following the etching step. The wafer 1 may be plasma-etched by a so-called Bosch method in which the film deposition step of depositing the film is alternately repeated.

（マスク洗浄ステップ）
図１２は、図３に示されたウェーハの加工方法のマスク洗浄ステップ後のウェーハの要部の断面図である。マスク洗浄ステップＳＴ５は、プラズマエッチングステップＳＴ４実施後、樹脂シート２０から形成されマスク２３を液体である洗浄水で洗浄して除去するステップである。 (Mask cleaning step)
FIG. 12 is a cross-sectional view of a main part of the wafer after the mask cleaning step of the wafer processing method shown in FIG. The mask cleaning step ST5 is a step of cleaning and removing the mask 23 formed from the resin sheet 20 with cleaning water which is a liquid after performing the plasma etching step ST4.

実施形態１において、マスク洗浄ステップＳＴ５では、洗浄装置がスピンナテーブルの保持面に粘着テープ１０を介してウェーハ１の裏面８側を吸引保持し、スピンナテーブルを軸心回りに回転させるとともに、ウェーハ１の中央の上方の洗浄水ノズルから洗浄水をウェーハ１の表面４に向けて噴射する。マスク洗浄ステップＳＴ５では、洗浄水がマスク２３を溶かしながらスピンナテーブルの回転により生じる遠心力によりウェーハ１の表面４上即ち個々に分割されたデバイス５の表面上をスムーズに流れて、マスク２３を洗い流して除去する。ウェーハの加工方法は、マスク洗浄ステップＳＴ５において、図１２に示すように、マスク２３を洗浄して除去すると終了する。なお、個々に分割されたデバイス５は、図示しないピックアップ装置により、粘着テープ１０からピックアップされる。 In the first embodiment, in the mask cleaning step ST5, the cleaning device sucks and holds the back surface 8 side of the wafer 1 on the holding surface of the spinner table via the adhesive tape 10, rotates the spinner table around the axis, and the wafer 1 The cleaning water is ejected from the cleaning water nozzle above the center of the wafer 1 toward the surface 4 of the wafer 1. In the mask cleaning step ST5, the cleaning water smoothly flows on the surface 4 of the wafer 1, that is, on the surface of the individually divided devices 5 by the centrifugal force generated by the rotation of the spinner table while melting the mask 23, and the mask 23 is washed away. To remove. The wafer processing method ends when the mask 23 is cleaned and removed in the mask cleaning step ST5 as shown in FIG. The individually divided device 5 is picked up from the adhesive tape 10 by a pickup device (not shown).

以上説明したように、実施形態１に係る樹脂シート２０は、ウェーハ１をプラズマエッチンする際に、ウェーハ１を保護するマスク２３として機能するものであるので、表面４に凹凸のあるウェーハ１であっても一定の厚さにマスク２３を形成することができる。 As described above, the resin sheet 20 according to the first embodiment functions as a mask 23 for protecting the wafer 1 when the wafer 1 is plasma-etched, so that the wafer 1 has an uneven surface 4. However, the mask 23 can be formed to have a constant thickness.

また、樹脂シート２０は、水溶性であるので、マスク洗浄ステップＳＴ５において容易に除去することができる。その結果、樹脂シート２０は、洗浄により除去できるのでコストの高騰を抑制しながらも、一定の厚さにマスク２３を形成できるので、デバイス５へのダメージ及び抗折強度の低下を抑制することができるという効果を奏する。 Further, since the resin sheet 20 is water-soluble, it can be easily removed in the mask cleaning step ST5. As a result, since the resin sheet 20 can be removed by washing, the mask 23 can be formed to a certain thickness while suppressing the increase in cost, so that damage to the device 5 and reduction in bending strength can be suppressed. It has the effect of being able to do it.

また、樹脂シート２０は、光吸収剤２５が混合されているので、レーザー光線４０によるアブレーション加工の加工性が向上し、レーザー光線４０でストリート３上の部分を確実に除去できるという効果を奏する。 Further, since the resin sheet 20 is mixed with the light absorber 25, the processability of the ablation process by the laser beam 40 is improved, and the laser beam 40 can reliably remove the portion on the street 3.

実施形態１に係るウェーハの加工方法は、水溶性の樹脂シート２０を用いてウェーハ１をプラズマエッチンする際にウェーハ１を保護するマスク２３を形成するので、表面４に凹凸のあるウェーハ１であっても一定の厚さにマスク２３を形成することができる。 The wafer processing method according to the first embodiment is a wafer 1 having an uneven surface 4 because a mask 23 that protects the wafer 1 is formed when the wafer 1 is plasma-etched using the water-soluble resin sheet 20. However, the mask 23 can be formed to have a constant thickness.

また、ウェーハの加工方法は、マスク２３が水溶性の樹脂シート２０で形成されているので、マスク洗浄ステップＳＴ５においてマスク２３を容易に除去することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、マスク２３を洗浄により除去できるのでコストの高騰を抑制しながらも、一定の厚さにマスク２３を形成できるので、デバイス５へのダメージを抑制することができるという効果を奏する。 Further, in the wafer processing method, since the mask 23 is formed of the water-soluble resin sheet 20, the mask 23 can be easily removed in the mask cleaning step ST5. As a result, in the wafer processing method, since the mask 23 can be removed by cleaning, the mask 23 can be formed to a certain thickness while suppressing the cost increase, so that the damage to the device 5 can be suppressed. It works.

また、ウェーハの加工方法は、樹脂シート貼着ステップＳＴ２では、電極バンプ７が樹脂シート２０によって覆われるので、プラズマエッチングの際の電極バンプ７即ちデバイス５へのダメージを抑制することができる。 Further, in the wafer processing method, in the resin sheet attaching step ST2, the electrode bump 7 is covered with the resin sheet 20, so that damage to the electrode bump 7, that is, the device 5 at the time of plasma etching can be suppressed.

また、ウェーハの加工方法は、マスク形成ステップＳＴ３において表面４側からストリート３に沿ってレーザー光線４０を照射して、レーザー加工溝２４及び水溶性の樹脂シート２０で形成されたマスク２３を形成した後、プラズマエッチングステップＳＴ４において表面４側からプラズマエッチングすることで、レーザー加工溝２４を基板２の裏面８に向かって進行させて、個々のデバイス５に分割する。このために、ウェーハの加工方法は、切削加工により分割するデバイスよりも小型であるためにプラズマエッチングで分割するのに好適なデバイス５を備えるウェーハ１の加工方法において、高価なマスクが不要となる。その結果、ウェーハの加工方法は、コストを抑制しながらもウェーハ１にプラズマエッチングを行ってウェーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。 Further, in the wafer processing method, in the mask forming step ST3, the laser beam 40 is irradiated from the surface 4 side along the street 3 to form the mask 23 formed of the laser processing groove 24 and the water-soluble resin sheet 20. By plasma etching from the front surface 4 side in the plasma etching step ST4, the laser processing groove 24 is advanced toward the back surface 8 of the substrate 2 and divided into individual devices 5. For this reason, the wafer processing method eliminates the need for an expensive mask in the wafer 1 processing method including the device 5 suitable for plasma etching because it is smaller than the device for dividing by cutting. .. As a result, in the wafer processing method, the wafer 1 can be divided into individual devices 5 by performing plasma etching on the wafer 1 while suppressing the cost.

また、ウェーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ４において表面４側からプラズマエッチングすることで、レーザー加工溝２４を基板２の裏面８に向かって進行させて、個々のデバイス５に分割するので、マスク形成ステップＳＴ３において基板２のレーザー光線４０により熱影響を受けた部分をプラズマエッチングステップＳＴ４においてプラズマ状態のガス５０で除去することができる。その結果、ウェーハの加工方法は、コストの高騰を抑制しながらも、デバイス５へのダメージを抑制することができるという効果を奏する。 Further, in the wafer processing method, by plasma etching from the front surface 4 side in the plasma etching step ST4, the laser processing groove 24 is advanced toward the back surface 8 of the substrate 2 and divided into individual devices 5, so that a mask is used. The portion of the substrate 2 that is thermally affected by the laser beam 40 in the forming step ST3 can be removed by the gas 50 in the plasma state in the plasma etching step ST4. As a result, the wafer processing method has an effect that damage to the device 5 can be suppressed while suppressing a rise in cost.

〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１３は、実施形態１の変形例に係るウェーハの加工方法の樹脂シート貼着ステップで用いられる真空マウンターを模式的に示す断面図である。なお、図１３は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Modification example]
The wafer processing method according to the modified example of the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a cross-sectional view schematically showing a vacuum mounter used in the resin sheet attaching step of the wafer processing method according to the modified example of the first embodiment. In FIG. 13, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

変形例に係るウェーハの加工方法は、樹脂シート貼着ステップＳＴ２において図１３に示す真空マウンター６０を用いて樹脂シート２０をウェーハ１の表面４に貼着し、ウェーハ１の表面４に樹脂シート２０を貼着した後に、外周縁に環状フレーム１１が貼着された粘着テープ１０をウェーハ１の貼着すること以外、実施形態１と同じである。 In the wafer processing method according to the modified example, the resin sheet 20 is attached to the surface 4 of the wafer 1 by using the vacuum mounter 60 shown in FIG. 13 in the resin sheet attaching step ST2, and the resin sheet 20 is attached to the surface 4 of the wafer 1. The same as in the first embodiment, except that the adhesive tape 10 to which the annular frame 11 is attached to the outer peripheral edge is attached to the wafer 1 after the attachment.

変形例に係るウェーハの加工方法の樹脂シート貼着ステップＳＴ２では、真空マウンター６０が、チャンバー６１内の保持テーブル６２にウェーハ１の裏面８側を保持し、ウェーハ１の表面４側に粘着層２２を対向させて樹脂シート２０と保持する。このとき、真空マウンター６０は、樹脂シート２０でチャンバー６１内をウェーハ１側の第１空間６３と、第２空間６４とに仕切られる。 In the resin sheet attaching step ST2 of the wafer processing method according to the modified example, the vacuum mounter 60 holds the back surface 8 side of the wafer 1 on the holding table 62 in the chamber 61, and the adhesive layer 22 is on the front surface 4 side of the wafer 1. Are opposed to each other and held with the resin sheet 20. At this time, the vacuum mounter 60 is divided into a first space 63 on the wafer 1 side and a second space 64 in the chamber 61 by the resin sheet 20.

変形例に係るウェーハの加工方法の樹脂シート貼着ステップＳＴ２では、真空マウンター６０が、第１空間６３を真空ポンプ６５で吸引して減圧し、第２空間６４を真空ポンプ６６で吸引して減圧した後、開閉弁６７で第２空間６４を大気開放する。すると、樹脂シート２０は、第１空間６３と第２空間６４の圧力差によりウェーハ１の表面４側に押圧されて、ウェーハ１の表面４側に貼着する。 In the resin sheet attachment step ST2 of the wafer processing method according to the modified example, the vacuum mounter 60 sucks the first space 63 with the vacuum pump 65 to reduce the pressure, and sucks the second space 64 with the vacuum pump 66 to reduce the pressure. After that, the on-off valve 67 opens the second space 64 to the atmosphere. Then, the resin sheet 20 is pressed against the surface 4 side of the wafer 1 by the pressure difference between the first space 63 and the second space 64, and is attached to the surface 4 side of the wafer 1.

その後、変形例に係るウェーハの加工方法の樹脂シート貼着ステップＳＴ２では、樹脂シート２０をウェーハ１の外縁に沿って切断した後、外周縁に環状フレーム１１が貼着された粘着テープ１０をウェーハ１の裏面８に貼着して、マスク形成ステップＳＴ３に進む。 After that, in the resin sheet attaching step ST2 of the wafer processing method according to the modified example, after cutting the resin sheet 20 along the outer edge of the wafer 1, the adhesive tape 10 to which the annular frame 11 is attached to the outer peripheral edge is attached to the wafer. It is attached to the back surface 8 of 1 and proceeds to the mask forming step ST3.

変形例に係るウェーハの加工方法は、水溶性の樹脂シート２０を用いてウェーハ１をプラズマエッチンする際にウェーハ１を保護するマスク２３を形成するので、実施形態１と同様に、コストの高騰を抑制しながらも、デバイス５へのダメージ及び抗折強度の低下を抑制することができるという効果を奏する。 In the wafer processing method according to the modified example, since the mask 23 that protects the wafer 1 is formed when the wafer 1 is plasma-etched using the water-soluble resin sheet 20, the cost increases as in the first embodiment. While suppressing the damage, the damage to the device 5 and the decrease in the bending strength can be suppressed.

また、変形例に係るウェーハの加工方法は、真空マウンター６０で樹脂シート２０をウェーハ１の表面４に貼着するので、樹脂シート２０を電極バンプ７、ストリート３の表面及びデバイス５の表面の凹凸に倣ってこれらに密に貼着することができる。 Further, in the wafer processing method according to the modified example, since the resin sheet 20 is attached to the surface 4 of the wafer 1 by the vacuum mounter 60, the resin sheet 20 is uneven on the surface of the electrode bump 7, the street 3, and the surface of the device 5. It can be closely attached to these according to.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、プラズマエッチングステップＳＴ４において。電極に高周波電力を印加して密閉空間内でエッチングガスなどをプラズマ化するものではなく、プラズマ状態のガス５０などをプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いて、プラズマエッチングしても良い。この場合、プラズマエッチングステップＳＴ４において、リモートプラズマ方式のプラズマ装置を用いるので、プラズマ状態のガス５０に混入するイオンが供給管の内面に衝突してプラズマエッチングチャンバー内の密閉空間に到達することを抑制でき、ラジカルが高濃度なプラズマ状態のガス５０を供給できるので、より幅の狭いレーザー加工溝２４であってもプラズマ状態のガス５０によるレーザー加工溝２４の熱影響層を除去でき、マスク形成ステップＳＴ３において発生したレーザー加工時のデブリやレーザー加工溝２４表面付近を除去でき、基板２のレーザー光線４０により熱影響を受けた部分を除去することができる。また、本発明では、リモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いて、プラズマエッチングする場合、デポステップを実施することがない。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention. For example, in the present invention, in the plasma etching step ST4. Instead of applying high-frequency power to the electrodes to turn the etching gas or the like into plasma in the closed space, a remote plasma type plasma etching device that introduces the plasma state gas 50 or the like into the closed space in the plasma etching chamber is used. , Plasma etching may be performed. In this case, since the remote plasma type plasma device is used in the plasma etching step ST4, it is possible to prevent ions mixed in the plasma state gas 50 from colliding with the inner surface of the supply pipe and reaching the closed space in the plasma etching chamber. Since the gas 50 in the plasma state having a high concentration of radicals can be supplied, the thermal influence layer of the laser processing groove 24 due to the gas 50 in the plasma state can be removed even in the narrower laser processing groove 24, and the mask forming step. It is possible to remove debris generated during laser processing and the vicinity of the surface of the laser processing groove 24 generated in ST3, and it is possible to remove a portion of the substrate 2 that has been thermally affected by the laser beam 40. Further, in the present invention, when plasma etching is performed using a remote plasma type plasma etching apparatus, a depot step is not performed.

１ウェーハ
２基板（領域）
３ストリート
４表面（面）
５デバイス
７電極バンプ
２０樹脂シート（水溶性の樹脂シート）
２２粘着層
２３マスク
２５光吸収剤
３０押圧ローラー
４０レーザー光線
５０プラズマ状態のガス
６０真空マウンター
ＳＴ１樹脂シート準備ステップ
ＳＴ２樹脂シート貼着ステップ
ＳＴ３マスク形成ステップ
ＳＴ４プラズマエッチングステップ
ＳＴ５マスク洗浄ステップ 1 Wafer 2 Substrate (area)
3 Street 4 Surface
5 Device 7 Electrode bump 20 Resin sheet (water-soluble resin sheet)
22 Adhesive layer 23 Mask 25 Light absorber 30 Pressing roller 40 Laser beam 50 Plasma state gas 60 Vacuum mounter ST1 Resin sheet preparation step ST2 Resin sheet attachment step ST3 Mask formation step ST4 Plasma etching step ST5 Mask cleaning step

Claims

A water-soluble resin that acts as a mask when plasma etching the wafer after it is attached to a wafer in which the device is formed in the area partitioned by the street and partially removed by a laser beam emitted along the street. It ’s a sheet,
A water-soluble resin sheet having an adhesive layer to be attached to a wafer and having flexibility to imitate the unevenness of the device surface.

The water-soluble resin sheet according to claim 1, wherein a light absorber that absorbs the laser beam is mixed.

Wafer processing method
The resin sheet preparation step for preparing the water-soluble resin sheet according to claim 1 or 2.
A resin sheet attaching step of attaching the water-soluble resin sheet to a wafer in which a device is formed in a surface area partitioned by a street,
A mask forming step of irradiating the wafer with a laser beam having an absorbable wavelength from the surface side to which the water-soluble resin sheet is attached and removing the water-soluble resin sheet along the street to form a mask. When,
A plasma etching step in which a plasma state gas is supplied from the surface side of the wafer through the mask, and a region of the wafer along the street exposed from the mask is plasma-etched and removed.
After performing the plasma etching step, a mask cleaning step of cleaning and removing the mask formed from the water-soluble resin sheet with a liquid and a mask cleaning step.
Wafer processing method.

The third aspect of the present invention, wherein in the resin sheet attaching step, the water-soluble resin sheet is attached to the wafer by using a vacuum mounter or a pressing roller so that the water-soluble resin sheet having irregularities on the surface of the wafer is imitated. Wafer processing method.

The wafer processing method according to claim 3 or 4, wherein in the resin sheet attaching step, the electrode bumps arranged on the surface of the wafer are covered with the water-soluble resin sheet.