JP2019094845A - Ｅｇｒクーラバイパスバルブ及びその制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】クーラ流路のクーラ弁体及びクーラ弁座でも、バイパス流路のバイパス弁体及びバイパス弁座と同様にデポジットを焼却して堆積を抑制すること。【解決手段】ケーシング19には、ＥＧＲクーラ6,9からＥＧＲガスが流れるクーラ流路17と、バイパス通路7からＥＧＲガスが流れるバイパス流路18が設けられる。ケーシング19には、回転可能な弁軸14と、弁軸14を回転させるモータ16等が設けられる。クーラ流路17には、弁軸14と一体のクーラ弁体12とクーラ弁座29とが設けられる。バイパス流路18には、弁軸14と一体のバイパス弁体13とバイパス弁座30とが設けられる。クーラ弁体12が全開のときはバイパス弁体13が全閉となり、クーラ弁体12が全閉のときはバイパス弁体13が全開となる。クーラ弁体12が全閉又は微開となるとき、バイパス流路18を流れるＥＧＲガスの一部をクーラ流路17へ噴射するガス噴射孔41,42が設けられる。【選択図】 図２

Description

この明細書に開示される技術は、ＥＧＲガスを冷却するＥＧＲクーラ及びＥＧＲクーラを迂回したバイパス通路と共に使用され、ＥＧＲクーラを通過するＥＧＲガス流量とバイパス通路を通過するＥＧＲガス流量とを同時に調節するように構成したＥＧＲクーラバイパスバルブ及びその制御装置に関する。

従来、この種の技術として、例えば、下記の特許文献１に記載される技術（ＥＧＲ装置のバルブユニット）が知られている。この特許文献１には、ＥＧＲ通路の途中に設けられる並列フロー式のＥＧＲクーラユニットが記載される。このＥＧＲクーラユニットは、クーラ通路と、クーラ通路を迂回したバイパス通路と、クーラ通路の入口側とバイパス通路の入口側に設けられるガス入口部とを含むクーラケーシングと、クーラ通路の出口側とバイパス通路の出口側に設けられるバルブユニットと、バルブユニットの出口側に設けられるガス出口部とを備える。クーラ通路には、エンジンの冷却水が流れる熱交換器が設けられる。このＥＧＲクーラユニットでは、クーラ通路と熱交換器によりＥＧＲクーラが構成される。ガス入口部とガス出口部は、それぞれＥＧＲ通路に接続される。

ここで、バルブユニットは、ＥＧＲクーラ及びバイパス通路と共に使用され、ＥＧＲクーラを通過するＥＧＲガス流量とバイパス通路を通過するＥＧＲガス流量とを同時に調節するように構成される。バルブユニットは、バルブケーシングを備える。バルブケーシングは、クーラ通路に連通するクーラ流路と、バイパス通路に連通するバイパス流路とを含み、クーラ流路とバイパス流路が隔壁を介して仕切られる。クーラ流路には、クーラ弁体が回動可能に設けられ、バイパス流路には、バイパス弁体が回動可能に設けられる。両弁体は、バタフライ式弁体であり、１つの弁軸に対して位相をずらして固定される。そして、クーラ弁体が全閉位置に配置されたときは、バイパス弁体が全開位置に配置され、ＥＧＲガスがバイパス通路とバイパス流路を流れる。一方、クーラ弁体が全開位置に配置されたときは、バイパス弁体が全閉位置に配置され、ＥＧＲガスがクーラ通路及び熱交換器（ＥＧＲクーラ）とクーラ流路を流れる。ここで、クーラ流路には、クーラ弁体が全閉時に着座するクーラ弁座が設けられ、バイパス流路には、バイパス弁体が全閉時に着座するバイパス弁座が設けられる。

特開２００９−２５００９６号公報

ところで、特許文献１に記載の技術では、バルブケーシングのクーラ流路とバイパス流路には、ＥＧＲガスが流れることから、クーラ弁体やクーラ弁座、あるいはバイパス弁体やバイパス弁座にカーボンを含むデポジットが付着したり堆積したりするおそれがある。ここで、バイパス弁体やバイパス弁座にデポジットが付着しても、バイパス流路には、ＥＧＲクーラで冷やされない高温（７００℃前後）のＥＧＲガスが流れるので、その高熱によってデポジットが焼却される。そのため、バイパス弁体やバイパス弁座の表面には、デポジットがほとんど堆積しない。一方、クーラ弁体やクーラ弁座にデポジットが付着すると、クーラ流路には、ＥＧＲクーラで冷やされた低温（２００℃前後）のＥＧＲガスが流れるので、デポジットは焼却されずに残る。そのため、クーラ弁体やクーラ弁座の表面には、デポジットが堆積するおそれがある。クーラ弁体やクーラ弁座の表面にデポジットが堆積すると、クーラ弁体がクーラ弁座に着座する全閉時に、クーラ弁体とクーラ弁座との間にデポジットの堆積層が噛み込まれ、クーラ弁体の全閉位置が正規の全閉位置からずれるおそれがある。その結果、バルブユニットのＥＧＲガス流量特性が悪化するおそれがある。また、クーラ弁体とバイパス弁体をモータ等により駆動する場合に、クーラ弁体とクーラ弁座との間に噛み込まれるデポジット堆積層が厚くなると、クーラ弁体を正規の全閉位置に配置しようとしてもならず、モータを必要以上に制御することになり、モータに過剰な電流が流れるおそれがある。

この開示技術は、上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、クーラ流路のクーラ弁体及びクーラ弁座においても、バイパス流路のバイパス弁体及びバイパス弁座と同様にデポジットを焼却して堆積を抑制することを可能としたＥＧＲクーラバイパスバルブ及びその制御装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、請求項１に記載の技術は、ＥＧＲガスを冷却するためのＥＧＲクーラ及びＥＧＲクーラを迂回したバイパス通路と共に使用され、ＥＧＲクーラを通過するＥＧＲガスの流量とバイパス通路を通過するＥＧＲガスの流量とを同時に調節するＥＧＲクーラバイパスバルブであって、ＥＧＲクーラを通過したＥＧＲガスが流れるクーラ流路と、バイパス通路を通過したＥＧＲガスが流れるバイパス流路とを含み、クーラ流路とバイパス流路とが隔壁により仕切られたケーシングと、クーラ流路、バイパス流路及び隔壁を貫通するようにケーシングに回転可能に設けられた弁軸と、クーラ流路に配置され、弁軸と一体に設けられたクーラ弁体と、クーラ流路にてクーラ弁体が着座可能に設けられたクーラ弁座と、バイパス流路に配置され、弁軸と一体に設けられたバイパス弁体と、バイパス流路にてバイパス弁体が着座可能に設けられたバイパス弁座と、弁軸を回転させるための駆動手段とを備え、弁軸を駆動手段により回転させることによりクーラ弁体とバイパス弁体を位相をずらして開閉させると共に、クーラ弁体が全開となるときにバイパス弁体が全閉となり、クーラ弁体が全閉となるときにバイパス弁体が全開となるように構成したＥＧＲクーラバイパスバルブにおいて、クーラ弁体が全閉又は全閉に近い微開状態となるときに、バイパス流路を流れるＥＧＲガスの一部をクーラ流路へ送り流すためのＥＧＲガス送流手段を備えたことを趣旨とする。

上記技術の構成によれば、ＥＧＲクーラバイパスバルブにおいて、弁軸を駆動手段により回転させてクーラ弁体とバイパス弁体を位相をずらして開閉させる。これにより、ＥＧＲクーラからクーラ流路へ流れるＥＧＲガスの量と、バイパス通路からバイパス流路へ流れるＥＧＲガスの量がそれぞれ調節される。そして、クーラ流路には、ＥＧＲクーラにて冷却されたＥＧＲガスが流れ、バイパス流路には、バイパス通路にて冷却されない高温のＥＧＲガスが流れる。ここで、クーラ弁体が全閉又は全閉に近い微開状態となるときは、高温のＥＧＲガスが、主としてバイパス通路からバイパス流路へ流れ、クーラ流路には冷やされたＥＧＲガスがほとんど流れない。このとき、バイパス流路を流れる高温のＥＧＲガスの一部が、ＥＧＲガス送流手段によりクーラ流路へ送り流される。従って、クーラ流路におけるクーラ弁体とクーラ弁座が、高温のＥＧＲガスにより加熱される。一方、バイパス流路では、高温のＥＧＲガスが流れるときはいつでも、バイパス弁体とバイパス弁座が高温のＥＧＲガスにより加熱される。

上記目的を達成するために、請求項２に記載の技術は、請求項１に記載の技術において、ＥＧＲガス送流手段は、ケーシングにおいて、クーラ弁座より上流の上流側クーラ流路とバイパス弁座より上流の上流側バイパス流路との間を連通し、上流側バイパス流路を流れるＥＧＲガスの一部を上流側クーラ流路へ噴射するための上流側ガス噴射孔を備えたことを趣旨とする。

上記技術の構成によれば、請求項１に記載の技術の作用に加え、ケーシングにおいて、上流側バイパス流路を流れる高温のＥＧＲガスの一部が、上流側ガス噴射孔によって、上流側クーラ流路へ噴射される。従って、クーラ流路におけるクーラ弁体とクーラ弁座が、高温のＥＧＲガスにより加熱される。

上記目的を達成するために、請求項３に記載の技術は、請求項１に記載の技術において、ＥＧＲガス送流手段は、ケーシングにおいて、クーラ弁座より下流の下流側クーラ流路とバイパス弁座より下流の下流側バイパス流路との間を連通し、下流側バイパス流路を流れるＥＧＲガスの一部を下流側クーラ流路へ噴射するための下流側ガス噴射孔と、下流側バイパス流路の断面積を絞る流路絞りとを備えたことを趣旨とする。

上記技術の構成によれば、請求項１又は２に記載の技術の作用に加え、ケーシングにおいて、下流側バイパス流路を流れる高温のＥＧＲガスの一部が、下流側ガス噴射孔によって、下流側クーラ流路へ噴射される。また、下流側バイパス流路が流路絞りにより絞られるので、下流側バイパス流路におけるＥＧＲガスの圧力が下流側クーラ流路におけるＥＧＲガスの圧力よりも高くなり、高温のＥＧＲガスが、下流側バイパス流路から下流側クーラ流路へより勢いよく噴射される。従って、クーラ流路におけるクーラ弁体とクーラ弁座が、高温のＥＧＲガスにより効果的に加熱される。更に、下流側バイパス流路と下流側クーラ流路との間に下流側ガス噴射孔が設けられるので、クーラ弁体が全開でバイパス弁体が全閉となるときに、下流側バイパス流路から下流側クーラ流路へ、下流側ガス噴射孔を介してＥＧＲガスが流れ込むことがない。

上記目的を達成するために、請求項４に記載の技術は、請求項２に記載の技術において、上流側ガス噴射孔は、上流側バイパス流路を流れるＥＧＲガスが上流側クーラ流路におけるクーラ弁座へ向かって噴射するようにケーシングの軸線に対し傾斜することを趣旨とする。

上記技術の構成によれば、請求項２に記載の技術の作用に加え、上流側バイパス流路を流れるＥＧＲガスが、上流側ガス噴射孔から上流側クーラ流路におけるクーラ弁座へ向かって噴射されるので、クーラ弁体とクーラ弁座が、高温のＥＧＲガスにより効果的に加熱される。

上記目的を達成するために、請求項５に記載の技術は、請求項３に記載の技術において、下流側ガス噴射孔は、下流側バイパス流路を流れるＥＧＲガスが下流側クーラ流路におけるクーラ弁座へ向かって噴射するようにケーシングの軸線に対し傾斜することを趣旨とする。

上記技術の構成によれば、請求項３に記載の技術の作用に加え、下流側バイパス流路を流れるＥＧＲガスが、下流側ガス噴射孔から下流側クーラ流路におけるクーラ弁座へ向かって噴射されるので、クーラ弁体とクーラ弁座が、高温のＥＧＲガスにより効果的に加熱される。

上記目的を達成するために、請求項６に記載の技術は、請求項１乃至５のいずれか一つに記載のＥＧＲクーラバイパスバルブのための制御装置であって、所定の条件下でクーラ弁体が微開するように駆動手段を制御するための制御手段を備えたことを趣旨とする。

上記技術の構成によれば、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の技術の作用に加え、所定の条件下でクーラ弁体が微開するように駆動手段が制御手段により制御される。従って、バイパス流路からクーラ流路へ流れた高温のＥＧＲガスが、クーラ弁体とクーラ弁座との間へ効果的に流れ、クーラ弁体とクーラ弁座がより効果的に加熱される。

請求項１に記載の技術によれば、クーラ流路のクーラ弁体及びクーラ弁座においても、バイパス流路のバイパス弁体及びバイパス弁座と同様に、デポジットを焼却して堆積を抑制することができる。

請求項２に記載の技術によれば、請求項１に記載の技術と同等の効果を得ることができる。

請求項３に記載の技術によれば、請求項１に記載の技術と同等の効果に加え、クーラ弁体とクーラ弁座に付着していたデポジットを高熱により効果的に焼却することができる。また、クーラ流路とバイパス流路との間を下流側ガス噴射孔により連通させても、ＥＧＲクーラによるＥＧＲガスの冷却効率の低下を抑えることができる。

請求項４に記載の技術によれば、請求項２に記載の技術の効果に加え、クーラ弁体とクーラ弁座に付着していたデポジットを高熱により効果的に焼却することができる。

請求項５に記載の技術によれば、請求項３に記載の技術の効果に対し、クーラ弁体とクーラ弁座に付着していたデポジットを高熱により更に効果的に焼却することができる。

請求項６に記載の技術によれば、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の技術の効果に対し、クーラ弁体とクーラ弁座に付着したデポジットを高熱により更に効果的に焼却することができる。

第１実施形態に係り、ＥＧＲクーラユニットの概略を示す断面図。 第１実施形態に係り、バイパスバルブを示す正面図。 第１実施形態に係り、バイパスバルブを一部破断して示す断面図。 第１実施形態に係り、クーラケーシングの一部とバイパスバルブ（一部破断）を示す断面図。 第１実施形態に係り、本体ケーシングを示す図２のＡ−Ａ線断面図。 第１実施形態に係り、本体ケーシングを示す図２のＢ−Ｂ線断面図。 第２実施形態に係り、バイパスバルブを制御するための電気的構成を示すブロック図。 第２実施形態に係り、クーラ弁体を微開させる微開制御の内容を示すフローチャート。 第２実施形態に係り、デポ燃焼要求フラグ設定制御の内容を示すフローチャート。 第２実施形態に係り、クーラ弁体が微開したときの本体ケーシングを示す図５に準ずる断面図。 第２実施形態に係り、クーラ弁体が微開したときの本体ケーシングを示す図６に準ずる断面図。 第３実施形態に係り、クーラケーシングとバイパスバルブを示す図４に準ずる断面図。 第３実施形態に係り、本体ケーシングを示す図１０に準ずる断面図。 第３実施形態に係り、本体ケーシングを示す図１１に準ずる断面図。

＜第１実施形態＞
以下、ＥＧＲクーラバイパスバルブをＥＧＲクーラユニットに具体化した第１実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。

[ＥＧＲクーラユニットの概要について]
図１に、この実施形態のＥＧＲクーラバイパスバルブ（以下、単に「バイパスバルブ」という。）１を備えた並列フロー式のＥＧＲクーラユニット２の概略を断面図により示す。このＥＧＲクーラユニット２は、エンジンシステムにおいてＥＧＲ通路（図示略）の途中に設けられる。このユニット２は、クーラケーシング３と、クーラケーシング３の入口側に設けられた入口パイプ４と、クーラケーシング３の出口側に設けられたバイパスバルブ１及び出口パイプ５とを備える。クーラケーシング３は、クーラ通路６と、クーラ通路６を迂回したバイパス通路７と、クーラ通路６の入口６ａとバイパス通路７の入口７ａが合流する合流部８とを含む。クーラ通路６とバイパス通路７は互いに並列に配置される。入口パイプ４は合流部８に接続される。バイパスバルブ１は、クーラ通路６の出口６ｂとバイパス通路７の出口７ｂに接続される。出口パイプ５は、バイパスバルブ１の出口側に接続される。クーラ通路６には、エンジンの冷却水が流れる熱交換器９が設けられる。クーラ通路６と熱交換器９によりＥＧＲクーラが構成される。入口パイプ４と出口パイプ５は、それぞれＥＧＲ通路に接続される。入口パイプ４に流入した高温のＥＧＲガスは、クーラ通路６を通過することで熱交換器９により冷却される。バイパス通路７を通過するＥＧＲガスは冷却されず高温のまま流れる。

[バイパスバルブについて]
図２に、この実施形態のバイパスバルブ１を正面図により示す。図３に、この実施形態のバイパスバルブ１を一部破断して断面図により示す。図１〜図３に示すように、バイパスバルブ１は、ＥＧＲクーラ（クーラ通路６及び熱交換器９）を通過するＥＧＲガスの流量と、バイパス通路７を通過するＥＧＲガスの流量とを同時に調節するようになっている。このバイパスバルブ１は、直列二弁タイプであって、主要な構成要素として、バルブケーシング１１、二つの弁体１２，１３、弁軸１４、減速機構１５及びモータ１６を備える。バルブケーシング１１は、二つの流路１７，１８を含むアルミ製の本体ケーシング１９と、本体ケーシング１９の開口端を閉鎖する合成樹脂製のエンドフレーム２０とを含む。二つの弁体１２，１３、弁軸１４及びモータ１６は、本体ケーシング１９に設けられる。減速機構１５は、本体ケーシング１９とエンドフレーム２０との間に設けられる。

本体ケーシング１９は、クーラ通路６の出口６ｂに連通するクーラ流路１７と、バイパス通路７の出口７ｂに連通するバイパス流路１８とを含み、クーラ流路１７とバイパス流路１８とが隔壁２１を介して仕切られる。クーラ流路１７には、ＥＧＲクーラ（クーラ通路６及び熱交換器９）にて冷却されたＥＧＲガスが流れる。バイパス流路１８には、バイパス通路７にて冷却されない高温のＥＧＲガスが流れる。クーラ流路１７には、同流路１７を開閉するための板状をなすクーラ弁体１２が配置される。また、クーラ流路１７には、クーラ弁体１２が着座可能なクーラ弁座２９（図５、図６参照）が設けられる。バイパス流路１８には、同流路１８を開閉するための板状をなすバイパス弁体１３が配置される。また、バイパス流路１８には、バイパス弁体１３が着座可能なバイパス弁座３０（図５、図６参照）が設けられる。この実施形態で、クーラ弁体１２及びバイパス弁体１３はそれぞれバタフライ式弁体であり、一つの弁軸１４に一体に固定される。弁軸１４は、本体ケーシング１９にて、クーラ流路１７、隔壁２１及びバイパス流路１８を貫通して配置され、二つの軸受２２，２３を介して回転可能に支持される。クーラ弁体１２はクーラ流路１７にて弁軸１４に固定され、バイパス弁体１３はバイパス流路１８にて弁軸１４に固定される。また、クーラ弁体１２とバイパス弁体１３は、互いに位相を所定角度ずらした状態で弁軸１４に固定される。従って、弁軸１４を一方向へ回転させることにより、クーラ弁体１２が開方向へ回動すると共にバイパス弁体１３が閉方向へ回動する。一方、弁軸１４を逆方向へ回転させることにより、クーラ弁体１２が閉方向へ回動すると共にバイパス弁体１３が開方向へ回動する。図３は、クーラ弁体１２が全閉でバイパス弁体１３が全開の状態を示す。

図４に、クーラケーシング３の一部とバイパスバルブ１（一部破断）を断面図により示す。図４に示すように、バイパスバルブ１の出口側には、出口パイプ５がそのフランジ５ａを介して接続される。このフランジ５ａには、クーラ流路１７に連通するクーラ側孔５ｂと、バイパス流路１８に連通するバイパス側孔５ｃが形成される。この実施形態では、クーラ流路１７、クーラ側孔５ｂ、バイパス流路１８及びバイパス側孔５ｃの内径と形状が互いに同じに設定される。図４は、クーラ弁体１２が全閉でバイパス弁体１３が全開の状態を示す。この状態では、入口パイプ４に流入したＥＧＲガスが、そのまま冷却されることなくバイパス通路７を経由して、バイパスバルブ１のバイパス流路１８へ流れる。一方、クーラ弁体１２が全開でバイパス弁体１３が全閉の状態では、入口パイプ４に流入したＥＧＲガスが、クーラ通路６を経由して熱交換器９で冷却され、更にバイパスバルブ１のクーラ流路１７へ流れる。

図３に示すように、弁軸１４は、二つの軸受２２，２３を介して本体ケーシング１９に回転可能に支持される。弁軸１４は、その両端に第１軸端部１４ａと第２軸端部１４ｂを含む。二つの弁体１２，１３は、第１軸端部１４ａと第２軸端部１４ｂとの間にて弁軸１４上に固定される。クーラ流路１７及びクーラ弁体１２は、第１軸端部１４ａに隣接して配置され、バイパス流路１８及びバイパス弁体１３は、第２軸端部１４ｂに隣接して配置される。ここで、第１軸端部１４ａは、クーラ弁体１２より外側（弁軸１４の一端側）の全範囲を含み、第２軸端部１４ｂは、バイパス弁体１３より外側（弁軸１４の他端側）の全範囲を含むと定義することができる。本体ケーシング１９と第１軸端部１４ａとの間には、第１軸受２２が設けられる。一方、本体ケーシング１９と第２軸端部１４ｂとの間には、第２軸受２３が設けられる。また、本体ケーシング１９には、第２軸端部１４ｂの先端に対応して、弁軸１４の軸方向への位置ずれを防止するためのリテーナ２５が設けられる。このリテーナ２５と第２軸端部１４ｂとの間には、弁軸１４を回転方向へ付勢するためのスプリング（図示略）が設けられる。更に、クーラ弁体１２と第１軸受２２との間にて、第１軸受２２のクーラ弁体１２に近い側面には、その側面に隣接して、第１軸端部１４ａと本体ケーシング１９との間をシールするための第１シール部材２６が設けられる。また、バイパス弁体１３と第２軸受２３との間にて、第２軸受２３のバイパス弁体１３に近い側面には、その側面に隣接して、第２軸端部１４ｂと本体ケーシング１９との間をシールするための第２シール部材２７が設けられる。両シール部材２６，２７は、樹脂又はゴムを要素として構成される。

図２に示すように、エンドフレーム２０は、本体ケーシング１９に対し複数のクリップ２４により着脱可能に固定される。図３において、エンドフレーム２０の内側には、第１軸端部１４ａの先端に対応して配置され、各弁体１２，１３の開度（バルブ開度）を検出するための開度センサ３１が設けられる。この開度センサ３１は、ホールＩＣ等により構成され、弁軸１４の回転角度をバルブ開度として検出するように構成される。第１軸端部１４ａの先端には、被動ギヤである弁ギヤ３２が固定される。弁ギヤ３２は、樹脂より形成される。第１軸端部１４ａの先端は、レバー２８を介して弁ギヤ３２に連結され、弁ギヤ３２と一体回転可能に構成される。弁ギヤ３２と本体ケーシング１９との間には、各弁体１２，１３を閉方向又は開方向へ付勢するためのリターンスプリング３３が設けられる。弁ギヤ３２の表側には、凹部３２ａが形成される。この凹部３２ａには、磁石３４が収容される。この磁石３４は、板ばねよりなる押さえ板３５により固定される。従って、弁ギヤ３２が、各弁体１２，１３及び弁軸１４と一体に回転することにより、磁石３４の磁界が変化し、その磁界の変化を開度センサ３１がバルブ開度として検出するようになっている。

図３に示すように、この実施形態で、モータ１６は本体ケーシング１９に形成された凹部１９ａに収容され、その両端が留め材３６と板ばね３７を介して本体ケーシング１９に固定される。図１、図３に示すように、モータ１６は、各弁体１２，１３を開閉駆動するために、減速機構１５を介して弁軸１４に駆動連結される。図３に示すように、モータ１６の出力軸１６ａ上には、モータギヤ３８が固定される。モータギヤ３８は、中間ギヤ３９を介して弁ギヤ３２に駆動連結される。中間ギヤ３９は、大径ギヤ３９ａと小径ギヤ３９ｂを含む二段ギヤであり、ピンシャフト４０を介して本体ケーシング１９に回転可能に支持される。大径ギヤ３９ａには、モータギヤ３８が連結され、小径ギヤ３９ｂには、弁ギヤ３２が連結される。この実施形態では、一例として、モータ１６及び減速機構１５により、弁軸１４を回転させるための駆動手段が構成される。

上記のように、このバイパスバルブ１は、弁軸１４をモータ１６及び減速機構１５により回転させることにより、クーラ弁体１２とバイパス弁体１３を位相をずらして開閉させると共に、クーラ弁体１２が全開となるときにバイパス弁体１３が全閉となり、クーラ弁体１２が全閉となるときにバイパス弁体１３が全開となるように構成される。このような構成により、クーラ流路１７及びバイパス流路１８におけるＥＧＲガス流量をそれぞれ制御するようになっている。

従って、例えば、図３に示すように、クーラ弁体１２が全閉でバイパス弁体１３が全開の状態となるときに、モータ１６が通電により作動し、モータギヤ３８が一方向へ回転することにより、その回転が中間ギヤ３９により減速されて弁ギヤ３２に伝達される。これにより、弁軸１４及び各弁体１２，１３が、リターンスプリング３３の付勢力に抗して回動され、クーラ流路１７が開かれ、バイパス流路１８が閉じられる。また、各弁体１２，１３をある開度に保持するために、モータ１６に通電により回転力を発生させることにより、その回転力がモータギヤ３８、中間ギヤ３９及び弁ギヤ３２を介し保持力として弁軸１４及び各弁体１２，１３に伝達される。この保持力がリターンスプリング３３の付勢力に均衡することにより、各弁体１２，１３がそれぞれある中間開度に保持される。更に、図３に示すように、クーラ弁体１２が全閉となるときはバイパス弁体１３は全開となり、ＥＧＲクーラを迂回した冷却されないＥＧＲガスがバイパス通路７からバイパス流路１８へ流れる。一方、クーラ弁体１２が全開となるときはバイパス弁体１３が全閉となり、ＥＧＲクーラ（クーラ通路６及び熱交換器９）で冷却されたＥＧＲガスがクーラ流路１７へ流れる。この実施形態で、両弁体１２，１３はそれぞれ全閉位置と全開位置に切り替え配置されると共に、全閉位置と全開位置との間の任意の中間開度に配置可能となっている。このように両弁体１２，１３の開度を制御することにより、クーラ流路１７を通過するＥＧＲガス流量とバイパス流路１８を通過するＥＧＲガス流量をそれぞれ調節し、出口パイプ５から流れ出るＥＧＲガスの温度（ＥＧＲガス出口温度）を任意に制御できるようになっている。

[バイパスバルブの熱害対策について]
ここで、弁軸１４の第１軸端部１４ａは、弁ギヤ３２等を含む減速機構１５を介してモータ１６に駆動連結される。また、弁ギヤ３２には、バルブ開度を検出するための開度センサ３１に対応する磁石３４が固定される。そのため、第１軸端部１４ａの回転を精密（リジッド）に支持する必要がある。また、各シール部材２６，２７は樹脂又はゴムを要素として構成されることから、各流路１７，１８を流れるＥＧＲガスによる熱害から各シール部材２６，２７を保護する必要がある。特に、バイパス流路１８には、ＥＧＲクーラで冷却されない高温（「７００℃」前後）のＥＧＲガスが流れることから、第２シール部材２７の熱害が特に問題となる。同様に、樹脂製の弁ギヤ３２もＥＧＲガスによる熱害から保護する必要がある。そこで、この実施形態のバイパスバルブ１では、次のような熱害対策の構成を備える。

すなわち、図３に示すように、クーラ流路１７及びクーラ弁体１２が、第１軸端部１４ａに隣接して配置され、バイパス流路１８及びバイパス弁体１３が、第２軸端部１４ｂに隣接して配置される。また、第１軸受２２が、第１軸端部１４ａの回転を精密に支持するために、高い精度と耐熱性を確保できる転がり軸受（ボールベアリング）により構成される。ここで、転がり軸受は、第１軸端部１４ａに伝わる熱を本体ケーシング１９へ逃がすことはできるが、その伝熱性は滑り軸受に比べて小さい。一方、第２軸受２３が、第２軸端部１４ｂから本体ケーシング１９への放熱を促進するために滑り軸受により構成される。第２軸端部１４ｂには、バイパス流路１８を流れる高温のＥＧＲガスの熱が伝わるので、その熱を本体ケーシング１９へ円滑に逃がすために滑り軸受が採用される。

[クーラ流路におけるデポジット対策について]
ここで、クーラ弁座２９にデポジットが付着すると、クーラ流路１７ではＥＧＲクーラで冷やされた低温（２００℃前後）のＥＧＲガスが流れるので、デポジットは焼却されずに残ってクーラ弁座２９に堆積するおそれがある。クーラ弁座２９にデポジットが堆積すると、クーラ弁体１２の全閉時に、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９との間にデポジットの堆積層が噛み込まれ、全閉位置がずれ、バルブユニットによるＥＧＲガス流量特性が悪化するおそれがある。また、デポジットの堆積層が厚くなると、クーラ弁体１２をモータ１６等により全閉に制御しようとしてもならず、モータ１６に過剰な電流が流れるおそれがある。そこで、この実施形態のバイパスバルブ１は、上記課題に対処するために、次のようなデポジット対策の構成を備える。

図５に、本体ケーシング１９を図２のＡ−Ａ線断面図により示す。図６に、本体ケーシング１９を図２のＢ−Ｂ線断面図により示す。図５、図６において、本体ケーシング１９には、隔壁２１を境としてクーラ流路１７とバイパス流路１８が形成される。また、クーラ流路１７の中間にはクーラ弁座２９が形成され、バイパス流路１８の中間にはバイパス弁座３０が形成される。ここで、図５、図６において、クーラ流路１７とバイパス流路１８は、その上側から下側へＥＧＲガスが流れる。そして、クーラ流路１７のクーラ弁座２９よりも上流が上流側クーラ流路１７ａ、クーラ弁座２９よりも下流が下流側クーラ流路１７ｂとなっている。また、バイパス流路１８のバイパス弁座３０よりも上流が上流側バイパス流路１８ａ、バイパス弁座３０よりも下流が下流側バイパス流路１８ｂとなっている。ここで、バイパスバルブ１は、クーラ弁体１２が全閉又は全閉に近い微開状態となるときに、バイパス流路１８を流れるＥＧＲガスの一部をクーラ流路１７へ送り流すためのＥＧＲガス送流手段を備える。

この実施形態で、ＥＧＲガス送流手段は、一例として、本体ケーシング１９において、上流側クーラ流路１７ａと上流側バイパス流路１８ａとの間を連通し、上流側バイパス流路１８ａを流れるＥＧＲガスの一部を上流側クーラ流路１７ａへ噴射するための第１の上流側ガス噴射孔４１と第２の上流側ガス噴射孔４２を備える。図５に示すように、第１の上流側ガス噴射孔４１は、クーラ弁座２９に着座したクーラ弁体１２の表側にＥＧＲガスを流すようになっている。一方、図６に示すように、第２の上流側ガス噴射孔４２は、クーラ弁座２９に着座したクーラ弁体１２の裏側にＥＧＲガスを流すようになっている。

ここで、各上流側ガス噴射孔４１，４２は、上流側バイパス流路１８ａを流れるＥＧＲガスが上流側クーラ流路１７ａにおけるクーラ弁座２９へ向かって噴射するように本体ケーシング１９の軸線Ｌ１に対し所定の角度で傾斜する。

以上説明したこの実施形態の構成によれば、バイパスバルブ１において、弁軸１４をモータ１６等により回転させてクーラ弁体１２とバイパス弁体１３を位相をずらして開閉させる。これにより、ＥＧＲクーラ（クーラ通路６及び熱交換器９）からクーラ流路１７へ流れるＥＧＲガスの量と、バイパス通路７からバイパス流路１８へ流れるＥＧＲガスの量がそれぞれ調節される。そして、クーラ流路１７には、ＥＧＲクーラ（クーラ通路６及び熱交換器９）にて冷却されたＥＧＲガスが流れ、バイパス流路１８には、バイパス通路７にて冷却されない高温のＥＧＲガスが流れる。これにより、バイパス弁体１３及びバイパス弁座３０が過熱され、それらに付着したデポジットを焼却される。ここで、クーラ弁体１２が全閉又は全閉に近い微開状態となるときは、高温のＥＧＲガスが、主としてバイパス通路７からバイパス流路１８へ流れ、クーラ流路１７には冷やされたＥＧＲガスがほとんど流れない。このとき、バイパス流路１８を流れる高温のＥＧＲガスの一部が、ＥＧＲガス送流手段によりクーラ流路１７へ送り流される。すなわち、本体ケーシング１９において、上流側バイパス流路１８ａを流れる高温のＥＧＲガスの一部が、各上流側ガス噴射孔４１，４２によって、上流側クーラ流路１７ａへ噴射される。従って、クーラ流路１７におけるクーラ弁体１２とクーラ弁座２９が、高温のＥＧＲガスにより加熱される。一方、バイパス流路１８では、高温のＥＧＲガスが流れるときはいつでも、バイパス弁体１３とバイパス弁座３０が高温のＥＧＲガスにより加熱される。このため、クーラ流路１７のクーラ弁体１２及びクーラ弁座２９においても、バイパス流路１８のバイパス弁体１３及びバイパス弁座３０と同様に、デポジットを焼却して堆積を抑制することができる。この結果、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９との間にデポジットの堆積層が噛み込まれることがなくなり、クーラ弁体１２を正規の全閉位置に配置することができ、バイパスバルブ１におけるＥＧＲガス流量特性の悪化を抑えることができる。

また、この実施形態の構成によれば、上流側バイパス流路１８ａを流れるＥＧＲガスが、上流側ガス噴射孔４１，４２から上流側クーラ流路１７ａにおけるクーラ弁座２９へ向かって噴射されるので、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９が、高温のＥＧＲガスにより効果的に加熱される。このため、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９に付着していたデポジットを高熱により効果的に焼却することができる。

＜第２実施形態＞
次に、ＥＧＲクーラバイパスバルブをＥＧＲクーラユニットに具体化した第２実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。

なお、以下の説明において前記第１実施形態と同等の構成要素については同一の符号を付して説明を省略し、異なった点を中心に説明する。

[バイパスバルブの制御装置について]
この実施形態では、所定の条件下で、バイパス流路１８からクーラ流路１７へＥＧＲガスを流すために、バイパスバルブ１のクーラ弁体１２が微開するようにモータ１６を制御するようになっている。本実施形態は、この点で第１実施形態と構成が異なる。図７に、バイパスバルブ１（モータ１６）を制御するための電気的構成をブロック図により示す。この実施形態では、バイパスバルブ１のための制御装置を備える。この制御装置は、所定の条件下でクーラ弁体１２が微開するようにモータ１６を制御するための電子制御装置（ＥＣＵ）５０を備える。ＥＣＵ５０は、この開示技術における制御手段の一例に相当する。ＥＣＵ５０の出力側には、バイパスバルブ１（モータ１６）が接続される。ＥＣＵ５０の入力側には、エンジンの回転速度（エンジン回転速度）ＮＥを検出するための回転速度センサ５１、エンジンの負荷（エンジン負荷）ＫＬを検出するための負荷センサ５２、エンジンの吸気量Ｇａを検出するためのエアフローメータ５３がそれぞれ接続される。ＥＣＵ５０は、各種センサ等５１〜５３からの検出信号に基づきバイパスバルブ１（モータ１６）を制御するようになっている。

[クーラ弁体の微開制御について]
図８に、ＥＣＵ５０が実行する制御であって、クーラ弁座２９に堆積したデポジットの燃焼を促進するためにクーラ弁体１２を微開（微少開弁）させる微開制御の内容をフローチャートにより示す。

処理がこのルーチンへ移行すると、ＥＣＵ５０は、ステップ１００で、各種センサ等５１〜５３の検出値に基づきエンジン回転速度ＮＥ、エンジン負荷ＫＬ及び吸気量Ｇａを取り込む。

次に、ステップ１１０で、ＥＣＵ５０は、クーラ弁体１２の全閉要求が有るか否かを判断する。ＥＣＵ５０は、この判断結果が肯定となる場合は処理をステップ１２０へ移行し、この判断結果が否定となる場合は処理をステップ１７０へ移行する。

ステップ１２０では、ＥＣＵ５０は、デポ燃焼要求フラグＸＣＢが「１」であるか否かを判断する。後述するように、このデポ燃焼要求フラグＸＣＢは、クーラ弁座２９等に付着したデポジット（カーボンを含む）を燃焼させる燃焼要求がある場合に「１」に、その燃焼要求がない場合に「０」に設定されるようになっている。従って、ＥＣＵ５０は、この判断結果が肯定となる場合は処理をステップ１３０へ移行し、この判断結果が否定となる場合は処理をステップ１８０へ移行する。

ステップ１３０では、ＥＣＵ５０は、クーラ弁体１２を全閉に制御したときの学習開度（全閉学習開度）ＥＣＢＶ０を取り込む。この全閉学習開度ＥＣＢＶ０は、クーラ弁体１２を全閉に制御したときに開度センサ３１により検出されるクーラ弁体１２の開度を意味する。この全閉学習開度ＥＣＢＶ０は、クーラ弁座２９にデポジットが堆積している場合は、その分だけ真の全閉からずれることになる。この全閉学習開度ＥＣＢＶ０は経時的に変化する。ＥＣＵ５０は、この開度ＥＣＢＶ０を、別途のルーチンにより学習するようになっている。

次に、ステップ１４０で、ＥＣＵ５０は、吸気量Ｇａが所定値Ｄ１よりも多いか否かを判断する。ＥＣＵ５０は、この判断結果が肯定となる場合は、吸気量Ｇａが多く、ＥＧＲクーラユニット２に高温のＥＧＲガスが流入することから、処理をステップ１５０へ移行する。一方、ＥＣＵ５０は、この判断結果が否定となる場合は、吸気量Ｇａが少なく、ＥＧＲクーラユニット２に比較的低温のＥＧＲガスが流入することから、処理をステップ１８０へ移行する。

ステップ１５０では、ＥＣＵ５０は、全閉学習開度ＥＣＢＶ０に所定値Ｃ１を加算することにより目標開度Ｔｃｂｖを算出する。

次に、ステップ１６０で、ＥＣＵ５０は、クーラ弁体１２を微開させるためにバイパスバルブ１を目標開度Ｔｃｂｖで制御し、処理をステップ１００へ戻す。

一方、ステップ１２０又はステップ１４０から移行してステップ１８０では、ＥＣＵ５０は、全閉学習開度ＥＣＢＶ０を目標開度Ｔｃｂｖとして設定する。

次に、ステップ１９０で、ＥＣＵ５０は、クーラ弁体１２を全閉学習開度ＥＣＢＶ０に制御するためにバイパスバルブ１を目標開度Ｔｃｂｖで制御し、処理をステップ１００へ戻す。

一方、ステップ１１０から移行してステップ１７０では、ＥＣＵ５０は、クーラ弁体１２を要求開度にするためにバイパスバルブ１を制御し、処理をステップ１００へ移行する。

上記の微開制御によれば、ＥＣＵ５０は、クーラ弁体１２に対する全閉要求がある場合に、ＥＧＲ通路に高温のＥＧＲガスが流れるときは、クーラ弁体１２を微開させるためにバイパスバルブ１（モータ１６）を制御するようになっている。

[デポ燃焼要求フラグ設定制御について]
次に、上記したデポ燃焼要求フラグＸＣＢを設定するためにＥＣＵ５０が実行するデポ燃焼要求フラグ設定制御について説明する。図９に、その制御内容をフローチャートにより示す。

処理がこのルーチンへ移行すると、ＥＣＵ５０は、ステップ２００で、クーラ弁体１２の全閉制御時の全閉学習開度ＥＣＢＶ０を取り込む。

次に、ステップ２１０で、ＥＣＵ５０は、クーラ弁体１２の初期全閉学習開度ＥＣＢＶｉ０、すなわちクーラ弁座２９等にデポジットの付着がない場合の全閉学習開度を取り込む。

次に、ステップ２２０で、ＥＣＵ５０は、初期全閉学習開度ＥＣＢＶｉ０に所定値Ａ１を加算した開度が、全閉学習開度ＥＣＢＶ０よりも小さいか否かを判断する。ここで、所定値Ａ１を、例えば「１〜３（ｄｅｇ）」に設定することができる。ＥＣＵ５０は、この判断結果が肯定となる場合は、クーラ弁座２９等におけるデポジットの付着が多いものとして、処理をステップ２３０へ移行する。一方、ＥＣＵ５０は、この判断結果が否定となる場合は、クーラ弁座２９等におけるデポジットの付着が微少であるものとして、処理をステップ２４０へ移行する。

そして、ステップ２３０では、ＥＣＵ５０は、デポ燃焼要求フラグＸＣＢを「１」に設定し、処理をステップ２００へ戻す。

一方、ステップ２２０から移行してステップ２４０では、ＥＣＵ５０は、デポ燃焼要求フラグＸＣＢが「１」であるか否かを判断する。ＥＣＵ５０は、この判断結果が肯定となる場合は、クーラ弁座２９等にデポジットが付着しているものとして、処理をステップ２５０へ移行する。一方、ＥＣＵ５０は、この判断結果が否定となる場合は、クーラ弁座２９等におけるデポジットの付着が微少であるものとして、処理をステップ２００へ戻す。

ステップ２５０では、ＥＣＵ５０は、初期全閉学習開度ＥＣＢＶｉ０に所定値Ｂ１（Ａ１＞Ｂ１）を加算した開度が、全閉学習開度ＥＣＢＶ０よりも大きいか否かを判断する。ＥＣＵ５０は、この判断結果が肯定となる場合は、クーラ弁座２９等に付着したデポジットの燃焼が完了したものとして、処理をステップ２６０へ移行する。一方、ＥＣＵ５０は、この判断結果が否定となる場合は、クーラ弁座２９等に付着したデポジットの燃焼が未完了であるものとして、処理をステップ２００へ移行する。

そして、ステップ２６０では、ＥＣＵ５０は、デポ燃焼要求フラグＸＣＢを「０」に設定し、処理をステップ２００へ戻す。

上記したデポ燃焼要求フラグ設定制御によれば、ＥＣＵ５０は、クーラ弁体１２につき、現在の全閉学習開度ＥＣＢＶ０が、デポジットが付着していない初期全閉学習開度ＥＣＢＶｉ０よりある程度大きい場合に、クーラ弁座２９等に対するデポジットの付着量が大きいものとして、デポ燃焼要求フラグＸＣＢを「１」に設定するようになっている。

上記の両制御において、ＥＣＵ５０は、所定の条件下でクーラ弁体１２が微開するようにモータ１６等を制御するための、この開示技術における制御手段の一例に相当する。

図１０に、クーラ弁体１２が微開したときの本体ケーシング１９を図５に準ずる断面図により示す。図１１に、クーラ弁体１２が微開したときの本体ケーシング１９を図６に準ずる断面図により示す。クーラ弁体１２が微開することで、図１０、図１１に示すように、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９との間に微小な隙間ができる。これにより、図１０に示すように、第１の上流側ガス噴射孔４１から上流側クーラ流路１７ａへ噴射される高温のＥＧＲガスは、クーラ弁体１２の表側と、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９との間に流れることになる。一方、図１１に示すように、第２の上流側ガス噴射孔４２から上流側クーラ流路１７ａへ噴射される高温のＥＧＲガスは、クーラ弁座２９の表面と、クーラ弁座２９とクーラ弁体１２との間に流れることになる。

以上説明したこの実施形態の構成によれば、第１実施形態の作用及び効果に加えて次のような作用及び効果を有する。すなわち、この実施形態では、所定の条件下でクーラ弁体１２が微開するようにＥＣＵ５０によりモータ１６等が制御される。従って、各上流側ガス噴射孔４１，４２を介して上流側バイパス流路１８ａから上流側クーラ流路１７ａへ噴射された高温のＥＧＲガスが、図１０、図１１に示すように、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９との間へも流れ、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９がより効果的に加熱される。このため、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９に付着したデポジットを高熱により更に効果的に焼却することができる。

バイパスバルブ１において、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９が接触している部分では、高温のＥＧＲガスを流してもデポジットが燃焼し難い場合がある。そこで、この実施形態では、デポジットの燃焼要求があるときは、クーラ弁体１２の全閉制御を禁止し、クーラ弁体１２を微開制御するようになっている。ここで、クーラ弁座２９やクーラ弁体１２におけるデポジットの堆積は徐々に進行するので、クーラ弁体１２を常に微開制御する必要はない。通常、全閉要求がある場合はクーラ弁体１２を全閉に制御し、全閉学習開度ＥＣＢＶ０が所定値以上開き側にずれた場合（デポジットがクーラ弁体１２とクーラ弁座２９との間に堆積した場合）にクーラ弁体１２を微開制御すればよい。

＜第３実施形態＞
次に、ＥＧＲクーラバイパスバルブをＥＧＲクーラユニットに具体化した第３実施形態につき図面を参照して詳細に説明する。

[クーラ流路におけるデポジット対策について]
図１２には、クーラケーシング３とバイパスバルブ１を図４に準ずる断面図により示す。図１３に、本体ケーシング１９を図１０に準ずる断面図により示す。図１４に、本体ケーシング１９を図１１に準ずる断面図により示す。この実施形態では、ＥＧＲガス送流手段の構成の点で第２実施形態と異なる。すなわち、図１２〜図１４に示すように、この実施形態では、下流側バイパス流路１８ｂにおけるＥＧＲガスの圧力を、下流側クーラ流路１７ｂにおけるＥＧＲガスの圧力よりも高くするために、出口パイプ５のフランジ５ａにおけるバイパス側孔５ｃの内径が、クーラ側孔５ｂの内径よりも小さく設定される。すなわち、下流側バイパス流路１８ｂには、その断面積を絞るための流路絞りが設けられる。

加えて、この実施形態では、図１３、図１４に示すように、本体ケーシング１９において、下流側クーラ流路１７ｂと下流側バイパス流路１８ｂとの間を連通し、下流側バイパス流路１８ｂを流れる高温のＥＧＲガスの一部を下流側クーラ流路１７ｂへ噴射するための第１の下流側ガス噴射孔４５と第２の下流側ガス噴射孔４６が設けられる。図１３に示すように、クーラ弁体１２が微開した状態において、第１の下流側ガス噴射孔４５から下流側クーラ流路１７ｂへ噴射される高温のＥＧＲガスは、クーラ弁座２９の裏側と、クーラ弁座２９とクーラ弁体１２との間の隙間へ流れる。一方、図１４に示すように、クーラ弁体１２が微開した状態において、第２の下流側ガス噴射孔４６から下流側クーラ流路１７ｂへ噴射される高温のＥＧＲガスは、主としてクーラ弁座２９とクーラ弁体１２との間の隙間へ流れる。

ここで、各下流側ガス噴射孔４５，４６は、下流側バイパス流路１８ｂを流れるＥＧＲガスが下流側クーラ流路１７ｂにおけるクーラ弁座２９へ向かって噴射するようにバルブケーシング１１の軸線Ｌ１に対し所定の角度で傾斜する。

以上説明したこの実施形態の構成によれば、第２実施形態の作用及び効果に加えて次のような作用及び効果を有する。すなわち、この実施形態では、バイパスバルブ１の本体ケーシング１９において、下流側バイパス流路１８ｂを流れる高温のＥＧＲガスの一部が、各下流側ガス噴射孔４５，４６によって、下流側クーラ流路１７ｂにおけるクーラ弁座２９へ向かって噴射される。また、下流側バイパス流路１８ｂが流路絞りにより絞られるので、下流側バイパス流路１８ｂにおけるＥＧＲガスの圧力が下流側クーラ流路１７ｂにおけるＥＧＲガスの圧力よりも高くなり、高温のＥＧＲガスが、下流側バイパス流路１８ｂから下流側クーラ流路１７ｂへ勢いよく噴射される。従って、クーラ流路１７におけるクーラ弁体１２とクーラ弁座２９が、高温のＥＧＲガスにより効果的に加熱される。このため、クーラ弁体１２とクーラ弁座２９に付着していたデポジットを高熱により効果的に焼却することができる。

前記第１及び第２の実施形態では、上流側バイパス流路１８ａと上流側クーラ流路１７ａとの間に各上流側ガス噴射孔４１，４２が設けられていた。そのため、クーラ弁体１２が全開でバイパス弁体１３が全閉となるときは、上流側バイパス流路１８ａから上流側クーラ流路１７ａへ、各上流側ガス噴射孔４１，４２を介して一部のＥＧＲガスが流れ込む。その結果、上流側バイパス流路１８ａから上流側クーラ流路１７ａへＥＧＲガスが流れ込む分だけ、ＥＧＲクーラ（クーラ通路６と熱交換器９）によるＥＧＲガスの冷却効率が低下するおそれがある。これに対し、本実施形態では、下流側バイパス流路１８ｂと下流側クーラ流路１７ｂとの間に各下流側ガス噴射孔４５，４６が設けられる。そのため、クーラ弁体１２が全開でバイパス弁体１３が全閉となるときに、下流側バイパス流路１８ｂから下流側クーラ流路１７ｂへ、各下流側ガス噴射孔４５，４６を介してＥＧＲガスが流れ込むことがない。その結果、クーラ流路１７とバイパス流路１８との間を下流側ガス噴射孔４５，４６により連通させても、ＥＧＲクーラ（クーラ通路６と熱交換器９）によるＥＧＲガスの冷却効率の低下を抑えることができる。

なお、この開示技術は前記各実施形態に限定されるものではなく、開示技術の趣旨を逸脱することのない範囲で構成の一部を適宜変更して実施することもできる。

前記各実施形態では、ＥＧＲクーラ（クーラ通路６及び熱交換器９）とバイパス通路７をクーラケーシング３として一体に設けたが、ＥＧＲクーラ（クーラ通路及び熱交換器）とバイパス通路を別体に設けることもできる。

この開示技術は、エンジンに設けられるＥＧＲ装置に利用することができる。

１ バイパスバルブ
６ クーラ通路（ＥＧＲクーラ）
７ バイパス通路
９ 熱交換器（ＥＧＲクーラ）
１１ バルブケーシング
１２ クーラ弁体
１３ バイパス弁体
１４ 弁軸
１５ 減速機構（駆動手段）
１６ モータ（駆動手段）
１７ クーラ流路
１７ａ 上流側クーラ流路
１７ｂ 下流側クーラ流路
１８ バイパス流路
１８ａ 上流側バイパス流路
１８ｂ 下流側バイパス流路
１９ 本体ケーシング
２１ 隔壁
２９ クーラ弁座
３０ バイパス弁座
４１ 第１の上流側ガス噴射孔
４２ 第２の上流側ガス噴射孔
４５ 第１の下流側ガス噴射孔
４６ 第２の下流側ガス噴射孔
５０ ＥＣＵ（制御手段）

Claims (6)

1. ＥＧＲガスを冷却するためのＥＧＲクーラ及び前記ＥＧＲクーラを迂回したバイパス通路と共に使用され、前記ＥＧＲクーラを通過するＥＧＲガスの流量と前記バイパス通路を通過するＥＧＲガスの流量とを同時に調節するＥＧＲクーラバイパスバルブであって、
   前記ＥＧＲクーラを通過したＥＧＲガスが流れるクーラ流路と、前記バイパス通路を通過したＥＧＲガスが流れるバイパス流路とを含み、前記クーラ流路と前記バイパス流路とが隔壁により仕切られたケーシングと、
   前記クーラ流路、前記バイパス流路及び前記隔壁を貫通するように前記ケーシングに回転可能に設けられた弁軸と、
   前記クーラ流路に配置され、前記弁軸と一体に設けられたクーラ弁体と、
   前記クーラ流路にて前記クーラ弁体が着座可能に設けられたクーラ弁座と、
   前記バイパス流路に配置され、前記弁軸と一体に設けられたバイパス弁体と、
   前記バイパス流路にて前記バイパス弁体が着座可能に設けられたバイパス弁座と、
   前記弁軸を回転させるための駆動手段と
   を備え、前記弁軸を前記駆動手段により回転させることにより前記クーラ弁体と前記バイパス弁体を位相をずらして開閉させると共に、前記クーラ弁体が全開となるときに前記バイパス弁体が全閉となり、前記クーラ弁体が全閉となるときに前記バイパス弁体が全開となるように構成したＥＧＲクーラバイパスバルブにおいて、
   前記クーラ弁体が前記全閉又は前記全閉に近い微開状態となるときに、前記バイパス流路を流れる前記ＥＧＲガスの一部を前記クーラ流路へ送り流すためのＥＧＲガス送流手段を備えたことを特徴とするＥＧＲクーラバイパスバルブ。
2. 請求項１に記載のＥＧＲクーラバイパスバルブにおいて、
   前記ＥＧＲガス送流手段は、前記ケーシングにおいて、前記クーラ弁座より上流の上流側クーラ流路と前記バイパス弁座より上流の上流側バイパス流路との間を連通し、前記上流側バイパス流路を流れるＥＧＲガスの一部を前記上流側クーラ流路へ噴射するための上流側ガス噴射孔を備えたことを特徴とするＥＧＲクーラバイパスバルブ。
3. 請求項１に記載のＥＧＲクーラバイパスバルブにおいて、
   前記ＥＧＲガス送流手段は、前記ケーシングにおいて、前記クーラ弁座より下流の下流側クーラ流路と前記バイパス弁座より下流の下流側バイパス流路との間を連通し、前記下流側バイパス流路を流れるＥＧＲガスの一部を前記下流側クーラ流路へ噴射するための下流側ガス噴射孔と、前記下流側バイパス流路の断面積を絞る流路絞りとを備えたことを特徴とするＥＧＲクーラバイパスバルブ。
4. 請求項２に記載のＥＧＲクーラバイパスバルブにおいて、
   前記上流側ガス噴射孔は、前記上流側バイパス流路を流れるＥＧＲガスが前記上流側クーラ流路における前記クーラ弁座へ向かって噴射するように前記ケーシングの軸線に対し傾斜することを特徴とするＥＧＲクーラバイパスバルブ。
5. 請求項３に記載のＥＧＲクーラバイパスバルブにおいて、
   前記下流側ガス噴射孔は、前記下流側バイパス流路を流れるＥＧＲガスが前記下流側クーラ流路における前記クーラ弁座へ向かって噴射するように前記ケーシングの軸線に対し傾斜することを特徴とするＥＧＲクーラバイパスバルブ。
6. 請求項１乃至５のいずれか一つに記載のＥＧＲクーラバイパスバルブのための制御装置であって、
   所定の条件下で前記クーラ弁体が微開するように前記駆動手段を制御するための制御手段を備えたことを特徴とするＥＧＲクーラバイパスバルブの制御装置。

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