JP2019087790A - トランスデューサ - Google Patents

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Abstract

【課題】 トランスデューサから得られる音の音圧またはトランスデューサから得られる電気信号の振幅を高める。【解決手段】 イヤホン101において、筐体1は、中空の円筒形状の部材であり、接続管11によりイヤピース2に接続されている。円筒形の筐体1の内壁面のうち円筒の側面をなす側面部は、側面部3Sのみからなる中空円筒形のシート状圧電素子3aにより覆われている。交流信号がシート状圧電素子3aに与えられると、シート状圧電素子3aが厚さ方向に振動する。これによりシート状圧電素子3aが面している筐体1内の空気の体積が変化し、筐体1内の音響空間内に空気圧の変化の波動が発生する。この空気圧力波が放音孔12、音道13およびイヤピース2内の音道を介してユーザの外耳道に伝搬され、ユーザに音として聴取される。【選択図】図1

Description

この発明は、電気信号から音響への変換または音響から電気信号への変換を行うトランスデューサに関する。
この種のトランスデューサとして、圧電素子を利用したトランスデューサがある。例えば特許文献1に開示されたイヤホンでは、イヤホンの筐体内に振動板が設けられ、この振動板に圧電素子が固定されている。そして、電気信号が圧電素子に与えられることにより、圧電素子および振動板が振動し、これにより生じる空気の粗密波がイヤホンの音道を介してユーザの外耳道へと伝搬される。
特開2016−86398号公報
ところで、上述した従来のトランスデューサは、発音体である圧電素子の面積を大きくすることが難しく、大きな音圧を得ることが困難であるという問題があった。また、上記の例は電気信号から音響への変換を行うトランスデューサに関するものであるが、圧電素子により音響から電気信号への変換を行うマイクロホン等のトランスデューサにおいても同様な問題があった。すなわち、圧電素子の面積を大きくすることが困難であるため、大きな振幅の電気信号を得るのが困難であった。
この発明は以上のような事情に鑑みてなされたものであり、トランスデューサから得られる音の音圧またはトランスデューサから得られる電気信号の振幅を高めることを可能にする技術的手段を提供することを目的とする。
この発明は、中空の筐体と、前記筐体の少なくとも内壁の一部を覆い、音響空間に面するシート状圧電素子とを有することを特徴とするトランスデューサを提供する。
この発明によれば、シート状圧電素子は、筐体の少なくとも内壁の一部を覆って設けられるので、その面積を大きくすることができる。従って、電気信号から音響への変換を行うトランスデューサでは、シート状圧電素子の振動により音響空間に与えられる音圧を大きくすることが可能になる。また、音響から電気信号への変換を行うトランスデューサでは、音響空間に発生する音響振動によりシート状圧電素子から得られる電気信号の振幅を大きくすることができる。
この発明によるトランスデューサの第1実施形態であるイヤホンの構成を示す図である。 同実施形態におけるシート状圧電素子の構成例を示す断面図である。 この発明によるトランスデューサの第2実施形態であるイヤホンの構成を示す図である。 この発明によるトランスデューサの第3実施形態であるイヤホンの構成を示す図である。 この発明によるトランスデューサの第4実施形態であるイヤホンの構成を示す図である。 この発明によるトランスデューサの第5実施形態であるイヤホンの構成を示す図である。 この発明によるトランスデューサの第6実施形態であるイヤホンの構成を示す図である。 この発明によるトランスデューサの第7実施形態であるイヤホンの構成を示す図である。 この発明によるトランスデューサの第8実施形態であるイヤホンの構成を示す図である。 この発明の各実施形態の効果を説明する図である。
以下、図面を参照し、この発明の実施形態について説明する。
<第1実施形態>
図1(a)および(b)はこの発明によるトランスデューサの第1実施形態であるイヤホン101の構成を示す図である。さらに詳述すると、図1(a)は特に同イヤホン101の筐体1およびその内部の縦断面構造を示しており、図1(b)は図1(a)のI−I’線断面構造を示している。
イヤホン101において、筐体1は、中空の円筒形状の部材である。この筐体1は接続管11によりイヤピース2に接続されている。接続管11は、中空の管であり、図1(a)において右側に図示された筐体1の第1底面部の略中心に設けられた放音孔12に一端が接続されている。接続管11の内側の中空領域である音道13は、この放音孔12を介して筐体1内の中空領域と繋がっている。筐体1および接続管11の素材は任意であり、例えば樹脂でもよい。イヤピース2は、ユーザの外耳道内に挿入される略半球状の部材であり、柔軟な素材により構成されている。このイヤピース2には、接続管11の音道13と繋がる音道(図示略)が貫通している。
図1(a)および(b)に示すように、円筒形の筐体1の内壁面のうち円筒の側面をなす側面部は、側面部3Sのみからなる中空円筒形のシート状圧電素子3aにより覆われている。具体的にはシート状圧電素子3aは、筐体1の内側壁に接着されている。
図2はシート状圧電素子3aの構成例を示す断面図である。なお、図2では、シート状圧電素子3aと筐体1との関係を分かり易くするため、シート状圧電素子3aとともに筐体1が示されている。
シート状圧電素子3aは可撓性を有する。シート状圧電素子3aは、図2に示すように、多孔質膜31と、多孔質膜31の両面に積層される一対の膜状の電極32および33とを有する。シート状圧電素子3aは、一対の電極32および33が最外層を構成する3層体である。そして、一対の電極32および33の一方(図示の例では電極32)が筐体1の内壁に接着される。また、シート状圧電素子3aは、外部へ電気信号を出力するリード線が接続される端子(図示略)を有する。シート状圧電素子3aでは、リード線を介して一対の電極32および33間に交流電圧が印加されることにより、多孔質膜31が厚さ方向に振動して放音する。
多孔質膜31は柔軟性を有する。多孔質膜31は、ポリエチレンテレフタレート、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリプロピレン等の合成樹脂を主成分とする。また、多孔質膜31は、分極処理によりエレクトレット化されている。分極処理方法としては、特に限定されるものではなく、例えば直流又はパルス状の高電圧を印加して電荷を注入する方法、γ線や電子線等の電離性放射線を照射して電荷を注入する方法、コロナ放電処理によって電荷を注入する方法等が挙げられる。なお、「主成分」とは、最も含有量の多い成分をいい、例えば含有量が50質量%以上の成分をいう。
以上が本実施形態によるイヤホン101の詳細である。
本実施形態において、交流信号がシート状圧電素子3aに与えられると、シート状圧電素子3aが厚さ方向に振動する。ここで、シート状圧電素子3aが固定された筐体1は、剛体とみなしてよく、その内側の容積は変化しない。従って、シート状圧電素子3aが厚さ方向に振動すると、シート状圧電素子3aが面している筐体1内の空気の体積が変化し、筐体1内の音響空間内に空気圧の変化の波動が発生する。この空気圧力波、すなわち、音波が放音孔12、音道13およびイヤピース2内の音道を介してユーザの外耳道に伝搬され、ユーザに音として聴取される。
本実施形態によれば、シート状圧電素子3aは、筐体1の内壁(内側壁)の側面を覆って設けられる。従って、シート状圧電素子3aの面積を大きくすることができ、音響空間内に供給する音圧を大きくすることができる。また、本実施形態によれば、シート状圧電素子3aは、剛体である筐体1の内壁(内側壁)に接着されるので、安定な放音が可能である。また、シート状圧電素子3aの面積が充分に確保される場合は、筐体1の内壁の側面の少なくとも一部を覆うようにシート状圧電素子3aを配置してもよい。
<第2実施形態>
図3はこの発明によるトランスデューサの第2実施形態であるイヤホン102の構成を示す図である。前掲図1(a)と同様、図3は特に同イヤホン102の筐体1およびその内部の縦断面構造を示している。なお、図3において、前掲図1(a)および(b)に示された各部と対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態におけるイヤホン102では、円筒形の筐体1の内壁のうちの内側面を覆う側面部3Sと、第1底面(図3において右側の底面部)を覆う第1底面部3D1と、第2底面(図3において左側の底面部)を覆う第2底面部3D2とからなるシート状圧電素子3bが設けられている。このシート状圧電素子3bは、筐体1の内壁に接着されている。シート状圧電素子3bの構成は上記第1実施形態のシート状圧電素子3aの構成(図2参照)と同様である。
本実施形態においても上記第1実施形態と同様な効果が得られる。また、本実施形態によれば、筐体1内の音響空間に面するシート状圧電素子3bの面積を上記第1実施形態のシート状圧電素子3aよりも大きくすることができる。従って、イヤホン102において得られる音圧を上記第1実施形態よりも大きくすることができる。また、図3において、第1底面を覆うシート状圧電素子3bを省いたり、第2底面を覆うシート状圧電素子3bを省いたり、内側面を覆うシート状圧電素子3bを省いてもよい。また、シート状圧電素子3bの面積が充分に確保される場合は、各面に部分的に配置されてもよい。すなわち筐体1の内壁の少なくとも一部を覆うようにシート状圧電素子3bを配置すればよい。
<第3実施形態>
図4(a)〜(d)はこの発明によるトランスデューサの第3実施形態であるイヤホン103の構成を示す図である。さらに詳述すると、図4(a)は特に同イヤホン103の筐体1およびその内部の縦断面構造を示しており、図4(b)〜(d)は図4(a)のI−I’線断面構造を示している。本実施形態において、筐体1およびその内部のI−I’線断面構造には各種の態様が考えられる。図4(b)〜(d)は、それらの態様のうちの第1〜第3の態様を各々例示している。なお、図4(a)〜(d)において、前掲図1(a)および(b)に示された各部と対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態によるイヤホン103では、上記第1実施形態と同様、円筒形の筐体1の内壁のうちの内側面を覆う側面部3Sのみからなるシート状圧電素子3aが筐体1の内壁(この場合、内側壁)に接着されている。このシート状圧電素子3aの構成は上記第1実施形態のものと同様である。
そして、シート状圧電素子3aが面する筐体1内の音響空間には軸対称な筒状のブロック4が固定されている。さらに詳述すると、ブロック4は、その側面をシート状圧電素子3aから離し、かつ、その第1底面(図4(a)において右側の底面)を筐体1の第1底面から離した状態で、その第2底面(図4(a)において左側の底面)が筐体1の第2底面に接着されている。このブロック4の側面とシート状圧電素子3aとの間の空間61と、ブロック4の第1底面との間の空間62は、シート状圧電素子3aの振動により発生する空気圧力波(音波)を放音孔12へ案内する役割を果たす。ブロック4の素材は任意であり、例えば樹脂であってもよい。
図4(b)に示す第1の態様では、筐体1、シート状圧電素子3aおよびブロック4は、同心の円筒形をなしている。そして、シート状圧電素子3aとブロック4の間の空間61は、ブロック4の半径方向の厚さがブロック4の周方向に沿って均一な円環状の断面形状を有している。
図4(c)に示す第2の態様では、ブロック4は、完全な円筒形状ではなく、その周方向に沿って複数(図示の例では7個)の円弧状の溝4rが設けられている。
図4(d)に示す第3の態様では、ブロック4の周方向に沿って複数(図示の例では3個)の円弧状の溝4rが設けられ、かつ、これらの溝4rに向かって円弧状に突出した複数の凸部1rが筐体1に設けられている。そして、この凸部1rの表面に溝4rに向かって円弧状に突出したシート状圧電素子3aの凸部3rが設けられている。この態様において、シート状圧電素子3aとブロック4の間の空間61は、ブロック4の半径方向の厚さがブロック4の周方向に沿って均一になっている。
本実施形態においても上記第1実施形態と同様な効果が得られる。また、本実施形態では、ブロック4を筐体1内に配置することにより、空間61→空間62→音道13という音の伝搬経路を形成した。このため、例えば図4(b)〜(d)に示すように空間61の形状を調整し、あるいは空間62の厚さを調整することにより、音の伝搬経路の断面積の急激な変化(あるいは音響インピーダンスの急激な変化)を少なくし、伝搬経路においてヘルムホルツ共鳴や反射が発生するのを抑制することができるという効果が得られる。
<第4実施形態>
図5はこの発明によるトランスデューサの第4実施形態であるイヤホン104の構成を示す図である。なお、図5において、前掲図1または図4に示された各部と対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態は、上記第3実施形態におけるブロック4を、図5に示すように筐体1の第2底面(図5において左側の底面)側から第1底面(図5において右側の底面)に進むに従って径が短くなる切頭円錐形状のブロック4に置き換えたものである。
本実施形態においても上記第3実施形態と同様な効果が得られる。
<第5実施形態>
図6はこの発明によるトランスデューサの第5実施形態であるイヤホン105の構成を示す図である。なお、図6において、前掲図1または図4に示された各部と対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態によるイヤホン105では、上記第1実施形態と同様、円筒形の筐体1の内壁のうちの内側面を覆う側面部3Sのみからなるシート状圧電素子3aが筐体1の内壁(この場合、内側壁)に接着されている。このシート状圧電素子3aの構成は上記第1実施形態のものと同様である。
そして、シート状圧電素子3aが面する筐体1内の音響空間には円筒状のブロック4が固定されている。さらに詳述すると、ブロック4は、その側面をシート状圧電素子3aから離した状態で、その第1底面(図6において右側の底面)が筐体1の第1底面に接着され、その第2底面(図6において左側の底面)が筐体1の第2底面に接着されている。図4(b)の態様と同様、シート状圧電素子3aとブロック4の間の空間61は、ブロック4の半径方向の厚さがブロック4の周方向に沿って均一な円環状の断面形状を有している。
本実施形態では、シート状圧電素子3aとブロック4の間の空間61は、シート状圧電素子3aの振動により圧縮される空気を内包する圧縮層として機能する。そして、本実施形態において、ブロック4には、シート状圧電素子3aが面する空間61内の空気を筐体1に設けられた放音孔12へと案内する通孔5が形成されている。
図6に示す例において、通孔5は、音道13と略同径の円筒状の中空領域と、この中空領域から枝分かれし、放射状に円筒形のブロック4の側面に向けて延びる中空領域とにより構成されている。そして、ブロック4の側面には、通孔5の開口部50がある。この開口部50は、円筒形のブロック4の側面を1周する円状の開口部となっている。図示の例では、開口部50は、円筒形のブロック4の側面の軸方向中央に位置している。
通孔5は、空間61から音道13まで音を案内する役割を果たすため、空間61および通孔5間の境界での音の反射、通孔5および音道13間の境界での音の反射を生じさせないように、その形状を決定する必要がある。このため、音の伝搬経路の断面積の急激な変化(すなわち、音響インピーダンスの急激な変化)が生じないように、空間61との境界から放音孔12にかけて通孔5の断面積を滑らかに変化させている。
本実施形態では、シート状圧電素子3aが厚さ方向に振動すると、圧縮層たる空間61内の空気の体積が変化し、空間61内に空気圧力波が発生する。この空気圧力波は、開口部50を介してブロック4内の通孔5に伝搬され、通孔5、放音孔12および音道13を介してユーザの外耳道に伝搬され、音として聴取される。
本実施形態においても上記第1実施形態と同様な効果が得られる。また、本実施形態では、筐体1内にブロック4を配置し、このブロック4に空間61内の空気を放音孔12に案内する通孔5を設けたので、空間61から音道13までの音の伝搬経路の断面積の急激な変化を少なくすることができる。従って、空間61から音道13までの音の伝搬経路における音の反射を抑制し、音響特性を向上させることができる。
シート状圧電素子3aの振動により、筐体1内の空間61にそのサイズや形状により定まる波長の定在波が発生する可能性がある。この定在波は、イヤホン105の音響特性にピークやディップを発生させる原因となる。このようなピークやディップがイヤホン105の使用周波数帯域(イヤホン105の再生対象となる音の周波数帯域)内において生じるのは好ましくない。そこで、このような好ましくない定在波の影響を軽減するために、通孔5の開口部50の位置を、空間61において定在波の節が発生する位置に合わせてもよい。このようにすることで、イヤホン105の音響特性に対する空間61の定在波の影響を少なくすることができる。
<第6実施形態>
図7はこの発明によるトランスデューサの第6実施形態であるイヤホン106の構成を示す図である。なお、図7において、前掲図6に示された各部と対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態におけるイヤホン106では、円筒形の筐体1の内壁のうちの内側面を覆う側面部3Sと、第2底面(図7において左側の底面部)を覆う第2底面部3D2とからなるシート状圧電素子3cが設けられている。このシート状圧電素子3cは、筐体1の内壁に接着されている。
シート状圧電素子3cが面する筐体1内の音響空間には、ブロック4が配置されている。上記第5実施形態(図6)と同様、ブロック4は、円筒形のブロックである。しかし、上記第5実施形態(図6)と異なり、ブロック4は、第2底面の中央付近の所定サイズの領域42が軸方向に突出しており、この突出した領域42が筐体1の第2底面に接着されている。シート状圧電素子3cの第2底面部3D2には、このブロック4の第2底面の突出領域42を通過させる孔が空いている。そして、ブロック4の第2底面の突出領域42以外の領域は、空間63を挟んでシート状圧電素子3cの第2底面部3D2と対向している。
ブロック4には、シート状圧電素子3cが面する空間61および63からなる空間内の空気を筐体1に設けられた放音孔12へ案内する通孔5が設けられている。通孔5およびその開口部50の構成は上記第5実施形態と同様である。図示の例では、通孔5の開口部50は、円筒形のブロック4の側面において、空間61および63からなる空間の中央と対向する位置に設けられている。
本実施形態でも上記第5実施形態と同様な効果が得られる。また、本実施形態によれば、筐体1内の音響空間に面するシート状圧電素子3cの面積を上記第5実施形態のシート状圧電素子3aよりも大きくすることができる。従って、イヤホン106において得られる音圧を上記第5実施形態よりも大きくすることができる。
本実施形態においても、上記第5実施形態と同様、好ましくない定在波の影響を軽減するために、通孔5の開口部50の位置を、空間61および63からなる空間において定在波の節が発生する位置に合わせてもよい。
<第7実施形態>
図8はこの発明によるトランスデューサの第7実施形態であるイヤホン107の構成を示す図である。なお、図8において、前掲図7に示された各部と対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態におけるイヤホン107では、円筒形の筐体1の内壁のうちの内側面を覆う側面部3Sと、第1底面(図8において右側の底面部)を覆う第1底面部3D1と、第2底面(図8において左側の底面部)を覆う第2底面部3D2とからなるシート状圧電素子3dが設けられている。このシート状圧電素子3dは、筐体1の内壁に接着されている。
シート状圧電素子3dが面する筐体1内の音響空間には、ブロック4が配置されている。上記第6実施形態(図7)と同様、ブロック4は、第2底面の中央付近の所定サイズの領域42が軸方向に突出しており、この突出した領域42が筐体1の第2底面に接着されている。しかし、本実施形態では、これに加えて、ブロック4の第1底面の中央付近の所定サイズの領域41が軸方向に突出し、この突出した領域41が筐体1の第1底面に接着されている。シート状圧電素子3cの第1底面部3D1には、このブロック4の第1底面の突出領域41を通過させる孔が空いている。そして、ブロック4の第1底面の突出領域41以外の領域は、空間62を挟んでシート状圧電素子3dの第1底面部3D1と対向している。
ブロック4には、シート状圧電素子3dが面する空間61、62および63からなる空間内の空気を筐体1に設けられた放音孔12へ案内する通孔5が設けられている。通孔5およびその開口部50の構成は上記第5実施形態と同様である。図示の例では、通孔5の開口部50は、円筒形のブロック4の側面において、空間61、62および63からなる空間の中央と対向する位置に設けられている。
本実施形態でも上記第6実施形態と同様な効果が得られる。また、本実施形態によれば、筐体1内の音響空間に面するシート状圧電素子3dの面積を上記第6実施形態のシート状圧電素子3cよりも大きくすることができる。従って、イヤホン107において得られる音圧を上記第6実施形態よりも大きくすることができる。
本実施形態においても、上記第5および第6実施形態と同様、好ましくない定在波の影響を軽減するために、通孔5の開口部50の位置を、空間61、62および63からなる空間において定在波の節が発生する位置に合わせてもよい。
<第8実施形態>
図9はこの発明によるトランスデューサの第8実施形態であるイヤホン108の構成を示す図である。なお、図9において、前掲図6に示された各部と対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態におけるイヤホン108は、上記第5実施形態において、ブロック4に設ける通孔5の構成を変えたものである。図9に示す例において、通孔5は、音道13と略同径の円筒状の第1の中空領域と、この第1の中空領域から枝分かれし、放射状に円筒形のブロック4の側面に向けて延びる第2の中空領域と、同じく第1の中空領域から枝分かれし、第2の中空領域よりも筐体1の第2底面(図9において左側の底面)に向けて延びる第3の中空領域とにより構成されている。そして、ブロック4の側面には、通孔5の第2の中空領域の開口部51および第3の中空領域の開口部52がある。これらの開口部51および52は、各々円筒形のブロック4の側面を1周する円状の開口部となっている。図示の例では、開口部51および52は、円筒形のブロック4の側面を軸方向に3等分する各位置にある。
本実施形態でも上記第5実施形態と同様な効果が得られる。本実施形態においても、上記第5〜第7実施形態と同様、好ましくない定在波の影響を軽減するために、通孔5の開口部51、52の位置を、空間61において定在波の節が発生する位置に合わせてもよい。
<実施形態の効果の確認>
本願発明者は、上記各実施形態の効果を確認するために、図10(a)〜(c)に示すイヤホンのモデルを使用してイヤホンの音響特性のシミュレーションを行った。
図10(a)に示すモデルは、通常の直管構造のイヤホンのモデルである。このモデルでは、円筒状の音響空間7の底面に当たる領域に設けられたシート状圧電素子3が音響空間7に放音する。この音響空間7に放音された音がそのままユーザの外耳道に供給される。
図10(b)に示すモデルは、円筒状の音響空間7の側周面を覆って円筒状のシート状圧電素子3を配置したモデルである。このモデルでは、音響空間7に放音された音が音道13を介してユーザの外耳道に供給される。このモデルは、上記第1実施形態(図1)、第2実施形態(図3)に相当する。
図10(c)に示すモデルは、円筒状の音響空間7の側周面を覆って円筒状のシート状圧電素子3を配置し、このシート状圧電素子3の内側に通孔5のあるブロック4を配置したモデルである。このモデルでは、音響空間7に放音された音が通孔5、音道13を介してユーザの外耳道に供給される。このモデルは、上記第5〜第8実施形態に相当する。
図10(d)は、シミュレーション結果を示すものであり、図10(a)に示すモデルより得られる音量P1、図10(b)に示すモデルにより得られる音量P2、図10(c)に示すモデルにより得られる音量P3の周波数特性を示している。この図において、横軸は周波数、縦軸は音量である。
図10(d)によると次のことが分かる。図10(a)に示す直管構造のモデルは、反射が少ないため、低域から高域までほぼフラットな周波数特性となる。しかし、このモデルは、シート状圧電素子3の面積が小さいため、低域から高域までの全帯域を通じて音量P1が低い、特に低域が低い、大入力にすると歪みやすいなどの欠点を有すると考えられる。
一方、図10(b)に示すモデル(すなわち、上記第1、第2実施形態)は、シート状圧電素子3の面積が拡大するため、音量P2の上昇が確認できる。このため、実製品では低域の特性改善などが見込める。何故ならば、シート状圧電素子3の面積が大きいほど低域の出力レベルが上昇するためである。しかしながら、このモデルでは、音響空間7内部で発生する定在波の影響および音響空間7と音道13との境界の不連続面で発生する反射の影響により、高域の特性が悪化する。
図10(c)に示すモデル(すなわち、上記第5〜第8実施形態)は、通孔5の形状の調整により定在波の影響を減らすことができ、かつ、音響空間7と、通孔5と、音道13の境界における断面積の急激な変化を少なくなくすることができる。このため、モデルから得られる音量P3に関して、高域の特性を改善することができる。
<他の実施形態>
以上、この発明の各実施形態について説明したが、この発明には他にも実施形態が考えられる。例えば次の通りである。
(1)上記各実施形態では、電気信号を音響に変換するイヤホンにこの発明を適用したが、この発明の適用範囲はこれに限定されるものではない。この発明は、マイクロホン等、音響を電気信号に変換するトランスデューサにも適用可能である。
(2)上記各実施形態では、筐体1を円筒形状としたが、筐体1を球形、直方体等、円筒形以外の形状としてもよい。
(3)上記第5〜第8実施形態において、シート状圧電素子が面する筐体1内の空間に発生する定在波の周波数がイヤホンの使用周波数帯域の外側にある場合、ブロック4の通孔5の開口部の位置は、当該定在波の節の位置に合わせなくてもよい。
(4)上記第5〜第8実施形態において、シート状圧電素子が面する筐体1内の空間に発生する定在波の周波数をイヤホンの使用周波数帯域の外側にシフトさせてもよい。具体的には、例えば図9に示すブロック4内の通孔5の枝分かれにおいて、シート状圧電素子3a側の開口部51から、放音孔12側の先端を廻り、開口部51の隣の開口部52を通って、開口部51に至る経路の経路長が波長となる周波数が、使用周波数帯域の下限周波数よりも低くなるようにする。あるいは当該周波数が使用周波数帯域の上限周波数より高くなるようにする。このようにすることで、シート状圧電素子3aとブロック4との間の音響空間に発生する定在波の周波数を使用周波数帯域の外側にシフトすることができ、定在波による音響特性への悪影響を無効にすることができる。
101〜108……イヤホン、1……筐体、2……イヤピース、11……接続管、12……放音孔、13……音道、3a,3b,3c,3d,3……シート状圧電素子、3S……側面部、3D1……第1底面部、……、3D2……第2底面部、4……ブロック、5……音道、50,51,52……開口部、31……多孔質膜、32,33……電極、61,62,63……空間、7……音響空間。

Claims (5)

  1. 中空の筐体と、
    前記筐体の少なくとも内壁の一部を覆い、音響空間に面するシート状圧電素子と
    を有することを特徴とするトランスデューサ。
  2. 前記シート状圧電素子は、前記筐体の内壁に固定されていることを特徴とする請求項1に記載のトランスデューサ。
  3. 前記筐体の内部に配置されたブロックを有することを特徴とする請求項1または2に記載のトランスデューサ。
  4. 前記ブロックは、前記シート状圧電素子に面する空気を前記筐体に設けられた放音孔に案内する通孔を有することを特徴とする請求項3に記載のトランスデューサ。
  5. 前記放音孔に近づくに従って前記通孔の断面積が大きくなることを特徴とする請求項4に記載のトランスデューサ。
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