JP2019086628A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】狭額縁化を実現する。【解決手段】絶縁基板と、絶縁基板を覆う第１層間膜と、第１層間膜上に配置される複数の端子部とを備え、第１層間膜は、半導体または遮光性の材料によって形成されるパターンとパターンを覆う第１絶縁膜を有し、パターンは、複数の端子部のうちの２つである第１端子と第２端子の直下に位置する、表示装置。【選択図】 図４

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。
近年、画像や映像を表示するための表示領域が大きな表示装置が好まれる傾向にある。一般的に、表示装置の大きさが大きくなれば、表示領域の大きさもまた大きくなるが、表示装置の大きさを変えずに、表示領域の大きさを大きくする場合、表示領域の周辺に配置される額縁（非表示領域）を狭額縁にする必要がある。つまり、表示装置の狭額縁化の要求が高まってきている。
特開２０１３−１５２４０９号公報
本実施形態の目的は、狭額縁化を実現可能な表示装置を提供することにある。
―実施形態によれば
絶縁基板と、前記絶縁基板を覆う第１層間膜と、前記第１層間膜上に配置される複数の端子部とを具備し、前記第１層間膜は、半導体または遮光性の材料によって形成されるパターンと前記パターンを覆う第１絶縁膜を有し、前記パターンは、前記複数の端子部のうちの２つである第１端子と第２端子の直下に位置する、表示装置が提供される。
一実施形態によれば、
表示領域において第１方向に延出する走査線と、非表示領域に配置される第１端子と、前記非表示領域に配置され、前記第１端子と前記第１方向で隣接する第２端子と、前記第１端子から引き出される第１配線と、前記第２端子から引き出される第２配線とを具備し、前記第２配線は、前記第１端子に重畳する、表示装置が提供される。
一実施形態によれば、
非表示領域に配置される端子群と、前記非表示領域に配置されるパネルＩＤとを具備し、前記パネルＩＤは、前記端子群の少なくとも一部と重畳する、表示装置が提供される。
図１は、一実施形態に係る表示装置の外観を示す平面図である。 図２は、図１に示した表示パネルに信号源が実装された一構成例を示す平面図である。 図３は、図１に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。 図４は、実装領域近辺を拡大した拡大図である。 図５は、引出配線の引き出し方の違いを説明するための図である。 図６は、第１パッド群に関するパッドの一つを拡大した拡大図である。 図７は、図６に示したパッドをＡ−Ｂ線で切断した場合の断面構造を示す図である。 図８は、第２パッド群に関するパッドの一つを拡大した別の拡大図である。 図９は、図８に示したパッドをＣ−Ｄ線で切断した場合の断面構造を示す図である。 図１０は、有機平坦化膜が形成される領域を示す図である。 図１１は、パネルＩＤ近辺を拡大した拡大図である。 図１２は、図１１に示したパネルＩＤをＥ−Ｆ線で切断した場合の断面構造を示す図である。 図１３は、パネルＩＤの一般的な配置例を示す図である。 図１４は、パネルＩＤ近辺を拡大した別の拡大図である。 図１５は、図１４に示したパネルＩＤをＧ−Ｈ線で切断した場合の断面構造を示す図である。 図１６は、パネルＩＤを下側遮光層で形成する場合の断面構造を示す図である。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの外観を示す平面図である。ここでは、互いに交差する第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面図を示している。図中の第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙと交差する方向である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で互いに交差していても良い。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置からＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。
本実施形態においては、表示装置の一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等にも適用可能である。
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ等を備えている。表示パネルＰＮＬは、例えば、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、液晶層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。非表示領域ＮＤＡは、ＩＣチップやフレキシブルプリント回路基板等の信号源が実装される実装領域ＭＡを含んでいる。
表示パネルＰＮＬの外観に着目すると、第１基板ＳＵＢ１は、第１方向Ｘに沿って延出した一対の短辺ＳＳ１１及びＳＳ１２と、第２方向Ｙに沿って延出した一対の長辺ＬＳ１１及びＬＳ１２と、４つのラウンド部Ｒ１１乃至Ｒ１４と、を有している。第２基板ＳＵＢ２は、短辺ＳＳ１１と重なる短辺ＳＳ２１と、長辺ＬＳ１１及びＬＳ１２とそれぞれ重なる長辺ＬＳ２１及びＬＳ２２と、ラウンド部Ｒ１１及びＲ１２とそれぞれ重なるラウンド部Ｒ２１及びＲ２２と、ラウンド部Ｒ２３及びＲ２４と、短辺ＳＳ２２と、を有している。短辺ＳＳ２２は、短辺ＳＳ１２とは重なっていない。より詳細には、ラウンド部Ｒ２３は短辺ＳＳ２２と長辺ＬＳ２１とをつなぎ、ラウンド部Ｒ２４は短辺ＳＳ２２と長辺ＬＳ２２とをつなぎ、ラウンド部Ｒ２３はラウンド部Ｒ１３と一部重なるように湾曲し、ラウンド部Ｒ２４はラウンド部Ｒ１４と一部重なるように湾曲している。実装領域ＭＡは、第１基板ＳＵＢ１において短辺ＳＳ１２と短辺ＳＳ２２との間に位置している。
表示領域ＤＡは、第１方向Ｘに沿って延出した一対の短辺ＳＳ１及びＳＳ２と、第２方向Ｙに沿って延出した一対の長辺ＬＳ１及びＬＳ２と、４つのラウンド部Ｒ１乃至Ｒ４と、を有している。短辺ＳＳ１及びＳＳ２、及び、長辺ＬＳ１及びＬＳ２は、隣り合うラウンド部をつなぐ直線部に相当する。より詳細には、表示領域ＤＡの境界を示すラウンド部Ｒと、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のラウンド部Ｒを、それぞれ定義する曲率半径は対応するラウンド部Ｒでそれぞれ一致しても良いし、それぞれ異なった曲率半径であっても良い。
また、実装領域ＭＡの幅、すなわち短辺ＳＳ１２と短辺ＳＳ２２との第２方向Ｙに沿った間隔は、非表示領域ＮＤＡの長辺側の幅、すなわち長辺ＬＳ１と長辺ＬＳ１１との第１方向Ｘに沿った間隔（あるいは長辺ＬＳ２と長辺ＬＳ１２との間隔）と比較して同程度もしくはそれ以下の幅となっている。また、非表示領域ＮＤＡの短辺側の幅、ここでは、短辺ＳＳ１と短辺ＳＳ１１との第２方向Ｙに沿った間隔は、非表示領域ＮＤＡの長辺側の幅と同等である。
本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬに信号源が実装された一構成例を示す平面図である。
図示した例では、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬの実装領域ＭＡに実装されたフレキシブルプリント回路基板Ｆと、フレキシブルプリント回路基板Ｆに実装されたＩＣチップＣＰと、を備えている。ＩＣチップＣＰは、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。図中において、ＩＣチップＣＰは一点鎖線で示し、ディスプレイドライバＤＤは点線で示し、いわゆるＣＯＦ（Chip on Film）の構造となっている。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップＣＰは、実装領域ＭＡに実装されている、いわゆるＣＯＧ（Chip on Glass）の構造であっても良い。
図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの一例としての基本構成及び等価回路を示す図であり、図１に示したようなラウンド部Ｒについては省略している。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、マトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥ等を備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していても良い。それら一部が屈曲した走査線Ｇ及び信号線Ｓであっても第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに延出するものとする。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。
走査線Ｇは、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。信号線Ｓは、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。共通電極ＣＥは、共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、非表示領域ＮＤＡにおいて、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図２に示したＩＣチップＣＰに内蔵されていても良い。一例では、走査線駆動回路ＧＤは、図１に点線で示したように、長辺ＬＳ１と長辺ＬＳ１１との間、及び、長辺ＬＳ２と長辺ＬＳ１２との間に設けられる。但し、各駆動回路のレイアウトは、図示した例に限られるものではない。
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。
なお、表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、或いは、基板主面の法線に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モードでは、画素電極ＰＥが第１基板ＳＵＢ１に備えられる一方で、共通電極ＣＥが第２基板ＳＵＢ２に備えられる。また、基板主面に沿った横電界を利用する表示モードでは、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が第１基板ＳＵＢ１に備えられている。さらには、表示パネルＰＮＬは、上記の縦電界、横電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。なお、ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面に相当する。
図４は、実装領域ＭＡ近辺を拡大した拡大図である。
実装領域ＭＡには、フレキシブルプリント回路基板Ｆから走査線駆動回路ＧＤと信号線駆動回路ＳＤに信号や電圧を供給するために、多数のパッド（端子）ＰＤが形成されている。多数のパッドＰＤは、第１方向Ｘに沿って並ぶように形成され、１のパッドＰＤと、当該１のパッドＰＤに隣接する別のパッドＰＤとには所定の間隔が設けられる。多数のパッドＰＤのうち、図中左側に位置する第１パッド群ＰＤＧ１は、引出配線Ｌ１により一方の走査線駆動回路ＧＤに接続されている。同様に、多数のパッドＰＤのうち、図中中央に位置する第２パッド群ＰＤＧ２は、引出配線Ｌ２により信号線駆動回路ＳＤに接続されている。さらに、多数のパッドＰＤのうち、図中右側に位置する第３パッド群ＰＤＧ３は、引出配線Ｌ３により第１パッド群ＰＤＧ１が接続する走査線駆動回路ＧＤとは異なる走査線駆動回路ＧＤに接続されている。
引出配線Ｌ１は、第１パッド群ＰＤＧ１に含まれる多数のパッドＰＤのガラス端側から各々引き出される。同様に、引出配線Ｌ３は、第３パッド群ＰＤＧ３に含まれる多数のパッドＰＤのガラス端側から各々引き出される。一方で、引出配線Ｌ２は、第２パッド群ＰＤＧ２に含まれる多数のパッドＰＤの反ガラス端側から各々引き出される。
図中左側の最も外側に位置するパッドＰＤから引き出される引出配線Ｌ１を除いた引出配線Ｌ１は、自身が引き出されるパッドＰＤから見て、引出方向（図中左方向）に隣接する（位置する）他のパッドＰＤに重畳する。なお、図中左側の最も外側に位置するパッドＰＤから引き出される引出配線Ｌ１は、他のパッドＰＤに重畳しない。同様に、図中右側の最も外側に位置するパッドＰＤから引き出される引出配線Ｌ３を除いた引出配線Ｌ３は、自身が引き出されるパッドＰＤから見て、引出方向（図中右方向）に隣接する（位置する）他のパッドＰＤに重畳する。なお、図中右側の最も外側に位置するパッドＰＤから引き出される引出配線Ｌ３は、他のパッドＰＤに重畳しない。一方で、引出配線Ｌ２は、自身が引き出されるパッドＰＤ以外の他のパッドＰＤに重畳しない。
なお、図４では、各引出配線Ｌ１が平行になるように第１パッド群ＰＤＧ１から引き出されている場合を例示しているが、これに限定されず、各引出配線Ｌ１は平行に引き出されなくても良い。同様に、各引出配線Ｌ３もまた、平行に引き出されなくても良い。
ここで、図５を参照して、走査線駆動回路ＧＤに接続する引出配線Ｌの一般的な引き出し方と本実施形態における引き出し方との違いについて説明する。図５は、引出配線Ｌの引き出し方の違いを説明するための図である。
走査線駆動回路ＧＤに接続する引出配線Ｌは、一般的には、図５の点線にて示されるように、パッドＰＤの上端から引き出される。このとき、引出配線Ｌは、所定以上の傾きをもって引き出す必要がある。これは、引出配線Ｌの傾きが所定以下、つまり、緩やかになり過ぎると、引出配線Ｌの線幅が細くなり、抵抗が大きくなってしまうという不都合を招くためである。このため、引出配線Ｌは所定以上の傾きをもって引き出す必要があり、この都合上、引出配線Ｌを走査線駆動回路ＧＤに向けて引き出すためには第２方向Ｙに所定の長さ（高さ）を有したスペースが必要になってくる。これによれば、表示パネルＰＮＬの額縁を一定以上小さくすることができない（換言すると、表示領域を拡張することができない）という不都合が生じてしまう。
これに対し、本実施形態に係る引出配線Ｌは、図５の実線にて示されるように、パッドＰＤの下端から引き出されている。つまり、引出配線Ｌを走査線駆動回路ＧＤに向けて引き出すために必要な第２方向Ｙへの高さ（スペース）を、パッドＰＤの下端から取ることができ、引出配線Ｌの引き出し位置をパッドＰＤの上端からパッドＰＤの下端に下げた分だけ、表示領域ＤＡを拡張することが可能となる。具体的には、高さＨ分だけ表示領域ＤＡを拡張することが可能となる。これによれば、表示パネルＰＮＬの狭額縁化を実現させることが可能となる。
なお、詳細については後述するが、表示パネルＰＮＬの個体識別番号もしくは個体識別マークであるパネルＩＤ１００が、第２パッド群ＰＤＧ２に重畳するようにして形成される。
図６は、図４の一点鎖線にて囲まれる領域を含む、すなわち、パッドＰＤの一つを拡大した図であり、例えば第１パッド群ＰＤＧ１に関するものである。図７は、図６に示したパッドＰＤをＡ−Ｂ線で切断した場合の断面構造を示す図である。
パッドＰＤは、第１パッド部ｐｄ１と、第２パッド部ｐｄ２とを積層した積層体によって構成されている。パッドＰＤは、第１絶縁基板１０、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第1金属層ＧＬ１、第３絶縁膜１３より上に形成されている。
第１絶縁基板１０は、例えば、光透過性を有するガラス基板や可撓性を有する樹脂基板等によって形成されている。なお、上記ガラス端とは、例えば第１絶縁基板１０がガラス基板であった場合の第１絶縁基板の基板端を指す用語であり、単に基板端と称しても良い。また、第１絶縁基板１０が樹脂基板である場合、その端部は樹脂端と称されても良いし、単に基板端と称されても良い。この第１絶縁基板１０の上には、第１絶縁膜１１が位置している。第１絶縁膜１１は、単層構造であっても多層構造であっても良く、例えば、シリコン窒化物膜（ＳｉＮ）とシリコン酸化物膜（ＳｉＯ２）とによって形成されている。この第１絶縁膜１１の上には、第２絶縁膜１２が位置している。第２絶縁膜１２は、例えば、シリコン酸化物膜（ＳｉＯ２（ＴＥＯＳ））によって形成されている。
第１金属層ＧＬ１は、第２絶縁膜１２の上に位置している。第１金属層ＧＬ１は、フレキシブルプリント回路基板Ｆからの信号を供給するための引出配線Ｌ（この場合引出配線Ｌ１）と一体的あるいは連続的に形成されている。第１金属層ＧＬ１は、引出配線Ｌ以外にも、例えば表示領域ＤＡにおける画素ＰＸの走査線Ｇを形成するものであり、引出配線Ｌと走査線Ｇは同じ金属層であり、例えばモリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）等の遮光性の金属材料や、これら遮光性の金属材料を組み合わせた合金によって形成され、また同じ製造過程にて形成されている。
第３絶縁膜１３は、第１金属層ＧＬ１を覆うように形成され、この第３絶縁膜１３には、第１金属層ＧＬ１、つまり引出配線Ｌまで貫通するコンタクトホールＣＨが形成されている。第３絶縁膜１３は、例えば、シリコン窒化物膜（ＳｉＮ）とシリコン酸化物膜（ＳｉＯ２）とによって形成されている。
パッドＰＤを構成する第１パッド部ｐｄ１は、第３絶縁膜１３の上に島状に形成されると共に、コンタクトホールＣＨで、引出配線Ｌ１と一体的に（連続的に）形成される第１金属層ＧＬ１にコンタクトしている。第１パッド部ｐｄ１は引出配線Ｌを示す第１金属層に対して第２金属層とも表現できる。第１パッド部ｐｄ１の外形は、第１金属層ＧＬとコンタクトするためのコンタクトホールＣＨよりも大きく形成される。第１パッド部ｐｄ１は、例えば表示領域ＤＡにおける画素ＰＸの信号線Ｓと同じ金属層であり、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）やチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（ＡＬ）等の遮光性の金属材料や、これら遮光性の金属材料を組み合わせた合金によって形成されている。この第１パッド部ｐｄ１は、フレキシブルプリント回路基板Ｆと電気的に接続される。
第３絶縁膜１３の上には、第１透明導電膜ＣＥ、第４絶縁膜１４、第２透明導電膜ＰＥが順に積層している。第４絶縁膜１４には、第３絶縁膜１３に形成されるコンタクトホールと同様に、第１パッド部ｐｄ１まで貫通するコンタクトホールＣＨが形成され、第１透明導電膜ＣＥと第２透明導電膜ＰＥとによって構成される第２パッド部ｐｄ２は、このコンタクトホールＣＨで第１パッド部ｐｄ１とコンタクトしている。第２パッド部ｐｄ２の外形は、第１パッド部ｐｄ１とコンタクトするためのコンタクトホールＣＨよりも大きく形成される。第２パッド部ｐｄ２を構成する第１透明導電膜ＣＥは、例えば表示領域ＤＡにおける画素ＰＸの共通電極ＣＥを形成する透明導電膜と同じ材料、同じ製造工程で形成されるものであり、第２透明導電膜ＰＥは、例えば、表示領域ＤＡにおける画素ＰＸの画素電極ＰＥを形成する透明導電膜と同じ材料、同じ製造工程で形成されるものである。なお、画素ＰＸの層構造によっては第１透明導電膜が画素電極ＰＥと同じ製造工程にて形成されるものとなり、第２透明導電膜が共通電極ＣＥと同じ製造工程にて形成されるものとなる構造であっても良い。第１透明導電膜ＣＥ及び第２透明導電膜ＰＥは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）等の透明導電膜によって形成されている。第４絶縁膜１４は、例えば、シリコン窒化物膜（ＳｉＮ）によって形成されている。
なお、図６及び図７では、パッドＰＤが第２金属層としての第１パッド部ｐｄ１と、第１透明導電膜ＣＥ及び第２透明導電膜ＰＥを含む第２パッド部ｐｄ２とによって構成される場合を例示したが、パッドＰＤの構成はこれに限定されず、例えば、金属層からなる第３金属層としての第３パッド部ｐｄ３をさらに含む構成であっても良い。この場合の構成を図８及び図９に示す。
図８は、図６とは異なるパッドＰＤの一つを拡大した図であり、例えば第２パッド群ＰＤＧ２に関するものである。図９は、図８に示したパッドＰＤをＣ−Ｄ線で切断した場合の断面構造を示す図である。図８及び図９に示す構成は、第３金属層としての第３パッド部ｐｄ３をさらに含む点で図６及び図７に示した構成と相違する。また、図８に示すパッドＰＤは、第２パッド群ＰＤＧ２に関するものであるので、パッドＰＤのガラス端側（引出配線Ｌ２の引出方向とは反対側）にパネルＩＤ１００が配置されている点でも図６に示した構成と相違する。但し、パネルＩＤ１００の詳細については後述するため、ここではその詳しい説明は省略する。
第３パッド部ｐｄ３は、第１パッド部ｐｄ１上に位置し、第２パッド部ｐｄ２を構成する第１透明導電膜ＣＥによって覆われている。つまり、第３パッド部ｐｄ３の外形は、第１パッド部ｐｄ１より大きく、第２パッド部ｐｄ２より小さい。この第３パッド部ｐｄ３は、例えば走査線Ｇ（第１金属層ＧＬ）や信号線Ｓ（第２金属層）と異なる層に形成された金属層であり、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）やチタン（Ｔｉ）、アルミニウム（ＡＬ）、モリブデン（Ｍｏ）等の遮光性の金属材料や、これら遮光性の金属材料を組み合わせた合金によって形成されている。なお、第３パッド部ｐｄ３が、第１パッド部ｐｄ１と第２パッド部ｐｄ２との間に形成されていること以外は、図６及び図７に示した構成と同様であるため、その他の構成の詳細な説明はここでは省略する。同様に図６及び図７に示した構造においても第１パッド部ｐｄ１と第２パッド部ｐｄ２との間に第３パッド部ｐｄ３が形成される構造であっても良い。
また、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬにおいては、図１０に示すように、第１基板ＳＵＢ１の実装領域ＭＡのうち、多数のパッドＰＤが形成されるパッド形成領域ＰＤＲを除いた領域に、有機平坦化膜ＨＲＣが形成されている。より詳しくは、有機平坦化膜ＨＲＣは、実装領域ＭＡのうちのパッド形成領域ＰＤＲを除いた領域に形成され、この領域は、パッドＰＤの辺のうち、第２方向Ｙの辺の中央部分まで延在している。なお、有機平坦化膜ＨＲＣの上には、第４絶縁膜１４が形成され、一例では有機平坦化膜ＨＲＣは第３絶縁膜１３と第４絶縁膜１４に挟まれている。例えば図８及び図９にて説明した第３パッド部ｐｄ３の第３金属層はパッド形成領域ＰＤＲ外においてはこの有機平坦化膜ＨＲＣ上に形成され、引出配線Ｌと有機平坦化膜ＨＲＣに形成されたコンタクトホールを介して接続される引継配線として形成されるものであっても良い。
図１１は、図４に示したパネルＩＤ１００近辺を拡大した図であり、図１２は、図１１に示したパネルＩＤ１００をＥ−Ｆ線で切断した場合の断面構造を示す図である。なお、図１１に示すパネルＩＤ１００の模様（パターン）は一例であり、黒の模様部分には半導体層（後述する半導体層ＳＣ）があり、白の模様部分には半導体層がないことを示すものではない。
パネルＩＤ１００は、第１金属層ＧＬ１と第１パッド部ｐｄ１とがコンタクトするためのコンタクトホールＣＨがパッド上端（反ガラス端側若しくは反基板端側）に形成される第２パッド群ＰＤＧ２の下層に形成される。換言すると、パネルＩＤ１００は、引出配線ＬがパッドＰＤの上端（反基板端側）から引き出されるパッド群の下層に形成される。
パネルＩＤ１００は、第１金属層ＧＬよりも下層に位置する半導体層ＳＣによって構成される。パネルＩＤ１００は、上記したように表示パネルＰＮＬの個体識別番号もしくは個体識別マークであり、ＴＦＴガラス面（裏面）から読取可能なものである。
パネルＩＤ１００を構成する半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１の上に島状に形成され、第２絶縁膜１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコン（Ｐ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等によって形成される。パネルＩＤ１００は、パネルＩＤ１００を構成する複数の半導体層ＳＣの模様（パターン）に応じて、表示パネルＰＮＬの個体識別番号もしくは個体識別マークを表す。
第２絶縁膜１２の上、つまり、引出配線Ｌ２と一体的に（連続的に）形成される第１金属層ＧＬ１と同層には、第１金属層ＧＬ２がベタで、かつ第１金属層ＧＬ１とは離間して形成されている。第１金属層ＧＬ２の外形は、パネルＩＤ１００の外形よりも大きい。この第１金属層ＧＬ２は、例えば、第１金属層ＧＬ１と同一の金属材料によって形成され、上記した金属材料等が適用可能である。
第１金属層ＧＬ２がパネルＩＤ１００を構成する半導体層ＳＣより上方にベタで形成され、かつ外形がパネルＩＤ１００の外形よりも大きくなるように形成されることで、第１金属層ＧＬ２は、ＴＦＴガラス面からパネルＩＤ１００を読み取る際の背景として機能する。
第１金属層ＧＬ２の上には、第３絶縁膜１３が位置し、その上には第１パッド部ｐｄ１が島状に形成されている。第１パッド部ｐｄ１の上には、第１透明導電膜ＣＥ、第４絶縁膜１４、第２透明導電膜ＰＥが順に積層されている。
パネルＩＤ１００が第２パッド群ＰＤＧ２の下層に形成されることで、次のような利点を得ることができる。
まず、図１３を参照して、パネルＩＤ１００の一般的な配置について説明する。図１３は、パネルＩＤ１００の一般的な配置例を示す図である。なお、図中のＡＭはアライメントマークであり、このアライメントマークＡＭはフレキシブルプリント回路基板Ｆを貼り合わせる際の位置調整に使用される。
パネルＩＤ１００は、一般的に、多数のパッドＰＤの横に設けられる専用のスペースＳＰに配置されている。つまり、パネルＩＤ１００を配置するための専用のスペースＳＰを非表示領域ＮＤＡに設ける必要があり、この都合上、表示パネルＰＮＬの額縁を一定以上小さくすることができない（換言すると、表示領域を拡張することができない）という不都合が生じてしまう。また近年、表示パネルＰＮＬの角部を丸める等、表示パネルＰＮＬの形状を四角形とは異なる形状にする異形化の需要が高まってきているが、パネルＩＤ１００を配置するための専用のスペースＳＰは、異形化に際して邪魔になる恐れがある。
これに対し、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬは、第２パッド群ＰＤＧ２の下層にパネルＩＤ１００を配置し、パネルＩＤ１００を配置するための専用のスペースＳＰを設ける必要がないため、この専用のスペースＳＰの分だけ表示領域ＤＡを拡張することが可能となる。つまり、表示パネルＰＮＬの狭額縁化を実現させることが可能となる。
また、表示パネルＰＮＬの異形化に際しても、パネルＩＤ１００は、フレキシブルプリント回路基板Ｆを実装するために必ず配置される多数のパッドＰＤの下層（この場合第２パッド群ＰＤＧ２の下層）に配置されるため、表示パネルＰＮＬの形状の自由度を高めることが可能である。
なお、本実施形態では、図１１及び図１２に示したように、第１金属層ＧＬ２が、パネルＩＤ１００を構成する半導体層ＳＣよりも上にベタで形成され、かつ外形がパネルＩＤ１００の外形よりも大きくなるように形成されることで、第１金属層ＧＬ２がパネルＩＤ１００を読み取る際の背景として機能する場合を例示したが、これに限定されず、パネルＩＤ１００を読み取る際に背景として機能するものは第１金属層ＧＬ２でなくても良い。
図１４は、図１１とは異なる、パネルＩＤ１００近辺を拡大した図であり、図１５は、図１４に示したパネルＩＤ１００をＧ−Ｈ線で切断した場合の断面構造を示す図である。図１４及び図１５に示す構成は、第１金属層ＧＬ２が配置されずに、パッドＰＤ間に１以上のダミーパターンＤＰが形成される点で図１１及び図１２に示した構成と相違する。
なお、図１１同様、図１４に示すパネルＩＤ１００の模様（パターン）は一例であり、黒の模様部分には半導体層ＳＣがあり、白の模様部分には半導体層ＳＣがないことを示すものではない。
パネルＩＤ１００を構成する半導体層ＳＣは、図１１及び図１２に示した構成と同様に、第１絶縁膜１１の上に島状に形成され、第２絶縁膜１２によって覆われている。第２絶縁膜１２の上には、第３絶縁膜１３が位置している。第３絶縁膜１３の上には、第１パッド部ｐｄ１が島状に形成されると共に、第１パッド部ｐｄ１間には、１以上のダミーパターンＤＰが形成されている。なお、図１４及び図１５では、２本のダミーパターンＤＰが形成されている場合を例示したが、ダミーパターンＤＰの本数は１以上であれば良い。但し、ショートのリスクを避ける観点によれば、ダミーパターンＤＰは、図１４及び図１５に示すように、複数本形成される方が好ましい。
ダミーパターンＤＰは、例えば、第１パッド部ｐｄ１と同一の金属材料によって形成され、上記した金属材料等が適用可能である。また、ダミーパターンＤＰの第１方向Ｘの長さ（幅）は表示領域ＤＡに延びる信号線Ｓの線幅に比べて太い。さらに、第１パッド部ｐｄ１及びダミーパターンＤＰ間の長さ、及び２つのダミーパターンＤＰ間の長さは、半導体層ＳＣの第１方向Ｘの長さ（幅）の最小値（換言すると１ドット）よりも十分に小さい。
第１パッド部ｐｄ１の上には、第１透明導電膜ＣＥ、第４絶縁膜１４、第２透明導電膜ＰＥが順に積層し、ダミーパターンＤＰもまた、第４絶縁膜１４によって覆われている。
図１４及び図１５に示したように、パッドＰＤ間に１以上のダミーパターンＤＰが形成されることで、パッドＰＤ間に存在する１以上のスリットがパネルＩＤ１００を構成する半導体層ＳＣの幅の最小値よりも十分に小さくなり、かつパターン密度が一定になる（換言すると、スリットが占める割合を少なくすることができる）ため、図１１及び図１２に示した第１金属層ＧＬ２の代わりに、パッドＰＤ及びダミーパターンＤＰを、パネルＩＤ１００を読み取る際の背景として機能させることが可能となる。
なお、本実施形態では、パネルＩＤ１００が半導体層ＳＣによって構成される場合を例示したが、これに限定されず、パネルＩＤ１００は半導体層ＳＣよりも下層に配置される下側遮光層ＵＳによって構成されても良い。この場合の構成を図１６に示す。
下側遮光層ＵＳは、第１絶縁基板１０の上に島状に形成され、第１絶縁膜１１によって覆われている。この下側遮光層ＵＳは、黒色樹脂や遮光性の金属等によって形成される。図１６に示すように、下側遮光層ＵＳによってパネルＩＤ１００を構成する場合、第１金属層ＧＬ２を形成せずに、半導体層ＳＣが背景としてベタで形成されても良い。
もしくは、下側遮光層ＵＳによってパネルＩＤ１００を構成する場合、ここでは図示しないが、半導体層ＳＣを形成せずに、第１金属層ＧＬ２が背景としてベタで形成されても良い。さらには、半導体層ＳＣや第１金属層ＧＬ２を形成せずに、パッドＰＤ間にダミーパターンＤＰを形成することで、パッドＰＤ及びダミーパターンＤＰを背景として機能させても良い。
本実施形態では、引出配線Ｌと、引出配線Ｌと一体的に（連続的に）形成される第１金属層ＧＬ１とパネルＩＤ１００を引出配線パターンや識別マークパターンのように、パターンと総称し、パッドＰＤの下層に形成される場合を例示したが、パッドＰＤの下層に形成されるパターンはこれに限定されず、例えば、位置調整用のアライメントマークや、バーコード、数字やアルファベット等がパッドＰＤの下層に形成されても良い。
なお、上記したように、第１金属層ＧＬ１、引出配線Ｌ及びパネルＩＤ１００を第１パターンと総称する場合、パネルＩＤ１００の背景として機能する第１金属層ＧＬ２やダミーパターンＤＰを各々第２パターンと呼称しても良い。
以上説明したように、本実施形態によれば、狭額縁化を実現可能な表示装置を提供することができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１００…パネルＩＤ、ＧＤ…走査線駆動回路、ＳＤ…信号線駆動回路、Ｌ１〜Ｌ３…引出配線、ＰＤ…パッド、ＰＤＧ１〜ＰＤＧ３…第１〜第３パッド群、ＭＡ…実装領域。

Claims (11)

  1. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板を覆う第１層間膜と、
    前記第１層間膜上に配置される複数の端子部と
    を具備し、
    前記第１層間膜は、半導体または遮光性の材料によって形成されるパターンと前記パターンを覆う第１絶縁膜を有し、
    前記パターンは、前記複数の端子部のうちの２つである第１端子と第２端子の直下に位置する、表示装置。
  2. 前記パターンは、遮光性の金属配線であり、前記第１絶縁膜に形成されるコンタクトホールを介して前記第１端子と接続され、前記第２端子の直下に位置し、前記第２端子とは前記第１絶縁膜により絶縁されている、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記パターンは、半導体により形成された識別マークであり、前記第１絶縁膜によって前記複数の端子部からフローティング状態にある、請求項１に記載の表示装置。
  4. 表示領域において第１方向に延出する走査線と、
    非表示領域に配置される第１端子と、
    前記非表示領域に配置され、前記第１端子と前記第１方向で隣接する第２端子と、
    前記第１端子から引き出される第１配線と、
    前記第２端子から引き出される第２配線と
    を具備し、
    前記第２配線は、前記第１端子に重畳する、表示装置。
  5. 前記第１配線は、前記第２端子に重畳しない、請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記第２端子は、第１金属層で形成され、
    前記第２配線は、前記第１金属層とは異なる第２金属層で形成され、
    前記第２端子と前記第２配線とは、前記第２端子の第１端部にて接続し、
    前記第１端部は、前記第１方向と交差する第２方向において、前記表示領域とは反対側に位置する、請求項４または請求項５に記載の表示装置。
  7. 非表示領域に配置される端子群と、
    前記非表示領域に配置されるパネルＩＤと
    を具備し、
    前記パネルＩＤは、前記端子群の少なくとも一部と重畳する、表示装置。
  8. 前記端子群は、第１金属層で形成され、
    前記パネルＩＤは、前記第１金属層とは異なる材料で形成され、
    前記端子群と前記パネルＩＤとの間には、絶縁膜が配置される、請求項７に記載の表示装置。
  9. 前記パネルＩＤは、半導体層で形成される、請求項８に記載の表示装置。
  10. 前記パネルＩＤと前記絶縁膜との間には、第２金属層が配置され、
    前記第２金属層は、前記パネルＩＤの外形より大きな外形を有する、請求項８または請求項９に記載の表示装置。
  11. 前記端子群に含まれる複数の端子の間には、前記第１金属層で形成された１以上の金属線が配置される、請求項８または請求項９に記載の表示装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN206074968U (zh) * 2016-10-14 2017-04-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
KR102454275B1 (ko) * 2017-12-19 2022-10-12 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 제조방법
KR102511074B1 (ko) * 2018-05-10 2023-03-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200115807A (ko) 2019-03-26 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210079614A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN111445806B (zh) * 2020-04-16 2022-07-26 上海中航光电子有限公司 显示面板和显示装置
KR20220033591A (ko) * 2020-09-08 2022-03-17 삼성전자주식회사 반도체 장치
CN112510015B (zh) * 2020-11-30 2024-02-20 武汉天马微电子有限公司 显示面板以及电子设备

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040960A (ja) * 2000-07-24 2002-02-08 Seiko Epson Corp 薄膜装置、トランジスタアレイ基板、電気光学装置および薄膜装置の製造方法
JP2003255853A (ja) * 2002-03-06 2003-09-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置、および電子機器
WO2009016858A1 (ja) * 2007-07-27 2009-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha 回路基板、表示装置及び液晶表示装置
JP2010072256A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Nec Lcd Technologies Ltd 引出線配線装置、画像表示装置及び引出線配線装置の製造方法
WO2010058619A1 (ja) * 2008-11-19 2010-05-27 シャープ株式会社 回路基板、表示パネル及び表示装置
CN103257499A (zh) * 2013-05-28 2013-08-21 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
WO2013140760A1 (ja) * 2012-03-21 2013-09-26 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた表示パネル
US20160105952A1 (en) * 2014-10-14 2016-04-14 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device having touch screen and test method of touch panel
CN107300793A (zh) * 2017-06-30 2017-10-27 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100394069B1 (ko) * 1999-09-01 2003-08-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널의 고유번호 표시부의 구조 및 그 제조방법
KR100390456B1 (ko) * 2000-12-13 2003-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법
CN100495051C (zh) * 2005-06-01 2009-06-03 友达光电股份有限公司 一种电性测试结构及具有此结构的液晶面板
JP5604457B2 (ja) 2012-01-26 2014-10-08 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US9524683B2 (en) * 2012-07-20 2016-12-20 Sharp Kabushiki Kaisha Display device with signal lines routed to decrease size of non-display area
KR20150105568A (ko) * 2014-03-07 2015-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102282998B1 (ko) * 2014-09-19 2021-07-29 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판, 디스플레이 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 디스플레이 장치 제조방법
JP2018025671A (ja) * 2016-08-10 2018-02-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20180027692A (ko) * 2016-09-06 2018-03-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040960A (ja) * 2000-07-24 2002-02-08 Seiko Epson Corp 薄膜装置、トランジスタアレイ基板、電気光学装置および薄膜装置の製造方法
JP2003255853A (ja) * 2002-03-06 2003-09-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置、および電子機器
WO2009016858A1 (ja) * 2007-07-27 2009-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha 回路基板、表示装置及び液晶表示装置
JP2010072256A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Nec Lcd Technologies Ltd 引出線配線装置、画像表示装置及び引出線配線装置の製造方法
WO2010058619A1 (ja) * 2008-11-19 2010-05-27 シャープ株式会社 回路基板、表示パネル及び表示装置
WO2013140760A1 (ja) * 2012-03-21 2013-09-26 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びそれを備えた表示パネル
CN103257499A (zh) * 2013-05-28 2013-08-21 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 Tft-lcd阵列基板及其制造方法
US20160105952A1 (en) * 2014-10-14 2016-04-14 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device having touch screen and test method of touch panel
CN107300793A (zh) * 2017-06-30 2017-10-27 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

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