JP2019068021A - 透明ディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents

透明ディスプレイパネル及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2019068021A
JP2019068021A JP2017217989A JP2017217989A JP2019068021A JP 2019068021 A JP2019068021 A JP 2019068021A JP 2017217989 A JP2017217989 A JP 2017217989A JP 2017217989 A JP2017217989 A JP 2017217989A JP 2019068021 A JP2019068021 A JP 2019068021A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern layer
primer
layer
via hole
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017217989A
Other languages
English (en)
Inventor
ギュ キム、ソン
Sun Gyu Kim
ギュ キム、ソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
First Move Co Co Ltd
Original Assignee
First Move Co Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by First Move Co Co Ltd filed Critical First Move Co Co Ltd
Publication of JP2019068021A publication Critical patent/JP2019068021A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49827Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4846Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/486Via connections through the substrate with or without pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H01L21/76816Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838Geometry or layout
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/90Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832Applying energy for connecting
    • H01L2224/8321Applying energy for connecting using a reflow oven

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

【課題】 化学的なエッチング工程を経ることなく、触媒を含むプライマーパターン層の上に導電性パターン層が無電解めっきにより形成されて配線をなす透明ディスプレイパネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、第1の面及び第2の面を有し、ビア孔を有する透明パネル層と、前記第1の面及び前記ビア孔の内周面の一部又は全部に配備される第1のプライマーパターン層と、前記第2の面及び前記ビア孔の内周面の一部又は全部に配備され、前記ビア孔の内周面において前記第1のプライマーパターン層と連設される第2のプライマーパターン層と、前記プライマーパターン層のパターンの上に形成されて、前記透明パネル層の第1の面、第2の面及び前記ビア孔の内周面に配線をなす導電性パターン層と、を備え、前記プライマーパターン層及びプライマーパターン層は、前記導電性パターン層を無電解めっきで形成するための触媒を含む透明ディスプレイパネルに関するものである。【選択図】 図1

Description

本発明は、透明ディスプレイパネル及びその製造方法に係り、更に詳しくは、ビア孔を有して両面に配線が形成される透明ディスプレイパネル及びその製造方法に関する。
ディスプレイパネルは、高分子樹脂などの材質の基材の上に銅箔を積層し、パターン印刷及びエッチングなどの技術により配線のための銅箔を設計回路と一致するようにパターンを完成したものである。
最近の電子技術の発達には目を見張るものがあり、これに伴い、ディスプレイパネルの柔軟性及び配線の高密度化が求められて、その小型化及び薄肉化が進んでおり、形成されるビアの数も増えつつある。
ビア孔(Via Hole)は、ディスプレイパネルの両面に印刷された配線を接続するめっき導通孔であり、一般的には、基材に孔あけ作業を行った後、無電解又は電解めっき及び化学的なエッチングを用いて配線を形成する。
より具体的に、ビア孔を有するディスプレイパネルを作製するための従来の工程は、まず、基材の上下部に銅箔層を形成し、孔あけ作業(drilling operation)を行った後、電気めっき(electroplate)を行う。次いで、基材に多数のエッチング済み領域を形成するために感光性フィルムを貼着し、露光、現像、腐食及び剥離といった工程を行って所望のパターンの配線を形成する。
このように、従来の工程は、複雑であり、生産性を低下させる他、不良率を高めるという不都合がある。なお、エッチング過程においてかなりの廃棄物が発生して環境問題を引き起こし、透明なディスプレイパネルを作製する場合、エッチングに際してめっき膜が引き剥がされた部分の一括的な透明性を確保し難く、場合によって黄変が生じるという不具合がある。
大韓民国公開特許第10−2013−0117667号公報(2013年10月28日) 大韓民国登録特許第10−1518394号公報(2015年04月30日)
本発明は、上述した問題を解消するために案出されたものであって、化学的なエッチング工程を経ることなく、触媒を含むプライマーパターン層の上に導電性パターン層が無電解めっきにより形成されて配線をなす透明ディスプレイパネル及びその製造方法を提供するところにその目的がある。
しかしながら、本発明の目的は、上述した目的に何等制限されるものではなく、未言及の他の目的は、次の記載から当業者にとって明確に理解できる筈である。
上記の目的を達成するために案出された本発明による透明ディスプレイパネルは、パネル状を呈し、パネルの上面からなる第1の面及びパネルの底面からなる第2の面を有し、前記第1の面及び第2の面を通過するビア孔を有する透明パネル層と、前記第1の面及び前記ビア孔の内周面の一部又は全部に配備される第1のプライマーパターン層と、前記第2の面及び前記ビア孔の内周面のうち前記第1のプライマーパターン層が配備されない前記ビア孔の一部及び前記第2の面に配備されるか、或いは、前記第1のプライマーパターン層が配備されない前記第2の面に配備され、前記ビア孔の内周面において前記第1のプライマーパターン層と連設される第2のプライマーパターン層と、前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層のパターンの上に形成されて、前記透明パネル層の第1の面、第2の面及び前記ビア孔の内周面に配線をなす導電性パターン層と、前記透明パネル層及び導電性パターン層の上に貼合された発光素子と、前記発光素子の接着により前記発光素子同士の空間を埋め込むように前記透明パネル層に配備されるレベリング層と、を備え、前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層は、前記導電性パターン層を無電解めっきで形成するための触媒を含むことを特徴とする。
また、本発明の前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層は、前記ビア孔の周りに形成される前記透明パネル層の第1の面又は第2の面に配備される円形パターン層と、前記円形パターン層に連設される前記透明パネル層の第1の面又は第2の面に配備される配線パターン層と、前記円形パターン層に連設される前記ビア孔の内周面の全部又は一部に配備される導通パターン層と、を備えることを特徴とする。
更に、本発明の前記ビア孔の直径は200〜500μmであり、前記円形パターン層の円形パターンは、直径が前記ビア孔の直径よりも20〜30%大きいことを特徴とする。
更にまた、本発明の前記プライマーパターン層は、パラジウム塩を含む触媒、環状ケトン類溶媒、エポキシ樹脂及び硬化剤を含むプライマーインキにより形成されたパターン層であり、前記パラジウム塩を含む触媒は、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、テトラクロロパラジウム酸カリウム、テトラミンジクロロパラジウム、ジニトロジアンミンパラジウム及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる物質を含むことを特徴とする。
更にまた、本発明の前記プライマーインキは、前記プライマーインキの総重量に対して、前記パラジウム塩を含む触媒は20〜35重量%、前記環状ケトン類溶媒は30〜50重量%、前記エポキシ樹脂は20〜30重量%、前記硬化剤は0.5〜5重量%で含むことを特徴とする。
更にまた、本発明の前記プライマーパターン層は、前記プライマーインキを用いて配線状に印刷し、80〜100℃において5〜10分間硬化させた後に還元させて形成したパターンであることを特徴とする。
更にまた、本発明の前記透明パネル層は、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレートPET、ポリアリールスルホン、ポリエーテルイミド、耐熱性エポキシ、ポリアリレートイミド及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる物質により形成された透光性の軟性基材層であることを特徴とする。
更にまた、本発明による透明ディスプレイパネルは、前記導電性パターン層の上に無電解めっきにより形成されたNi/Au層を更に備え、前記Ni層の厚さは0.8〜1.5μmであり、前記Au層の厚さは0.02μm〜0.04μmであることを特徴とする。
更にまた、本発明の前記透明パネル層の厚さは100μm〜200μmであり、前記プライマーパターン層の厚さは5〜20μmであり、前記導電性パターン層の厚さは5〜15μmであることを特徴とする。
また、本発明による透明ディスプレイパネルの製造方法は、透明パネル層にビア孔を形成する孔加工ステップと、印刷背面である前記透明パネル層の第2の面に保護フィルム又は保護紙を押し当て、印刷面である前記透明パネル層の第1の面に触媒を含むプライマーインキを用いて前記ビア孔の上に形成される円形パターン層及び前記円形パターン層と連続する配線パターン層を印刷する第1の印刷ステップと、前記保護フィルムを引き剥がして第1のプライマーパターン層を形成する第1の引き剥がしステップと、前記透明パネル層の前記第1のプライマーパターン層が形成された印刷背面である第1の面に保護フィルム又は保護紙を押し当て、印刷面である第2の面に触媒を含むプライマーインキを用いて前記ビア孔を覆う円形パターン層及び前記円形パターン層と連続する回路パターン層を印刷する第2の印刷ステップと、前記保護フィルムを引き剥がして第2のプライマーパターン層を形成する第2の引き剥がしステップと、無電解めっきを用いて前記プライマーパターン層の上に金属をめっきして導電性パターン層を形成する導電性パターン層形成ステップと、を含み、前記円形パターン層は、前記ビア孔の周りに形成される前記透明パネル層の第1の面又は第2の面に配備される前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層により構成され、前記配線パターン層は、前記円形パターン層に連設される前記透明パネル層の第1の面又は第2の面に配備される前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層により構成され、前記円形パターン層に連設される導通パターン層は、前記円形パターン層に連設される前記ビア孔の内周面の全部又は一部に配備される前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層により構成されることを特徴とする。
また、前記印刷ステップは、前記プライマーインキを用いて配線パターンを印刷する前に、前記透明パネル層にプライマー処理、コロナ処理又はプラズマ処理を施す工程を更に含むことを特徴とする。
本発明による透明ディスプレイパネル及びその製造方法は、化学的なエッチング工程を経ることなく、触媒を含むプライマーパターン層の上に導電性パターン層が無電解めっきにより形成されて配線をなす透明ディスプレイパネル及びその製造方法であって、簡単な工程により製造され、配線パターンが形成された部分を除く透明パネル層の透明度に優れたディスプレイパネルを提供することができるというメリットがある。
本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルの断面構成図である。 本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルの断面構成図である。 本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルの第1の面又は第2の面の構成図である。 本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルの製造方法の手順図である。 本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルの製造方法の手順図である。 本発明の一実施形態による発光素子を有する透明ディスプレイパネルを示す図である。 本発明の一実施形態によるレベリング層を有する透明ディスプレイパネルを示す図である。 本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルを示す図である。 本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルの発光素子及びパターン層を示す図である。 本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルの断面図である。 本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルの様々な設置構造を示す図である。 本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルが設置された建物の外壁を示す図である。 本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネルが設置されたカフェの外壁を示す図である。
以下、本発明を詳述するに先立って、本明細書において用いられた用語は、特定の実施形態を記述するためのものに過ぎず、添付の特許請求の範囲によってのみ限定される本発明の範囲を限定することを意図するものではないということを理解しなければならない。本明細書において用いられる全ての技術用語及び科学用語は、別途に断りのない限り、技術的に通常の技術を有する者に一般的に理解されるものと同じ意味を有する。
本明細書及び特許請求の範囲の全般に亘って、別途に断りのない限り、備える(comprise、comprises、comprising)という用語は、言及された物品、ステップ又は一群の物品及びステップを含むことを意味し、任意の他の物品、ステップ又は一群の物品又は一群のステップを排除する意味として用いられたものではない。
一方、本発明の色々な実施形態は、別途の断りのない限り、その他の任意の実施形態と組み合わせることができる。特に、好適又は有利であると指示するある特徴もまた、好適又は有利であると指示する他の任意の特徴及び複数の特徴と組み合わせることができる。以下、添付図面に基づいて、本発明の実施形態及びこれに伴う効果について説明する。
本発明の一実施形態による透明ディスプレイパネル100は、厚さ方向に貫通するビア孔(via hole)11を有する透明パネル層10と、前記透明パネル層10の上に形成されたプライマーパターン層20及び前記プライマーパターン層20のパターンの上に形成されて配線をなす導電性パターン層30を備える。
本発明による透明ディスプレイパネル100は、導電性パターン層30を無電解めっきで形成するための触媒を含むプライマーパターン層20を備えるパネルであって、簡単な工程により製造され、パターン層20、30が形成された部分を除く透明パネル層10の透明度に優れたパネルである。
また、電解めっきに際して電極との距離が遠ざかることに伴い、めっき金属の接着力が低下して厚さ及び線幅がばらつくため均一な伝導性を保ち難い結果、良品が量産し難いのに対し、本発明の導電性パターン層の吸着性を高めるために特殊製作された触媒インキでプライマーパターン層を構成し、これを用いて無電解めっきで形成した導電性パターン層は均一な厚さ及び線幅に形成されて優れた伝導性を有する。
本発明による透明パネル層10は、厚さ方向に貫通するビア孔11を備える。より具体的に、透明パネル層10は、第1の面10a及び第1の面10aに対向する第2の面10bを有し、第1の面10a及び第2の面10bを通過するビア孔11を有する。
透明パネル層10は、ポリエステル(polyester)、ポリエチレンテレフタレート(polyethyleneterephthalate;PET)、ポリアリールスルホン(Polyarylsulfone)、ポリエーテルイミド(Polyetherimide)、耐熱性エポキシ(heat resistance epoxy)、ポリアリレートイミド(Polyarylate imide)及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる物質により形成される。好ましくは、透明性、柔軟性、経済性の側面からみて、ポリエチレンテレフタレート(polyethyleneterephthalate;PET)により形成されることが好ましい。
透明パネル層10の厚さは、100μm〜200μmであることが好ましく、更に好ましくは、125μm〜150μmである。透明パネル層10の厚さが100μm未満である場合、印刷、めっき、発光ダイオード(LED)などの発光素子の実装に問題があり、200μmを超える場合、柔軟性に問題がある。
また、透明パネル層10としては、アクリル系のプライマーを用いた前処理、コロナ処理、プラズマ処理などにより粗さが制御されたものを使用し、本発明による透明パネル層10は、0.1〜0.3μmの表面粗さ(Ra)を有する。表面粗さが0.1μm未満である場合、印刷に際して接着性に問題があり、表面粗さが0.5μmを超える場合、透明性に問題がある。前記範囲の表面粗さを有する透明パネル層10を備えることにより、プライマーパターン層20との優れた接着力を与えることができる。
ビア孔11の直径は、200μm〜500μmであることが好ましく、更に好ましくは、400μm〜500μmである。ビア孔11の直径が200μm未満である場合、触媒インキ印刷孔内にインキを塗布し難いという問題があり、500μmを超える場合、触媒インキの消耗量が増えるという問題がある。
本発明によるプライマーパターン層20は、透明パネル層10の上に形成された無電解めっきのための触媒を含む層であって、第1のプライマーパターン層21及び第2のプライマーパターン層22を備えることにより、プライマーパターン層20の上に導電性パターン層30が無電解めっきされて均一な厚さ及び線幅に形成可能にする。
より具体的に、第1のプライマーパターン層21は、透明パネル層10の第1の面10a及びビア孔11の内周面の一部又は全部に配備され、第2のプライマーパターン層22は、第1の面10a及びビア孔11の内周面の一部又は全部に配備され、ビア孔11の内周面において前記第1のプライマーパターン層と連設される。
第1のプライマーパターン層21及び第2のプライマーパターン層22は、導電性パターン層30を無電解めっきで形成するための触媒を含む。すなわち、触媒を含むプライマーインキを用いてビア孔を有する透明パネル層の上に配線形成されるべきパターンを印刷することにより形成される。
プライマーパターン層20の厚さは、5〜20μmであることが好ましく、更に好ましくは、10〜15μmである。プライマーパターン層20の厚さが5μm未満である場合、無電解めっきに際してめっきの厚さに問題があり、20μmを超える場合、透明パネル層とプライマーパターン層との密着性に影響を及ぼすという問題がある。
プライマーパターン層20は、透明パネル層の第1の面10a又は第2の面10bに配備されるビア孔11の周りに形成される円形パターン層211と、円形パターン層211に連設される配線パターン層212及びビア孔の内周面の全部又は一部に配備される円形パターン層211に連設される導通パターン層213を備える。
円形パターン層211の円形パターンは、ビア孔11の直径よりも20〜30%大きく形成される。
配線パターン層212の配線パターンは、直線状、曲線状、格子状などであってもよく、一つ以上の発光素子50を透明基材層10の上に設計しようとする所望の形状に形成することができる。
導通パターン層213は、ビア孔11の内周面の全部又は一部に円筒状に形成されて第1のプライマーパターン層21の導通パターン層213と第2のプライマーパターン層22の導通パターン層213とが連設される。
第1のプライマーパターン層21の導通パターン層213と第2のプライマーパターン層22の導通パターン層213とが連設されることにより、第1の面10aの円形パターン層211、配線パターン層212と、第2の面10bの円形パターン層211、配線パターン層212とが短絡されることを防ぐことができる。
プライマーパターン層20は、触媒を含むプライマーインキを用いて配線パターン状に印刷した後に硬化させ、且つ還元させて形成した層である。プライマーパターン層20は、配線パターンが形成可能なマスクを用いて、且つ、インキジェットプリンターやシルクスクリーンプリンターを用いて印刷することができる。
プライマーインキは、パラジウム塩を含む触媒、環状ケトン類溶媒、エポキシ樹脂及び硬化剤を含む。プライマーインキは、総重量に対して、パラジウム塩を含む触媒は20〜35重量%、環状ケトン類溶媒は30〜50重量%、エポキシ樹脂は20〜30重量%、硬化剤は0.5〜5重量%で含む。
パラジウム塩を含む触媒は、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、テトラクロロパラジウム酸カリウム、テトラミンジクロロパラジウム、ジニトロジアンミンパラジウム及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる物質を含む。
環状ケトン類溶媒は、シクロペンタノン、2−メチルシクロペンタノン、3−メチルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−メチルシクロヘキサノン、3−メチルシクロヘキサノン、4−メチルシクロヘキサノン、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノン、3,5,5−トリメチル−2−シクロヘキセン−1−オン(イソホロン)、2−シクロヘキセン−1−オン、3−メチル−2−シクロヘキセン−1−オン、3−メチル−5−ヘプテン−2−オン及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる物質を含む。好ましくは、3,5,5−トリメチル−2シクロヘキセン−1−オン(イソホロン)を含む。
エポキシ樹脂は、エポキシ基を二つ以上有するビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、指環式エポキシ樹脂、アミン型エポキシ樹脂、ナフタレンベースのエポキシ樹脂、ネオペンチルグリコール型エポキシ樹脂、ヘキサンディネルグリコール型エポキシ樹脂、レゾルシン型エポキシ樹脂及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる樹脂を含む。
硬化剤は、1,2−フェニレンジイソシアネート、1,3−フェニレンジイソシアナート、1,4−フェニレンジイソシアネート、1,4−ジイソシアナトブタン、1,6−ジイソシアナトヘキサン、1,8−ジイソシアナトオクタン、2,4−トルエンジイソシアネート、2,5−トルエンジイソシアネート、2,6−トルエンジイソシアネート、3,3´−ジメトキシ−4,4´−ビフェニレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、m−キシレンジイソシアネート、トランス−1,4−シクロヘキシレンジイソシアネート、1,3−ビス(1−イソシアナト−1メチルエチル)ベンゼン、4,4´−メチレンビス(フェニルイソシアネート)及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる物質を含む。
プライマーインキの粘度は、20000〜25000cP(20℃)である。硬化剤の含量を調節してプライマーインキの粘度を調節することができ、プライマーインキの粘度が20000未満である場合、第1のプライマーパターン層の印刷に際してビア孔を介してインキが裏面に流下し、ビア孔の内面にインキの量が十分な厚さに塗布されない結果、めっきが円滑に行われないという問題があり、プライマーインキの粘度が25000を超える場合、粘度が高過ぎてインキがビア孔の内壁に沿って流下されないという問題がある。
本発明による透明ディスプレイパネル100は、他の通常の印刷回路基板(PCB)パネルとは異なり、パネル当たりに数千個のビア孔が加工されるディスプレイパネルであって、ビア孔をめっきするためにかなりのインキが消耗される。このため、従来には孔を導通するために導電性のシルバーペーストを使用していたが、高価であるため経済性及び生産性に劣るという不具合があった。本発明による非導電性のプライマーインキを用いてプライマーパターン層20を形成することにより、より安価に、無電解めっきでも十分な高さの導電性パターン層30を形成可能にして優れた電気伝導度を確保することができる。
本発明によるプライマーパターン層20は、導電性パターン層30が10μm以上の無電解めっきにより形成される上で触媒の役割を果たして配線を形成可能にする。
本発明による導電性パターン層30は、透明ディスプレイパネル100に配線をなす層であって、プライマーパターン層20のパターンの上に形成されて配線をなす層である。
導電性パターン層30は、触媒を含むプライマーパターン層20の上に無電解めっきにより形成された層であって、導電性パターン層30が形成可能な金属としては、Cu、Ni、Agなどを使用することができる。以下では、Cuを用いて導電性パターン層30を形成した場合を例にとって説明する。
導電性パターン層30の厚さは、5〜15μmであることが好ましく、更に好ましくは、8〜12μmである。導電性パターン層30の厚さが5μm未満である場合、電気抵抗が高いため発光ダイオード(LED)の点灯に問題があり、 導電性パターン層30の厚さが15μmを超える場合、めっき時間が長引いて生産性が低下し、透明パネル及びめっき層間の接着力に問題がある。
本発明による導電性パターン層30の電気抵抗は1Ω/cm以下であって、高い電気伝導性を有し、電力の消耗が少ないので、透明ディスプレイパネル100の効率を高めることができる。
本発明による透明ディスプレイパネル100は、導電性パターン層30の上に形成されるNi/Au層40を更に備えていてもよい。
Ni層40の厚さは、0.8〜1.5μmであることが好ましく、更に好ましくは、1.0μm〜1.2μmである。Au層40の厚さは、0.02μm〜0.04μmであることが好ましく、更に好ましくは、0.03μmである。
本発明による透明ディスプレイパネル100は、ビア孔11、プライマーパターン層20の上の導電性パターン層30を有する透明パネル層10の上に貼合された発光素子50を更に備えていてもよい。図6は、本発明の一実施形態による発光素子を有する透明ディスプレイパネルを示すものである。
発光素子50は、様々な色相の光を発する役割を果たし、点滅可能であり、明るさが変わる素子であって、光を発するあらゆる機械、器具、装置を網羅し、好ましくは、発光ダイオードであってもよい。
一実施形態によれば、発光素子50は、発光ダイオード(LED:Light Emitting Device)、リバース発光ダイオード(Reverse Light Emitting Device)、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diodes;OLED)、能動型有機発光ダイオード(Active Matrix OLED;AMOLED)、受動型有機発光ダイオード(Passive Matrix OLED;PMOLED)、スタック 有機発光ダイオード(Stacked Organic Light Emitting Device;SOLED)及び陰極線発光装置(Cathodoluminescence)のうちのいずれか一種を備えていてもよい。
発光素子50は、透明パネル層10の上に形成されたプライマーパターン層20の上に無電解めっきにより形成された導電性パターン層30を通るように接着される。発光素子50は、伝導性接着剤により接着可能であるが、伝導性接着剤としては、シルバーコンダクター(Silver Conductor又はシルバーペースト)などを使用することができ、接着力に優れていると共に、抵抗性が最大限に低い材質を使用することが好ましい。なお、発光素子50の各電極及び導電性パターン層30は、ソルダーペーストを用いてリフロー工程により接着可能である。
本発明による透明ディスプレイパネル100は、レベリング層60を更に備えて発光素子50の接着により発光素子50同士の隙間を埋め込むことができる。図7は、本発明の一実施形態によるレベリング層を有する透明ディスプレイパネルを示すものである。
レベリング層60は、光学透明性、紫外線に対する耐光性、発光素子の熱放出に対する耐熱性及び放熱性、光抽出効率の向上、接着力の信頼性、耐湿性などの物性を満たし、透明レジンやシリコンなどのフレキシブルな素材により充填可能であり、ガラスやアクリルなどの高強度の素材により作製可能である。
本発明による透明ディスプレイパネル100は、接着フィルム層70を更に備えて透明ディスプレイパネル100を他の物品に貼り付けることができる。接着フィルム層70としては、接着力を有する物質、材料、フィルムなどが挙げられ、好ましくは、帯電防止性に優れているので静電気の発生が少なく、透明性に優れている他、被着体の汚染がない光学粘着シート(OCA:Optically Clear Adhesive)フィルムを使用する。
本発明による透明ディスプレイパネル100は、建物の内外部だけではなく、車両などに設置されて案内標識、公告板、インテリア装飾などとして活用可能である。
透明パネル層10として軟性材質の基材を使用する場合、透明ディスプレイパネル100を所望の場所に接触面の特性を問わずに様々に設置することができる。なお、このような材質を使用することにより、透明ディスプレイパネル100の設置後の取り扱い及びメンテナンスなどの管理を手軽に行うことができる。
本発明による透明ディスプレイパネルは、孔加工ステップ(S10)、プライマーパターン層形成ステップ(S20)及び導電性パターン層形成ステップ(S30)を含む。なお、導電性パターン層形成ステップS30後に、Ni/Au層形成ステップ(S40)及び発光素子貼合ステップ(S50)を更に含んでいてもよい。
本発明による孔加工ステップ(S10)は、用意された透明パネル層にビア孔を形成するステップであって、CNCドリル又はレーザーを用いて孔あけ作業を行うことにより、孔を形成することができる。
本発明によるプライマーパターン層形成ステップ(S20)は、透明パネル層の第1の面10aにプライマーパターン層を形成する第1のプライマーパターン層形成ステップ(S21)及び透明パネル層の第2の面10bにプライマーパターン層を形成する第2のプライマーパターン層形成ステップ(S22)を含む。
第1のプライマーパターン層形成ステップ(S21)は、透明パネル層の第2の面10bに保護フィルム又は吸収し易い紙フィルムを印刷背面に敷き、第1の面10aにプライマーインキを用いてビア孔の上に形成される円形パターン及び円形パターンと連設される配線パターンを印刷する第1の印刷ステップ(S211)及び保護フィルムなどを引き剥がして第1のプライマーパターン層を形成する第1の引き剥がしステップ(S212)を含む。
第2のプライマーパターン層形成ステップ(S22)は、第1のプライマーパターン層が形成された透明パネル層の第1の面10aに保護フィルムなどを印刷背面に敷き、第2の面10bにプライマーインキを用いてビア孔の上に形成される円形パターン及び円形パターンと連設される配線パターンを印刷する第2の印刷ステップ(S221)及び保護フィルムを引き剥がして第2のプライマーパターン層を形成する第2の引き剥がしステップ(S222)を含む。
印刷ステップ(S211、S221)は、上述したプライマーインキを用いて、且つインキジェットプリンターを用いて印刷するか、或いは、シルクスクリーンプリンターを用いて印刷するステップであってもよい。なお、印刷ステップ(S211、S221)は、プライマーインキに透明パネル層との優れた密着性を持たせるために印刷前に透明パネル層の接触角(粗さ)を調節したり、アクリル系のプライマーを用いた前処理、コロナ処理、プラズマ処理などを施したりしてプライマーインキとの密着性を向上させることができる。
また、印刷ステップ(S211、S221)は、インキジェットプリンターを用いて印刷する場合、十分な量のプライマーインキを塗布してビア孔の内面にプライマーパターン層である導通パターン層が形成されるようにする。この場合、プライマーインキは、(孔径/2)×3.14×1.2×透明パネル層の厚さの体積になるように塗布されることが好ましい。
更に、印刷ステップ(S211、S221)は、シルクスクリーンプリンターを用いて印刷する場合、印刷速度と、シルクプリント製版のテンション、プライマーインキの粘度がそれぞれ適正な値を保たなければならない。
更にまた、印刷ステップ(S211、S221)は、前記方法を用いてプライマーインキを配線状に塗布した後に80〜100℃において5〜10分間硬化させ、化学的な方法を用いて還元させてプライマーパターン層を形成する。還元剤としては、NaBH、HCOOH、C、Nを使用する。
導電性パターン層形成ステップ(S30)は、触媒を含むプライマーパターン層が形成された透明パネル層をめっき槽において無電解めっきすることにより金属膜の配線を形成するステップである。
より具体的に、導電性パターン層形成ステップ(S30)は、めっき溶液が入れられた浴槽にプライマーパターン層20が形成された透明パネル層10を浸漬することにより、プライマーパターン層20の表面の上に導電性パターン層30を無電解めっきして配線を形成するステップである。
Cuを含む導電性パターン層を形成する場合を例に取ると、銅イオンとして硫酸銅(CuSO・5HO)、塩化銅、酸化銅などを含み、錯化剤としてEDTA、酒石酸塩などのキレート剤を含み、還元剤としてホルマリン(HCHO)、ヒドラジンを含み、pHを調節するために苛性ソーダ(NaOH)を含む無電解めっき溶液を使用する。前記無電解めっき溶液のpHは、11〜13になるように調節することが好ましい。
伝導性層を基材の全体に塗布し、配線を除く部分をエッチング液で除去する従来の方法の場合、伝導性物質の相当量が除去され、これに伴い、製造コストの増加、伝導性物質を含むエッチング液を用いた汚染及び廃水処理コストの増加といった問題があるのに対し、本発明は、無電解めっきを用いて導電性パターン層を形成することにより、エッチングの工程がないので、工程が単純化され、導電性物質を効率よく使用することができるというメリットがある。
Ni/Au層形成ステップ(S40)は、導電性パターン層が形成された透明パネル層をめっき槽において無電解めっきすることによりNi層及びAu層を形成するステップである。
発光素子貼合ステップ(S50)は、伝導性接着剤又はソルダーペーストを用いて発光素子の各電極を導電性パターン層と貼り合わせるステップである。
このようにして製造される透明ディスプレイパネル100は、建物の外壁をなす窓戸又はカーテンウォールの外壁に設置されて建物の外壁に様々なイメージ又は動画を実現することができる。
図11に示すように、窓戸に設置されるガラス部材300又はカーテンウォールに設置されるガラス部材300に本発明の実施形態による透明パネル層10が設置されて透明ディスプレイパネル100を構成することができ、図12に示すように、建物の外壁に動画を上映することができ、図13に示すように、歩行者の携帯用端末から送られてくる個人情報を受信して店舗の外壁に設置されるガラス部材300に当該歩行者のための情報を与えることができる。
これにより、ビア孔を有して両面に配線が形成される透明ディスプレイパネル及びその製造方法を提供することが可能になる。
上述した各実施形態において例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野における通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組み合わせ又は変形されて実施可能である。よって、このような組み合わせ及び変形に連携された内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
100 透明ディスプレイパネル
10 透明パネル層
11 ビア孔
20 プライマーパターン層
21 第1のプライマーパターン層
211 円形パターン層/212:配線パターン層/213:導通パターン層
22 第2のプライマーパターン層
30 導電性パターン層
40 Ni/Au層
50 発光素子
60 レベリング層
70 接着フィルム層

Claims (11)

  1. パネル状を呈し、パネルの上面からなる第1の面及びパネルの底面からなる第2の面を有し、前記第1の面及び第2の面を通過するビア孔を有する透明パネル層と、
    前記第1の面及び前記ビア孔の内周面の一部又は全部に配備される第1のプライマーパターン層と、
    前記第2の面及び前記ビア孔の内周面のうち前記第1のプライマーパターン層が配備されない前記ビア孔の一部及び前記第2の面に配備されるか、或いは、前記第1のプライマーパターン層が配備されない前記第2の面に配備され、前記ビア孔の内周面において前記第1のプライマーパターン層と連設される第2のプライマーパターン層と、
    前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層のパターンの上に形成されて、前記透明パネル層の第1の面、第2の面及び前記ビア孔の内周面に配線をなす導電性パターン層と、
    前記透明パネル層及び導電性パターン層の上に貼合された発光素子と、
    前記発光素子の接着により前記発光素子同士の空間を埋め込むように前記透明パネル層に配備されるレベリング層と、
    を備え、
    前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層は、前記導電性パターン層を無電解めっきで形成するための触媒を含む透明ディスプレイパネル。
  2. 前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層は、
    前記ビア孔の周りに形成される前記透明パネル層の第1の面又は第2の面に配備される円形パターン層と、
    前記円形パターン層に連設される前記透明パネル層の第1の面又は第2の面に配備される配線パターン層と、
    前記円形パターン層に連設される前記ビア孔の内周面の全部又は一部に配備される導通パターン層と、
    を備える請求項1に記載の透明ディスプレイパネル。
  3. 前記ビア孔の直径は200〜500μmであり、
    前記円形パターン層の円形パターンは、直径が前記ビア孔の直径よりも20〜30%大きい請求項2に記載の透明ディスプレイパネル。
  4. 前記プライマーパターン層は、パラジウム塩を含む触媒、環状ケトン類溶媒、エポキシ樹脂及び硬化剤を含むプライマーインキにより形成されたパターン層であり、
    前記パラジウム塩を含む触媒は、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、硫酸パラジウム、硝酸パラジウム、テトラクロロパラジウム酸カリウム、テトラミンジクロロパラジウム、ジニトロジアンミンパラジウム及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる物質を含む請求項1に記載の透明ディスプレイパネル。
  5. 前記プライマーインキは、前記プライマーインキの総重量に対して、前記パラジウム塩を含む触媒は20〜35重量%、前記環状ケトン類溶媒は30〜50重量%、前記エポキシ樹脂は20〜30重量%、前記硬化剤は0.5〜5重量%で含む請求項4に記載の透明ディスプレイパネル。
  6. 前記プライマーパターン層は、前記プライマーインキを用いて配線状に印刷し、80〜100℃において5〜10分間硬化させた後に還元させて形成したパターンである請求項4に記載の透明ディスプレイパネル。
  7. 前記透明パネル層は、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート(PET、ポリアリールスルホン、ポリエーテルイミド、耐熱性エポキシ、ポリアリレートイミド及びこれらの混合物よりなる群から選ばれる物質により形成された透光性の軟性基材層である請求項1に記載の透明ディスプレイパネル。
  8. 前記導電性パターン層の上に無電解めっきにより形成されたNi/Au層を更に備え、
    前記Ni層の厚さは0.8〜1.5μmであり、前記Au層の厚さは0.02μm〜0.04μmである請求項1に記載の透明ディスプレイパネル。
  9. 前記透明パネル層の厚さは100μm〜200μmであり、
    前記プライマーパターン層の厚さは5〜20μmであり、
    前記導電性パターン層の厚さは5〜15μmである請求項1に記載の透明ディスプレイパネル。
  10. 透明パネル層にビア孔を形成する孔加工ステップと、
    印刷背面である前記透明パネル層の第2の面に保護フィルム又は保護紙を押し当て、印刷面である前記透明パネル層の第1の面に触媒を含むプライマーインキを用いて前記ビア孔の上に形成される円形パターン層及び前記円形パターン層と連続する配線パターン層を印刷する第1の印刷ステップと、
    前記保護フィルムを引き剥がして第1のプライマーパターン層を形成する第1の引き剥がしステップと、
    前記透明パネル層の前記第1のプライマーパターン層が形成された印刷背面である第1の面に保護フィルム又は保護紙を押し当て、印刷面である第2の面に触媒を含むプライマーインキを用いて前記ビア孔を覆う円形パターン層及び前記円形パターン層と連続する回路パターン層を印刷する第2の印刷ステップと、
    前記保護フィルムを引き剥がして第2のプライマーパターン層を形成する第2の引き剥がしステップと、
    無電解めっきを用いて前記プライマーパターン層の上に金属をめっきして導電性パターン層を形成する導電性パターン層形成ステップと、
    を含み、
    前記円形パターン層は、前記ビア孔の周りに形成される前記透明パネル層の第1の面又は第2の面に配備される前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層により構成され、
    前記配線パターン層は、前記円形パターン層に連設される前記透明パネル層の第1の面又は第2の面に配備される前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層により構成され、
    前記円形パターン層に連設される導通パターン層は、前記円形パターン層に連設される前記ビア孔の内周面の全部又は一部に配備される前記第1のプライマーパターン層及び第2のプライマーパターン層により構成されることを特徴とする透明ディスプレイパネルの製造方法。
  11. 前記印刷ステップは、前記プライマーインキを用いて配線パターンを印刷する前に、前記透明パネル層にプライマー処理、コロナ処理又はプラズマ処理を施す工程を更に含む請求項10に記載の透明ディスプレイパネルの製造方法。
JP2017217989A 2017-09-28 2017-11-13 透明ディスプレイパネル及びその製造方法 Pending JP2019068021A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0126240 2017-09-28
KR1020170126240A KR101950665B1 (ko) 2017-09-28 2017-09-28 투명 디스플레이 패널

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2019068021A true JP2019068021A (ja) 2019-04-25

Family

ID=65561756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017217989A Pending JP2019068021A (ja) 2017-09-28 2017-11-13 透明ディスプレイパネル及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2019068021A (ja)
KR (1) KR101950665B1 (ja)
CN (1) CN109585409A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240056442A (ko) * 2022-10-21 2024-04-30 동우 화인켐 주식회사 전자부품용 기판, 상기 전자부품용 기판의 제조방법 및 이를 포함하는 표시 장치 및 반도체 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222797A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Konica Minolta Ij Technologies Inc 触媒パターン製造方法および金属パターン製造方法
JP2015067625A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 株式会社イオックス 塗料組成物及びその製造方法
WO2016178322A1 (ja) * 2015-05-01 2016-11-10 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
JP2016195158A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 大日本印刷株式会社 配線基板の製造方法および配線基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101518394B1 (ko) * 2008-10-02 2015-05-11 주식회사 잉크테크 양면 인쇄회로기판의 제조방법
TWI498055B (zh) 2012-04-17 2015-08-21 Adv Flexible Circuits Co Ltd The conductive through hole structure of the circuit board
KR101938214B1 (ko) * 2012-10-05 2019-01-14 코오롱글로텍주식회사 전기 전도성 원단 및 이의 제조방법
US20140132909A1 (en) * 2012-11-13 2014-05-15 3M Innovative Properties Company Switchable transparent display
KR101448529B1 (ko) * 2013-06-17 2014-10-08 주식회사 심텍 프라이머층을 이용하는 세미어디티브법을 적용하는 인쇄회로기판의 제조 방법
KR101563302B1 (ko) * 2014-09-25 2015-10-27 하이쎌(주) 롤투롤 인쇄를 이용한 양면형 nfc 안테나 및 이의 제조 방법
KR101820403B1 (ko) * 2016-03-28 2018-01-22 김성규 투명 디스플레이 패널 및 이의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011222797A (ja) * 2010-04-12 2011-11-04 Konica Minolta Ij Technologies Inc 触媒パターン製造方法および金属パターン製造方法
JP2015067625A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 株式会社イオックス 塗料組成物及びその製造方法
JP2016195158A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 大日本印刷株式会社 配線基板の製造方法および配線基板
WO2016178322A1 (ja) * 2015-05-01 2016-11-10 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
CN109585409A (zh) 2019-04-05
KR101950665B1 (ko) 2019-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7834274B2 (en) Multi-layer printed circuit board and method for fabricating the same
TWI489921B (zh) 製造金屬印刷電路板的方法
CN107926121B (zh) 多层印刷布线板的制造方法、带粘接层的金属箔、覆金属的层叠板、多层印刷布线板
JP5370765B2 (ja) 半導体素子搭載用パッケージ基板とその製造方法
TWI624368B (zh) Insulating resin sheet
CN109587928B (zh) 印刷电路板
KR20170039102A (ko) 프린트 배선판 및 그 제조 방법
CN100344445C (zh) 铜表面的对树脂粘接层
JP2019068021A (ja) 透明ディスプレイパネル及びその製造方法
CN112996259B (zh) 一种不同铜厚线路板的制作方法
KR101820403B1 (ko) 투명 디스플레이 패널 및 이의 제조방법
CN110545625B (zh) 柔性电路板及所述柔性电路板的制作方法
WO2014024754A1 (ja) 半導体パッケージ用回路基板及びその製造方法
WO2010035864A1 (ja) 半導体素子搭載用パッケージ基板とその製法及び半導体パッケージ
WO2010035867A1 (ja) 半導体素子搭載用パッケージ基板とその製造方法
KR20150043118A (ko) 회로기판의 제조방법
KR101555014B1 (ko) 미세배선용 인쇄회로기판 및 이의 제조방법
CN113923851B (zh) 电路基板
JP4370490B2 (ja) ビルドアップ多層プリント配線板及びその製造方法
JP2005197574A (ja) 多層配線板用基材およびその製造方法、多層配線板の製作方法
CN109661126A (zh) 一种柔性线路板的导通孔整板电镀铜方法
JP2013211386A (ja) Led搭載用基板
US8499445B1 (en) Method of forming an electrically conductive printed line
KR101050214B1 (ko) 다층 인쇄회로기판 및 그 제조방법
JP2010103518A (ja) 半導体素子搭載用パッケージ基板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190416