JP2019067512A - 半導体固体電池 - Google Patents
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Abstract
Description
Nd :伝導帯のキャリア密度、No :最近接ホッピング伝導帯のキャリア密度、
μb :伝導帯のキャリア移動度、 μh :最近接ホッピング伝導帯のキャリア移動度、
Ea :準位と伝導帯下端のエネルギー差、q:電気素量、
ε :準位での近接キャリアトラップ間の電子の平均活性化エネルギー
(実施例1〜7、比較例1)
Siターゲット(純度99.9wt%以上)およびFeターゲット(純度99.9wt%以上)を用意した。
Claims (7)
- n型半導体層とp型半導体層の間に第1の絶縁層を設けた構造を有し、n型半導体層またはp型半導体層のいずれか一方または両方が、高抵抗層中に珪素化合物粒子を含有した構造を有することを特徴とする半導体固体電池。
- 珪素化合物粒子がβ−FeSi2、BaSi2、Mg2Si、MnSi1.7、SiGe、NiSi2から選ばれる1種または2種以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体固体電池。
- 珪素化合物粒子の平均粒径は、珪素化合物粒子を含有する高抵抗層の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載の半導体固体電池。
- 珪素化合物粒子を含有する高抵抗層の任意の断面において、単位面積300nm×300nmあたり、珪素化合物粒子同士の最短距離が1nm以上10nm以下の範囲になっているものが個数割合で40%以上100%以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の半導体固体電池。
- n型半導体層は酸化物半導体または金属シリサイド半導体であり、該半導体はバンドギャップを100としたとき50以上90以下の範囲に準位が形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体固体電池。
- p型半導体層は酸化物半導体または金属シリサイド半導体であり、該半導体はバンドギャップを100としたとき10以上50以下の範囲に準位が形成されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の半導体固体電池。
- 初期の放電開始直後の電圧ドロップが0%以上40%以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の半導体固体電池。
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