JP2019029608A - Imprint method, imprint apparatus, program, foreign matter removal method and foreign matter removal determination method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はインプリント方法、インプリント装置、プログラム、異物除去方法および異物除去判定方法に関する。 The present invention relates to an imprint method, an imprint apparatus, a program, a foreign matter removal method, and a foreign matter removal determination method.
インプリント技術は、ナノスケールの微細なパターンを形成する技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の1つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成された型と基板上の樹脂(インプリント材)とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことで基板上にインプリント材のパターンを形成する。 The imprint technique is a technique for forming a nanoscale fine pattern, and is attracting attention as one of nanolithography techniques for mass production of semiconductor devices and magnetic storage media. An imprint apparatus using imprint technology cures the resin in a state where the pattern-formed mold and the resin (imprint material) on the substrate are in contact with each other, and pulls the mold away from the cured imprint material. An imprint material pattern is formed on the substrate.
型と基板上のインプリント材とを接触させる際に、型と基板との間に異物が存在すると、或いは、型に異物が付着していると、基板上に形成されるインプリント材のパターンに欠陥が発生しうる。特許文献1に記載されたインプリント方法は、パーティクル除去膜が表面に形成されたダミーウエハを用いてテンプレートに付着したパーティクルを除去する工程を含む。
When the mold and the imprint material on the substrate are brought into contact with each other, if there is a foreign object between the mold and the substrate, or if a foreign object adheres to the mold, the pattern of the imprint material formed on the substrate Defects can occur. The imprint method described in
しかしながら、特許文献1のインプリント方法では、パーティクルを除去する工程の後、パーティクルが除去されたか否かを確認しておらず、テンプレートにパーティクルが付着したままになっている場合がありうる。
However, in the imprint method of
本発明は、例えば、パターン欠陥の抑制の点で有利なインプリント方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an imprint method that is advantageous in suppressing pattern defects, for example.
上記課題を解決するために、本発明は、型に形成されたパターンと、基板上の複数のショット領域に供給されたインプリント材と、を接触させてパターンにインプリント材を充填させ、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、型と、複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域のインプリント材と、を接触させる接触工程と、型とインプリント材とが接触している状態において、ひとつのショット領域を撮像して画像を取得する撮像工程と、取得した画像に基づいて、インプリント材に異物が含まれているか否かを判定する判定工程と、判定工程において、異物が含まれていると判定した場合、異物を除去する除去工程と、除去工程の後、ひとつのショット領域とは異なるショット領域とパターンとを位置合わせする位置合わせ工程と、を含む一連の工程を、判定工程において異物が含まれていないと判定されるまで繰り返す、ことを特徴とする。 In order to solve the above-described problem, the present invention makes a pattern filled with an imprint material by bringing a pattern formed on a mold into contact with an imprint material supplied to a plurality of shot regions on the substrate. An imprint method for forming an imprint material pattern on a mold, a contact step in which an imprint material in one shot area out of a plurality of shot areas is brought into contact, a mold and an imprint material, An imaging process for capturing an image by capturing a single shot area, and a determination process for determining whether or not a foreign substance is included in the imprint material, based on the acquired image; In the determination step, when it is determined that foreign matter is included, a removal step for removing the foreign matter, and a shot region and a pattern different from one shot region after the removal step An alignment step of aligning a series of steps including repeated until it is determined that the information does not include a foreign substance in the determination step, characterized in that.
本発明は、例えば、パターン欠陥の抑制の点で有利なインプリント方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an imprint method that is advantageous in suppressing pattern defects, for example.
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1実施形態)
図1は、インプリント装置の代表的な装置構成を例示する図である。インプリント装置100は、基板上のインプリント材に型を用いてパターンを形成するリソグラフィ装置である。インプリント装置100は、型と基板上のインプリント材とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を引き離すことで基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。ここでは、一例として、光硬化法を用いたインプリント装置として、紫外線の照射によって基板上の未硬化のインプリント材を硬化させる紫外線硬化型インプリント装置を使用した。ただし、インプリント材の硬化方法として、他の波長域の光の照射による方法や、他のエネルギー(例えば、熱)による方法を用いてもよい。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram illustrating a typical apparatus configuration of an imprint apparatus. The
インプリント装置100は、型保持部110と、基板保持部120と、軸外アライメントスコープ130と、軸上アライメントスコープ140と、光源150と、供給部160(ディスペンサ)と、撮像部170と、記憶部180と、制御部190と、を含む。また、以下の図においては、基板W上のインプリント材に対して照射される紫外光の光軸に平行にZ軸を取り、Z軸に垂直な平面内に互いに直交するX軸およびY軸を取っている。
The
型保持部110は、不図示の型搬送装置により搬入された型Mを保持して移動する。型保持部110は、例えば、型Mを保持する型チャック(不図示)と、型チャックを駆動させることで、型Mを移動させる駆動部(不図示)と、型Mを外周方向から加圧することによって型Mの形状を変形させる型変形部(不図示)を含む。
The
型チャックによる型Mの保持は、例えば、真空吸引力や静電気力等による。駆動部は、型Mの位置を6軸に関して制御したり、型Mを基板上のインプリント材に接触させたり、硬化したインプリント材から型Mを剥離(離型)したりする。ここで、6軸は、XYZ座標系におけるX軸、Y軸、Z軸およびそれらの各軸回りの回転である。型保持部110は、空気や油等の流体で作動するシリンダ(アクチュエータ)を用いて型Mの形状を変形させることができる。基板Wは、熱処理などのプロセスを経ることによって変形(典型的には、膨張又は収縮)しうる。型変形部は、このような基板Wの変形に応じて、基板Wと型Mとの位置が合うように型Mの形状を補正する。
The holding of the mold M by the mold chuck is performed by, for example, a vacuum suction force or an electrostatic force. The drive unit controls the position of the mold M with respect to the six axes, brings the mold M into contact with the imprint material on the substrate, and peels (releases) the mold M from the cured imprint material. Here, the six axes are rotations around the X axis, Y axis, Z axis and their respective axes in the XYZ coordinate system. The
型Mは、例えば、外周の形状が矩形であり、基板Wに対向する面において、例えば回路パターンなどの凹凸パターンが3次元状に形成されたパターン部Pを含む。また、型Mの材質は、紫外光を透過させることが可能な材質であり、本実施形態では一例として石英とする。 The mold M includes, for example, a pattern portion P that has a rectangular outer periphery and has a three-dimensionally formed uneven pattern such as a circuit pattern on the surface facing the substrate W. The material of the mold M is a material that can transmit ultraviolet light, and in this embodiment, quartz is used as an example.
基板保持部120は、不図示の基板搬送装置によって搬入された基板Wを保持して移動する。基板保持部120は、ステージ121、基板チャック122、基板変形部(不図示)、基準プレート123、を含みうる。基板チャック122は、例えば、真空吸着パッド等により基板Wを保持する。ステージ121は、基板チャック122を保持し、不図示の駆動機構により駆動して基板Wを定盤1上において6軸に移動する。基板変形部は、基板Wを外周方向から加圧することによって基板Wの形状を変形させ、基板Wに形成されたパターン形成領域(ショット領域)と型Mに形成されたパターン部Pの形状を合わせる。基準プレート123は、後述する基板Wと基板保持部120の位置合わせに用いられる。
The
基板Wは、型Mによって、インプリント材のパターンが形成される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やSOI(SILICON ON INSULATOR)基板などを含む。基板Wには複数のショット領域が形成されている。 The substrate W is a substrate on which the pattern of the imprint material is formed by the mold M, and includes, for example, a single crystal silicon substrate, an SOI (SILICON ON INSULATOR) substrate, or the like. A plurality of shot regions are formed on the substrate W.
軸外アライメントスコープ130は、基板W上に設けられたマーク(不図示)及び基準プレート123に設けられたマークを検出し、基板Wと基板保持部120との位置・形状ずれ量を求め、基板Wと基板保持部120との位置合わせを行う。
The off-
軸上アライメントスコープ140は、型Mに設けられたマーク(不図示)及び基準プレート123に設けられたマークを検出することで、型Mと基板保持部120との相対的な位置を求め、型Mと基板保持部120との位置合わせを行う。
The on-
光源150は、型M介してインプリント材に光を照射し、インプリント材を硬化させるものであって、例えば、紫外光(例えば、i線、g線)を発生するハロゲンランプなどである。インプリント材は、この実施形態では、紫外光硬化樹脂である。
The
供給部160は、例えば、インプリント材を収容するタンク161と、該タンクから供給路を通して供給されるインプリント材を基板に対して吐出する吐出口162と、該供給路に設けられたバルブ(不図示)と、供給量制御部(不図示)とを含みうる。供給部160は、基板に設けられたショット領域にインプリント材を供給する。供給量制御部は、バルブを制御して基板Wへのインプリント材の供給量を制御する。
The
撮像部170は、撮像光源171と、撮像素子172とを含み、型Mを介して、或いは、型Mを介さずに、基板Wのショット領域を撮像して画像を取得する。撮像光源171は、紫外線とは異なる波長の光、即ち、インプリント材を硬化させる波長の光とは異なる波長の光(例えば、可視光)で基板W(ショット領域)を照明する。撮像素子172は、例えば、CCDイメージセンサ又はCMOSイメージセンサを含み、型Mのパターン面や基板Wの表面で反射された光を検出する。また、撮像素子172は、型Mで反射された光と基板Wで反射された光との干渉光(によって形成される干渉パターン)も検出することができる。撮像素子172は、基板上のインプリント材と型(パターン部)とが接触している領域を検出することができる。
The
記憶部180は、例えば、メモリやハードディスク(HDD)を含み、撮像部170で取得された画像や後述するインプリント処理過程の画像を記憶する。また、記憶部180は、インプリント装置100で用いられる種々のプログラム、データ、情報なども記憶することが可能である。
The
制御部190は、例えば、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置100の各部を制御してインプリント処理を行う。また、制御部190は、撮像部170で取得された画像に基づいてインプリント材に異物が含まれているか否かを判定する。制御部190は、例えば、インプリント装置の各構成要素に回線により接続された、磁気記憶媒体等の記憶手段を有するコンピュータ、又はシーケンサ等(不図示)で構成される。本実施形態に係る方法は、プログラムとしてコンピュータに実行されうる。制御部190は、インプリント装置100内に設けてもよいし、インプリント装置100とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。
The
図2は、第1実施形態に係るインプリント処理過程を例示する図である。図2(A)に示す、インプリント材Rの基板W上への供給の前に、基板Wを基板保持部120に保持させる。次に、基板W上に設けられたマークと基準プレート123に設けられたマークとを軸外アライメントスコープ130で検出して、基板Wとステージ121との位置や形状のずれ量を求める。
FIG. 2 is a diagram illustrating an imprint process according to the first embodiment. Prior to supplying the imprint material R onto the substrate W shown in FIG. Next, the mark provided on the substrate W and the mark provided on the
次いで、型Mに設けられたマークと基準プレート123に設けられたマークとを軸上アライメントスコープ140で検出して、型Mとステージ121との位置や形状のずれ量を求める。このようにして求めた位置や形状のずれ量に基づいて、型Mと基板Wとの位置や形状のずれを補正する(即ち、型Mと基板Wとのアライメント(位置合わせ工程)を行う)。
Next, a mark provided on the mold M and a mark provided on the
型Mと基板Wとの位置や形状のずれを補正したら、供給部160によって基板W上のショット領域にインプリント材Rを供給する(図2(A))。供給部160の下で基板Wにインプリント材を供給した後、インプリント材Rが供給されたショット領域を型Mの下に配置する。次いで、型Mを保持した型保持部110を移動させて、型Mと基板(ショット領域)上のインプリント材とを接触させる(接触工程)(図2(B))。型Mのパターン部Pの凹部に樹脂が充填されたら、光源150によって、型Mを介して、基板上のインプリント材Rに光201を照射し、かかるインプリント材Rを硬化させる(図2(C))。次に、型保持部110を移動させて、基板上の硬化したインプリント材から型Mを剥離する(図2(D))。これにより、基板(ショット領域)上にパターンが形成される。以上の工程が、インプリント処理である。
When the position and shape deviation between the mold M and the substrate W are corrected, the imprint material R is supplied to the shot area on the substrate W by the supply unit 160 (FIG. 2A). After the imprint material is supplied to the substrate W under the
ここで、撮像部170は、インプリント処理を行っている間、詳細には、型Mと基板上の樹脂とが接触している間において、基板上のインプリント材Rが型Mと基板Wとの間で広がりながらパターン面の凹部に充填される過程を撮像する(撮像工程)。このようにして、撮像部170で取得された画像は、上述したように、記憶部180に記憶される。
Here, the
しかし、図3に示すように、基板W上に、異物301が有る場合(図3(A))、型Mと基板Wを接触させてパターン部Pにインプリント材Rを充填させても、異物301により型Mと基板Wの間に未充填空間302が生じる(図3(C))。この状態で光源により光201を照射しても、異物301付近にインプリント材Rが充填されず形成されるパターンに欠陥が生じる(図3(D))。更に、異物301は型Mへ移動しうる。
However, as shown in FIG. 3, when there is a
これにより、以降のインプリント処理では、型Mに異物が付着しているため、ショット内の同じ座標で欠陥を再発させる。本実施形態では、これをリピート欠陥と称している。このリピート欠陥は、型Mの異物を取り除かなければ正常なパターンの形成が出来ない。 Thereby, in the subsequent imprint process, since the foreign matter is attached to the mold M, the defect is recurred at the same coordinates in the shot. In the present embodiment, this is referred to as a repeat defect. With this repeat defect, a normal pattern cannot be formed unless the foreign material of the mold M is removed.
本実施形態では、基板上のショット領域にパターンを形成するためのインプリント処理である、通常インプリント処理の中で、充填画像から異物の検出を行う。異物による欠陥等の異常を検出した場合、異物を除去するためのインプリント処理である異物除去処理の設定にインプリント条件を切り替え、型Mに対して、異物除去処理を開始する。この異物除去処理中の充填画像からも検出を行い、異物除去処理により欠陥が無くなったか判定する。未充填等の欠陥が無くなったと判定した場合、インプリント設定に戻し、通常インプリント処理を再開する。 In the present embodiment, foreign matter is detected from a filled image in a normal imprint process, which is an imprint process for forming a pattern in a shot area on a substrate. When an abnormality such as a defect due to foreign matter is detected, the imprint condition is switched to the setting of foreign matter removal processing which is imprint processing for removing foreign matter, and foreign matter removal processing is started for the mold M. Detection is also performed from the filled image during the foreign matter removal process, and it is determined whether the defect has been eliminated by the foreign matter removal process. When it is determined that there is no defect such as unfilling, the imprint setting is restored and the normal imprint process is resumed.
図4は、第1実施形態に係るインプリント方法を示すフロー図である。各フローは、主に制御部190による各部の制御により実行される。本実施形態は、通常インプリント処理と異物除去処理とを含む。
FIG. 4 is a flowchart showing the imprint method according to the first embodiment. Each flow is executed mainly by control of each unit by the
工程S400では、基板Wが、不図示の基板搬送装置により、基板チャック122に搬入される。基板Wの搬入後、工程S411にてインプリント処理を行う。
In step S400, the substrate W is carried into the
工程S412では、上述のとおり、工程S411を行っている間、撮像部170が、基板W上に供給されたインプリント材Rが型Mのパターン面の凹部に充填される過程を撮像する(撮像工程)。撮像部170で取得された画像は、上述したように、記憶部180に記憶される。
In step S412, as described above, while performing step S411, the
工程S413では、インプリント材Rに異物が含まれていたか否かを判定する(判定工程)。例えば、まず、撮像部170が撮像した画像であって、型Mと基板Wとが異物を挟まずに接触している状態で得られた基準画像を記憶部180に記憶させる。次に、工程S412において、撮像部170が工程S411と並行して撮像した画像と、記憶させた基準画像とを比較し、その差分から欠陥を検出する。ここでは、撮像部170が、インプリント処理時において取得した画像を基準画像として用いたが、予め基準画像を記憶部180に記憶させておいてもよい。また、例えば、ショット領域のそれぞれに対応する基準画像を記憶部180に記憶させてもよい。
In step S413, it is determined whether or not foreign matter is included in the imprint material R (determination step). For example, first, a reference image obtained by the
工程S413において、異物が含まれていなかったと判定された場合(NO)、工程S414にて、制御部190が、基板W上の全ショット領域に対しインプリント処理が完了したか否かを判断する。完了していない場合(NO)、工程S411〜工程S413を繰り返す。完了した場合には(YES)、工程S415にて、制御部190が不図示の搬送装置を制御して基板Wを搬出する。
When it is determined in step S413 that no foreign matter is included (NO), in step S414, the
工程S413において、異物が含まれていたと判定された場合(YES)、工程S420にて、制御部190は、例えば、インプリント装置100のインプリント条件を異物除去処理の設定へと切り替える。
If it is determined in step S413 that foreign matter is included (YES), in step S420, for example, the
工程S431では、工程S420で設定されたインプリント条件でインプリント処理を行う。これにより、例えば、型Mに付着した異物を、基板W上のインプリント材Rによって、基板W側に移動させ、型Mから除去する。本工程を本実施形態では、除去工程と称する。工程S432では、工程S412と同様に、異物除去S431を行っている間、撮像部170が、基板W上に供給されたインプリント材Rが型Mのパターン面の凹部に充填される過程を撮像する。工程S433では、制御部190は、工程S432において、撮像部が撮像した画像と、基準画像とを比較し、その差分からインプリント材Rに異物が含まれていたか否かを判定する。
In step S431, imprint processing is performed under the imprint conditions set in step S420. Thereby, for example, the foreign matter adhering to the mold M is moved to the substrate W side by the imprint material R on the substrate W and removed from the mold M. This step is referred to as a removal step in this embodiment. In step S432, as in step S412, the
工程S433において、異物が検出されない場合(NO)、工程S440にて、制御部190は、インプリント条件を工程S411のインプリント設定に戻し、工程S411を再開する。異物が検出された場合(YES)、工程S434にて、制御部190は、予め設定した回数、除去工程を繰り返したか否かを判断する。繰り返しが完了していない場合(NO)、工程S431に戻り、再度位置合わせ工程を行い、工程S431〜工程S433を繰り返す。繰り返しが完了している場合(YES)、工程S450にて、型Mを、型Mとは異なる新しい型に交換し、再度工程S431〜工程S433を行う。通常は数回の除去処理で異物が除去されるが、稀に、例えば10ショット以上異物除去を実施しても欠陥が解消されない場合がある。このため、予め、異物検出〜異物除去を含む一連の異物除去工程を繰り返す所定の最大回数(閾値)を設定しておくことで、欠陥が解消されない場合は、新しい型に交換し、不要な異物除去の繰り返しを防止することができる。
If no foreign matter is detected in step S433 (NO), in step S440, the
図5は、第1実施形態に係るインプリント方法を説明する図である。ショット501から紙面左方向へ順番にインプリント処理を行い、本図では、ショット502で欠陥510が検出されたとする。すると、次のショット503ではインプリント条件を異物除去処理の設定に切り替えてインプリント処理(除去処理)を行う。除去処理により、欠陥510の大きさは、ショット504、505と徐々に小さくなっていき、4回目の異物除去を行ったショット506で欠陥が無くなったことが確認された。このため、インプリント条件を通常インプリント処理の設定に戻し、ショット507から通常インプリント処理を再開している。
FIG. 5 is a view for explaining the imprint method according to the first embodiment. It is assumed that imprint processing is performed in order from the
本実施形態によれば、異物除去後に欠陥検出の判定を行うため、通常インプリント処理を再開した際に、再度リピート欠陥が生じることがない。 According to the present embodiment, since the defect detection is determined after removing the foreign matter, the repeat defect does not occur again when the normal imprint process is resumed.
図6は、第1実施形態に係る異物除去処理の一例を説明する図である。インプリント条件の切替(図4、S420)は、例えば、制御部190が、インプリント装置100の以下のパラメータ1〜7を、異物除去に有利な値に設定することにより行う。
例えば、図6では、表1中、2以外のパラメータを通常インプリント処理とは異なる数値に変更し、インプリント処理(異物除去)を行う。まず、インプリント材Rを通常インプリント処理時よりも厚く供給させ、型を変形させる力であるキャビティプレッシャーも通常インプリント処理よりゆっくり変化させ、通常インプリント処理よりも低速で型と基板とを接触させる(図6(A))。さらに、充填時間を伸ばし、インプリント材Rの型Mへの充填性を上げる(図6(B))。続いて、通常インプリント処理よりも長時間光を照射し、インプリント材の収縮を通常よりも高める(図6(C))。最後に、通常インプリント処理よりも低速で型と基板とを剥離させ、型Mにかかる離型力を抑える(図6(D))。この条件においては、通常のインプリント処理よりも離型力が高くなりうる。したがって、基板Wが基板保持部120から外れたり、型Mが型保持部110から外れたりすることを防止するため、型保持部110、基板保持部120の吸着圧力(保持力)も通常インプリント処理よりも高くする。
For example, in FIG. 6, parameters other than 2 in Table 1 are changed to values different from the normal imprint process, and the imprint process (foreign matter removal) is performed. First, the imprint material R is supplied thicker than the normal imprint process, and the cavity pressure, which is a force for deforming the mold, is changed more slowly than the normal imprint process, and the mold and the substrate are moved at a lower speed than the normal imprint process. Contact is made (FIG. 6A). Further, the filling time is extended, and the filling property of the imprint material R into the mold M is improved (FIG. 6B). Subsequently, light is irradiated for a longer time than the normal imprint process, and the shrinkage of the imprint material is increased more than usual (FIG. 6C). Finally, the mold and the substrate are peeled off at a lower speed than the normal imprint process, and the mold release force applied to the mold M is suppressed (FIG. 6D). Under this condition, the release force can be higher than that of the normal imprint process. Therefore, in order to prevent the substrate W from being detached from the
このように、通常インプリント処理とは異なるインプリント条件でインプリントを行うことにより、型Mに付着した異物が、基板上のインプリント材中に留まり、型Mから除去される。なお、本実施形態では、一例として上述のパラメータを組み合わせて変更する場合を説明したが、上述の組み合わせに限られず、また、単一のパラメータのみを変更しても良い。 In this way, by performing imprinting under imprint conditions different from the normal imprinting process, the foreign matter attached to the mold M remains in the imprint material on the substrate and is removed from the mold M. In the present embodiment, the case where the above parameters are changed in combination has been described as an example. However, the present embodiment is not limited to the above combination, and only a single parameter may be changed.
本実施形態では、通常インプリント処理時と同一の基板Wを用い、型Mに付着した異物の除去を行ったが、例えば通常インプリント処理時と異なる基板である、ダミーの基板を用いて異物除去処理を行っても良い。この場合、例えば以下のインプリント条件を変更することも可能となる。
また、インプリント材を物性値の異なるものに変更しても良い。
In the present embodiment, the same substrate W as that used in the normal imprint process is used to remove the foreign matter adhering to the mold M. For example, a foreign substance using a dummy substrate that is a different substrate from that used in the normal imprint process A removal process may be performed. In this case, for example, the following imprint conditions can be changed.
Further, the imprint material may be changed to one having different physical property values.
(第2実施形態)
図7は、第2実施形態に係るのインプリント方法を説明する図である。第1実施形態と同様の工程及び構成は同符号で示し、説明は省略する。本実施形態では、例えば、ショットの輪郭上で欠陥を検出した場合の動作について説明する。
(Second Embodiment)
FIG. 7 is a diagram for explaining an imprint method according to the second embodiment. Steps and configurations similar to those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. In the present embodiment, for example, an operation when a defect is detected on the outline of a shot will be described.
ショット701のインプリント処理において、例えば、ショットの輪郭上に付着した異物702が隣接ショットへはみ出し、欠陥として検出された場合を考える。この場合、隣接ショット703に対してインプリント処理を行わず、ショット704から通常インプリント処理又は異物除去処理を再開しても良い。
In the imprint process of the
これにより、隣接ショット703にはみ出した異物702が、隣接ショット703に対しインプリント処理を行った際に型Mに付着し、新たな欠陥を引き起こす危険性を低減することが可能である。
As a result, it is possible to reduce the risk that the
(第3実施形態)
本実施形態では、通常のインプリント処理で検出された欠陥の位置座標を記憶するインプリント方法について説明する。通常のインプリント処理から異物除去処理のインプリント条件へと切り替える条件として、通常のインプリント処理において欠陥を検出した際の欠陥の位置座標を、例えば、異物除去処理の設定とともに記憶部180に記憶する。以降のショットのインプリント処理において同じ位置座標で欠陥が検出された場合に、インプリント条件を記憶しておいた異物除去処理の設定へと切り替えても良い。
(Third embodiment)
In the present embodiment, an imprint method for storing position coordinates of defects detected by a normal imprint process will be described. As a condition for switching from the normal imprint process to the imprint condition for the foreign substance removal process, for example, the position coordinates of the defect when the defect is detected in the normal imprint process are stored in the
これにより例えば型に付着した異物による欠陥等、型の不良に起因するリピート欠陥に特化した異物除去が可能となり、エアートラップ等の異物に起因しない欠陥や、リピートしない欠陥に対して、不必要な異物除去処理を行うことを回避する事が可能となる。 This makes it possible to remove foreign substances specialized for repeat defects caused by mold defects, such as defects caused by foreign substances attached to the mold, and is unnecessary for defects not caused by foreign substances such as air traps and defects that do not repeat. It is possible to avoid performing the foreign matter removal process.
(物品の製造方法)
物品としてのデバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述した方法を用いたインプリント装置により、基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア(記録媒体)や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
(Product manufacturing method)
A method for manufacturing a device (semiconductor integrated circuit element, liquid crystal display element, etc.) as an article includes a step of forming a pattern on a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate) by an imprint apparatus using the method described above. . Furthermore, the manufacturing method may include a step of etching the substrate on which the pattern is formed. When manufacturing other articles such as patterned media (recording media) and optical elements, the manufacturing method may include other processes for processing a substrate on which a pattern is formed instead of etching. The method for manufacturing an article according to the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.
100 インプリント装置
110 型保持部
M 型
120 基板保持部
W 基板
150 光源
170 撮像部
180 記憶部
190 制御部
DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記型と、前記複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域の前記インプリント材と、を接触させる接触工程と、
前記型と前記インプリント材とが接触している状態において、前記ひとつのショット領域を撮像して画像を取得する撮像工程と、
前記取得した画像に基づいて、前記インプリント材に異物が含まれているか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程において、前記異物が含まれていると判定した場合に前記異物を除去する除去工程と、
前記除去工程の後、前記ひとつのショット領域とは異なるショット領域と前記パターンとを位置合わせする位置合わせ工程と、を含む一連の工程を、
前記判定工程において前記異物が含まれていないと判定されるまで繰り返す、
ことを特徴とするインプリント方法。 A pattern formed on a mold and an imprint material supplied to a plurality of shot areas on the substrate are brought into contact with each other to fill the imprint material in the pattern, and the pattern of the imprint material is formed on the substrate. An imprint method for forming,
A contact step of bringing the mold into contact with the imprint material of one shot region among the plurality of shot regions;
In a state where the mold and the imprint material are in contact with each other, an imaging step of acquiring an image by imaging the one shot region;
Based on the acquired image, a determination step of determining whether or not foreign matter is included in the imprint material,
In the determination step, when it is determined that the foreign matter is included, a removal step of removing the foreign matter,
After the removing step, a series of steps including an alignment step of aligning the shot region different from the one shot region and the pattern,
Repeat until it is determined in the determination step that the foreign matter is not included,
An imprint method characterized by the above.
前記型と、前記複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域の前記インプリント材と、を接触させる接触工程と、
前記型と前記インプリント材とが接触している状態において、前記ひとつのショット領域を撮像して画像を取得する撮像工程と、
前記取得した画像に基づいて、前記インプリント材に異物が含まれているか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程において、前記異物が含まれていると判定した場合、前記型を保持する型保持部の保持力、または、前記基板を保持する基板保持部の保持力を前記接触工程から変更して前記異物を除去する除去工程と、を有する、
ことを特徴とするインプリント方法。 A pattern formed on a mold and an imprint material supplied to a plurality of shot areas on the substrate are brought into contact with each other to fill the imprint material in the pattern, and the pattern of the imprint material is formed on the substrate. An imprint method for forming,
A contact step of bringing the mold into contact with the imprint material of one shot region among the plurality of shot regions;
In a state where the mold and the imprint material are in contact with each other, an imaging step of acquiring an image by imaging the one shot region;
Based on the acquired image, a determination step of determining whether or not foreign matter is included in the imprint material,
If it is determined in the determination step that the foreign matter is included, the holding force of the mold holding unit that holds the die or the holding force of the substrate holding unit that holds the substrate is changed from the contact step. Removing the foreign matter, and
An imprint method characterized by the above.
前記型と、前記複数のショット領域のうち、ひとつのショット領域の前記インプリント材と、を接触させる接触工程と、
前記型と前記インプリント材とが接触している状態において、前記ひとつのショット領域を撮像して画像を取得する撮像工程と、
前記取得した画像に基づいて、前記インプリント材に異物が含まれているか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程において、前記異物が含まれていると判定した場合、前記型を変形させる力、または、前記基板を変形させる力を前記接触工程から変更して前記異物を除去する除去工程と、を有する、
ことを特徴とするインプリント方法。 A pattern formed on a mold and an imprint material supplied to a plurality of shot areas on the substrate are brought into contact with each other to fill the imprint material in the pattern, and the pattern of the imprint material is formed on the substrate. An imprint method for forming,
A contact step of bringing the mold into contact with the imprint material of one shot region among the plurality of shot regions;
In a state where the mold and the imprint material are in contact with each other, an imaging step of acquiring an image by imaging the one shot region;
Based on the acquired image, a determination step of determining whether or not foreign matter is included in the imprint material,
In the determination step, when it is determined that the foreign matter is included, a removal step of removing the foreign matter by changing a force for deforming the mold or a force for deforming the substrate from the contact step. Have
An imprint method characterized by the above.
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記ショット領域を撮像する撮像部と
前記撮像部により撮像された前記ショット領域の画像に基づいて、前記インプリント材に異物が含まれているか否かを判定し、前記インプリント材に前記異物が含まれていると判定した場合に、前記異物を除去するように前記型保持部または前記基板保持部を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記インプリント材に前記異物が含まれていないと判定するまで、前記異物を除去するように前記型保持部または前記基板保持部を制御する、
ことを特徴とするインプリント装置。 A pattern formed on a mold and an imprint material supplied to a plurality of shot areas on the substrate are brought into contact with each other to fill the imprint material in the pattern, and the pattern of the imprint material is formed on the substrate. An imprint apparatus for forming,
A mold holding unit for holding the mold;
A substrate holder for holding the substrate;
Based on an image capturing unit that captures the shot region and an image of the shot region captured by the image capturing unit, it is determined whether or not the imprint material includes foreign matter, and the foreign matter is included in the imprint material. A control unit that controls the mold holding unit or the substrate holding unit so as to remove the foreign matter when it is determined that it is included, and
The control unit controls the mold holding unit or the substrate holding unit to remove the foreign matter until it is determined that the foreign matter is not included in the imprint material.
An imprint apparatus characterized by that.
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 Forming a pattern on a substrate using the imprint method according to claim 1;
Processing the substrate on which the pattern has been formed in the step;
A method for producing an article comprising:
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