KR20190015111A - Imprint method, computer program, imprint apparatus, and method of manufacturing article - Google Patents

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Abstract

According to the present invention, provided is an imprint method which is advantageous to the suppression of pattern defects. The imprint method, which forms a pattern of an implant material on a plurality of pattern formation areas on a substrate by using a mold, includes: a contact process of bringing the mold in contact with an imprint material supplied to a pattern formation area among the plurality of pattern formation areas; a photographing process of obtaining an image by photographing the pattern formation area in a state that the mold is in contact with the implant material; a determining process of determining whether foreign matter is included between the substrate and the mold based on the obtained image; and a removing process of removing foreign matter when foreign matter is determined to be included in the determining process. The removing process is repeated until it is determined that foreign matter is not included in the determining process.

Description

임프린트 방법, 컴퓨터 프로그램, 임프린트 장치, 및 물품의 제조 방법{IMPRINT METHOD, COMPUTER PROGRAM, IMPRINT APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}Technical Field [0001] The present invention relates to an imprint method, a computer program, an imprint apparatus, and a method of manufacturing an article,

본 발명은 임프린트 방법, 프로그램, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprint method, a program, an imprint apparatus and a method of manufacturing an article.

임프린트 기술은, 나노 스케일의 미세한 패턴을 형성하는 기술이며, 반도체 디바이스나 자기 기억 매체의 양산용 나노 리소그래피 기술 중 하나로서 주목받고 있다. 임프린트 기술을 이용한 임프린트 장치는, 패턴이 형성된 형과 기판 상의 수지(임프린트재)를 접촉시킨 상태에서 수지를 경화시켜서, 경화된 임프린트재로부터 형을 분리시킴으로써 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성한다.Imprint technology is a technique for forming a fine pattern of nanoscale and is attracting attention as one of nanolithography techniques for mass production of semiconductor devices and magnetic storage media. An imprint apparatus using an imprint technique forms a pattern of an imprint material on a substrate by separating a mold from a cured imprint material by curing the resin in a state in which a patterned mold and a resin (imprint material) on the substrate are in contact with each other.

형과 기판 상의 임프린트재를 접촉시킬 때, 형과 기판 사이에 이물이 존재하거나, 혹은, 형에 이물이 부착되어 있으면, 기판 상에 형성되는 임프린트재의 패턴에 결함이 발생될 수 있다. 특허문헌 1에 기재된 임프린트 방법은, 파티클 제거막이 표면에 형성된 더미 웨이퍼를 사용하여 템플릿에 부착된 파티클을 제거하는 공정을 포함한다.When an imprint material is brought into contact with an imprint material on a substrate, if foreign matter exists between the imprint material and the substrate, or foreign matter adheres to the imprint material, defects may be generated in the pattern of the imprint material formed on the substrate. The imprint method described in Patent Document 1 includes a step of removing particles adhering to a template using a dummy wafer having a particle removing film formed on its surface.

일본 특허 공개 제2009-266841호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-266841

그러나, 특허문헌 1의 임프린트 방법에서는, 파티클을 제거하는 공정 후, 파티클이 제거되었는지 여부를 확인하지 않아, 템플릿에 파티클이 부착된 채로 되어 있는 경우가 있을 수 있다.However, in the imprinting method of Patent Document 1, there is a case where the particles are not attached to the template after the step of removing the particles is not confirmed whether or not the particles have been removed.

본 발명은 예를 들어 패턴 결함의 억제라는 점에서 유리한 임프린트 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an imprint method which is advantageous in that it suppresses, for example, pattern defects.

상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 형을 이용하여, 기판 상의 복수의 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며, 형과, 복수의 패턴 형성 영역 중 하나의 패턴 형성 영역에 공급된 임프린트재를 접촉시키는 접촉 공정과, 형과 임프린트재가 접촉되어 있는 상태에서, 하나의 패턴 형성 영역을 촬상하여 화상을 취득하는 촬상 공정과, 취득된 화상에 기초하여, 기판과 형 사이에 이물이 포함되어 있는지 여부를 판정하는 판정 공정과, 판정 공정에 있어서 이물이 포함되어 있다고 판정된 경우에, 이물을 제거하는 제거 공정을 포함하며, 제거 공정은, 판정 공정에 있어서 이물이 포함되어 있지 않다고 판정될 때까지 반복하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an imprint method for forming a pattern of an imprint material on a plurality of pattern forming regions on a substrate using a mold, An image pickup step of picking up an image of one pattern formation area in a state in which the mold and the imprint material are in contact with each other and a step of picking up an image based on the acquired image, And a removal step of removing foreign matter when it is determined that foreign matter is contained in the determination step, wherein the removal step is a step of determining whether or not foreign matter is contained in the determination step And then repeats the process until the time t is reached.

본 발명은 예를 들어 패턴 결함의 억제라는 점에서 유리한 임프린트 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an imprint method which is advantageous in that it suppresses, for example, pattern defects.

도 1은 임프린트 장치의 구성을 예시하는 도면이다.
도 2의 (A) 내지 (D)는 정상적인 임프린트 처리 과정을 예시하는 도면이다.
도 3의 (A) 내지 (D)는 이물을 포함하는 이상(異常)인 임프린트 처리를 예시하는 도면이다.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 도면이다.
도 6의 (A) 내지 (D)는 제1 실시 형태에 관한 이물 처리의 일례를 설명하는 도면이다.
도 7은 제3 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 도면이다.Fig. 1 is a diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus.
2 (A) to 2 (D) are diagrams illustrating a normal imprint processing process.
Figs. 3 (A) to 3 (D) are diagrams illustrating an imprint process which is abnormal (including an object).
4 is a flowchart showing an imprint method according to the first embodiment.
5 is a view for explaining an imprint method according to the first embodiment.
Figs. 6A to 6D are diagrams for explaining an example of foreign matter processing according to the first embodiment. Fig.
7 is a view for explaining the imprint method according to the third embodiment.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 도면 등을 참조하여 설명한다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

(제1 실시 형태)(First Embodiment)

도 1은, 임프린트 장치의 대표적인 장치 구성을 예시하는 도면이다. 임프린트 장치(100)는, 기판 상의 임프린트재에 형을 이용하여 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(100)는, 형과 기판 상의 임프린트재를 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시켜서, 경화된 임프린트재로부터 형을 분리시킴으로써 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 여기에서는, 일례로서, 광 경화법을 사용한 임프린트 장치로서, 자외선의 조사에 의해 기판 상의 미경화의 임프린트재를 경화시키는 자외선 경화형 임프린트 장치를 사용했다. 단, 임프린트재의 경화 방법으로서, 다른 파장 영역의 광 조사에 의한 방법이나, 다른 에너지(예를 들어, 열)에 의한 방법을 사용해도 된다.1 is a diagram exemplifying a typical apparatus configuration of an imprint apparatus. The imprint apparatus 100 is a lithographic apparatus that forms a pattern by using a mold on an imprint material on a substrate. The imprint apparatus 100 performs imprint processing for forming a pattern on a substrate by curing the imprint material while separating the imprint material from the mold and the imprint material on the substrate, and separating the mold from the cured imprint material. Here, as an example, as an imprint apparatus using a photo-curing method, an ultraviolet curable imprint apparatus for curing an uncured imprint material on a substrate by irradiation of ultraviolet rays was used. However, as the curing method of the imprint material, a method by light irradiation in another wavelength region or a method using another energy (for example, heat) may be used.

임프린트 장치(100)는, 형 보유 지지부(110)와, 기판 보유 지지부(120)와, 축외 얼라인먼트 스코프(130)와, 축상 얼라인먼트 스코프(140)와, 광원(150)과, 공급부(160)(디스펜서)와, 촬상부(170)와, 기억부(180)와, 제어부(190)를 포함한다. 또한, 이하의 도면에서는, 기판(W) 상의 임프린트재에 대해 조사되는 자외광의 광축에 평행으로 Z축을 취하고, Z축에 수직인 평면 내에 서로 직교하는 X축 및 Y축을 취하고 있다.The imprint apparatus 100 includes a mold holding unit 110, a substrate holding unit 120, an off-axis alignment scope 130, an axial alignment scope 140, a light source 150, a supply unit 160 A dispenser), an image pickup unit 170, a storage unit 180, and a control unit 190. In the following drawings, the Z axis is taken parallel to the optical axis of the ultraviolet light irradiated to the imprint material on the substrate W, and the X axis and the Y axis orthogonal to each other are taken in a plane perpendicular to the Z axis.

형 보유 지지부(110)는, 도시되지 않은 형 반송 장치에 의해 반입된 형(M)을 보유 지지하여 이동한다. 형 보유 지지부(110)는, 예를 들어 형(M)을 보유 지지하는 형 척(도시되지 않음)과, 형 척을 구동시킴으로써, 형(M)을 이동시키는 구동부(도시되지 않음)와, 형(M)을 외주 방향으로부터 가압함으로써 형(M)의 형상을 변형시키는 형 변형부(도시되지 않음)를 포함한다.Type holding unit 110 holds and moves the mold M carried by a mold transfer device (not shown). The mold holding portion 110 includes a mold chuck (not shown) for holding a mold M, a driving portion (not shown) for moving the mold M by driving the mold chuck, (Not shown) which deforms the shape of the mold M by pressing the mold M from the outer circumferential direction.

형 척에 의한 형(M)의 보유 지지는, 예를 들어 진공 흡인력이나 정전기력 등에 의한다. 구동부는, 형(M)의 위치를 6축에 관하여 제어하거나, 형(M)을 기판 상의 임프린트재에 접촉시키거나, 경화된 임프린트재로부터 형(M)을 박리(이형)하거나 한다. 여기서, 6축은, XYZ 좌표계에서의 X축, Y축, Z축 및 그들의 각 축 주위의 회전이다. 형 보유 지지부(110)는, 공기나 기름 등의 유체로 작동하는 실린더(액추에이터)를 사용하여 형(M)의 형상을 변형시킬 수 있다. 기판(W)은, 열처리 등의 프로세스를 거침으로써 변형(전형적으로는, 팽창 또는 수축)할 수 있다. 형 변형부는, 이러한 기판(W)의 변형에 따라, 기판(W)과 형(M)의 위치가 맞도록 형(M)의 형상을 보정한다.The holding of the mold (M) by the mold chuck is performed, for example, by a vacuum suction force or an electrostatic force. The driving unit controls the position of the mold M with respect to the six axes or contacts the mold M with the imprint material on the substrate or peels the mold M from the cured imprint material. Here, the six axes are the X axis, Y axis, Z axis in the XYZ coordinate system, and their revolutions around each axis. Type retainer 110 can deform the shape of the mold M by using a cylinder (actuator) that operates with fluid such as air or oil. The substrate W can be deformed (typically, expanded or contracted) by a process such as heat treatment. Shaped deforming portion corrects the shape of the mold (M) so that the position of the mold (W) matches the position of the mold (M) in accordance with the deformation of the substrate (W).

형(M)은, 예를 들어 외주의 형상이 직사각형이며, 기판(W)에 대향하는 면에 있어서, 예를 들어 회로 패턴 등의 요철 패턴이 3차원형으로 형성된 패턴부(P)를 포함한다. 또한, 형(M)의 재질은, 자외광을 투과시키기 가능한 재질이며, 본 실시 형태에서는 일례로서 석영으로 한다.The mold M includes, for example, a pattern portion P in which the shape of the outer periphery is rectangular and the concavo-convex pattern such as a circuit pattern is formed in a three-dimensional shape on the surface facing the substrate W . The material of the mold (M) is a material capable of transmitting ultraviolet light, and is quartz as an example in the present embodiment.

기판 보유 지지부(120)는, 도시되지 않은 기판 반송 장치에 의해 반입된 기판(W)을 보유 지지하여 이동한다. 기판 보유 지지부(120)는, 스테이지(121), 기판 척(122), 기판 변형부(도시되지 않음), 기준 플레이트(123)를 포함할 수 있다. 기판 척(122)은, 예를 들어 진공 흡착 패드 등에 의해 기판(W)을 보유 지지한다. 스테이지(121)는, 기판 척(122)을 보유 지지하고, 도시되지 않은 구동 기구에 의해 구동하여 기판(W)을 정반(1) 상에서 6축으로 이동한다. 기판 변형부는, 기판(W)을 외주 방향으로부터 가압함으로써 기판(W)의 형상을 변형시켜서, 기판(W)에 형성된 패턴 형성 영역(샷 영역)과 형(M)에 형성된 패턴부(P)의 형상을 맞춘다. 패턴 형성 영역에는, 복수의 샷 영역이 포함되어 있어도 된다. 이 경우, 형(M)에 형성된 패턴부(P)는 복수의 샷 영역에 대응한 영역에 패턴이 형성되어 있어도 된다. 기준 플레이트(123)는, 후술하는 기판(W)과 기판 보유 지지부(120)의 위치 정렬에 사용된다.The substrate holding portion 120 moves and holds the substrate W carried by a substrate transfer device (not shown). The substrate holding portion 120 may include a stage 121, a substrate chuck 122, a substrate deformation portion (not shown), and a reference plate 123. The substrate chuck 122 holds the substrate W by, for example, a vacuum adsorption pad or the like. The stage 121 holds the substrate chuck 122 and is driven by a drive mechanism (not shown) to move the substrate W on the table 1 in six axes. The substrate deforming portion deforms the shape of the substrate W by pressing the substrate W from the outer peripheral direction to deform the pattern forming region (shot region) formed on the substrate W and the pattern portion P formed on the mold (M) Match the shape. The pattern formation area may include a plurality of shot areas. In this case, the pattern portion P formed in the mold M may have a pattern formed in a region corresponding to a plurality of shot regions. The reference plate 123 is used for aligning the substrate W and the substrate holding portion 120, which will be described later.

기판(W)은, 형(M)에 의해, 임프린트재의 패턴이 형성되는 기판이며, 예를 들어 단결정 실리콘 기판이나 SOI(SILICON ON INSULATOR) 기판 등을 포함한다. 기판(W)에는 복수의 샷 영역이 형성되어 있다.The substrate W is a substrate on which a pattern of the imprint material is formed by the mold M and includes, for example, a single crystal silicon substrate or an SOI (SILICON ON INSULATOR) substrate. A plurality of shot regions are formed on the substrate W.

축외 얼라인먼트 스코프(130)는, 기판(W) 상에 설치된 마크(도시되지 않음) 및 기준 플레이트(123)에 설치된 마크를 검출하고, 기판(W)과 기판 보유 지지부(120)의 위치·형상 어긋남양을 구하고, 기판(W)과 기판 보유 지지부(120)의 위치 정렬을 행한다.The off-axis alignment scope 130 detects a mark provided on a mark (not shown) and a reference plate 123 provided on the substrate W and detects a position and a shape deviation of the substrate W and the substrate holding portion 120 And the substrate W and the substrate holding portion 120 are aligned with each other.

축상 얼라인먼트 스코프(140)는, 형(M)에 설치된 마크(도시되지 않음) 및 기준 플레이트(123)에 설치된 마크를 검출함으로써, 형(M)과 기판 보유 지지부(120)의 상대적인 위치를 구하고, 형(M)과 기판 보유 지지부(120)의 위치 정렬을 행한다.The axial alignment scope 140 obtains the relative positions of the mold M and the substrate holding portion 120 by detecting marks provided on a mark (not shown) and a reference plate 123 provided on the mold M, Alignment of the die M and the substrate holding portion 120 is performed.

광원(150)은, 형(M)을 거쳐 임프린트재에 광을 조사하고, 임프린트재를 경화시킴으로써, 예를 들어 자외광(예를 들어, i선, g선)을 발생시키는 할로겐 램프 등이다. 임프린트재는, 이 실시 형태에서는, 자외광 경화 수지이다.The light source 150 is a halogen lamp or the like that generates ultraviolet light (for example, i-line, g-line) by irradiating the imprint material with light via the mold M and curing the imprint material. In this embodiment, the imprint material is an ultraviolet light curing resin.

공급부(160)는, 예를 들어 임프린트재를 수용하는 탱크(161)와, 해당 탱크로부터 공급로를 통하여 공급되는 임프린트재를 기판에 대해 토출하는 토출구(162)와, 해당 공급로에 설치된 밸브(도시되지 않음)와, 공급량 제어부(도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 공급부(160)는, 기판에 설치된 샷 영역에 임프린트재를 공급한다. 공급량 제어부는, 밸브를 제어하여 기판(W)에 대한 임프린트재의 공급량을 제어한다.The supply section 160 includes, for example, a tank 161 for storing the imprint material, a discharge port 162 for discharging the imprint material supplied from the tank through the supply path to the substrate, Not shown), and a supply amount control unit (not shown). The supply unit 160 supplies the imprint material to the shot area provided on the substrate. The supply amount control unit controls the supply amount of the imprint material to the substrate W by controlling the valve.

촬상부(170)는, 촬상 광원(171)과, 촬상 소자(172)를 포함하고, 형(M)을 거쳐, 혹은, 형(M)을 거치지 않고, 기판(W)의 샷 영역을 촬상하여 화상을 취득한다. 촬상 광원(171)은, 자외선과는 상이한 파장의 광, 즉, 임프린트재를 경화시키는 파장의 광과는 상이한 파장의 광(예를 들어, 가시광)으로 기판(W)(샷 영역)을 조명한다. 촬상 소자(172)는, 예를 들어 CCD 이미지 센서 또는 CMOS 이미지 센서를 포함하고, 형(M)의 패턴면이나 기판(W)의 표면에서 반사된 광을 검출한다. 또한, 촬상 소자(172)는, 형(M)에서 반사된 광과 기판(W)에서 반사된 광의 간섭 광(에 의해 형성되는 간섭 패턴)도 검출할 수 있다. 촬상 소자(172)는, 기판 상의 임프린트재와 형(패턴부)이 접촉되어 있는 영역을 검출할 수 있다.The imaging section 170 captures the shot area of the substrate W via the mold M or the mold M without including the imaging light source 171 and the imaging element 172 And acquires an image. The imaging light source 171 illuminates the substrate W (shot area) with light (for example, visible light) having a wavelength different from that of ultraviolet light, that is, light having a wavelength different from that of light for curing the imprint material . The image pickup element 172 includes, for example, a CCD image sensor or a CMOS image sensor, and detects light reflected on the pattern surface of the mold M or the surface of the substrate W. [ The imaging element 172 can also detect the light reflected by the mold M and the interference light (the interference pattern formed by the interference light of the light reflected by the substrate W). The imaging element 172 can detect an area where the imprint material on the substrate is in contact with the mold (pattern part).

기억부(180)는, 예를 들어 메모리나 하드 디스크(HDD)을 포함하고, 촬상부(170)에서 취득된 화상이나 후술하는 임프린트 처리 과정의 화상을 기억한다. 또한, 기억부(180)는, 임프린트 장치(100)에서 사용되는 다양한 프로그램, 데이터, 정보 등도 기억하는 것이 가능하다.The storage unit 180 includes, for example, a memory or a hard disk (HDD), and stores an image obtained by the image pickup unit 170 or an image of an imprint process described later. The storage unit 180 can also store various programs, data, and information used in the imprint apparatus 100.

제어부(190)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 포함하고, 임프린트 장치(100)의 각 부를 제어하여 임프린트 처리를 행한다. 또한, 제어부(190)는, 촬상부(170)에서 취득된 화상에 기초하여 임프린트재에 이물이 포함되어 있는지 여부를 판정한다. 제어부(190)는, 예를 들어 임프린트 장치의 각 구성 요소에 회선에 의해 접속된, 자기 기억 매체 등의 기억 수단을 갖는 컴퓨터, 또는 시퀀서 등(도시되지 않음)으로 구성된다. 본 실시 형태에 관한 방법은, 프로그램으로서 컴퓨터에 실행될 수 있다. 제어부(190)는, 임프린트 장치(100) 내에 설치해도 되고, 임프린트 장치(100)와는 별도의 장소에 설치해 원격으로 제어해도 된다.The control unit 190 includes, for example, a CPU, a memory, and the like, and controls each section of the imprint apparatus 100 to perform an imprint process. The control unit 190 also determines whether or not the imprint material contains foreign matter based on the image acquired by the imaging unit 170. [ The control unit 190 is constituted by a computer, a sequencer or the like (not shown) having storage means such as a magnetic storage medium, which is connected to each constituent element of the imprint apparatus by a circuit, for example. The method according to the present embodiment can be executed in a computer as a program. The control unit 190 may be provided in the imprint apparatus 100 or may be provided separately from the imprint apparatus 100 and controlled remotely.

도 2의 (A) 내지 (D)는, 제1 실시 형태에 관한 임프린트 처리 과정을 예시하는 도면이다. 도 2의 (A)에 나타내는, 임프린트재(R)의 기판(W) 상으로의 공급 전에, 기판(W)을 기판 보유 지지부(120)에 보유 지지시킨다. 다음에, 기판(W) 상에 설치된 마크와 기준 플레이트(123)에 설치된 마크를 축외 얼라인먼트 스코프(130)로 검출하고, 기판(W)과 스테이지(121)의 위치나 형상의 어긋남양을 구한다.Figs. 2 (A) to 2 (D) are diagrams illustrating the imprint processing process according to the first embodiment. The substrate W is held on the substrate holding portion 120 before the imprint material R is supplied onto the substrate W as shown in Fig. Next, a mark provided on the substrate W and a mark provided on the reference plate 123 are detected by the off-axis alignment scope 130, and the amount of deviation of the position and the shape of the substrate W and the stage 121 is obtained.

이어서, 형(M)에 설치된 마크와 기준 플레이트(123)에 설치된 마크를 축상 얼라인먼트 스코프(140)로 검출하여, 형(M)과 스테이지(121)의 위치나 형상의 어긋남양을 구한다. 이와 같이 하여 구해진 위치나 형상의 어긋남양에 기초하여, 형(M)과 기판(W)의 위치나 형상의 어긋남을 보정한다(즉, 형(M)과 기판(W)의 얼라인먼트(위치 정렬 공정)를 행함).Subsequently, a mark provided on the mold M and a mark provided on the reference plate 123 are detected by the axial alignment scope 140, and the amount of displacement of the position of the mold M and the position of the stage 121 is obtained. The deviation of the positions and the shapes of the molds M and the substrate W is corrected based on the deviation amounts of the positions and shapes obtained in this manner (i.e., alignment of the molds M and the wafers W ).

형(M)과 기판(W)의 위치나 형상의 어긋남을 보정하면, 공급부(160)에 의해 기판(W) 상의 샷 영역에 임프린트재(R)를 공급한다(도 2의 (A)). 공급부(160) 하에서 기판(W)에 임프린트재를 공급한 후, 임프린트재(R)가 공급된 샷 영역을 형(M)의 하부에 배치한다. 다음에, 형(M)을 보유 지지한 형 보유 지지부(110)를 이동시켜서, 형(M)과 기판(샷 영역) 상의 임프린트재를 접촉시킨다(접촉 공정)(도 2의 (B)). 형(M)의 패턴부(P)의 오목부에 수지가 충전되면, 광원(150)에 의해, 형(M)을 통하여, 기판 상의 임프린트재(R)에 광(201)을 조사해, 이러한 임프린트재(R)를 경화시킨다(도 2의 (C)). 다음에, 형 보유 지지부(110)를 이동시켜서, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 형(M)을 박리한다(도 2의 (D)). 이에 의해, 기판(샷 영역) 상에 패턴이 형성된다. 이상의 공정이, 임프린트 처리이다.When the position and shape of the substrate M and the substrate W are corrected, the supply unit 160 supplies the imprint material R to the shot area on the substrate W (FIG. 2A). The imprint material is supplied to the substrate W under the supply part 160 and the shot area supplied with the imprint material R is arranged below the mold M. [ Next, the mold holding member 110 holding the mold M is moved so that the mold M is brought into contact with the imprint material on the substrate (shot area) (contact step) (FIG. 2 (B)). When the concave portion of the pattern portion P of the mold M is filled with the resin, the light 201 irradiates the imprint material R on the substrate through the mold M by the light source 150, And the material R is cured (Fig. 2 (C)). Next, the mold retaining portion 110 is moved to peel the mold M from the cured imprint material on the substrate (Fig. 2 (D)). Thereby, a pattern is formed on the substrate (shot area). The above process is an imprint process.

여기서, 촬상부(170)는, 임프린트 처리를 행하고 있는 동안, 상세하게는, 형(M)과 기판 상의 수지가 접촉하고 있는 동안, 기판 상의 임프린트재(R)가 형(M)과 기판(W) 사이로 퍼지면서 패턴면의 오목부에 충전되는 과정을 촬상한다(촬상 공정). 이와 같이 하여, 촬상부(170)에서 취득된 화상은, 상술한 바와 같이, 기억부(180)에 기억된다.More specifically, the imprint material R on the substrate is held between the mold M and the substrate W (W) while the mold M is in contact with the resin on the substrate while the imprinting process is being performed, (Image capturing step). [0054] In the image capturing step, as shown in Fig. In this way, the image acquired by the image pickup section 170 is stored in the storage section 180 as described above.

그러나, 도 3의 (A) 내지 (D)에 나타내는 바와 같이, 기판(W) 상에 이물(301)이 있는 경우(도 3의 (A)), 형(M)과 기판(W)을 접촉시켜서 패턴부(P)에 임프린트재(R)를 충전시켜도, 이물(301)에 의해 형(M)과 기판(W) 사이에 미충전 공간(302)이 발생한다(도 3의 (B)). 이 상태에서 광원에 의해 광(201)을 조사해도(도 3의 (C)), 이물(301) 부근에 임프린트재(R)가 충전되지 못하고 형성되는 패턴에 결함이 발생된다(도 3의 (D)). 또한, 이물(301)은 형(M)으로 이동할 수 있다.3 (A) to 3 (D), when the foreign object 301 is present on the substrate W (Fig. 3A), the mold M is brought into contact with the substrate W The unfilled space 302 is generated between the mold M and the substrate W by the foreign object 301 even if the pattern portion P is filled with the imprint material R (Fig. 3B) . Even if the light 201 is irradiated by the light source in this state (Fig. 3 (C)), defects are generated in the pattern formed without filling the imprint material R in the vicinity of the foreign object 301 D)). Further, the foreign object 301 can move to the mold M. [

이에 의해, 이후의 임프린트 처리에서는, 형(M)에 이물이 부착되어 있기 때문에, 샷 내의 동일한 좌표에서 결함을 재발시킨다. 본 실시 형태에서는, 이것을 리피트 결함이라 칭하고 있다. 이 리피트 결함은, 형(M)의 이물을 제거하지 않으면 정상적인 패턴 형성을 할 수 없다.Thus, in the subsequent imprint processing, since the foreign object is attached to the mold M, the defect is recurred at the same coordinates in the shot. In the present embodiment, this is referred to as a repeat defect. This repeat defect can not form a normal pattern unless the foreign matters of the mold (M) are removed.

본 실시 형태에서는, 기판 상의 샷 영역에 패턴을 형성하기 위한 임프린트 처리인, 통상 임프린트 처리 중에서, 충전 화상으로부터 이물의 검출을 행한다. 이물에 의한 결함 등의 이상을 검출한 경우, 이물을 제거하기 위한 임프린트 처리인 이물 제거 처리의 설정에 임프린트 조건을 바꾸고, 형(M)에 대해, 이물 제거 처리를 개시한다. 이 이물 제거 처리 중의 충전 화상으로부터도 검출을 행하여, 이물 제거 처리에 의해 결함이 없어졌는지 판정한다. 미충전 등의 결함이 없어졌다고 판정한 경우, 임프린트 설정으로 돌아가서, 통상 임프린트 처리를 재개한다.In the present embodiment, foreign matter is detected from a charged image during normal imprint processing, which is an imprint processing for forming a pattern in a shot area on a substrate. When an abnormality such as a defect due to a foreign object is detected, the imprint condition is changed in the setting of the foreign object removal process, which is the imprint process for removing the foreign object, and the foreign object removal process is started for the mold (M). Detection is also performed from the charged image in the foreign substance removing process, and it is determined whether or not the foreign substance is removed by the foreign substance removing process. If it is determined that the defects such as uncharging are eliminated, the process returns to the imprint setting and the normal imprint process is resumed.

도 4는, 제1 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 나타내는 흐름도이다. 각 플로우는, 주로 제어부(190)에 의한 각 부의 제어에 의해 실행된다. 본 실시 형태는, 통상 임프린트 처리와 이물 제거 처리를 포함한다.4 is a flowchart showing an imprint method according to the first embodiment. Each flow is mainly executed under the control of each unit by the control unit 190. [ The present embodiment includes a normal imprinting process and a foreign substance removing process.

공정 S400에서는, 기판(W)이, 도시되지 않은 기판 반송 장치에 의해, 기판 척(122)에 반입된다. 기판(W)의 반입 후, 공정 S411에서 임프린트 처리를 행한다.In step S400, the substrate W is carried into the substrate chuck 122 by a substrate transfer device (not shown). After carrying the substrate W, the imprint process is performed in step S411.

공정 S412에서는, 상술한 바와 같이, 공정 S411을 행하고 있는 동안, 촬상부(170)가, 기판(W) 상에 공급된 임프린트재(R)가 형(M)의 패턴면의 오목부에 충전되는 과정을 촬상한다(촬상 공정). 촬상부(170)에서 취득된 화상은, 상술한 바와 같이, 기억부(180)에 기억된다.In step S412, as described above, while the process S411 is performed, the imaging unit 170 performs the process S411 so that the imprint material R supplied onto the substrate W is filled in the concave part of the pattern surface of the mold M (Imaging process). The image acquired by the image pickup section 170 is stored in the storage section 180 as described above.

공정 S413에서는, 임프린트재(R)에 이물이 포함되어 포함되어 있는지 여부를 판정한다(판정 공정). 예를 들어, 먼저, 촬상부(170)가 촬상된 화상이며, 형(M)과 기판(W)이 이물을 머금지 않고 접촉되어 있는 상태에서 얻어진 기준 화상을 기억부(180)에 기억시킨다. 다음에, 공정 S412에서, 촬상부(170)가 공정 S411과 병행하여 촬상된 화상과, 기억시킨 기준 화상을 비교하여, 그 차분으로부터 결함을 검출한다. 여기에서는, 촬상부(170)가, 임프린트 처리 시에 있어서 취득된 화상을 기준 화상으로 하여 사용했지만, 미리 기준 화상을 기억부(180)에 기억시켜 두어도 된다. 또한, 예를 들어 샷 영역 각각에 대응하는 기준 화상을 기억부(180)에 기억시켜도 된다.In step S413, it is determined whether or not impurities are included in the imprint material R (determination step). For example, first, the reference image obtained in a state in which the image sensing unit 170 is the captured image, and the mold (M) and the substrate W are in contact with each other forcibly. Next, in step S412, the image sensing unit 170 compares the image taken in parallel with the step S411 with the stored reference image, and detects a defect from the difference. Here, the image pickup section 170 uses the image obtained at the time of the imprint process as a reference image, but the reference image may be stored in the storage section 180 in advance. Alternatively, for example, the reference image corresponding to each shot area may be stored in the storage unit 180. [

공정 S413에서, 이물이 포함되어 있지 않다고 판정된 경우("아니오"）, 공정 S414에서, 제어부(190)가, 기판(W) 상의 전체 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 완료되었는지 여부를 판단한다. 완료되지 않은 경우("아니오"）, 공정 S411 내지 공정 S413을 반복한다. 완료된 경우에는("예"), 공정 S415에서, 제어부(190)가 도시되지 않은 반송 장치를 제어하여 기판(W)을 반출한다.If it is determined in step S413 that no foreign matter is contained (NO), in step S414, the control unit 190 determines whether or not the imprint process has been completed for the entire shot area on the substrate W. [ (Yes), the control unit 190 controls the transfer device (not shown) in step S415 to transfer the substrate W out do.

공정 S413에서, 이물이 포함되어 있다고 판정된 경우("예"), 공정 S420에서, 제어부(190)는, 예를 들어 임프린트 장치(100)의 임프린트 조건을 이물 제거 처리의 설정으로 전환한다.If it is determined in step S413 that foreign objects are contained (YES), in step S420, the control unit 190 switches the imprint condition of the imprint apparatus 100, for example, to the setting of the foreign object removal processing.

공정 S431에서는, 공정 S420에서 설정된 임프린트 조건에서 임프린트 처리를 행한다. 이에 의해, 예를 들어 형(M)에 부착된 이물을, 기판(W) 상의 임프린트재(R)에 의해, 기판(W)측으로 이동시켜서, 형(M)으로부터 제거한다. 본 공정을 본 실시 형태에서는, 제거 공정이라고 칭한다. 공정 S432에서는, 공정 S412와 동일하게, 이물 제거 S431을 행하고 있는 동안, 촬상부(170)가, 기판(W) 상에 공급된 임프린트재(R)가 형(M)의 패턴면의 오목부에 충전되는 과정을 촬상한다. 공정 S433에서는, 제어부(190)는, 공정 S432에서, 촬상부가 촬상한 화상과, 기준 화상을 비교하여, 그 차분으로부터 임프린트재(R)에 이물이 포함되어 있는지 여부를 판정한다.In step S431, imprint processing is performed under the imprint conditions set in step S420. Thereby, for example, a foreign substance attached to the mold M is moved toward the substrate W by the imprint material R on the substrate W, and is removed from the mold M. [ This step is referred to as a removing step in the present embodiment. In step S432, in the same manner as step S412, while the foreign material removing S431 is performed, the imaging unit 170 moves the imprint material R supplied on the substrate W to the concave part of the pattern surface of the mold M And captures the process of charging. In step S433, the control unit 190 compares the image captured by the image pickup unit with the reference image in step S432, and determines whether or not the imprint material R contains foreign matter from the difference.

공정 S433에서, 이물이 검출되지 않은 경우("아니오"）, 공정 S440에서, 제어부(190)는, 임프린트 조건을 공정 S411의 임프린트 설정으로 되돌리고, 공정 S411을 재개한다. 이물이 검출된 경우("예"), 공정 S434에서, 제어부(190)는, 미리 설정한 횟수, 제거 공정을 반복하였는지 여부를 판단한다. 반복이 완료되지 않은 경우("아니오"）, 공정 S431로 복귀되어, 다시 위치 정렬 공정을 행하고, 공정 S431 내지 공정 S433을 반복한다. 반복이 완료된 경우("예"), 공정 S450에서, 형(M)을, 형(M)과는 상이한 새로운 형으로 교환하고, 다시 공정 S431 내지 공정 S433을 행한다. 통상은 복수회의 제거 처리로 이물이 제거되지만, 드물게, 예를 들어 10샷 이상 이물 제거를 실시해도 결함이 해소되지 않는 경우가 있다. 이 때문에, 미리, 이물 검출 내지 이물 제거를 포함하는 일련의 이물 제거 공정을 반복하는 소정의 최대 횟수(임계값)를 설정해둠으로써, 결함이 해소되지 않는 경우는, 새로운 형으로 교환하고, 불필요한 이물 제거의 반복을 방지할 수 있다.If no foreign object is detected (NO in step S433), the control unit 190 returns the imprint condition to the imprint setting in step S411 and resumes the step S411 in step S440. In the event that a foreign object is detected (" YES), in step S434, the control unit 190 determines whether or not the preset number of times and the removing process have been repeated. If the repetition is not completed (NO), the process returns to step S431, (Yes), the mold (M) is replaced with a new mold different from the mold (M) in step S450, and the process again is repeated in steps S431 to S433, In step S433, the foreign object is usually removed by a plurality of times of removal processing, but in some cases, defects may not be solved even if, for example, foreign object removal of 10 shots or more is performed. A series of objects containing By setting a predetermined maximum number of times (threshold value) for repeating the removing process, if the defect is not solved, it is possible to replace with a new type and prevent unnecessary repetition of foreign matter removal.

도 5는, 제1 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 도면이다. 샷(501)으로부터 지면 좌측 방향으로 차례로 임프린트 처리를 행하고, 본 도면에서는, 샷(502)으로 결함(510)이 검출되었다고 하자. 그러면, 다음의 샷(503)에서는 임프린트 조건을 이물 제거 처리의 설정으로 전환하여 임프린트 처리(제거 처리)를 행한다. 제거 처리에 의해, 결함(510)의 크기는, 샷(504, 505)과 함께 점차 작아져 가고, 4회째의 이물 제거를 행한 샷(506)으로 결함이 없어졌음이 확인되었다. 이 때문에, 임프린트 조건을 통상 임프린트 처리의 설정으로 되돌리고, 샷(507)으로부터 통상 임프린트 처리를 재개하고 있다.Fig. 5 is a view for explaining the imprint method according to the first embodiment. Imprint processing is sequentially performed from the shot 501 to the left in the drawing. In this figure, it is assumed that a defect 510 is detected by the shot 502. Then, in the next shot 503, the imprint condition is switched to the setting of the foreign substance removing process to perform the imprint process (removal process). It was confirmed that the size of the defect 510 gradually decreased along with the shots 504 and 505 by the removal processing and the defect was eliminated by the shot 506 after the fourth removal of the foreign body. Therefore, the imprint condition is returned to the normal imprint processing setting, and the normal imprint processing is resumed from the shot 507.

본 실시 형태에 따르면, 이물 제거 후에 결함 검출의 판정을 행하기 위하여, 통상 임프린트 처리를 재개했을 때, 다시 리피트 결함이 발생하는 일이 없다.According to the present embodiment, a repeat defect is not generated again when the normal imprint process is resumed to determine the defect detection after the foreign object is removed.

도 6의 (A) 내지 (D)는, 제1 실시 형태에 관한 이물 제거 처리의 일례를 설명하는 도면이다. 임프린트 조건의 전환(도 4, S420)은, 예를 들어 제어부(190)가, 임프린트 장치(100)의 이하의 파라미터(1 내지 7)를, 이물 제거에 유리한 값으로 설정함으로써 행한다.Figs. 6A to 6D are diagrams for explaining an example of a foreign substance removing process according to the first embodiment. Fig. The switching of the imprint conditions (Fig. 4 and S420) is performed, for example, by setting the following parameters (1 to 7) of the imprint apparatus 100 to a value favorable for the removal of impurities.

Figure pat00001
Figure pat00001

이물 제거 처리용 임프린트 조건(파라미터)은, 미리 설정해 두어도 되고, 예를 들어 검출된 이물의 크기에 따라 설정해도 된다.The imprint condition (parameter) for the impurity removal processing may be set in advance, or may be set according to the size of the detected impurities, for example.

예를 들어, 도 6의 (A) 내지 (D)에서는, 표 1에서, 2 이외의 파라미터를 통상 임프린트 처리와는 상이한 수치로 변경하고, 임프린트 처리(이물 제거)를 행한다. 먼저, 임프린트재(R)를 통상 임프린트 처리 시보다 두껍게 공급시키고, 형을 변형시키는 힘인 캐비티 압력도 통상 임프린트 처리보다 천천히 변화시켜, 통상 임프린트 처리보다도 저속으로 형과 기판을 접촉시킨다(도 6의 (A)). 또한, 충전 시간을 늘려, 임프린트재(R)의 형(M)에 대한 충전성을 상승시킨다(도 6의 (B)). 계속해서, 통상 임프린트 처리보다도 장시간 광을 조사하여, 임프린트재의 수축을 통상보다도 높인다(도 6의 (C)). 마지막으로, 통상 임프린트 처리보다도 저속으로 형과 기판을 박리시켜, 형(M)에 관한 이형력을 억제시킨다(도 6의 (D)). 이 조건에서는, 통상의 임프린트 처리보다도 이형력이 높아질 수 있다. 따라서, 기판(W)이 기판 보유 지지부(120)로부터 벗어나거나, 형(M)이 형 보유 지지부(110)로부터 벗어나거나 하는 것을 방지하기 위하여, 형 보유 지지부(110), 기판 보유 지지부(120)의 흡착 압력(보유 지지력)도 통상 임프린트 처리보다도 높게 한다.For example, in FIGS. 6A to 6D, in Table 1, parameters other than 2 are changed to values different from those of a normal imprint process, and an imprint process (debris removal) is performed. First, the imprint material R is supplied thicker than during the normal imprinting process, and the cavity pressure, which is a force for deforming the mold, is changed more slowly than the normal imprint process, and the mold is brought into contact with the substrate at a lower speed than the normal imprint process A)). In addition, the filling time is increased to increase the filling property of the imprint material R with respect to the mold M (Fig. 6 (B)). Subsequently, the shrinkage of the imprint material is made higher than usual by irradiating light for a longer time than the normal imprint process (Fig. 6 (C)). Finally, the mold and the substrate are peeled off at a lower speed than the normal imprinting process, thereby suppressing the releasing force on the mold (FIG. 6 (D)). Under this condition, the releasing force can be higher than the normal imprinting process. The mold retention portion 110, the substrate retention portion 120, and the substrate retention portion 110 are formed in order to prevent the substrate W from moving away from the substrate retention portion 120, (Holding force) higher than that of the normal imprinting treatment.

이와 같이, 통상 임프린트 처리와는 상이한 임프린트 조건에서 임프린트를 행함으로써, 형(M)에 부착된 이물이, 기판 상의 임프린트재 중에 머무르고, 형(M)으로부터 제거된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 일례로서 상술한 파라미터를 조합하여 변경하는 경우를 설명했지만, 상술한 조합에 한정되지 않고, 또한, 단일 파라미터만을 변경해도 된다.As described above, imprinting is performed under the imprint conditions different from the normal imprint process, so that the foreign matter adhered to the mold M remains in the imprint material on the substrate and is removed from the mold M. In the present embodiment, the case where the above-described parameters are combined and changed is described as an example, but the present invention is not limited to the above combination, and only a single parameter may be changed.

본 실시 형태에서는, 통상 임프린트 처리 시와 동일한 기판(W)을 사용하고, 형(M)에 부착된 이물의 제거를 행했지만, 예를 들어 통상 임프린트 처리 시와 상이한 기판인, 더미 기판을 사용하여 이물 제거 처리를 행해도 된다. 이 경우, 예를 들어 이하의 임프린트 조건을 변경하는 것도 가능해진다.In this embodiment, foreign matter adhered to the mold M is removed by using the same substrate W as in the normal imprinting process. However, for example, a dummy substrate, which is a substrate different from that in the normal imprint process, is used A foreign substance removing process may be performed. In this case, for example, the following imprint conditions can be changed.

Figure pat00002
Figure pat00002

또한, 임프린트재를 물성값이 상이한 것으로 변경해도 된다.Further, the imprint material may be changed to have different physical properties.

(제2 실시 형태)(Second Embodiment)

도 7은, 제2 실시 형태에 관한 임프린트 방법을 설명하는 도면이다. 제1 실시 형태와 동일한 공정 및 구성은 동일 부호로 나타내며, 설명은 생략한다. 본 실시 형태에서는, 예를 들어 샷의 윤곽상에서 결함을 검출한 경우의 동작에 대해 설명한다.7 is a view for explaining the imprint method according to the second embodiment. The same processes and components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted. In the present embodiment, an operation when a defect is detected on the contour of a shot, for example, will be described.

샷(701)의 임프린트 처리에 있어서, 예를 들어 샷의 윤곽 상에 부착된 이물(702)이 인접 샷으로 비어져 나와, 결함으로서 검출된 경우를 생각한다. 이 경우, 인접 샷(703)에 대해 임프린트 처리를 행하지 않고, 샷(704)으로부터 통상 임프린트 처리 또는 이물 제거 처리를 재개해도 된다.In the imprint process of the shot 701, for example, a case is considered in which the foreign object 702 attached on the contour of the shot is ejected as an adjacent shot and detected as a defect. In this case, the normal imprint process or the foreign object removal process may be resumed from the shot 704 without performing the imprint process on the adjacent shot 703. [

이에 의해, 인접 샷(703)으로 비어져 나온 이물(702)이, 인접 샷(703)에 대해 임프린트 처리를 행했을 때에 형(M)에 부착되어, 새로운 결함을 야기시킬 위험성을 저감시킬 수 있다.This makes it possible to reduce the risk of causing foreign matter 702 adhering to the contiguous shot 703 to adhere to the mold M when the imprint process is performed on the contiguous shot 703 to cause a new defect .

(제3 실시 형태)(Third Embodiment)

본 실시 형태에서는, 통상의 임프린트 처리에서 검출된 결함의 위치 좌표를 기억하는 임프린트 방법에 대해 설명한다. 통상의 임프린트 처리로부터 이물 제거 처리의 임프린트 조건으로 전환하는 조건으로서, 통상의 임프린트 처리에 있어서 결함을 검출했을 때의 결함 위치 좌표를, 예를 들어 이물 제거 처리의 설정과 함께 기억부(180)에 기억한다. 이후의 샷 임프린트 처리에 있어서 동일 위치 좌표에서 결함이 검출된 경우에, 임프린트 조건을 기억해 둔 이물 제거 처리의 설정으로 전환해도 된다.In this embodiment, an imprint method for storing the position coordinates of a defect detected in a normal imprint process will be described. As a condition for switching from the normal imprint process to the imprint condition of the impurity removal process, the defect position coordinates at the time of detecting the defect in the normal imprint process are stored in the storage unit 180 together with, for example, setting of the impurity removal process I remember. In the case where a defect is detected in the same position coordinates in the subsequent shot imprint processing, the setting may be switched to the setting of the foreign substance removal processing in which the imprint condition is stored.

이에 의해 예를 들어 형에 부착된 이물에 의한 결함 등, 형의 불량에 기인하는 리피트 결함에 특화된 이물 제거가 가능해지고,에어 트랩 등의 이물에 기인하지 않는 결함이나, 리피트하지 않는 결함에 대해, 불필요한 이물 제거 처리를 행하는 것을 회피하는 것이 가능해진다.As a result, it becomes possible to remove the foreign matter specific to the repeat defect caused by the defect of the mold, such as a defect due to foreign matter attached to the mold, and to a defect not caused by foreign matter such as an air trap or a defect which does not repeat, It is possible to avoid unnecessary foreign object removal processing.

(물품의 제조 방법)(Manufacturing method of article)

물품으로서의 디바이스(반도체 집적 회로 소자, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법은, 상술한 방법을 사용한 임프린트 장치에 의해, 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름형 기판)에 패턴을 형성하는 공정을 포함한다. 또한, 해당 제조 방법은, 패턴이 형성된 기판을 에칭하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 패턴드 미디어(기록 매체)나 광학 소자 등의 다른 물품을 제조하는 경우에는, 해당 제조 방법은, 에칭 대신 패턴이 형성된 기판을 가공하는 다른 처리를 포함할 수 있다. 본 실시 형태의 물품의 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.A manufacturing method of a device (semiconductor integrated circuit element, liquid crystal display element, etc.) as an article includes a step of forming a pattern on a substrate (wafer, glass plate, film type substrate) by an imprint apparatus using the above-described method. Further, the manufacturing method may include a step of etching the substrate on which the pattern is formed. In the case of manufacturing other articles such as patterned media (recording media) and optical elements, the manufacturing method may include other processing for processing a substrate on which a pattern is formed instead of etching. The method of manufacturing the article of the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

100: 임프린트 장치
110: 형 보유 지지부
M: 형
120: 기판 보유 지지부
W: 기판
150: 광원
170: 촬상부
180: 기억부
190: 제어부100: Imprint device
110:
M: Type
120: substrate holding portion
W: substrate
150: Light source
170:
180:
190:

Claims (13)

형을 이용하여, 기판 상의 복수의 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
상기 형과, 상기 복수의 패턴 형성 영역 중 하나의 패턴 형성 영역에 공급된 상기 임프린트재를 접촉시키는 접촉 공정과,
상기 형과 상기 임프린트재가 접촉되어 있는 상태에서, 상기 하나의 패턴 형성 영역을 촬상하여 화상을 취득하는 촬상 공정과,
상기 취득된 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 형 사이에 이물이 포함되어 있는지 여부를 판정하는 판정 공정과,
상기 판정 공정에 있어서 상기 이물이 포함되어 있다고 판정된 경우에, 상기 이물을 제거하는 제거 공정을 포함하고,
상기 제거 공정은, 상기 판정 공정에 있어서 상기 이물이 포함되어 있지 않다고 판정될 때까지 반복하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 방법.An imprint method for forming a pattern of an imprint material on a plurality of pattern forming regions on a substrate using a mold,
A contact step of bringing the imprint material supplied to one of the plurality of pattern forming areas into contact with the mold,
An image capturing step of capturing an image of the one pattern formation area and acquiring an image in a state in which the template and the imprint material are in contact with each other;
A determination step of determining, based on the acquired image, whether or not a foreign object is contained between the substrate and the die;
And a removal step of removing the foreign matter when it is determined that the foreign matter is contained in the determination step,
Wherein the removing step repeats the step of determining whether or not the foreign matter is contained in the determining step. 제1항에 있어서,
상기 제거 공정은, 상기 판정 공정이 행하여진 상기 기판과 동일한 기판을 사용하여 행해지는 것을 특징으로 하는, 임프린트 방법.The method according to claim 1,
Wherein the removing step is performed using the same substrate as the substrate on which the determining step is performed. 제1항에 있어서,
상기 제거 공정은, 상기 판정 공정이 행하여진 상기 기판과 상이한 기판을 사용하여 행해지는 것을 특징으로 하는, 임프린트 방법.The method according to claim 1,
Wherein the removing step is performed using a substrate different from the substrate on which the determining step is performed. 제1항에 있어서,
상기 제거 공정에 있어서, 상기 형을 보유 지지하는 형 보유 지지부의 보유 지지력 또는 상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부의 보유 지지력을 상기 접촉 공정으로부터 변경하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 방법.The method according to claim 1,
Wherein the holding step comprises a step of changing the holding force of the mold holding member holding the mold or the holding force of the substrate holding member holding the substrate in the removing step from the contacting step. 제1항에 있어서,
상기 제거 공정에 있어서, 상기 형을 변형시키는 힘 또는 상기 기판을 변형시키는 힘을 상기 접촉 공정으로부터 변경하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 방법.The method according to claim 1,
Wherein in said removing step, a force for deforming said mold or a force for deforming said substrate is changed from said contacting process. 제1항에 있어서,
상기 일련의 공정을 반복하는 횟수가 소정의 임계값을 초과하는 경우는, 상기 형을 별도의 형과 교환하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 방법.The method according to claim 1,
Wherein when the number of times of repeating the series of processes exceeds a predetermined threshold value, the mold is exchanged with another mold. 제1항에 있어서,
상기 판정 공정에 있어서, 상기 하나의 패턴 형성 영역에 인접하는 패턴 형성 영역에 상기 이물이 포함되어 있다고 판정된 경우, 상기 인접하는 패턴 형성 영역에 대해, 상기 패턴을 형성하지 않는 것을 특징으로 하는, 임프린트 방법.The method according to claim 1,
Characterized in that the pattern is not formed in the adjacent pattern formation region when it is determined in the determination step that the foreign substance is contained in the pattern formation region adjacent to the one pattern formation region, Way. 제1항에 있어서,
상기 판정 공정에 있어서, 상기 이물이 존재하는 위치 좌표를 기억하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 방법.The method according to claim 1,
Wherein the position coordinates in which the foreign object is present are stored in the determining step. 형을 이용하여, 기판 상의 복수의 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
상기 형과, 상기 복수의 패턴 형성 영역 중 하나의 패턴 형성 영역에 공급된 상기 임프린트재를 접촉시키는 접촉 공정과,
상기 형과 상기 임프린트재가 접촉되어 있는 상태에서, 상기 하나의 패턴 형성 영역을 촬상하여 화상을 취득하는 촬상 공정과,
상기 취득된 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 형 사이에 이물이 포함되어 있는지 여부를 판정하는 판정 공정과,
상기 판정 공정에 있어서, 상기 이물이 포함되어 있다고 판정된 경우, 상기 형을 보유 지지하는 형 보유 지지부의 보유 지지력 또는 상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부의 보유 지지력을 상기 접촉 공정으로부터 변경하여 상기 이물을 제거하는 제거 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 임프린트 방법.An imprint method for forming a pattern of an imprint material on a plurality of pattern forming regions on a substrate using a mold,
A contact step of bringing the imprint material supplied to one of the plurality of pattern forming areas into contact with the mold,
An image capturing step of capturing an image of the one pattern formation area and acquiring an image in a state in which the template and the imprint material are in contact with each other;
A determination step of determining, based on the acquired image, whether or not a foreign object is contained between the substrate and the die;
Wherein when it is determined that the foreign object is contained in the determination step, the holding force of the mold holding unit for holding the mold or the holding force of the substrate holding unit for holding the substrate is changed from the contacting step, And a removing step of removing the impurities. 형을 이용하여, 기판 상의 복수의 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
상기 형과, 상기 복수의 패턴 형성 영역 중 하나의 패턴 형성 영역에 공급된 상기 임프린트재를 접촉시키는 접촉 공정과,
상기 형과 상기 임프린트재가 접촉되어 있는 상태에서, 상기 하나의 패턴 형성 영역을 촬상하여 화상을 취득하는 촬상 공정과,
상기 취득된 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 형 사이에 이물이 포함되어 있는지 여부를 판정하는 판정 공정과,
상기 판정 공정에 있어서, 상기 이물이 포함되어 있다고 판정된 경우, 상기 형을 변형시키는 힘 또는 상기 기판을 변형시키는 힘을 상기 접촉 공정으로부터 변경하여 상기 이물을 제거하는 제거 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 임프린트 방법.An imprint method for forming a pattern of an imprint material on a plurality of pattern forming regions on a substrate using a mold,
A contact step of bringing the imprint material supplied to one of the plurality of pattern forming areas into contact with the mold,
An image capturing step of capturing an image of the one pattern formation area and acquiring an image in a state in which the template and the imprint material are in contact with each other;
A determination step of determining, based on the acquired image, whether or not a foreign object is contained between the substrate and the die;
And a removal step of removing the foreign object by modifying a force for deforming the mold or a force for deforming the substrate from the contact step when it is determined that the foreign matter is contained in the determination step, Imprint method. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 임프린트 방법을 컴퓨터에 실행시키는 것을 특징으로 하는, 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램.A computer program stored in a recording medium, characterized by causing a computer to execute the imprint method according to any one of claims 1 to 10. 형을 이용하여, 기판 상의 복수의 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
상기 형을 보유 지지하는 형 보유 지지부와,
상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지부와,
상기 패턴 형성 영역을 촬상하는 촬상부와,
상기 촬상부에 의해 촬상된 상기 패턴 형성 영역의 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 형 사이에 이물이 포함되어 있는지 여부를 판정하고, 상기 이물이 포함되어 있다고 판정된 경우에, 상기 이물을 제거하도록 상기 형 보유 지지부 또는 상기 기판 보유 지지부 중 적어도 한쪽을 제어하는 제어부를 가지며,
상기 제어부는, 상기 기판과 상기 형 사이에 상기 이물이 포함되어 있지 않다고 판정될 때까지, 상기 이물을 제거하도록 상기 형 보유 지지부 또는 상기 기판 보유 지지부 중 적어도 한쪽을 제어하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.An imprint apparatus for forming a pattern of an imprint material on a plurality of pattern forming regions on a substrate using a mold,
A mold holding portion for holding the mold,
A substrate holding portion for holding the substrate;
An imaging unit for imaging the pattern formation area;
Based on the image of the pattern formation area captured by the imaging unit, whether or not the foreign object is contained between the substrate and the mold, and when it is determined that the foreign object is included, the foreign object is removed And a control section for controlling at least one of the die holding section and the substrate holding section,
Wherein the control unit controls at least one of the mold holding unit and the substrate holding unit to remove the foreign object until it is determined that the foreign matter is not contained between the substrate and the mold. . 물품의 제조 방법이며,
형을 이용하여, 기판 상의 복수의 패턴 형성 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 방법을 사용하여 기판에 패턴을 형성하는 공정과,
상기 공정에서 패턴을 형성한 상기 기판을 가공하는 공정을 포함하고,
상기 임프린트 방법은,
상기 형과, 상기 복수의 패턴 형성 영역 중 하나의 패턴 형성 영역에 공급된 상기 임프린트재를 접촉시키는 접촉 공정과,
상기 형과 상기 임프린트재가 접촉하고 있는 상태에서, 상기 하나의 패턴 형성 영역을 촬상하여 화상을 취득하는 촬상 공정과,
상기 취득된 화상에 기초하여, 상기 기판과 상기 형 사이에 이물이 포함되어 있는지 여부를 판정하는 판정 공정과,
상기 판정 공정에 있어서 상기 이물이 포함되어 있다고 판정된 경우에, 상기 이물을 제거하는 제거 공정을 포함하며,
상기 제거 공정은, 상기 판정 공정에 있어서 상기 이물이 포함되어 있지 않다고 판정될 때까지 반복하는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.A method of manufacturing an article,
A step of forming a pattern on a substrate by using an imprint method of forming a pattern of an imprint material on a plurality of pattern forming areas on a substrate by using a mold,
And processing the substrate on which the pattern is formed in the step,
In the imprint method,
A contact step of bringing the imprint material supplied to one of the plurality of pattern forming areas into contact with the mold,
An image pickup step of picking up an image of the one pattern formation area in a state in which the imprint material is in contact with the mold,
A determination step of determining, based on the acquired image, whether or not a foreign object is contained between the substrate and the die;
And a removing step of removing the foreign matter when it is determined that the foreign matter is contained in the determining step,
Wherein the removing step is repeated until it is determined that the foreign matter is not contained in the determining step.
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