JP2019029451A - 半導体装置製造用部材の製造方法 - Google Patents
半導体装置製造用部材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019029451A JP2019029451A JP2017145722A JP2017145722A JP2019029451A JP 2019029451 A JP2019029451 A JP 2019029451A JP 2017145722 A JP2017145722 A JP 2017145722A JP 2017145722 A JP2017145722 A JP 2017145722A JP 2019029451 A JP2019029451 A JP 2019029451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- forming
- insulating material
- material layer
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 164
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 58
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 79
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 5
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 abstract 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 10
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 2
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 2
- ZMLDXWLZKKZVSS-UHFFFAOYSA-N palladium tin Chemical compound [Pd].[Sn] ZMLDXWLZKKZVSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 5-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-2h-tetrazole Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C2=NNN=N2)=C1 KWSLGOVYXMQPPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003483 aging Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001382 calcium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940064002 calcium hypophosphite Drugs 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- -1 or the like Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229910001380 potassium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- CRGPNLUFHHUKCM-UHFFFAOYSA-M potassium phosphinate Chemical compound [K+].[O-]P=O CRGPNLUFHHUKCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001379 sodium hypophosphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- CNALVHVMBXLLIY-IUCAKERBSA-N tert-butyl n-[(3s,5s)-5-methylpiperidin-3-yl]carbamate Chemical compound C[C@@H]1CNC[C@@H](NC(=O)OC(C)(C)C)C1 CNALVHVMBXLLIY-IUCAKERBSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- GNWGXASUBJBGGD-UHFFFAOYSA-N triazin-4-ylurea Chemical compound NC(=O)NC1=CC=NN=N1 GNWGXASUBJBGGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
Description
まず、半導体装置製造用部材の支持体S上に第一絶縁材料層1を形成する工程(I)を行う(図1(a))。支持体Sは、特に限定されないが、シリコン板、ガラス板、SUS板、ガラスクロス入り基板、半導体素子入り封止樹脂等であり、高剛性からなる基板が好適である。
次に、第一絶縁材料層1の表面に第一凹部1aを形成する工程(II)を行う(図1(b))。本実施形態において、第一凹部1aとは、第一絶縁材料層1の表面に対して、第一絶縁材料層1の厚さ方向に凹んだ部位をいい、この凹んだ部位の内壁(側面及び底面等)を含む。第一凹部1aは、図1(b)に示すように、支持体Sの表面にまで至るように形成されていること、すなわち、第一絶縁材料層1からなる側面と、支持体Sの表面からなる底面とによって構成されていることが好ましい。第一凹部1aの開口形状は、円形又は楕円形であることが好ましく、この場合の開口サイズは直径5〜50μm(より微細な場合には直径5〜10μm)の円の面積に相当する程度であってもよい。
次に、第一絶縁材料層1の第一凹部1aを含む表面を改質する工程(III)を行う(不図示)。本実施形態において、改質とは、工程(IV)に先立ち、第一絶縁材料層1の表面を、パラジウム触媒がより吸着しやすい状態とすることを意味する。工程(IV)の前に実施される処理であることから、この改質処理を以下「前処理」ということがある。
次に、改質された第一絶縁材料層1の第一凹部1aを含む表面に、パラジウム吸着層3を形成する工程(IV)を行う(図1(c))。本実施形態において、パラジウム吸着層3とは、パラジウムを第一絶縁材料層1の第一凹部1aを含む表面に吸着させた後、パラジウムを触媒として作用させるための活性化を行い、この後の工程で行う無電解ニッケルめっきの無電解めっき反応の触媒となるものである。このパラジウム吸着層3の形成方法について、以下に説明する。
続いて、パラジウム吸着層3を形成した第一絶縁材料層1の第一凹部1aを含む表面に、無電解ニッケルめっきにより第一ニッケル層5を形成する工程(V)を行う(図1(d))。この第一ニッケル層5は、この後の工程で銅層7(配線パターン)を形成するために行う電解銅めっきのシード層(電解銅めっきのための給電層)となる。
次に、第二凹部6aを有する回路形成用レジスト6を第一ニッケル層5上に形成する工程(VI)を行う(図1(e))。図1(e)に示すように、第二凹部6aは第一凹部1aが形成されている位置に形成される。これにより、内壁が第一ニッケル層5で覆われている第一凹部1aと、これに連通する第二凹部6aとによって構成される凹部が支持体S上に形成される。
次に、第一ニッケル層5上に電解銅めっきにより銅層7を形成する工程(VII)を行う(図2(a))。具体的には、無電解ニッケルめっきで形成した第一ニッケル層5をシード層として、その上に電解銅めっきにより、第二凹部6a内の第一ニッケル層5上に銅層7が形成されるとともに、内壁が第一ニッケル層5で覆われている第一凹部1a内に銅層7が充填される。なお、本実施形態では、銅層7を形成する方法として、電解銅めっきを用いたが、これ以外に、例えば、無電解銅めっきを選択できる。
次に、第一ニッケル層5上から、回路形成用レジスト6をはく離する工程(VIII)を行う(図2(b))。回路形成用レジストのはく離は、市販のはく離液を使用して行えばよい。
次に、一部の第一ニッケル層5及びその下に残存しているパラジウム(パラジウム吸着層)を除去する工程(IX)を行う(図2(c))。より具体的には、銅層7で覆われていない領域(回路形成用レジスト6のはく離によって露出した領域)の第一ニッケル層5及びその下に残存しているパラジウムが除去される。これらの除去は、市販の除去液(エッチング液)を使用して行えばよく、具体例として、酸性のエッチング液(株式会社JCU製、BB−20、PJ−10、SAC−700W3C)が挙げられる。
次に、銅層7上に無電解ニッケルめっきによって第二ニッケル層8を形成する工程(X)を行う(図2(d))。図2(d)に示すように、第二ニッケル層8は銅層7の上面、ならびに、第二ニッケル層8の側面及び第一ニッケル層5の側面にも形成される。銅層7上への無電解ニッケルめっきの方法としては、一般的な置換無電解ニッケルめっきを適用することができる。より具体的には、銅配線表面の脱脂、水洗、硫酸洗浄、パラジウムキャタライズ、ニッケルめっきの工程で形成することができる。第二ニッケル層8は、第一ニッケル層5及び銅層7とともに配線層を構成する。
次に、配線層を覆うように第二絶縁材料層9を形成する工程(XI)を行う(図3(a))。第二絶縁材料層9を構成する材料は第一絶縁材料層1と同様のものを採用すればよく、感光性絶縁材料が好ましい。第二絶縁材料層9は第一絶縁材料層1と同様にして形成すればよい。第二絶縁材料層9の厚さは、3〜15μmが好ましく、5〜15μmがより好ましく、7〜15μmが更に好ましい。
次に、第二絶縁材料層9に配線層(第二ニッケル層8)にまで至る開口部9aを形成する工程(XII)を行う(図3(b))。これにより、配線基板10(半導体装置製造用部材)が製造される。開口部9aは、上述の第一凹部1aと同様の方法で形成すればよい。すなわち、開口部9aの形成方法として、レーザアブレーション、フォトリソグラフィー、インプリント等が挙げられるが、微細化とコストの観点から、工程(XI)において感光性樹脂材料からなる第二絶縁材料層9を形成し、フォトリソグラフィープロセス(露光及び現像)によって開口部9aを形成することが好ましい。
Claims (4)
- 支持体上に第一絶縁材料層を形成する工程(I)と、
前記第一絶縁材料層の表面に第一凹部を形成する工程(II)と、
前記第一絶縁材料層の第一凹部を含む表面を改質する工程(III)と、
前記改質された第一絶縁材料層の第一凹部を含む表面に、パラジウム吸着層を形成する工程(IV)と、
前記パラジウム吸着層が形成された第一絶縁材料層の第一凹部を含む表面に、無電解ニッケルめっきにより第一ニッケル層を形成する工程(V)と、
前記第一ニッケル層上に回路形成用レジストで第二凹部を形成する工程(VI)と、
前記第二凹部に電解銅めっき又は無電解銅めっきにより銅層を形成する工程(VII)と、
前記回路形成用レジストをはく離する工程(VIII)と、
前記回路形成用レジストのはく離によって露出した前記第一ニッケル層と前記パラジウム吸着層とを除去する工程(IX)と、
前記銅層上に無電解ニッケルめっきにより第二ニッケル層を形成する工程(X)と、
前記第二ニッケル層を覆う第二絶縁材料層を形成する工程(XI)と、
前記第二絶縁材料層に前記第二ニッケル層にまで至る開口部を形成する工程(XII)と、
を含む、半導体装置製造用部材の製造方法。 - 前記第一絶縁材料層及び前記第二絶縁材料層はいずれも感光性樹脂材料からなり、
前記工程(II)における前記第一凹部及び前記工程(XII)における前記開口部はいずれも露光及び現像によって形成される、請求項1に記載の半導体装置製造用部材の製造方法。 - 前記工程(VI)で形成される前記第二凹部は、0.5〜20μmの開口幅を有する、請求項1又は2に記載の半導体装置製造用部材の製造方法。
- 前記工程(XII)後、前記工程(IV)から前記工程(XII)までの一連の工程を1回以上繰り返すことによって、多層化された配線層を形成する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置製造用部材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017145722A JP7119307B2 (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | 半導体装置製造用部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017145722A JP7119307B2 (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | 半導体装置製造用部材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019029451A true JP2019029451A (ja) | 2019-02-21 |
JP7119307B2 JP7119307B2 (ja) | 2022-08-17 |
Family
ID=65478627
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017145722A Active JP7119307B2 (ja) | 2017-07-27 | 2017-07-27 | 半導体装置製造用部材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7119307B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003008239A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
JP2014049170A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブおよびそれらの製造方法 |
JP2014086598A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び感光性樹脂組成物 |
JP2017092385A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2017
- 2017-07-27 JP JP2017145722A patent/JP7119307B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003008239A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-10 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板 |
JP2014049170A (ja) * | 2012-09-04 | 2014-03-17 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブおよびそれらの製造方法 |
JP2014086598A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び感光性樹脂組成物 |
JP2017092385A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | 日立化成株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7119307B2 (ja) | 2022-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6911982B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2023095942A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI829833B (zh) | 配線基板及其製造方法 | |
JP7326761B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP7424741B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP7119307B2 (ja) | 半導体装置製造用部材の製造方法 | |
JP2022097755A (ja) | 配線層の製造方法並びにシード層の形成方法 | |
JP7315062B2 (ja) | 半導体装置製造用部材の製造方法 | |
JP7280011B2 (ja) | 半導体装置製造用部材の製造方法 | |
JP7263710B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2017092385A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US20230253215A1 (en) | Method for producing circuit board | |
WO2022070389A1 (ja) | 配線基板の製造方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂シート | |
WO2022264378A1 (ja) | 配線基板の製造方法及び積層板 | |
US20240057263A1 (en) | Method for producing wiring board, laminate and method for producing same | |
JP7439384B2 (ja) | 配線基板 | |
TW202205923A (zh) | 配線基板的製造方法 | |
JP2020136314A (ja) | 配線基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200626 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210511 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211116 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20220114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220718 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7119307 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |