JP2019029413A - 半導体発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体発光装置の放熱性を、より向上させる。【解決手段】パッケージ基板２と、パッケージ基板２の一方の面に形成されたｐ側電極３及びｎ側電極４と、前記一方の面に実装され、ｐ側電極３及びｎ側電極４と導通する半導体チップ５と、を備えた半導体発光装置１において、平面視で、ｐ側電極３の面積及びｎ側電極４の面積の総和を、パッケージ基板２の面積に対して、５０．０％以上９４．０％以下とした。パッケージ基板２の半導体チップ５が実装された側の面に形成されたｐ側電極３の面積及びｎ側電極４の面積を大きくすることにより、パッケージ基板２の半導体チップ５が実装された側の面からの放熱量を増加させることができ、放熱効果を向上させることができる。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光装置に関する。

波長が２８０ｎｍ以下の深紫外線を発光する深紫外ＬＥＤ（以下、ＵＶＣ−ＬＥＤ：ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ Ｃ−Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、殺菌用途に利用可能な高出力・長寿命の半導体発光装置として期待されている。
このＵＶＣ−ＬＥＤは発熱し易いため、電流印加時に発生する熱の放熱が重要となっている。そのため、例えば、放熱性を向上する目的で、半導体チップと、半導体チップ側に形成された電極と導通される接続基板との間に、充填材を充填して発光装置本体を形成し、この発光装置本体を、その全体を覆うパッケージに収納することで、半導体チップの発熱を、充填材を介して接続基板へ放熱するようにした方法（例えば、特許文献１参照）が提案されている。また、半導体チップの一方の電極をパッケージ電極と接触させ、もう一方の電極をワイヤーを介して電気的にパッケージ電極とつなげる構造により、半導体チップの発熱を抑制し、半導体チップと同程度の大きさの電極を介して、パッケージに伝達させ、放熱性を向上させる方法（例えば、非特許文献１参照）等も提案されている。

特開２０１６−１１１３６４号公報

C DeMilo, C Bergad, R Forni, T Brukilacchio - Proc. of SPIE, 2007

ところで、半導体発光装置として、半導体チップをパッケージ内に収納して半導体チップ全体を覆うようにした半導体発光装置は、その製造は複雑であると共に、多くの部品や材料を使用するため、コストが高く、また、半導体チップを露出した状態でワイヤーを介して電気的に接続した構造の半導体発光装置は、ワイヤーが露出していることから振動や衝撃に弱く断線リスクが高い。そこで、ワイヤーを使わず、半導体チップ両方の電極をパッケージ基板に固定し、半導体チップ全体を覆わずに半導体チップの側面や上部を露出させた半導体発光装置も提案されている。このような半導体発光装置は、従来の構造に比べて放熱性が高いものの、より一層の放熱性の向上が望まれていた。
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、放熱性をより向上させることのできる半導体発光装置を提供することを目的としている。

本発明の一実施形態に係る半導体発光装置は、基板と、前記基板の一方の面に形成された金属層と、前記一方の面に実装され、前記金属層と導通する半導体発光素子と、を備え、平面視で、前記金属層の面積は前記基板の面積に対して、５０．０％以上９４．０％以下であることを特徴としている。

本発明の一態様によれば、放熱性がより高い半導体発光装置を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の一例を示す概略構成図である。 図１の底面図である。 ｐ側電極３及びｎ側電極４の形状を示す平面図である。

次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

図１及び図２は、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の一例を示す構成図であって、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′断面図、図２は図１（ａ）の底面図である。
半導体発光装置１は、深紫外線を発光するＵＶＣ−ＬＥＤを含む発光装置であって、パッケージ基板（基板）２を有し、パッケージ基板２の一方の面には、金属層で構成されるｐ側電極３及びｎ側電極４が形成されている。パッケージ基板２の一方の面には、紫外線発光素子を含む半導体チップ５及びツェナーダイオード６が実装されている。半導体チップ５は、ｐ側電極３の一部及びｎ側電極４の一部と接続されて、パッケージ基板２の略中央部に配置される。また、半導体発光装置１には、パッケージ基板２上に配置された、ｐ側電極３及びｎ側電極４、半導体チップ５及びツェナーダイオード６それぞれの側面や、上部を覆うための部材は設けられておらず、パッケージ基板２上に配置された各部は開放された状態、つまり、露出した状態となっている。

また、パッケージ基板２の他方の面には、金属層で構成されるｐ側電極１１及びｎ側電極１２と、放熱用のサーマルパッド１３とが形成されている。パッケージ基板２の一方の面に形成されたｐ側電極３と他方の面に形成されたｐ側電極１１とは、二つのビア１４及び１５により導通され、同様に一方の面に形成されたｎ側電極４と他方の面に形成されたｎ側電極１２とは、二つのビア１６及び１７により導通される。

パッケージ基板２は、例えば略正方形を有し、窒化アルミニウムを含むセラミック基板で形成される。パッケージ基板２の各辺の長さは２ｍｍ以上に形成される。ここで、半導体発光装置１の熱抵抗は、パッケージ基板２の導熱面積、すなわちパッケージ基板２の表面積に相関する。つまり、パッケージ基板２の面積に占める各ｐ側電極３の面積及びｎ側電極４の面積の総和の割合を大きくしたとしても、パッケージ基板２がある程度の面積を有していないと十分な熱抵抗低減効果を得ることができない。そのため、パッケージ基板２の面積は、十分な熱抵抗低減効果を得ることの可能な面積であることが好ましく、具体的には各辺の長さが２ｍｍ以上であることが好ましい。

図３は、ｐ側電極３及びｎ側電極４の形状を示す平面図である。ｐ側電極３は、例えば図３において、パッケージ基板２の上半分側に形成され、ｎ側電極４は下半分側に形成され、ｐ側電極３とｎ側電極４とは互いに接しないように形成される。また、ｐ側電極３及びｎ側電極４は、パッケージ基板２の面積に対する、ｐ側電極３の面積とｎ側電極４の面積との総和の割合が、５０．０％以上９４．０％以下となるように形成される。図３は、パッケージ基板２の面積に対する、ｐ側電極３の面積とｎ側電極４の面積との総和の割合が８４．６％である場合を示す。

ｐ側電極３の面積及びｎ側電極４の面積の総和が大きいときほど、半導体発光装置１の熱抵抗は小さくなる。そのため、ｐ側電極３の面積及びｎ側電極４の面積の総和は大きいほど好ましく、熱抵抗を低減するという観点から、パッケージ基板２の面積に対する、ｐ側電極３の面積とｎ側電極４の面積との総和の割合は５０．０％以上であることが好ましい。また、ｐ側電極３及びｎ側電極４を安定して動作させるという観点から、これらｐ側電極３及びｎ側電極４間を分離する面積は６％程度必要であるため、パッケージ基板２の面積に対する、ｐ側電極３の面積とｎ側電極４の面積との総和の割合は９４．０％以下であることが好ましい。

また、ｐ側電極３及びｎ側電極４は、これらの面積比が同等程度となるように形成される。ここで、ＵＶＣ−ＬＥＤを備える半導体発光装置１の場合、ＵＶＣ−ＬＥＤに含まれる、深紫外線を発光するためのｐ型半導体層と発光層とｎ型半導体層との積層構造は、例えばｎ−ＡｌＧａＮで形成されるｎ型半導体層のＡｌ組成が、他の波長領域のＬＥＤに含まれるｎ型半導体層に比較して高く、ｎ電極コンタクトの抵抗が高くなりやすいため、例えばショットキー接合になりやすい。そのため、パッケージ基板２上に形成されたｎ側電極４からの放熱が重要となる。

一方、ＵＶＣ−ＬＥＤに含まれる、ｐ型半導体層と発光層とｎ型半導体層の積層構造中の発光層での発熱も大きく、ｐ側電極３からの放熱も重要である。
そのため、図３に示すように、ｐ側電極３の面積とｎ側電極４の面積を同等程度とすることにより、ｐ側電極３及びｎ側電極４のいずれかに偏ることなく、ｐ側電極３からの放熱及びｎ側電極４からの放熱が均等となるように放熱することができる。そのため、半導体発光装置１において、局所的な温度上昇を防ぐことができ、信頼性を向上させることができる。ｐ側電極３及びｎ側電極４における放熱を均一にするという観点から、ｐ側電極３の面積及びｎ側電極４の面積は、全電極面積に対して、いずれも４０％以上６０％以下であることが好ましい。

ｐ側電極３は、パッケージ基板２の三つの辺それぞれと平行な三つの辺を有し、パッケージ基板２の三つの辺とｐ側電極３の三つの辺との間隔は例えば１００μｍである。また、ｐ側電極３は、パッケージ基板２の辺と平行な三つの辺のうち向かい合う二つの辺が、パッケージ基板２の対向する辺の１／２程度の長さとなる矩形部３ａと、矩形部３ａと連続して形成され、ｎ側電極４側に突出した第一突出部３ｂ、第二突出部３ｃ及び第三突出部３ｄを備え、第二突出部３ｃはパッケージ基板２の略中央部に配置される。ｐ側電極３の第一突出部３ｂ、第二突出部３ｃ及び第三突出部３ｄは略矩形状に形成され、ｐ側電極３は左右対称に形成される。また、第二突出部３ｃは、第一突出部３ｂ及び第三突出部３ｄよりも突出して形成される。

ｎ側電極４は、パッケージ基板２の三つの辺それぞれと平行な三つの辺を有し、パッケージ基板２の三つの辺とｐ側電極３の三つの辺との間隔は例えば１００μｍである。また、ｎ側電極４は、パッケージ基板２の辺と平行な三つの辺のうち向かい合う二つの辺が、パッケージ基板２の対向する辺の１／２程度の長さとなる矩形部４ａと、矩形部４ａと連続して形成され、ｐ側電極３側に突出した第一突出部４ｂ及び第二突出部４ｃとを備える。

ｎ側電極４の第一突出部４ｂ、第二突出部４ｃは略矩形状に形成され、ｎ側電極４は左右対称に形成される。
そして、第一突出部３ｂと第二突出部３ｃとの間に形成される凹部に第一突出部４ｂが収まり、第二突出部３ｃと第三突出部３ｄとの間に形成される凹部に第二突出部４ｃが収まるように形成される。

半導体チップ５のパッケージ基板２と対向する側の面には、図１に示すように、ｐ側電極５ａと、当該ｐ側電極５ａと分離するための所定幅の領域を挟んでｐ側電極５ａを囲むように配置されたｎ側電極５ｂとが形成され、半導体チップ５のｐ側電極５ａと第二突出部３ｃとが対向し、半導体チップ５のｎ側電極５ｂと第一突出部４ｂ及び第二突出部４ｃそれぞれの一部とが対向するように、例えば金ボール５ｃを介して半導体チップ５がパッケージ基板２に実装され、第一突出部３ｂ及び矩形部４ａそれぞれの少なくとも一部と接するようにツェナーダイオード６がパッケージ基板２に実装される。

図３では、パッケージ基板２の三つの辺とｐ側電極３の対向する三つの辺との間隔、また、パッケージ基板２の三つの辺とｎ側電極４の対向する三つの辺との間隔を１００μｍとしているが、これらの間隔は、三つの辺の間隔が１μｍ以上２００μｍ以下であればよい。
つまり、パッケージ基板２上にｐ側電極３及びｎ側電極４を形成すると、電極の厚みにより段差が形成される。例えば、パッケージ基板２の四隅でパッケージ基板２の上面と、半導体発光装置１をピックアップするためのピックアップ部材とが接触した状態で、パッケージ基板２のピックアップを行うようにした場合、特に、真空吸着によりピックアップする場合には、パッケージ基板２の四隅の段差部分で、ピックアップ部材とパッケージ基板２とが接すると、段差によって十分に真空吸着を行うことができず、ピックアップすることができないか、またはピックアップしたとしても途中でパッケージ基板２を落下させてしまう等が生じる可能性がある。そのため、パッケージ基板２の四隅、つまり、ピックアップ部材が接する部分には段差がないことが好ましい。そのためには、例えば、ｐ側電極３及びｎ側電極４がパッケージ基板２の縁部近傍まで形成されていればよく、具体的には、パッケージ基板２の縁部とｐ側電極３の縁部との間隔、また、パッケージ基板２の縁部とｎ側電極４の縁部との間隔が、１μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

一方、ｐ側電極１１は、図２に示すように略長方形に形成され、平面視でｐ側電極３と重なる位置に配置される。ｎ側電極１２は、図２に示すように略長方形に形成され、平面視でｎ側電極４と重なるように配置される。ｎ側電極１２は、一つの角が除去されてカソードマークが形成されている。
平面視でｐ側電極１１とｐ側電極３とが重なる位置にはビア１４及び１５が形成され、ｎ側電極１２とｎ側電極４とが重なる位置にはビア１６及び１７が形成され、これらビア１４〜１７は、それぞれパッケージ基板２の四隅寄りの位置に配置される。さらに、平面視で、半導体チップ５と重なる位置に放熱用のサーマルパッド１３が形成され、ｐ側電極１１、ｎ側電極１２及びサーマルパッド１３は互いに接触しないように間隔を開けて形成される。

ビア１４〜１７の直径は、３０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。ビアの直径が小さいほど、つまりビアが細いほどｐ側及びｎ側の各電極の幅を狭くすることができるため、パッケージ基板２上における電極パターンの設計自由度を高くすることができる。ビアの直径が３０μｍより小さいと、ビアが溶融してしまう。また、ビアは細い方が設計上有利であるため、設計上の観点からビアの直径は２００μｍ以下であることが好ましい。

なお、ここではｐ側電極同士及びｎ側電極同士をそれぞれ二つのビアによって導通しているが、ビアの数は任意に設定することができる。また、パッケージ基板２の他方の面に形成されるｐ側電極１１及びｎ側電極１２は、それぞれ複数形成されていてもよい。
ｐ側電極３、ｎ側電極４、ｐ側電極１１及びｎ側電極１２は、複数の金属が積層された積層構造を含んで形成される。これら各電極は、積層構造に含まれる複数の金属のうち一以上の金属の熱伝導率が、パッケージ基板２の熱伝導率の１．５倍以上４．０倍以下となるように形成される。

また、各電極に含まれる積層構造を形成する金属のうち、熱伝導率が、パッケージ基板２の熱伝導率の１．５倍以上４．０倍以下となる金属の少なくとも一層の厚さは、３０μｍ以上２００μｍ以下に形成される。
熱伝導率が、パッケージ基板２の熱伝導率よりも高い金属であっても、その層の厚みが小さいと、層内部の熱伝導効果が小さくなる。金属の層の厚みがあるほど熱伝導効果が高くなるため、金属の層は厚いほど好ましいが、厚すぎるとｐ側電極とｎ側電極とのギャップを大きく取らなければならず、各電極のパターン設計の自由度が減少し、伝熱に使われる電極の面積も減少する。以上の観点から、熱伝導率が、パッケージ基板２の熱伝導率の１．５倍以上４．０倍以下となる金属の層の厚みは、十分な熱伝導効果を得ることができ、且つパターン設計の自由度、また、伝熱に使用する電極として十分な面積を得ることのできる厚みとして、３０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。

各電極が有する積層構造に含まれる金属のうち、一以上の金属の熱伝導率が、パッケージ基板２の熱伝導率よりも大きくなるように、各電極またパッケージ基板２の材料を選定することによって、積層構造内部での熱伝導を促進することができ、その結果、半導体発光装置１の熱抵抗を低減することができる。例えば、窒化アルミニウムを含むセラミック基板で形成されるパッケージ基板２である場合には、熱伝導率が高い金属として、例えば、金、銀、銅のいずれか一つまたは複数を用いた場合には、各電極に含まれる積層構造の熱伝導率は、パッケージ基板２の伝導率の１．５倍以上４．０倍以下となり、半導体発光装置１の熱抵抗を十分に低減することができる。

具体的には、各電極３、４、１１、１２は同一構成を有し、例えば、銅（Ｃｕ ５０〔μｍ〕）、ニッケル（Ｎｉ ５〔μｍ〕）、金（Ａｕ １〔μｍ〕）がこの順にパッケージ基板２側から積層された積層構造を有する。
各電極３、４、１１、１２が、前述のような積層構造を有する場合、銅の熱伝導率（４００Ｗ／ｍ・Ｋ程度）及び金（３２０Ｗ／ｍ・Ｋ程度）の熱伝導率が、窒化アルミニウムを含むパッケージ基板２の熱伝導率（１７０Ｗ／ｍ・Ｋ程度）の１．５倍以上４．０倍以下となる。また、銅で形成される層の厚み（５０〔μｍ〕）は３０μｍ以上２００μｍ以下となる。

また、金、ニッケル、銅、チタン及び銀のうち、二種類以上の金属が積層された積層構造を有する電極は、金、ニッケル、銅、チタン、銀を除く物質つまり電極に含まれる不純物の含有量が、各電極に含まれる金属の総量に対して、０．０００１％以上１％未満となるように形成される。つまり、電極に含まれる不純物が多いと、その金属電極層の熱伝導率が低下することから、不純物量は、０．０００１％以上１％未満であることが好ましい。

＜本実施形態の効果＞
本実施形態は、以下の効果（１）〜（３）を奏する。
（１）本発明の一実施形態に係る半導体発光装置１は、ｐ側電極３の面積とｎ側電極４の面積との総和を、パッケージ基板２の面積に対して５０．０％以上９４．０％以下となるようにしている。

本来、パッケージ基板２の半導体チップ５が実装される側の面に形成されるｐ側電極３及びｎ側電極４は、半導体チップ５、ツェナーダイオード６等、パッケージ基板２に実装される電子部品と導通することができる大きさであればよく、且つ、パッケージ基板２の逆側の面に形成されるｐ側電極１１及びｎ側電極１２と導通するためのビア１４〜１７の配置位置を含む大きさであればよい。つまり、ｐ側電極３及びｎ側電極４は、ビア１４〜１７の配置位置を含んでいればよく、パッケージ基板２の面積と、ｐ側電極３の面積及びｎ側電極の面積の総和とが同等程度となるようにパッケージ基板２の縁側にまで設ける必要はない。

本発明の一実施形態では、ｐ側電極３の面積及びｎ側電極４の面積の総和を本来必要な面積よりも広くしている。その結果、パッケージ基板２の裏面側に形成した電極１１、１２やサーマルパッド１３による放熱だけでなく、パッケージ基板２の表面側からの放熱も図ることができる。このとき、半導体発光装置１は、その側面や上部はパッケージによって覆われておらず開放されており、ｐ側電極３やｎ側電極４は露出した状態である。そのため、ｐ側電極３及びｎ側電極４から放熱された熱がパッケージ内に籠ることを回避することができる。その結果、半導体発光装置１の温度上昇をより確実に低減することができる。

また、ｐ側電極３の面積及びｎ側電極４の面積の総和を、パッケージ基板２の面積に対して５０．０％以上９４．０％以下となるようにし、ｐ側電極３及びｎ側電極４が互いに接することなく、これらが安定して動作することが可能な範囲まで広くするようにしている。そのため、ｐ側電極３及びｎ側電極４からの放熱量を増大させることができ、より一層の放熱効果を得ることができる。

また、このとき、ｐ側電極３及びｎ側電極４の縁部と、パッケージ基板２の縁部との間隔を１μｍ以上２００μｍ以下となるようにし、ｐ側電極３及びｎ側電極４を、パッケージ基板２の縁部近傍まで形成するようにしている。そのため、ｐ側電極３及びｎ側電極４からの放熱を増大させる目的でｐ側電極３の面積及びｎ側電極４の面積を広げることによって、ｐ側電極３及びｎ側電極４の厚みにより生じる段差により、パッケージ基板２のピックアップ動作に影響を与えることを回避することができる。

なお、ここでは、ｐ側電極３及びｎ側電極４の縁部とパッケージ基板２の縁部との間隔を小さくすることで、ｐ側電極３及びｎ側電極４の厚みにより生じる段差による影響を除去するようにしているが、これに限るものではない。ｐ側電極３及びｎ側電極４の厚みにより生じる段差部分が、ピックアップ部材と接触しなければよいため、例えば、パッケージ基板２の、ピックアップ部材と接触する部分を含む所定領域全体にはｐ側電極３及びｎ側電極４を形成しないか、または、ピックアップ部材と接触する部分を含む所定領域全体にｐ側電極３及びｎ側電極４を形成するようにし、ｐ側電極３及びｎ側電極４の厚みによる段差部分とピックアップ部材とが接触しないようにしてもよい。

（２）また、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置１は、窒化アルミニウムを含むパッケージ基板２において、パッケージ基板２の表面側及び裏面側に形成された各電極３、４、１１、１２に含まれる複数の金属で形成される積層構造に含まれる一つ以上の金属の熱伝導率が、パッケージ基板２の熱伝導率よりも大きくなるようにすることによって、電極に含まれる積層構造内部での熱伝導を促進し、また、パッケージ基板２の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する金属の膜厚をある程度の膜厚（３０μｍ以上２００μｍ以下）とすることにより、各電極に含まれる積層構造内での熱伝導を促進している。そのため、半導体発光装置１の熱抵抗の低減を図ることができる。さらに、パッケージ基板２の各辺の長さを２ｍｍ以上として、パッケージ基板２がある程度の面積を有する大きさとしたため、ｐ側電極３の面積及びｎ側電極４の面積を広げることによる、熱抵抗の低減効果を十分発揮させることができ、十分な放熱効果を得ることができる。

（３）また、本発明の一実施形態に係る半導体発光装置１は、各電極に含まれる積層構造を形成する金属として、金、ニッケル、銅、チタン、銀のうちの二種類以上の金属を用い、各電極中の、金、ニッケル、銅、チタン、銀を除く物質の含有量が、電極に含まれる金属総量に対して、０．０００１％以上１％未満となるようにしたため、純度が高い金属を使うことにより、熱伝導率が高くなり、熱伝導を促進するという効果を得ることができる。

なお、上記実施形態においては、深紫外線を発光する半導体発光装置１に適用した場合について説明したがこれに限るものではなく、２８０ｎｍより長い波長の紫外光を発光する発光装置であっても適用することができる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、上記実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。

１ 半導体発光装置
２ パッケージ基板
３ ｐ側電極
４ ｎ側電極
５ 半導体チップ
１１ ｐ側電極
１２ ｎ側電極
１３ サーマルパッド
１４〜１７ ビア

Claims (12)

1. 基板と、
   前記基板の一方の面に形成された金属層と、
   前記一方の面に実装され、前記金属層と導通する半導体発光素子と、
   を備え、
   平面視で、前記金属層の面積は前記基板の面積に対して、５０．０％以上９４．０％以下である半導体発光装置。
2. 前記半導体発光素子は紫外線発光素子である請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記基板はパッケージ基板であって、前記金属層及び前記半導体発光素子それぞれの側面及び上部は開放されている請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
4. 前記基板は窒化アルミニウムを含み、
   前記金属層は複数の金属が積層されて形成され、
   前記複数の金属のうちの少なくとも一つの金属の熱伝導率は、前記基板の熱伝導率の１．５倍以上４．０倍以下である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
5. 熱伝導率が、前記基板の熱伝導率の１．５倍以上４．０倍以下である金属層の少なくとも一層の厚みは、３０μｍ以上２００μｍ以下である請求項４に記載の半導体発光装置。
6. 平面視で、前記基板の縁部と前記金属層の縁部との間隔が１μｍ以上２００μｍ以下である請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
7. 前記金属層のそれぞれは、金、ニッケル、銅、チタン、及び銀のうちの複数種の金属が積層されて形成され、前記金、ニッケル、銅、チタン、及び銀を除く物質の含有量が、当該金属層に含まれる金属の総量に対して、０．０００１％以上１％未満である請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
8. 前記基板の他方の面には金属層が複数形成され、
   前記一方の面に形成された金属層は、それぞれ前記他方の面に形成された金属層のいずれかと、一つ以上のビアを介して接続されている請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
9. 前記他方の面に形成された金属層のそれぞれは、複数の金属が積層されて形成されている請求項８に記載の半導体発光装置。
10. 前記ビアの直径は、３０μｍ以上２００μｍ以下である請求項８または請求項９に記載の半導体発光装置。
11. 前記他方の面に形成された金属層のそれぞれは、金、ニッケル、銅、チタン、及び銀のうちの複数種の金属が積層されて形成され、前記金、ニッケル、銅、チタン、及び銀を除く物質の含有量が、当該金属層に含まれる金属の総量に対して、０．０００１％以上１％未満である請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
12. 前記基板は矩形であって、前記基板の各辺の長さは２ｍｍ以上である請求項１から請求項１１のいずれ一項に記載の半導体発光装置。

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