JP2019012826A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7014355B2 (ja) * 2017-06-28 2022-02-01 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置
JP7011219B2 (ja) * 2017-09-29 2022-01-26 株式会社Flosfia 積層構造体および半導体装置
JP7606190B2 (ja) * 2021-02-25 2024-12-25 株式会社デンソー スイッチングデバイスとその製造方法
WO2023021814A1 (ja) * 2021-08-20 2023-02-23 日本碍子株式会社 積層体
JP7620719B2 (ja) * 2021-08-27 2025-01-23 日本碍子株式会社 半導体膜及び複合基板
WO2023182312A1 (ja) * 2022-03-25 2023-09-28 国立大学法人東海国立大学機構 β型酸化ガリウム膜付き基板及びその製造方法
CN117276336B (zh) * 2023-11-22 2024-02-20 江西兆驰半导体有限公司 一种hemt的外延结构及其制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5096677B2 (ja) * 2003-04-15 2012-12-12 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 非極性(Al、B、In、Ga)N量子井戸
US8574968B2 (en) * 2007-07-26 2013-11-05 Soitec Epitaxial methods and templates grown by the methods
JP5185206B2 (ja) * 2009-02-24 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 半導体光検出素子
JPWO2012111616A1 (ja) * 2011-02-15 2014-07-07 住友電気工業株式会社 保護膜付複合基板、および半導体デバイスの製造方法
JP6436538B2 (ja) * 2015-06-16 2018-12-12 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ε−Ga2O3単結晶、ε−Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子

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