JP2019002054A - Copper particle - Google Patents

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Abstract

To provide a copper particle more excellent in low-temperature sinterability than the conventional.SOLUTION: A copper particle satisfies the following conditions (a) and (b). At a plurality of temperatures upon a temperature rise of a copper particle from 30°C to 350°C in an inert atmosphere, an XRD measurement is made on the copper particle in a state the temperatures are once held. In the relationship of a crystallite size ratio that is a ratio of the crystallite size at each temperature to a copper crystallite size at 30°C and the temperature, obtained from the measurement result, (a) the temperature at which the crystallite size becomes 1.2 is 250°C or lower and (b) the amount of change in the crystallite size ratio per unit temperature in a temperature range of 250°C or higher and 350°C or lower is 2.0×10or greater.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は銅粒子に関する。   The present invention relates to copper particles.

銅粒子に関する従来の技術としては例えば特許文献1に記載のものが知られている。同文献には、SEM観察による平均粒子径が0.05〜0.35μmであり、BET比表面積値と炭素含量とが特定の関係にあり、且つBET比表面積値と酸素含量とが特定の関係にある銅粉末が記載されている。   As a conventional technique related to copper particles, for example, one described in Patent Document 1 is known. In this document, the average particle diameter by SEM observation is 0.05 to 0.35 μm, the BET specific surface area value and the carbon content have a specific relationship, and the BET specific surface area value and the oxygen content have a specific relationship. The copper powder is described.

特許文献2には、アミン類、窒素含有複素環化合物、ニトリル類及びシアン化合物、ケトン類、アミノ酸類、アルカノールアミン類又はそれらの塩等から選ばれる錯化剤、及び保護コロイドの存在下で、2価の銅酸化物と還元剤とを媒液中で混合して、金属銅微粒子を生成させる方法が記載されている。   In Patent Document 2, in the presence of a complexing agent selected from amines, nitrogen-containing heterocyclic compounds, nitriles and cyanates, ketones, amino acids, alkanolamines or salts thereof, and protective colloids, A method is described in which divalent copper oxide and a reducing agent are mixed in a liquid medium to produce metallic copper fine particles.

特許文献3には、錯化剤及びタンパク質系保護剤の存在下で、2価の銅酸化物と還元剤とを媒液中で混合して、金属銅微粒子を生成させることが記載されている。錯化剤としては、窒素、酸素、硫黄をドナー原子とする化合物が用いられている。その具体例としてはアミノポリカルボン酸類が挙げられている。   Patent Document 3 describes that metal copper fine particles are produced by mixing a divalent copper oxide and a reducing agent in a medium in the presence of a complexing agent and a protein-based protective agent. . As the complexing agent, a compound having nitrogen, oxygen and sulfur as donor atoms is used. Specific examples thereof include aminopolycarboxylic acids.

特許文献4には、分散剤としてポリエチレンイミンを添加して、銅の酸化物、水酸化物又は塩をポリエチレングリコール又はエチレングリコール溶液中で加熱還元し、銅微粒子を生成させることが記載されている。   Patent Document 4 describes that polyethylene imine is added as a dispersant and copper oxide, hydroxide or salt is heated and reduced in a polyethylene glycol or ethylene glycol solution to produce copper fine particles. .

国際公開第2012/157704号パンフレットInternational Publication No. 2012/157704 Pamphlet 特開2012−052240号公報JP 2012-052240 A 特開2012−162807号公報JP 2012-162807 A 特開2005−330552号公報JP 2005-330552 A

これまで知られている湿式の銅粒子の製造方法においては、保護コロイドや保護剤などと呼ばれる有機高分子化合物の存在下に銅粒子の合成が行われることが多い。この理由は、粒子の粒径が小さくなるに連れて表面エネルギーが大きくなり、そのことに起因して凝集が起きやすいからである。また、表面積の増大に起因して粒子表面に酸化膜が形成されやすいからである。   In conventional wet copper particle production methods, copper particles are often synthesized in the presence of an organic polymer compound called a protective colloid or a protective agent. This is because as the particle size of the particles becomes smaller, the surface energy becomes larger, and as a result, aggregation tends to occur. In addition, an oxide film is easily formed on the particle surface due to an increase in surface area.

しかし、粒子表面に有機高分子化合物が存在している銅粒子を、電気回路の形成や電子部品の接合に用いた場合、該銅粒子の焼結温度が上昇してしまうという不都合がある。   However, when copper particles having an organic polymer compound on the particle surface are used for forming an electric circuit or joining electronic parts, there is a disadvantage that the sintering temperature of the copper particles increases.

したがって本発明の課題は、低温焼結性が従来よりも優れる銅粒子を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide copper particles having low-temperature sinterability that is superior to conventional ones.

本発明は、以下の(a)及び(b)の条件を満たす銅粒子を提供するものである。
不活性雰囲気中で銅粒子を30℃から350℃まで昇温する間の複数の温度において、該温度を一旦保持した状態で、該銅粒子についてXRD測定を行い、その測定結果から得られた、30℃における銅の結晶子サイズに対する各温度における該結晶子サイズの比である結晶子サイズ比と温度との関係において、
(a)前記結晶子サイズ比が1.2となる温度が250℃以下であり、
(b)250℃以上350℃以下の温度範囲における単位温度あたりの前記結晶子サイズ比の変化量が2.0×10−3以上である。
The present invention provides copper particles that satisfy the following conditions (a) and (b).
In a plurality of temperatures during which the copper particles were heated from 30 ° C. to 350 ° C. in an inert atmosphere, XRD measurement was performed on the copper particles in a state where the temperature was once maintained, and obtained from the measurement results. In the relationship between the crystallite size ratio, which is the ratio of the crystallite size at each temperature to the crystallite size of copper at 30 ° C., and the temperature,
(A) the temperature at which the crystallite size ratio is 1.2 is 250 ° C. or less,
(B) The amount of change in the crystallite size ratio per unit temperature in the temperature range of 250 ° C. or higher and 350 ° C. or lower is 2.0 × 10 −3 or higher.

本発明によれば、低温焼結性が従来よりも優れる銅粒子が提供される。   According to the present invention, copper particles having low-temperature sinterability superior to conventional ones are provided.

以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき説明する。なお、以下の説明において、「粒子」というときには、文脈に応じ、粒子の集合体である粉末を指す場合と、該粉末を構成する個々の粒子を指す場合とがある。本発明の銅粒子は、高温XRD法で測定された銅の結晶子サイズと温度との関係に特徴を有する。   Hereinafter, the present invention will be described based on preferred embodiments thereof. In the following description, the term “particle” may refer to a powder that is an aggregate of particles and may refer to individual particles constituting the powder, depending on the context. The copper particles of the present invention are characterized by the relationship between the crystallite size of copper measured by the high temperature XRD method and the temperature.

高温XRD法とは、加熱可能なステージに試料を設置し、ステージの加熱によって試料を徐々に加熱しながら試料のXRD(粉末X線回折)測定を行う方法である。XRDの測定は、銅粒子を測定対象とし、不活性雰囲気中で該銅粒子を30℃から350℃まで昇温する間の複数の温度において、該温度を一旦保持した状態で行う。「複数の温度」とは、例えば10℃以上100℃以下の範囲から適宜選択した所定温度の間隔で決定される温度のことである。例えば温度間隔が10℃である場合には、30℃から350℃までの間を10℃刻みで分割した温度のことである。30℃から350℃までの昇温速度は、後述する結晶子サイズ比の測定結果に本質的な影響を及ぼすものではなく、一般に1℃/min以上10℃/min以下の範囲から適宜選択すればよい。温度を保持する時間は、XRD測定が完了するのに足る時間であるとともに、結晶子サイズが過度に大きくならない程度の時間であればよく、一般には1分以下であることが好ましく、30秒以下であることが更に好ましく、15秒以下であることがより一層好ましい。測定中の雰囲気は窒素ガス等の不活性雰囲気とする。   The high temperature XRD method is a method in which a sample is placed on a heatable stage and XRD (powder X-ray diffraction) measurement of the sample is performed while gradually heating the sample by heating the stage. XRD measurement is performed in a state where the temperature is once maintained at a plurality of temperatures while the copper particles are heated from 30 ° C. to 350 ° C. in an inert atmosphere with copper particles as a measurement target. The “plurality of temperatures” refers to temperatures determined at predetermined temperature intervals appropriately selected from a range of 10 ° C. to 100 ° C., for example. For example, when the temperature interval is 10 ° C., it is a temperature obtained by dividing the range from 30 ° C. to 350 ° C. in increments of 10 ° C. The rate of temperature increase from 30 ° C. to 350 ° C. does not essentially affect the measurement result of the crystallite size ratio described later, and generally can be appropriately selected from the range of 1 ° C./min to 10 ° C./min. Good. The time for maintaining the temperature is sufficient for the XRD measurement to be completed, and may be a time that does not cause the crystallite size to be excessively large. In general, it is preferably 1 minute or less, and 30 seconds or less. It is more preferable that it is 15 seconds or less. The atmosphere during measurement is an inert atmosphere such as nitrogen gas.

高温XRD法によって、昇温中の各温度におけるX線回折チャートが得られる。このチャートに基づき各温度における結晶子サイズを算出する。そして、その算出結果から、30℃における結晶子サイズC1に対する各温度における結晶子サイズCの比である結晶子サイズ比(C/C1)と温度との関係が得られる。この関係に基づき、以下の(a)及び(b)の条件を満たすか否かを判断する。本発明の銅粒子は、(a)及び(b)の条件をともに満たすものである。
(a)結晶子サイズ比が1.2となる温度が250℃以下であり、
(b)250℃以上350℃以下の温度範囲における単位温度あたりの結晶子サイズ比の変化量が2.0×10−3以上である。
An X-ray diffraction chart at each temperature during temperature rise is obtained by the high temperature XRD method. Based on this chart, the crystallite size at each temperature is calculated. And the relationship between the crystallite size ratio (C / C1) which is the ratio of the crystallite size C at each temperature to the crystallite size C1 at 30 ° C. and the temperature is obtained from the calculation result. Based on this relationship, it is determined whether or not the following conditions (a) and (b) are satisfied. The copper particles of the present invention satisfy both the conditions (a) and (b).
(A) The temperature at which the crystallite size ratio is 1.2 is 250 ° C. or less,
(B) The amount of change in the crystallite size ratio per unit temperature in the temperature range of 250 ° C. to 350 ° C. is 2.0 × 10 −3 or more.

(a)の条件は、結晶子サイズ比と温度との関係において、30℃における結晶子サイズC1に対する各温度における結晶子サイズCの比である結晶子サイズ比C/C1が1.2になる温度が250℃以下であることを規定している。この規定は、銅粒子が比較的低温において結晶成長すること、すなわち低温焼結性が高いことを意味している。この観点から、C/C1=1.2になる温度は200℃以下であることが好ましい。なお、C/C1=1.2になる温度とは、銅粒子の焼結開始温度として捉えることもできる。   The condition (a) is that the crystallite size ratio C / C1, which is the ratio of the crystallite size C at each temperature to the crystallite size C1 at 30 ° C., is 1.2 in the relationship between the crystallite size ratio and the temperature. The temperature is specified to be 250 ° C. or lower. This regulation means that the copper particles grow at a relatively low temperature, that is, the low-temperature sinterability is high. From this viewpoint, the temperature at which C / C1 = 1.2 is preferably 200 ° C. or lower. The temperature at which C / C1 = 1.2 can also be taken as the sintering start temperature of the copper particles.

(b)の条件は、(a)の条件である低温焼結性を有することに加えて、比較的高温である250℃以上350℃以下の温度範囲において単位温度あたりの結晶子サイズ比(C/C1)の変化量が大きいことを意味している。詳細には、本発明の銅粒子は低温で焼結が開始し、且つ焼結の開始とともに結晶子のサイズが増大する、すなわち焼結が素早く進行するものである。このこととは対照的に、これまでの銅粒子は、焼結の開始温度が高く、しかも焼結が開始したとしてもその進行の度合いは緩やかなものであった。焼結が素早く進行することは、銅粒子を接合材料として用いた場合、低温で且つ短時間で被接合部材(例えば、金属部材)同士を接合できる点から有利である。   In addition to having the low temperature sinterability which is the condition of (a), the condition of (b) is a crystallite size ratio per unit temperature (C in a temperature range of 250 ° C. to 350 ° C. which is a relatively high temperature) / C1) means that the amount of change is large. Specifically, the copper particles of the present invention start to be sintered at a low temperature, and the size of the crystallites increases with the start of sintering, that is, the sintering proceeds rapidly. In contrast to this, the conventional copper particles have a high sintering start temperature, and even if the sintering starts, the degree of progress is moderate. The rapid progress of sintering is advantageous in that, when copper particles are used as a bonding material, members to be bonded (for example, metal members) can be bonded at a low temperature in a short time.

本発明の銅粒子における単位温度あたりの結晶子サイズ比の変化量は、250℃以上350℃以下の温度範囲において、上述のとおり2.0×10−3以上であり、更に好ましくは3.0×10−3以上であり、一層好ましくは4.0×10−3以上である。単位温度あたりの結晶子サイズ比の変化量がこの範囲内であると、焼結が開始した銅粒子の焼結が素早く進行する。銅粒子の焼結が素早く進行する理由は、本発明の銅粒子は、粒子の表面に有機高分子を有しておらず、且つ、結晶子が小さいことに起因して、加熱されたときに粒子同士が接触する界面にて結晶子の拡散が起こりやすいからだと考えられる。 The change amount of the crystallite size ratio per unit temperature in the copper particles of the present invention is 2.0 × 10 −3 or more as described above in the temperature range of 250 ° C. or more and 350 ° C. or less, more preferably 3.0. × 10 −3 or more, more preferably 4.0 × 10 −3 or more. When the amount of change in the crystallite size ratio per unit temperature is within this range, the sintering of the copper particles that have started sintering proceeds rapidly. The reason why the sintering of the copper particles proceeds quickly is that the copper particles of the present invention have no organic polymer on the surface of the particles, and when heated due to the small crystallites. This is thought to be because crystallite diffusion is likely to occur at the interface where the particles contact each other.

単位温度あたりの結晶子サイズ比(C/C1)の変化量とは、250℃以上350℃以下の温度範囲において算出された結晶子サイズ比(C/C1)と温度との関係に基づき、一次の回帰計算を行って得られる傾きの値のことであって、温度が1℃上昇するあたりの結晶子サイズ比(C/C1)の変化量のことである。   The amount of change in the crystallite size ratio (C / C1) per unit temperature is based on the relationship between the crystallite size ratio (C / C1) calculated in the temperature range of 250 ° C. to 350 ° C. and the temperature. It is the value of the slope obtained by performing the regression calculation, and the amount of change in the crystallite size ratio (C / C1) per 1 ° C. rise in temperature.

結晶子サイズ比と温度との関係は上述のとおりであるところ、銅粒子における銅の結晶子サイズそのものは、30℃において10nm以上30nm以下であることが好ましく、10nm以上25nm以下であることが更に好ましく、10nm以上20nm以下であることが一層好ましい。銅粒子における銅の結晶子サイズがこの範囲内であると、銅粒子を接合材料として用いた場合、窒素ガス等などの不活性雰囲気中においても比較的低温(例えば、200℃以下)で被接合部材(例えば、金属部材)同士を接合可能であることから好ましい。   The relationship between the crystallite size ratio and the temperature is as described above, and the copper crystallite size itself in the copper particles is preferably 10 nm or more and 30 nm or less at 30 ° C., and more preferably 10 nm or more and 25 nm or less. Preferably, it is 10 nm or more and 20 nm or less. When the copper crystallite size in the copper particles is within this range, when the copper particles are used as a bonding material, they are bonded at a relatively low temperature (for example, 200 ° C. or less) even in an inert atmosphere such as nitrogen gas. It is preferable because members (for example, metal members) can be joined to each other.

結晶子サイズは、粉末X線回折によって得られる回折ピークからシェラー(Scherrer)の式によって算出する。本発明においては、株式会社リガク製の全自動水平型多目的X線回折装置を用い、CuKα線を使用して、測定範囲2θ=38°〜48°で銅粒子のX線回折強度を測定した。そのときの結晶面(111)におけるX線回折ピークのピーク幅(半値幅)から、下記のシェラーの式により結晶子サイズ算出した。
シェラーの式:D=Kλ/βcosθ
D:結晶子サイズ
K:シェラー定数(0.94)
λ:X線の波長
β:半値幅[rad]
θ:回折角
The crystallite size is calculated from the diffraction peak obtained by powder X-ray diffraction according to the Scherrer equation. In the present invention, the X-ray diffraction intensity of the copper particles was measured in a measurement range 2θ = 38 ° to 48 ° using a CuKα ray using a fully automatic horizontal multipurpose X-ray diffractometer manufactured by Rigaku Corporation. From the peak width (half width) of the X-ray diffraction peak on the crystal plane (111) at that time, the crystallite size was calculated by the following Scherrer equation.
Scherrer's formula: D = Kλ / βcosθ
D: Crystallite size K: Scherrer constant (0.94)
λ: X-ray wavelength β: Half width [rad]
θ: Diffraction angle

前記の(a)及び(b)の条件を満たす本発明の銅粒子は、例えばポリイミドや液晶ポリマーからなるフレキシブル基板の回路形成用材料として好適に用いられる。この理由は、本発明の銅粒子を用いて回路形成用材料とした場合に、回路形成時の熱処理温度をフレキシブル基板の耐熱温度より低くすることができることによる。   The copper particles of the present invention that satisfy the above conditions (a) and (b) are suitably used as a circuit forming material for a flexible substrate made of, for example, polyimide or a liquid crystal polymer. This is because when the copper particles of the present invention are used as a circuit forming material, the heat treatment temperature during circuit formation can be made lower than the heat resistance temperature of the flexible substrate.

低温焼結性を有する本発明の銅粒子を得るには、例えば後述する方法で銅粒子を製造すればよい。本発明の銅粒子が低温焼結性を有する理由を、本発明者は次のように考えている。後述する製造方法で本発明の銅粒子を製造した場合、該銅粒子は、その表面に有機高分子を有していないものとなる。これに加えて該銅粒子は、これまでの銅粒子に比べて結晶子サイズが小さいことに起因して、低温でも、粒子同士が接触する界面にて結晶子の拡散が進行する。これらの理由によって、本発明の銅粒子は低温で焼結すると考えられる。粒子同士が接触する界面において結晶子の拡散を起こしやすくするためには、例えば後述する方法で銅粒子を製造することが有利である。   In order to obtain the copper particles of the present invention having low temperature sinterability, for example, the copper particles may be produced by the method described later. The present inventor considers the reason why the copper particles of the present invention have low-temperature sinterability as follows. When the copper particles of the present invention are produced by the production method described later, the copper particles do not have an organic polymer on the surface. In addition to this, the copper particles have a smaller crystallite size than conventional copper particles, so that the diffusion of crystallites proceeds at the interface where the particles contact each other even at low temperatures. For these reasons, it is considered that the copper particles of the present invention are sintered at a low temperature. In order to facilitate the diffusion of crystallites at the interface where the particles contact each other, it is advantageous to produce copper particles by, for example, a method described later.

本発明の銅粒子は、粒子間での凝集及び/又は粒子の酸化を抑制するための剤からなる層を粒子表面に極力有していないことが好ましい。本明細書において粒子間での凝集及び/又は粒子の酸化を抑制するための剤とは、銅粒子の表面に付着して、該銅粒子間の凝集を抑制する機能、及び/又は該銅粒子の酸化を抑制する機能を有する化合物を広く包含する。その意味で、以下に説明においては、この剤のことを便宜的に「保護剤」と称する。   It is preferable that the copper particle of this invention does not have the layer which consists of an agent for suppressing the aggregation between particle | grains and / or the oxidation of particle | grains on the particle surface as much as possible. In the present specification, the agent for suppressing aggregation between particles and / or the oxidation of particles is a function of adhering to the surface of copper particles and suppressing aggregation between the copper particles, and / or the copper particles. A wide range of compounds having the function of inhibiting the oxidation of In that sense, in the following description, this agent will be referred to as a “protecting agent” for convenience.

保護剤としては、例えば天然高分子や合成高分子などの有機高分子化合物が挙げられる。天然高分子としては、例えばゼラチン等のタンパク質、アラビアゴム、カゼイン、カゼイン酸ソーダ、カゼイン酸アンモニウム、デンプン、デキストリン、寒天、アルギン酸ソーダなどが挙げられる。合成高分子としては、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、メチルセルロース及びエチルセルロース等のセルロース系化合物、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドン等のポリビニル系化合物、ポリアクリル酸ソーダ及びポリアクリル酸アンモニウム等のポリアクリル酸系化合物、ポリエチレングリコールなどが挙げられる。その他、保護剤としては、ピロリン酸ナトリウム等のリン酸塩、ステアリン酸、ラウリン酸及びオレイン酸といった鎖状脂肪酸などが挙げられる。また、ケイ素、チタン、ジルコニウム及びアルミニウム等の半金属又は金属を含有する各種のカップリング剤も挙げられる。   Examples of the protective agent include organic polymer compounds such as natural polymers and synthetic polymers. Examples of natural polymers include proteins such as gelatin, gum arabic, casein, sodium caseinate, ammonium caseinate, starch, dextrin, agar, and sodium alginate. Synthetic polymers include cellulose compounds such as hydroxyethyl cellulose, carboxymethyl cellulose, methyl cellulose and ethyl cellulose, polyvinyl compounds such as polyvinyl alcohol and polyvinyl pyrrolidone, polyacrylic acid compounds such as sodium polyacrylate and ammonium polyacrylate, polyethylene And glycols. In addition, examples of the protective agent include phosphates such as sodium pyrophosphate, chain fatty acids such as stearic acid, lauric acid, and oleic acid. In addition, various coupling agents containing metalloids or metals such as silicon, titanium, zirconium and aluminum are also included.

本発明の銅粒子が保護剤の層を粒子表面に多量に有していないことによっても、本発明の銅粒子は低温焼結性が良好なものとなる。この低温焼結性を一層良好にする観点から、該銅粒子は、保護剤の層を形成する元素の含有量が極力少ないことが好ましい。   Even when the copper particles of the present invention do not have a large amount of a protective agent layer on the particle surface, the copper particles of the present invention have good low-temperature sinterability. From the viewpoint of further improving the low-temperature sinterability, it is preferable that the copper particles have as little content of an element that forms a protective agent layer.

本発明の銅粒子は微粒であることが好ましく、具体的には一次粒子の平均粒径Dが0.01μm以上0.3μm以下であることが好ましく、0.02μm以上0.21μm以下であることが更に好ましく、0.05μm以上0.10μm以下であることが一層好ましい。銅粒子の平均粒径Dを0.3μm以下に設定することによって、銅粒子を用いて膜を形成するときに、銅粒子が低温で焼結しやすくなる。また、粒子間に空隙が生じにくく、膜の比抵抗を低下させることができる。一方、銅粒子の平均粒径Dを0.01μm以上に設定することによって、銅粒子を焼成するときの粒子の収縮を防止することができる。本発明において、銅粒子の一次粒子の平均粒径Dは、走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡による観察像を用いて測定した複数の粒子のHeywood径の算術平均粒径である。本発明の銅粒子の粒子形状は球状であることが、銅粒子の分散性を高める観点から好ましい。   The copper particles of the present invention are preferably fine particles. Specifically, the average particle diameter D of the primary particles is preferably 0.01 μm or more and 0.3 μm or less, and 0.02 μm or more and 0.21 μm or less. Is more preferably 0.05 μm or more and 0.10 μm or less. By setting the average particle diameter D of the copper particles to 0.3 μm or less, the copper particles are easily sintered at a low temperature when a film is formed using the copper particles. Moreover, it is hard to produce a space | gap between particle | grains and can reduce the specific resistance of a film | membrane. On the other hand, by setting the average particle diameter D of the copper particles to 0.01 μm or more, the particles can be prevented from shrinking when the copper particles are fired. In the present invention, the average particle diameter D of the primary particles of the copper particles is an arithmetic average particle diameter of the Heywood diameters of a plurality of particles measured using an image observed with a scanning electron microscope or a transmission electron microscope. The particle shape of the copper particles of the present invention is preferably spherical from the viewpoint of improving the dispersibility of the copper particles.

銅粒子が微粒である場合にはその比表面積が増大することから、表面が酸化されやすい状態になっている。酸化を防止するためには粒子の表面に保護剤を施せばよいが、その場合には銅粒子の低温焼結性が損なわれてしまう。そこで、本発明においては、従来の保護剤に代えて、−COO−基を有するとともに窒素を含有する有機物を存在させることが有利である。この有機物は微量の付着量で銅粒子の酸化を効果的に防止し得ることが本発明者の検討の結果判明した。   When the copper particles are fine particles, the specific surface area increases, so the surface is easily oxidized. In order to prevent oxidation, a protective agent may be applied to the surface of the particles, but in that case, the low-temperature sinterability of the copper particles is impaired. Therefore, in the present invention, it is advantageous that an organic substance having a —COO— group and containing nitrogen is present instead of the conventional protective agent. As a result of the study by the present inventor, it was found that this organic matter can effectively prevent the oxidation of copper particles with a small amount of adhesion.

窒素を含む前記有機物の付着量は、銅粒子の比表面積を基準とした場合の銅粒子に含まれる炭素と窒素の含有量によって表すことができる。銅粒子における炭素含有割合をPC(質量%)とし、銅粒子における窒素含有割合をPN(質量%)とし、銅粒子の比表面積をSSA(m/g)としたとき、PCとSSAとの比であるPC/SSAの値は好ましくは0.01以上0.1以下の範囲であり、更に好ましくは0.01以上0.8以下の範囲であり、一層好ましくは0.01以上0.6以下の範囲である。そして、PNとSSAとの比であるPN/SSAの値は好ましくは0.001以上0.05以下であり、更に好ましくは0.01以上0.03以下の範囲であり、一層好ましくは0.01以上0.015以下の範囲である。この範囲内に炭素と窒素が含まれる銅粒子は、窒素を含む有機物の作用によって粒子表面の酸化が効果的に防止されたものとなる。 The adhesion amount of the organic substance containing nitrogen can be expressed by the contents of carbon and nitrogen contained in the copper particles when the specific surface area of the copper particles is used as a reference. When the carbon content in the copper particles is PC (mass%), the nitrogen content in the copper particles is PN (mass%), and the specific surface area of the copper particles is SSA (m 2 / g), the PC and SSA The ratio of PC / SSA as a ratio is preferably in the range of 0.01 to 0.1, more preferably in the range of 0.01 to 0.8, and still more preferably 0.01 to 0.6. The range is as follows. The value of PN / SSA, which is the ratio of PN to SSA, is preferably 0.001 or more and 0.05 or less, more preferably 0.01 or more and 0.03 or less, and still more preferably 0.00. The range is from 01 to 0.015. Copper particles containing carbon and nitrogen within this range are those in which oxidation of the particle surface is effectively prevented by the action of organic substances containing nitrogen.

本発明の銅粒子は、該銅粒子を含んで構成される組成物の形態で用いることができる。例えば本発明の銅粒子は、該銅粒子及び有機溶媒を少なくとも含んで構成される組成物の形態で用いることができる。有機溶媒としては、金属粉を含む組成物の技術分野においてこれまで用いられてきたものと同様のものを特に制限なく用いることができる。そのような有機溶媒としては、例えばモノアルコール、多価アルコール、多価アルコールアルキルエーテル、多価アルコールアリールエーテル、エステル類、含窒素複素環化合物、アミド類、アミン類、飽和炭化水素などが挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。   The copper particles of the present invention can be used in the form of a composition comprising the copper particles. For example, the copper particles of the present invention can be used in the form of a composition comprising at least the copper particles and an organic solvent. As an organic solvent, the thing similar to what was used until now in the technical field of the composition containing a metal powder can be especially used without a restriction | limiting. Examples of such organic solvents include monoalcohols, polyhydric alcohols, polyhydric alcohol alkyl ethers, polyhydric alcohol aryl ethers, esters, nitrogen-containing heterocyclic compounds, amides, amines, and saturated hydrocarbons. . These organic solvents can be used alone or in combination of two or more.

前記の組成物に、有機ビヒクルやガラスフリットを更に含有させることもできる。有機ビヒクルは、樹脂成分と溶剤とを含む。樹脂成分としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エチルセルロース、カルボキシエチルセルロース等が挙げられる。溶剤としては、ターピネオール及びジヒドロターピネオール等のテルペン系溶剤や、エチルカルビトール及びブチルカルビトール等のエーテル系溶剤が挙げられる。ガラスフリットとしては、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸バリウムガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス等が挙げられる。更に、前記の組成物には、該組成物の各種の性能を一層高めることを目的として、必要に応じて、本発明の製造方法で得られた銅粒子に加えて、他の銅粒子を適宜配合してもよい。   The composition may further contain an organic vehicle or glass frit. The organic vehicle includes a resin component and a solvent. Examples of the resin component include acrylic resin, epoxy resin, ethyl cellulose, carboxyethyl cellulose, and the like. Examples of the solvent include terpene solvents such as terpineol and dihydroterpineol, and ether solvents such as ethyl carbitol and butyl carbitol. Examples of the glass frit include borosilicate glass, borosilicate barium glass, and borosilicate zinc glass. Furthermore, in addition to the copper particles obtained by the production method of the present invention, other copper particles are appropriately added to the above composition as necessary for the purpose of further improving various performances of the composition. You may mix | blend.

前記の組成物における銅粒子及び有機溶媒の配合量は、該組成物の具体的な用途や該組成物の塗布方法に応じて広い範囲で調整することができる。塗布方法としては、例えばインクジェット法、ディスペンサ法、マイクロディスペンサ法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、スプレー塗布法、バーコーティング法、ロールコーティング法などを用いることができる。   The compounding amount of the copper particles and the organic solvent in the composition can be adjusted in a wide range depending on the specific application of the composition and the coating method of the composition. As the coating method, for example, an inkjet method, a dispenser method, a micro dispenser method, a gravure printing method, a screen printing method, a dip coating method, a spin coating method, a spray coating method, a bar coating method, a roll coating method, or the like can be used.

前記の組成物は導電材として用いることができる。具体的には前記の組成物を基板上に塗布して塗膜とし、この塗膜を焼成することによって膜を形成することができる。この膜は、例えばプリント配線板の回路形成や、セラミックコンデンサの外部電極の電気的導通確保のための導体膜として好適に用いられる。基板としては、銅粒子が用いられる電子回路の種類に応じて、ガラスエポキシ樹脂等からなるプリント基板や、ポリイミドや液晶ポリマー等からなるフレキシブルプリント基板が挙げられる。また、前記の組成物を、半導体デバイスのダイと支持体(例えば配線体)とを接合するためのダイボンディング用の接合材料として用いることもできる。あるいは、半導体上に設置するヒートスプレッダなどの放熱金属部材と該半導体とを接合する接合材料としても用いることができる。これらの場合、前記の組成物から得られる膜は熱伝導体として機能する。また、前記の組成物をビアに充填した後に加熱することで、熱伝導体として機能させることもできる。   The composition can be used as a conductive material. Specifically, a film can be formed by applying the above composition on a substrate to form a coating film and firing the coating film. This film is suitably used, for example, as a conductor film for forming a circuit of a printed wiring board and ensuring electrical continuity of an external electrode of a ceramic capacitor. As a board | substrate, the flexible printed circuit board which consists of a printed circuit board which consists of glass epoxy resin etc., a polyimide, a liquid crystal polymer, etc. according to the kind of electronic circuit in which a copper particle is used is mentioned. The composition can also be used as a bonding material for die bonding for bonding a die of a semiconductor device and a support (for example, a wiring body). Alternatively, it can also be used as a bonding material for bonding a heat dissipation metal member such as a heat spreader installed on a semiconductor and the semiconductor. In these cases, the film obtained from the composition functions as a heat conductor. Moreover, it can also be made to function as a heat conductor by heating, after filling the said composition in a via | veer.

次に、本発明の銅粒子の好適な製造方法について説明する。本製造方法においては、湿式で、すなわち水性液中で銅粒子を得ることが好ましい。銅粒子の銅源として本発明においては銅錯体を用いることが好ましい。この銅錯体は、中心金属元素としての銅イオンに配位子が配位した構造を有している。この銅イオンとしては一般に正二価の電荷を有するものが用いられる。   Next, the suitable manufacturing method of the copper particle of this invention is demonstrated. In this production method, it is preferable to obtain copper particles in a wet manner, that is, in an aqueous liquid. In the present invention, a copper complex is preferably used as the copper source of the copper particles. This copper complex has a structure in which a ligand is coordinated to a copper ion as a central metal element. As this copper ion, one having a positive divalent charge is generally used.

銅イオンに配位して銅錯体を形成するために用いられる配位子として、本発明においては−(C=O)O−部位を複数有する窒素含有化合物を用いることが好ましい。そのような窒素含有化合物としてはアミノポリカルボン酸類を用いることが好ましい。アミノポリカルボン酸類としては、例えばエチレンジアミン四酢酸(EDTA)、ニトリロ三酢酸(NTA)、イミノジ酢酸(IDA)、エチレンジアミンジ酢酸(EDDA)、エチレングリコールジエチルエーテルジアミン四酢酸(GEDA)などが挙げられる。これらのアミノポリカルボン酸類のうち、微粒で、且つ焼結温度の低い銅粒子が容易に得られる観点から、−(C=O)O−部位を3個又は4個有する窒素含有化合物を配位子として用いることが好ましく、特にエチレンジアミン四酢酸(EDTA)やニトリロ三酢酸(NTA)を用いることが好ましく、とりわけニトリロ三酢酸(NTA)を用いることが好ましい。すなわち銅錯体として、銅−ニトリロ三酢酸錯体を用いることが好ましい。この銅錯体においては一般に正二価の銅イオン1個に対して1個のニトリロ三酢酸が配位している。銅イオンに配位しているニトリロ三酢酸の状態は、該銅錯体が溶解している水溶液のpHに依存する。   In the present invention, it is preferable to use a nitrogen-containing compound having a plurality of — (C═O) O— sites as a ligand used for coordination with a copper ion to form a copper complex. As such a nitrogen-containing compound, aminopolycarboxylic acids are preferably used. Examples of aminopolycarboxylic acids include ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), nitrilotriacetic acid (NTA), iminodiacetic acid (IDA), ethylenediaminediacetic acid (EDDA), and ethylene glycol diethyl etherdiaminetetraacetic acid (GEDA). Among these aminopolycarboxylic acids, a nitrogen-containing compound having three or four — (C═O) O— moieties is coordinated from the viewpoint of easily obtaining fine and low sintering temperature copper particles. It is preferable to use it as a child, in particular ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) or nitrilotriacetic acid (NTA) is preferable, and nitrilotriacetic acid (NTA) is particularly preferable. That is, it is preferable to use a copper-nitrilotriacetic acid complex as the copper complex. In this copper complex, one nitrilotriacetic acid is generally coordinated to one positive divalent copper ion. The state of nitrilotriacetic acid coordinated to the copper ion depends on the pH of the aqueous solution in which the copper complex is dissolved.

銅錯体として銅−ニトリロ三酢酸錯体を用いる場合、この銅錯体は好適には以下に述べる手順によって調製することができる。すなわち、水溶性のニトリロ三酢酸塩、例えばニトリロ三酢酸二ナトリウムを準備し、これを水に溶解させてニトリロ三酢酸の水溶液を調製する。この水溶液に銅源化合物を添加する。銅源化合物としては、例えば二価の銅化合物を用いることができる。その具体例としては、水酸化銅(II)、酢酸銅(II)、硝酸銅(II)、硫酸銅(II)などが挙げられる。銅源化合物が水溶性である場合には、該銅源化合物を前記の水溶液に添加することで、該水溶液中に銅−ニトリロ三酢酸錯体が生成する。銅源化合物が水不溶性である場合には、水溶液のpHを調整して該銅源化合物を水に溶解させる。例えば水不溶性の化合物である水酸化銅(II)を銅源化合物として用いる場合、ニトリロ三酢酸の水溶液に水酸化銅(II)を添加した後、該水溶液に塩基性化合物を適量添加する。塩基性化合物としては、例えば水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物を用いることが好適である。塩基性化合物の添加量は、水酸化銅(II)が水に溶解するpHとなるような量とする。それによって水溶液中に銅−ニトリロ三酢酸錯体が生成する。銅−ニトリロ三酢酸錯体が生成後の水溶液中に未反応の固形分が残存している場合には、濾過等の分離手段を用いて該固形分を除去する。水溶液中の銅錯体の濃度は、銅イオンに基づき0.001mol/L以上1mol/L以下とすることが好ましく、0.1mol/L以上0.5mol/L以下とすることが更に好ましい。   When a copper-nitrilotriacetic acid complex is used as the copper complex, the copper complex can be preferably prepared by the procedure described below. That is, a water-soluble nitrilotriacetic acid salt, for example, disodium nitrilotriacetate, is prepared and dissolved in water to prepare an aqueous solution of nitrilotriacetic acid. A copper source compound is added to this aqueous solution. As the copper source compound, for example, a divalent copper compound can be used. Specific examples thereof include copper hydroxide (II), copper acetate (II), copper nitrate (II), copper sulfate (II) and the like. When the copper source compound is water-soluble, a copper-nitrilotriacetic acid complex is generated in the aqueous solution by adding the copper source compound to the aqueous solution. When the copper source compound is insoluble in water, the pH of the aqueous solution is adjusted to dissolve the copper source compound in water. For example, when using copper (II) hydroxide which is a water-insoluble compound as a copper source compound, after adding copper (II) hydroxide to an aqueous solution of nitrilotriacetic acid, an appropriate amount of a basic compound is added to the aqueous solution. As the basic compound, for example, an alkali metal hydroxide such as sodium hydroxide or potassium hydroxide is preferably used. The basic compound is added in such an amount that the pH of copper (II) hydroxide is dissolved in water. Thereby, a copper-nitrilotriacetic acid complex is formed in the aqueous solution. When an unreacted solid content remains in the aqueous solution after the copper-nitrilotriacetic acid complex is formed, the solid content is removed using a separation means such as filtration. The concentration of the copper complex in the aqueous solution is preferably 0.001 mol / L or more and 1 mol / L or less, more preferably 0.1 mol / L or more and 0.5 mol / L or less based on copper ions.

このようにして得られた銅錯体の水溶液に還元剤を添加して、該還元剤を該銅錯体に作用させ、該銅錯体中の銅イオンを金属銅に還元する。本製造方法において還元剤の添加方法は特に制限されるものではなく、還元剤の全量を一括添加してもよく、あるいは所定の時間にわたり連続滴下してもよい。これらの方法のうち、連続滴下を採用することで、還元反応による発泡を抑えることができるという利点がある。還元剤を作用させるのに際しては、銅錯体の水溶液中に、銅錯体の配位子成分以外の保護剤を存在させないことが好ましい。かかる保護剤が銅錯体の水溶液中に存在した状態で該銅錯体中の銅イオンを還元させると、還元によって生成した銅粒子の表面に該剤が付着してしまう。該保護剤が表面に付着した銅粒子は、該保護剤の存在に起因して焼結が生じにくくなるので、焼結開始温度が高くなる傾向にあるという不都合を該銅粒子は有している。   A reducing agent is added to the aqueous solution of the copper complex thus obtained so that the reducing agent acts on the copper complex, and the copper ions in the copper complex are reduced to metallic copper. In this production method, the method for adding the reducing agent is not particularly limited, and the whole amount of the reducing agent may be added all at once, or may be continuously dropped over a predetermined time. Among these methods, there is an advantage that foaming due to a reduction reaction can be suppressed by adopting continuous dripping. When the reducing agent is allowed to act, it is preferable that no protective agent other than the ligand component of the copper complex be present in the aqueous solution of the copper complex. When the copper ion in the copper complex is reduced in a state where the protective agent is present in the aqueous solution of the copper complex, the agent adheres to the surface of the copper particles generated by the reduction. Since the copper particles having the protective agent attached to the surface are less likely to be sintered due to the presence of the protective agent, the copper particles have the disadvantage that the sintering start temperature tends to increase. .

前記の銅錯体の還元によって銅粒子が生成するときに、配位子の分解が生じると本発明者は考えている。配位子の分解によって生じた分解物は、該配位子が本来有していた−(C=O)O−部位と窒素含有部位を有していることがある。そのような部位を有する分解物は、還元によって生じた銅粒子の表面に付着しやすい。その結果、本製造方法によって得られる銅粒子は、これをXPS測定すると、−COO−基及びNが検出される。   The present inventor believes that ligand decomposition occurs when copper particles are generated by reduction of the copper complex. A decomposition product generated by the decomposition of the ligand may have a — (C═O) O— site and a nitrogen-containing site that the ligand originally had. The decomposition product having such a site is likely to adhere to the surface of the copper particles generated by the reduction. As a result, when the copper particles obtained by this production method are subjected to XPS measurement, a —COO— group and N are detected.

本発明においては、銅錯体に還元剤を作用させるのに際しては、系内に銅錯体の配位子成分以外の保護剤が全く存在しないことが最も好ましいが、本発明の効果を損なわない限りにおいて不可避的に微量の銅錯体の配位子成分以外の保護剤が混入することは許容される。   In the present invention, when the reducing agent is allowed to act on the copper complex, it is most preferable that no protective agent other than the ligand component of the copper complex is present in the system, but as long as the effect of the present invention is not impaired. Inevitably, a small amount of a protective agent other than the ligand component of the copper complex is allowed to be mixed.

銅錯体に還元剤を作用させるのに際して、系内のpHは8.0以上14.0以下に設定することが好ましく、8.6以上13.0以下に設定することが更に好ましく、8.9以上12.9以下に設定することが一層好ましい。特に、還元剤としてヒドラジンを用いる場合、系内のpHは12.4以上に設定することが、粒子の凝集を効果的に防ぐ観点から特に好ましい。このpHの範囲内の水溶液に還元剤を添加することで、微粒で、且つ焼結温度の低い銅粒子が容易に得られる。pHの調整には各種の酸や塩基性物質を用いることができる。例えば水酸化ナトリウムやアンモニアを用いることができる。   When the reducing agent is allowed to act on the copper complex, the pH in the system is preferably set to 8.0 or more and 14.0 or less, more preferably 8.6 or more and 13.0 or less, and 8.9 More preferably, it is set to 12.9 or less. In particular, when hydrazine is used as the reducing agent, the pH in the system is particularly preferably set to 12.4 or more from the viewpoint of effectively preventing particle aggregation. By adding a reducing agent to an aqueous solution within this pH range, copper particles that are fine and have a low sintering temperature can be easily obtained. Various acids and basic substances can be used to adjust the pH. For example, sodium hydroxide or ammonia can be used.

銅錯体に作用させる還元剤としては、該銅錯体における銅イオンを金属銅にまで還元し得る還元能を有する化合物を特に制限なく用いることができる。そのような還元剤としては、例えばヒドラジン、塩酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジン及び抱水ヒドラジン等のヒドラジン系化合物、水素化ホウ素ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム、次亜硝酸ナトリウム、亜リン酸、亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸、次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。これらの還元剤は1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いることができる。特に、ヒドラジンを初めとするヒドラジン系化合物は還元力が強いので好適に用いられ、とりわけヒドラジンは還元後に不純物の発生が少ないので特に好適に用いられる。還元剤の使用量は、銅錯体から銅粒子を生成できる量であれば特に制限はなく、適宜設定することができる。一般に銅1モルに対して0.5モル以上50モル以下の範囲で還元剤を使用することが好ましい。この範囲内で還元剤を使用することで、還元を過度に進行させることなく、微粒の銅粒子を十分に生成させることができる。この観点から、更に好ましい還元剤の使用量は、銅1モルに対して1モル以上5モル以下の範囲である。   As the reducing agent that acts on the copper complex, a compound having a reducing ability capable of reducing the copper ion in the copper complex to metallic copper can be used without any particular limitation. Examples of such a reducing agent include hydrazine compounds such as hydrazine, hydrazine hydrochloride, hydrazine sulfate and hydrazine hydrate, sodium borohydride, sodium sulfite, sodium hydrogen sulfite, sodium thiosulfate, sodium nitrite, sodium hyponitrite. , Phosphorous acid, sodium phosphite, hypophosphorous acid, sodium hypophosphite and the like. These reducing agents can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. In particular, hydrazine-based compounds such as hydrazine are preferably used because they have a strong reducing power, and hydrazine is particularly preferably used because it generates less impurities after reduction. The amount of the reducing agent used is not particularly limited as long as it is an amount capable of generating copper particles from a copper complex, and can be appropriately set. Generally, it is preferable to use a reducing agent in the range of 0.5 mol or more and 50 mol or less with respect to 1 mol of copper. By using a reducing agent within this range, fine copper particles can be sufficiently generated without excessive reduction. From this viewpoint, the more preferable amount of the reducing agent used is in the range of 1 mol to 5 mol with respect to 1 mol of copper.

銅錯体を含む水溶液に還元剤を添加したら、液の撹拌を所定時間継続してエージングを行う。還元剤を添加するときの水溶液の温度、及びエージング時の水溶液の温度は、本製造方法において臨界的なものではなく、一般に20℃以上25℃以下の室温で行うことができる。このようにして、目的とする銅粒子を得ることができる。このようにして得られた銅粒子は、粒子間での凝集を抑制するための剤(銅錯体の配位子に由来の有機化合物以外の物質)からなる層を粒子表面に有していないものとなる。また、このようにして得られた銅粒子は、一般に球状のものとなる。球状の銅粒子は、その分散性を高めやすい観点から好ましい。なお、本発明は、本発明の意義が損なわれない程度において、得られた銅粒子が他の元素を不可避的に含むことや、銅粒子表面が酸化されることを排除するものではない。   When the reducing agent is added to the aqueous solution containing the copper complex, the liquid is stirred for a predetermined time to perform aging. The temperature of the aqueous solution at the time of adding the reducing agent and the temperature of the aqueous solution at the time of aging are not critical in this production method, and can be generally performed at a room temperature of 20 ° C. or more and 25 ° C. or less. In this way, target copper particles can be obtained. The copper particles thus obtained do not have a layer on the particle surface, which is composed of an agent (a substance other than an organic compound derived from a ligand of a copper complex) for suppressing aggregation between particles. It becomes. The copper particles obtained in this way are generally spherical. Spherical copper particles are preferable from the viewpoint of easily increasing the dispersibility. The present invention does not exclude that the obtained copper particles inevitably contain other elements or that the surface of the copper particles is oxidized as long as the significance of the present invention is not impaired.

本製造方法においては、上述の工程における還元剤を作用させるときのpHを適切に設定することで、得られる銅粒子の粒径を調整することができる。例えば一次粒子の平均粒径Dが0.01μm以上0.3μm以下という微粒の銅粒子を得ることができる。   In this manufacturing method, the particle size of the obtained copper particles can be adjusted by appropriately setting the pH when the reducing agent in the above-described step is allowed to act. For example, fine copper particles having an average primary particle size D of 0.01 μm or more and 0.3 μm or less can be obtained.

このようにして得られた銅粒子は、純水リパルプ洗浄やデカンテーション法等による洗浄後、水やアルコール等の有機溶媒等に分散させてスラリーやインクやペースト等としてもよい。また銅粒子を乾燥させて乾燥粉としてもよい。更に、得られた銅粒子を、後述するように溶剤や樹脂等を添加して、スラリーやインクやペースト等の組成物としてもよい。この組成物は、導電性又は熱伝導性組成物として好適に用いることができる。   The copper particles obtained in this way may be dispersed in an organic solvent such as water or alcohol after being washed by pure water repulp washing or decantation method, etc. to obtain slurry, ink, paste, or the like. Alternatively, the copper particles may be dried to obtain a dry powder. Furthermore, it is good also as compositions, such as a slurry, an ink, and a paste, adding a solvent, resin, etc. so that the obtained copper particle may mention later. This composition can be suitably used as a conductive or thermally conductive composition.

従来、保護剤の層を有さず、且つ微粒の銅粒子は、乾燥させると凝集してしまうため、乾燥粉として取り出すことは難しかった。このため、従来、このような銅粒子を保管・搬送する際には、銅粒子に水や有機溶媒、樹脂等を添加して、水性スラリーやペーストの形態としていた。これに対し、本製造方法で得られた銅粒子は、保護剤の層を有していないにも関わらず、乾燥させても凝集しにくいので、乾燥粉として保管・搬送できる。このことは、銅粒子の保管スペースを削減でき、搬送しやすい等の点で有利である。   Conventionally, fine copper particles that do not have a protective agent layer and aggregate when dried are difficult to take out as a dry powder. For this reason, conventionally, when storing and transporting such copper particles, water, an organic solvent, a resin, or the like is added to the copper particles to form an aqueous slurry or paste. On the other hand, the copper particles obtained by this production method can be stored and transported as a dry powder because they do not have a protective agent layer and hardly aggregate when dried. This is advantageous in that the storage space for the copper particles can be reduced and it can be easily transported.

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。特に断らない限り、「%」は「質量%」を意味する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the scope of the present invention is not limited to such examples. Unless otherwise specified, “%” means “mass%”.

〔実施例1〕
(1)銅錯体水溶液の調製
244gのニトリロ三酢酸二ナトリウムを1202gの水に溶解して水溶液を得た。この水溶液に51gの水酸化銅(II)を添加して液中に分散させた。この分散状態下に、203gの10%水酸化ナトリウム水溶液を添加して撹拌を行った。次いで濾過によって水不溶物を除去することで、銅−ニトリロ三酢酸錯体を含む水溶液を得た。この水溶液における銅−ニトリロ三酢酸錯体の濃度は、銅基準で0.3mol/Lであった。水溶液のpHは12.9であった。
[Example 1]
(1) Preparation of aqueous copper complex solution 244 g of nitrilotriacetic acid disodium was dissolved in 1202 g of water to obtain an aqueous solution. To this aqueous solution, 51 g of copper (II) hydroxide was added and dispersed in the liquid. Under this dispersion state, 203 g of 10% aqueous sodium hydroxide solution was added and stirred. Next, an aqueous solution containing a copper-nitrilotriacetic acid complex was obtained by removing water-insoluble matter by filtration. The concentration of the copper-nitrilotriacetic acid complex in this aqueous solution was 0.3 mol / L based on copper. The pH of the aqueous solution was 12.9.

(2)還元剤水溶液の調製
31gのヒドラジン一水和物を469gの水に溶解させてヒドラジン水溶液を得た。この水溶液におけるヒドラジンの濃度は1.2mol/Lであった。
(2) Preparation of reducing agent aqueous solution 31 g of hydrazine monohydrate was dissolved in 469 g of water to obtain a hydrazine aqueous solution. The concentration of hydrazine in this aqueous solution was 1.2 mol / L.

(3)銅粒子の合成
前記の(1)で得られた銅錯体水溶液を1600g用い、室温下、(2)で得られた還元剤水溶液を400g撹拌下に添加した。還元剤の量は、銅1モルに対して約1モルであった。混合液の撹拌を1時間継続してエージングを行った。次いで純水による遠心分離洗浄を行い、更にエタノールで溶媒置換を行った。その後遠心分離により濃縮し、固形分の真空乾燥をこの順で行い、目的とする銅粒子を得た。
(3) Synthesis of copper particles 1600 g of the aqueous copper complex solution obtained in (1) above was used, and 400 g of the reducing agent aqueous solution obtained in (2) was added at room temperature with stirring. The amount of reducing agent was about 1 mole per mole of copper. The mixture was stirred for 1 hour for aging. Subsequently, centrifugal washing with pure water was performed, and further solvent substitution with ethanol was performed. Then, it concentrated by centrifugation and performed the vacuum drying of the solid content in this order, and obtained the target copper particle.

〔実施例2ないし6〕
以下の表1に示す条件を採用した以外は実施例1と同様にして銅粒子を得た。
[Examples 2 to 6]
Copper particles were obtained in the same manner as in Example 1 except that the conditions shown in Table 1 below were adopted.

〔比較例1〕
(1)有機高分子保護剤水溶液の調製
6gのゼラチンを78gの水に溶解し、室温で1時間静置してゼラチンを膨潤させた。次いで撹拌下に40℃まで加熱し、その温度を1時間維持しつつ撹拌を継続した。次いで8gの5%水酸化ナトリウム水溶液を添加して撹拌を継続することで、ゼラチン水溶液を得た。この水溶液におけるゼラチンの濃度は6.5%であった。
[Comparative Example 1]
(1) Preparation of organic polymer protective agent aqueous solution 6 g of gelatin was dissolved in 78 g of water and allowed to stand at room temperature for 1 hour to swell the gelatin. Next, the mixture was heated to 40 ° C. with stirring, and stirring was continued while maintaining the temperature for 1 hour. Next, 8 g of 5% aqueous sodium hydroxide solution was added and stirring was continued to obtain an aqueous gelatin solution. The gelatin concentration in this aqueous solution was 6.5%.

(2)酸化第二銅の合成
1000gの水酸化ナトリウム水溶液(2mol/L)と1000gの硝酸銅水溶液(1mol/L)とを混合し、撹拌下に40℃まで加熱し、その温度を6時間維持しつつ撹拌を継続した。この水溶液をオートクレーブに充填し、100℃で96時間水熱合成を行った。得られた生成物を純水で洗浄し、引き続き凍結乾燥することで、酸化第二銅を得た。
(2) Synthesis of cupric oxide 1000 g of an aqueous sodium hydroxide solution (2 mol / L) and 1000 g of an aqueous copper nitrate solution (1 mol / L) are mixed, heated to 40 ° C. with stirring, and the temperature is maintained for 6 hours. Stirring was continued while maintaining. This aqueous solution was filled in an autoclave and hydrothermal synthesis was performed at 100 ° C. for 96 hours. The obtained product was washed with pure water and subsequently freeze-dried to obtain cupric oxide.

(3)還元剤水溶液の調製
5gのヒドラジン一水和物を90gの水に溶解させた。次いで5gのピロカテコールを添加して、目的とする水溶液を得た。この水溶液におけるヒドラジンの濃度は1mol/Lであった。ピロカテコールの濃度は0.2mol/Lであった。
(3) Preparation of reducing agent aqueous solution 5 g of hydrazine monohydrate was dissolved in 90 g of water. Next, 5 g of pyrocatechol was added to obtain a target aqueous solution. The concentration of hydrazine in this aqueous solution was 1 mol / L. The concentration of pyrocatechol was 0.2 mol / L.

(4)銅粒子の合成
前記の(1)で得られた有機高分子保護剤水溶液を92g用い、室温下、これに前記の(2)で得られた酸化第二銅を8g添加した。液を撹拌しつつ、前記の(3)で得られた還元剤水溶液を100g添加した。撹拌を継続して5時間エージングを行った。次いで液中にタンパク質分解酵素(アクチナーゼE)を0.02g添加して、35℃の環境下、24時間にわたって酵素洗浄を行った。その後、遠心洗浄を行い、次いで凍結乾燥を行って、銅粒子を得た。
(4) Synthesis of Copper Particles 92 g of the organic polymer protective agent aqueous solution obtained in (1) above was used, and 8 g of cupric oxide obtained in (2) above was added thereto at room temperature. While stirring the solution, 100 g of the reducing agent aqueous solution obtained in (3) above was added. Stirring was continued and aging was performed for 5 hours. Next, 0.02 g of proteolytic enzyme (actinase E) was added to the solution, and the enzyme was washed under an environment of 35 ° C. for 24 hours. Thereafter, centrifugal washing was performed, followed by lyophilization to obtain copper particles.

〔評価〕
実施例及び比較例で得られた銅粒子について、上述の方法で結晶子サイズ、結晶子サイズ比、結晶子サイズ比が1.2以上となる温度(℃)、及び250℃以上350℃以下の温度範囲における単位温度あたりの結晶子サイズ比の変化量を測定した。また、一次粒子の平均粒径D、比表面積SSA、炭素及び窒素の含有割合を測定した。また、XPS測定を行い、−COO−基及びNの検出の有無を測定した。結晶子サイズ比の温度依存性の測定結果を以下の表2に示す。それ以外の結果を以下の表3に示す。なお、XRD測定は、株式会社リガク製全自動水平型多目的X線回折装置と、検出器として同社製の高速二次元X線検出器PILATUS3 R 100Kとを用いて、窒素雰囲気中で測定温度範囲30〜400℃、昇温速度を10℃/minとし、2θ=38〜48°の範囲で測定した。また、1回のXRD測定に掛かる時間は15秒であり、XRD測定をしている間は昇温せずに、測定雰囲気の温度を保持した。測定温度は、30℃、50℃、100℃、150℃、200℃、250℃、300℃、350℃、400℃であった。
[Evaluation]
For the copper particles obtained in Examples and Comparative Examples, the crystallite size, the crystallite size ratio, the temperature at which the crystallite size ratio is 1.2 or more (° C.), and 250 ° C. or more and 350 ° C. or less by the above-described methods. The amount of change in the crystallite size ratio per unit temperature in the temperature range was measured. Moreover, the average particle diameter D of primary particles, the specific surface area SSA, the content rate of carbon and nitrogen were measured. Moreover, XPS measurement was performed and the presence or absence of the detection of -COO-group and N was measured. The measurement results of the temperature dependence of the crystallite size ratio are shown in Table 2 below. The other results are shown in Table 3 below. XRD measurement was performed in a nitrogen atmosphere using a fully automatic horizontal multi-purpose X-ray diffractometer manufactured by Rigaku Corporation and a high-speed two-dimensional X-ray detector PILATUS3 R 100K manufactured by the company as a detector. Measured in a range of 2θ = 38 to 48 ° with a temperature increase rate of ˜400 ° C. and a rate of temperature increase of 10 ° C./min. Further, the time required for one XRD measurement was 15 seconds, and the temperature of the measurement atmosphere was maintained without increasing the temperature during the XRD measurement. Measurement temperature was 30 degreeC, 50 degreeC, 100 degreeC, 150 degreeC, 200 degreeC, 250 degreeC, 300 degreeC, 350 degreeC, and 400 degreeC.

〔一次粒子の平均粒径D〕
走査型電子顕微鏡(日本エフイー・アイ(株)製XL30SFEG)を用い、走査型電子顕微鏡(SEM)像を撮影した。倍率は粒子の粒径に応じて決定し、5000倍から150000倍の範囲で撮影を行った。画像解析ソフトMac−View(マウンテック製)を用いてSEM像を解析し、1サンプルあたり100個以上の粒子についてHeywood径を求めた。Heywood径の算術平均値を一次粒子の平均粒径Dとした。
[Average particle diameter D of primary particles]
A scanning electron microscope (SEM) image was taken using a scanning electron microscope (XL30SFEG, manufactured by Japan FI Eye Co., Ltd.). The magnification was determined according to the particle size of the particles, and photographing was performed in the range of 5000 to 150,000 times. The SEM image was analyzed using image analysis software Mac-View (manufactured by Mountec), and the Heywood diameter was determined for 100 or more particles per sample. The arithmetic average value of the Heywood diameter was defined as the average particle diameter D of the primary particles.

〔比表面積(SSA)〕
比表面積(SSA)は、一次粒子の平均粒径Dを用い下記式から算出した。
SSA=6/(ρ*D)
式中、SSAは比表面積〔m/g〕を表し、ρは銅の密度〔g/m〕を表し、Dは一次粒子の平均粒径〔m〕を表す。
[Specific surface area (SSA)]
The specific surface area (SSA) was calculated from the following formula using the average particle diameter D of the primary particles.
SSA = 6 / (ρ * D)
In the formula, SSA represents a specific surface area [m 2 / g], ρ represents a copper density [g / m 3 ], and D represents an average particle diameter [m] of primary particles.

〔炭素の含有割合PC〕
ガス分析装置((株)堀場製作所製EMIA−920V)を用いて測定した。
〔窒素の含有割合PN〕
酸素・窒素・水素分析装置(Leco製ONH836)を用いて測定した。
[Carbon content ratio PC]
Measurement was performed using a gas analyzer (EMIA-920V manufactured by Horiba, Ltd.).
[Nitrogen content PN]
Measurements were made using an oxygen / nitrogen / hydrogen analyzer (ONH836 from Leco).

〔XPS測定〕
XPS装置(アルバック・ファイ株式会社製のVersaProbeII)を用いた。銅粒子を窒素雰囲気中でハンドプレス機にて圧縮成型した後、ブロワーにて除去し、測定試料とした。その後、窒素雰囲気中で同社製のトランスファー・ベッセルに試料を入れ、装置に導入した。X線源はモノクロAl−Kα線(hν=1486.7eV、100W)を用いた。Pass Energyを26eV、エネルギーステップを0.1eVとし、検出器と試料台の角度を45°として測定を行った。なお帯電中和には低速イオン及び電子を使用した。データの解析にはアルバック・ファイ社製MultiPak 9.0を用いた。得られたスペクトルについてC1sの結合エネルギーを284.8eVとして帯電補正を行った。補正後、Savitzky−Golay法でスムージング処理し、Shirley法によりバックグラウンドを除去した。得られたスペクトルについて−COO−基及びNの検出の有無を確認した。なお、−COO−基は結合エネルギー288.0eV以上289.2eV以下に現れるピークのことであり、Nは結合エネルギー390eV以上410eV以下に現れるピークのことである。
[XPS measurement]
An XPS apparatus (VersaProbe II manufactured by ULVAC-PHI Co., Ltd.) was used. The copper particles were compression molded with a hand press in a nitrogen atmosphere and then removed with a blower to obtain a measurement sample. Thereafter, the sample was placed in a transfer vessel manufactured by the same company in a nitrogen atmosphere and introduced into the apparatus. As the X-ray source, a monochrome Al—Kα ray (hν = 1486.7 eV, 100 W) was used. Measurement was performed with a pass energy of 26 eV, an energy step of 0.1 eV, and an angle between the detector and the sample stage of 45 °. For charging neutralization, low-speed ions and electrons were used. MultiPak 9.0 manufactured by ULVAC-PHI was used for data analysis. The obtained spectrum was subjected to charge correction with a C1s binding energy of 284.8 eV. After correction, smoothing was performed by the Savitzky-Golay method, and the background was removed by the Shirley method. With respect to the obtained spectrum, the presence or absence of detection of -COO-group and N was confirmed. The —COO— group is a peak appearing at a binding energy of 288.0 eV or more and 289.2 eV or less, and N is a peak appearing at a binding energy of 390 eV or more and 410 eV or less.

表3に示す結果から明らかなとおり、各実施例の銅粒子は、低温焼結性が優れるものであることが判る。   As is clear from the results shown in Table 3, it can be seen that the copper particles of each Example are excellent in low-temperature sintering properties.

Claims (6)

以下の(a)及び(b)の条件を満たす銅粒子。
不活性雰囲気中で銅粒子を30℃から350℃まで昇温する間の複数の温度にて、該温度を一旦保持した状態で、該銅粒子についてXRD測定を行い、その測定結果から得られた、30℃における銅の結晶子サイズに対する各温度における該結晶子サイズの比である結晶子サイズ比と温度との関係において、
(a)前記結晶子サイズ比が1.2となる温度が250℃以下であり、
(b)250℃以上350℃以下の温度範囲における単位温度あたりの前記結晶子サイズ比の変化量が2.0×10−3以上である。
Copper particles satisfying the following conditions (a) and (b).
XRD measurement was performed on the copper particles at a plurality of temperatures while the copper particles were heated from 30 ° C. to 350 ° C. in an inert atmosphere, and obtained from the measurement results. In the relationship between the crystallite size ratio, which is the ratio of the crystallite size at each temperature to the crystallite size of copper at 30 ° C., and the temperature,
(A) the temperature at which the crystallite size ratio is 1.2 is 250 ° C. or less,
(B) The amount of change in the crystallite size ratio per unit temperature in the temperature range of 250 ° C. or higher and 350 ° C. or lower is 2.0 × 10 −3 or higher.
XPS測定によって−COO−基及びNが検出される、請求項1に記載の銅粒子。   The copper particle according to claim 1, wherein —COO— group and N are detected by XPS measurement. 炭素含有割合PC(質量%)と比表面積SSA(m/g)との比であるPC/SSAの値が0.01以上0.1以下であり、且つ窒素含有割合PN(質量%)と比表面積SSA(m/g)との比であるPN/SSAの値が0.001以上0.05以下である請求項1又は2に記載の銅粒子。 The value of PC / SSA, which is the ratio of the carbon content ratio PC (mass%) and the specific surface area SSA (m 2 / g), is 0.01 or more and 0.1 or less, and the nitrogen content ratio PN (mass%) The copper particle according to claim 1 or 2, wherein a value of PN / SSA, which is a ratio to the specific surface area SSA (m 2 / g), is 0.001 or more and 0.05 or less. 請求項1ないし3のいずれか一項に記載の銅粒子を含む組成物。   The composition containing the copper particle as described in any one of Claim 1 thru | or 3. 導電材として用いられる請求項4に記載の組成物。   The composition according to claim 4, which is used as a conductive material. ダイボンディング用の接合材料として用いられる請求項4に記載の組成物。   The composition according to claim 4, which is used as a bonding material for die bonding.
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